CN1312732C - 膜除去装置、膜除去方法和基板处理系统 - Google Patents

膜除去装置、膜除去方法和基板处理系统 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种膜除去装置，它包括：基板保持部(60)，保持具有涂布膜的基板；激光光源(63)，将激光局部照射到该基板保持部上的基板的定位记号位置(14)上，将涂布膜从基板部分剥离；流体供给机构(113-116，201，202)，具有向定位记号位置供给规定流体的主喷嘴(64，172，200)；回收机构(90)，具有在基板上将供给到定位记号位置的规定流体连同剥离了的膜成分吸引的吸引口(66a，171，193)；和引导部件(65，170，191)，将主喷嘴所喷出的规定流体引导到定位记号位置，同时引导到回收机构的吸引口使得规定的流体以及剥离了的膜成分不扩散到定位记号位置周围，并且不泄漏。

Description

膜除去装置、膜除去方法和基板处理系统
技术领域
本发明涉及从基板定位用的定位记号上除去保护膜和反射防止膜等的涂布膜的膜除去装置、膜除去方法以及基板处理系统。
背景技术
制造LCD或半导体设备的光刻法(Photolithography process)，是以以下顺序进行的：在基板(LCD用玻璃基板、半导体晶片)表面涂布保护液的保护膜涂布处理、在保护膜上形成规定的潜象图案的曝光处理、以及使保护膜显影的显影处理。这样规定电路图形就在基板上形成了。
在曝光处理方面，曝光机必需精度极高地对基板定位，基板定位的步骤如下：在基板规定位置上事先做好定位标记，用位置检测用的激光检测出该定位标记的位置，然后依照该定位标记的位置实施定位。这种使用激光进行的基板定位，由于有能够高精度实施定位这一点，所以是有效的。
在保护膜涂布工序和反射防止膜涂布工序中，由于使用旋转涂布法使涂布膜形成于基板全面，定位标记因而被涂布膜覆罩。因此曝光处理工序当中，位置检测用激光由于涂布膜的原因或被反射，或衰减，定位标记往往不被正确检测，基板定位精度低下，结果就造成图形曝光不正确。
日本特开平10-113779号公报中，提出了一种激光加工装置的方案。就是对曝光机在基板定位之前，向定位记号上的膜照射加工用的激光，激光能够只将该定位记号上的膜除去。
然而，现有装置使用激光对膜施以较高能量，膜的成分会蒸发、分解，这样膜除去之后，被分解的膜残存、浮游在周围。如果以此状态放置的话，该分解了的膜的浮游物会再度附着在基板之上，由于之后的处理有可能不形成正常的电路图形。
美国专利4752668号公报以及日本特开平11-145108号公报中提出了作为解决相关弊害的方法，那就是提供一种微细加工装置，对浸泡在储有液体的加工槽内的基板进行激光照射，然后实施孔加工。但是，即便是使用这种微细加工装置，还是不能排出一旦被除去的膜的分解物再度附着上去的可能性。还是不足以防止基板的污染。还有，由于基板整体沾有液体，后处理就需要有洗净整个基板的洗净机构，所以存在加工工序复杂的缺点。
发明内容
本发明的目的在于在除去基板规定位置(定位记号)上的涂布膜时，提供能够不污染基板的膜除去装置、膜除去方法以及基板处理系统。
本发明的膜除去装置的特征为具有：基板保持部，保持具有涂布膜的基板；激光光源，用激光局部照射该基板保持部上的基板规定位置，使上述涂布膜从基板上部分剥离；具有对上述规定位置供给规定流体的主喷嘴的流体供给机构；回收机构，该回收机构包含吸引口，在基板上将供给到上述规定位置的上述规定流体连同剥离的膜成分吸收并除去；和引导部件，该引导部件将从上述主喷嘴喷出的上述规定流体引导至上述规定位置，同时将上述规定流体以及剥离了的膜成分引导至上述回收机构的吸引口使得它不会在上述规定位置周围扩散、漏出。
根据上述发明，能够实施将液体喷出在基板上、使液体在基板表面上流动，在回收该液体的同时用激光照射进行除去膜的作业。这样一来，激光所分解的膜成分汇入液体当中被回收，就可以防止利用激光分解后的膜再度附着在基板上，防止了基板污染。上述液体由于引导部件的作用被引导至上述规定位置，不会供给多余的液体，因而能够更为有效地实施膜的除去处理。还有，由于液体不会扩散到整个基板，所以洗净基板等的后处理可以简化。
引导部件是近似的长方体形，可以在基板规定位置上接近基板而配置，在该引导部件下面，可以形成有引导液体的槽。通过这个沟槽，液体会确实地被引导至规定的位置，从基板分解、剥离的膜也可以确切且确实地被排出掉。
引导部件可以是透过从激光光源所发出的激光的透明部件。这样，使用引导部件激光可以不会被遮挡，确切地照射到基板的规定位置。还有，由于引导部件是透明部件，对于规定位置，激光不论从哪个角度照射都可以，因此激光光源的安装位置就可以自由选择。
在主喷嘴上可以安装振动器。通过它振动传至从主喷嘴喷出的液体，所以通过液体自身能够提高膜的剥离、除去效果。需提一下，振动器可以是产生超音波振动的振动器。进一步，主喷嘴的喷口可以朝向基板的规定位置。这样，附加了振动的液体直接冲击规定位置，膜的剥离、除去效果会进一步提高。
另外，在引导部件上可以安装振动器，在上述基板保持部也可以安装振动器。在这种情况下，振动传至液体，由于液体而使得膜的剥离、除去效果会提高。
还有，液体在基板上的规定位置上流淌的状态下，能够向规定位置照射激光，进行膜除去作业。而且，借助整流板可以使通过该位置的液体与基板隔离。借此能够防止卷入了膜的污染液体再次接触基板而使膜颗粒再次附着在基板上。
再有，液体在基板上的规定位置上流淌，在这种液体流的两侧形成有与该液体的流动同方向的流体的流动，在此状态下向规定位置照射激光也可以进行膜的除去作业。由此液体夹在流体中间，不会扩散到基板上而是直线流淌。所以可以防止汇入了分解膜的液体在整个基板上扩散，防止膜颗粒再度附着在基板上。需提一下，副喷嘴喷出的液体既可以是纯水，也可以是气体。
本发明的膜除去装置以以下结构为特征。它包含：基板保持部，保持具有涂布膜的基板；激光光源，用激光局部照射该基板保持部上的基板规定位置，使上述涂布膜从基板上部分剥离；膜除去单元，具有对上述规定位置供给规定流体的主喷嘴，并且，还具备第一吸引口，将供给到上述规定位置上的上述规定流体连同剥离了的膜成分在基板上吸引并除去，将上述主喷嘴喷出的上述规定流体引导至上述规定位置，同时引导至上述第一吸引口使得上述规定流体以及剥离了的膜成分不会在上述规定位置周围扩散、漏出；流体供给机构，向上述规定主喷嘴供给上述规定流体；和回收机构，与上述第一吸引口连通。
根据上述发明，通过将膜除去单元接近基板规定位置上面配置，可以在规定位置上形成膜除去空间。而且，对该膜除去空间供给液体，使该液体能够从膜除去空间排液，因此借助激光能够将在膜除去空间中剥离的膜连同液体一起较好地排出。这种情况下，由于向限定的空间里高效地供给液体，因此液体的消费量就能降低。还有，膜除去单元的一部分由于选用了透明材料，所以能够不遮挡激光而可以较好地照射。
在膜除去单元中，还可以进一步设置有供给管，它在膜除去空间以外、向膜除去单元和基板的间隙里供给液体。这样，处于膜除去空间之外的膜除去单元和基板间的间隙充满了液体，抑制了液体由膜除去空间向该间隙的流动。因此，膜除去空间的液体由排液管适当排出，可以防止含有分解膜的液体扩散到基板上。
另外，膜除去单元的吸引口即便配置在规定位置上面，也不会遮挡来自上方的激光。因此吸引口可以接近规定位置进行吸引，由激光分解的膜的成分就能够确实高效地排出。还有，通过本案发明者的实验可知：激光分解的膜颗粒是浮游在上方的。因此从这一点来看，吸引口配置在规定位置上面是很有效的。
还有，膜除去单元也可以包括向基板的规定位置附近供给流体的流体供给部。如果从吸引口连续吸引，一般在其周围会形成负压，最终导致吸引变难。通过流体供给部也可以向规定位置附近供给气体等流体，因此可以恢复呈负压的周边部分的压力，维持来自吸引口的吸引力。这样，从吸引口较好地对分解膜进行排出，该膜颗粒再度附着在基板就可以得到防止。需提一下，流体供给部也可以以规定位置为中心在同一圆周上设置多个。
再有，优选是包含第一喷嘴和第二喷嘴，且第一喷嘴喷出的液体可比第二喷嘴喷出的液体速度快。通过接近规定位置配置的第一喷嘴来形成通过规定位置的液体流(第一流)。还有，通过第二喷嘴来形成比第一流速度慢的液体流(第二流)。以此状态，能够向规定位置照射激光，进行膜除去作业。在这种情况下，第一流和第二流之间产生压力差，从第二流侧朝向第一流侧的力就产生了。由此，就抑制了第一流的液体，即含有所剥离的膜的成分的液体在基板上漫延。因此，膜成分再度被附着在基板上就被抑制了。
掩模部件上设有为使液体流一部分接触到上述规定位置上的贯通孔。从喷嘴喷出的液体流在掩模部件上，在途中贯通孔的地方与基板的规定位置接触。这样，从规定位置剥离的膜成分能够汇入该掩模部件上的液体流从基板上排出。其结果就抑制了含有被剥离的膜成分的液体接触规定位置以外的部分。因此就抑制了该膜成分再度附着在基板上。另外，由于液体与基板表面接触被抑制了，所以就能简化基板清洗等的后处理。
另外，掩模部件形成平板状，掩模部件的下面做成水平的，上面可以倾斜使贯通孔高度变到最低的状态。还有，掩模部件可以做成俯视为圆形形状的，贯通孔设置在上述圆形形状的中心。
膜除去装置包含导向部件，可以配置在与掩模部件的贯通孔相对的位置，在上方侧抑制上述掩模部件上的液体流。导向部件能上下自由移动，可以是透明部件，使来自激光光源的激光透过到规定位置。在这种情况下，可以将导向部件上下移动，调节液体流路的宽度，调节液体的流速。由此，将规定位置上剥离的膜成分汇入具有一定流速的液体中，从基板上较好地除去。
本发明的膜除去方法是以以下过程为特征的：
(a)将涂布膜为上侧，使基板实质保持水平，从主喷嘴向基板上喷出规定流体，通过引导部件将上述规定流体供给到基板的规定位置，同时通过吸引口吸引存在于上述规定位置的上述规定流体或者通过上述规定位置的上述规定流体，然后从基板上回收，
(b)在上述规定流体流过的状态下，对上述规定位置局部照射激光，使上述涂布膜从基板上部分剥离，剥离的膜成分连同上述规定流体利用吸引口在基板上吸引除去。
根据上述发明，借助激光从基板上剥离下来的膜汇入液体当中，与该液体一起被回收。因此能够防止剥离下来的膜浮游在周围而再度附着在基板上。
本发明的基板处理系统由以下两部分组成：处理部，包含基板搬入搬出部、膜形成装置以及膜除去装置；搬送机构，在上述膜形成装置和上述膜除去装置之间搬送基板。
上述膜除去装置的特征为，具有：基板保持部，保持具有涂布膜的基板；激光光源，用激光局部照射该基板保持部上的基板规定位置，使上述涂布膜从基板上部分剥离；具有对上述规定位置供给规定流体的主喷嘴的流体供给机构；回收机构，包含吸引口，将向上述规定位置供给的上述规定流体连同剥离的膜成分一起在基板上吸收并除去；引导部件是为了将上述主喷嘴喷出的上述规定流体引导至上述规定位置，同时将上述规定流体以及剥离了的膜成分引导至上述回收机构的吸引口使得其不会在上述规定位置周围扩散、漏出。
本发明的基板处理系统由以下两部分组成。处理部，包含基板搬入搬出部、膜形成装置以及膜除去部；搬送机构，在上述膜形成装置和上述膜除去部之间搬送基板。
上述膜除去装置的特征为，包含：基板保持部，保持具有涂布膜的基板；激光光源，用激光局部照射该基板保持部上的基板规定位置，使上述涂布膜从基板上部分剥离；膜除去单元，具有对规定位置供给规定流体的喷嘴，并且，还具备第一吸引口，在基板上将供给上述规定位置的上述规定流体连同剥离了的膜成分吸引并除去，将上述主喷嘴喷出的上述规定流体引导至上述规定位置，同时引导至上述第一吸引口使得上述规定流体以及剥离的膜成分不会在上述规定位置周围扩散、漏出；流体供给机构，向上述主喷嘴供给上述规定流体；和回收机构，与上述第一吸引口连通。
根据上述发明，被激光照射从基板剥离的膜立刻被排气，因此能够防止剥离下来的膜浮游在周围并再度附着在基板上，能够在不污染基板的情况下，进行基板的膜的除去作业。还有，由于不使用液体，所以没必要进行干燥处理等后处理。
通过搬送机构，能够将在膜形成装置上形成了膜的基板迅速且确实地搬送到膜除去装置。因此可以防止以往作业员在搬送过程中基板破损的现象。另外，搬送时间也被缩短，能够减少搬送中基板的污染。搬送时间缩短了，处理基板全体的处理时间也缩短了，因此可以实现产量的提高。
膜除去部与上述第一膜形成装置以及上述第二膜形成装置之间的基板搬送，通过搬送机构可迅速且确实地进行。由于包含两种膜形成装置，所以可以在一个系统内形成不同种类的膜。由此如果是在基板上形成不同种类的膜的情况，就不用将基板搬送到其他的系统中，因此可以减少由于搬送所带来的基板污染。另外还可以缩短处理时间。
处理部设有对基板进行热处理的热处理装置，搬送机构可以对于热处理装置自由地在基板上搬送。在这种情况下，可以在相同系统内进行膜形成后的加热、冷却处理等。需提一下，热处理装置中含有：加热处理装置、冷却处理装置等。
另外，基板处理系统可以包含接口部，它具备在上述处理部与系统外的曝光装置间搬送基板的搬送装置。借此可以迅速搬送系统内的基板至曝光装置。因此，对含曝光处理的基板处理可以连续进行，还可以缩短基板的处理时间。
还有，膜除去部优选是包含吹出口，对着由上述基板保持部保持的基板外缘部的背面吹出气体。基板上液体流淌时，由于能够向基板外缘部的背面吹出气体，所以就可以防止从外缘部落下的液体流转到基板背面。这样由于微粒的原因而造成的基板背面的污染就得到了防止。还有，由于可以不进行基板背面的清洗，也就可以简化相应部分的基板处理工序。
膜除去装置还可以包含向基板上喷出气体的气体喷出部。在这种情况下，就可以向基板上喷出气体，吹走残存在基板之上的液体，因而就省略或简化基板的干燥处理。
在这种情况下，即使膜除去单元的吸引口配置在规定位置，也不会遮断来自上方的激光。由于吸引口可以接近上述规定位置吸引，激光所分解的膜微粒也就可以确实地、高效地排出。还有，通过发明者的实验可知：激光所分解的膜的微粒浮游在上方，所以吸引口能够在规定位置上配置，从这一点来看是有效的。
另外，基板处理系统可以具备向基板规定位置附近供给流体的流体供给部。来自上述吸引口的吸引连续进行的话，一般就会使得其周边形成负压，最终变得很难吸引。根据本发明，流体供给部可以向上述规定位置附近供给气体等流体，使形成负压的周围压力回复，以维持来自吸引口的吸引力。还有，从流体供给部向吸引口形成流畅的流，能够让在规定位置剥离的膜成分有效地流入膜除去单元。因此，分解膜的除去较好地进行，就防止了基板上该膜微粒再度附着。需提一下，“流体”中含有氮气、氧气等气体或纯水等液体。
基板处理系统可以具备使基板保持部在水平面内移动的移动机构。借助它可以将被搬送到膜除去部内的基板移动到激光照射的规定位置上。
还有，处理系统可以具备位置检测部件，检测保持在基板保持部的基板位置，在这种情况下，因为可以检测基板位置，所以可以基于检测位置，修正基板位置。这样移动基板到更为正确的位置，就能够更为正确地照射激光。
基板处理系统也可以具有围绕保持在基板保持部的基板的罩。还有，基板处理系统可以具备在膜除去部内形成清洁空气的下降流的空调装置。通过在膜除去处理中在膜除去部内形成清洁空气的下降流，就能够排出从基板和驱动部产生的微粒，将膜除去部内维持为清洁的环境，因此，也就能够防止尘埃等浮游物附着在基板上，较好地进行基板处理。
附图说明
图1是基板处理系统的内部透视平面图。
图2是基板处理系统的正面图。
图3是基板处理系统的背面图。
图4是反射防止膜形成装置(或者是保护膜涂布装置)的内部透视截面图。
图5是显示本发明的膜除去装置概要的截面框图。
图6是示意地显示本发明的膜除去装置的截面框图。
图7是显示罩内配置的下部吹出口的平面图。
图8是引导部件的立体图。
图9是显示从定位记号上除去保护膜时的膜除去装置的模式图。
图10是带有吸引口的回收管口的立体图。
图11是具有由涂布膜覆盖的定位记号的晶片的立体图。
图12是扩大显示的定位记号部分的截面模式图。
图13是显示从定位记号上除去保护膜状况的截面模式图。
图14是显示其他实施形式的回收管口的扩大模式图。
图15是显示直接瞄准膜除去位置喷出流体的主喷嘴以及引导部件的模式图。
图16是显示带有振动器的引导部件的模式图。
图17是显示带有振动器的基板保持部(卡盘)的模式图。
图18是显示具有整流板(掩模部件)的膜除去装置的模式图。
图19是显示主喷嘴、副喷嘴以及引导部件的平面图。
图20是显示相对配置的一对主喷嘴以及引导部件的平面图。
图21是显示膜除去单元(块型)的截面模式图。
图22示意地显示膜除去单元(块型)内部流路的立体图。
图23是带有副喷嘴的膜除去单元(块型)的截面模式图。
图24是带有多个主喷嘴的膜除去单元(腔室型；气体用)的截面框图。
图25是从下方看到的图24的膜除去单元的平面图。
图26是带有多个主喷嘴的膜除去单元(腔室型；液体用)的截面框图。
图27是显示带有除了主喷嘴外还有辅助喷嘴的膜除去单元的截面模式图。
图28是图27的膜除去单元的平面图。
图29是显示从主喷嘴以及副喷嘴分别喷出的液体(纯水)流的扩大模式图。
图30是具备掩模部件的膜除去装置的主要部分截面图。
图31是膜除去单元(腔室型；气体用)的纵截面图。
图32是图31的膜除去单元沿A-A线切断的截面图。
图33是其他膜除去单元(腔室型；气体用)的纵截面图。
图34是图33的膜除去单元的平面图。
图35是其他膜除去单元(腔室型；气体用)的截面框图。
图36是图35的膜除去单元沿B-B线切断的截面图。
图37是其他膜除去单元的平面图。
图38是图37的膜除去单元(腔室型；气体用)沿C-C线切断的截面图。
图39是图37的膜除去单元(腔室型；气体用)沿D-D线切断的截面图。
图40是其他膜除去单元的平面图。
图41是图40的膜除去单元(腔室型；气体用)沿C-C线切断的截面图。
图42是显示具备本发明的膜除去装置以及气刀组件的基板处理系统的内部透视截面图。
图43是显示具备膜除去单元(腔室型；液体用)的膜除去装置的内部结构的纵截面说明图。
图44是显示具备本发明的膜除去装置以及接口部的基板处理系统的内部透视截面图。
具体实施方式
以下参照附图对有关本发明的种种优选实施形式进行说明。
基板处理系统1如图1所示，例如将25张晶片W为晶匣单位从外部引进到基板处理系统1中，具有将以下各部分一体连接的结构：晶匣出入区2，作为对晶匣C取出放入晶片W的搬入搬出部；处理区3，作为处理部，对晶片W逐片实施热处理和膜形成处理等的规定处理；膜除去装置4，与该处理区3邻接设置，作为膜除去部，除去在处理区3中在晶片W上形成的膜的一部分。
晶匣出入区2中，在成为载置部的晶匣载置台10的规定位置上，多个晶匣C沿X轴一列地载置。搬送路径12在X轴方向伸延，辅助臂搬送机构11设置成能够沿搬送路径12移动的状态。
辅助臂搬送机构11包含：固定器，为的是保持晶片；进退驱动机构，使晶片固定器在X-Y平面内前进或者后退；升降驱动机构，将晶片固定器在Z轴方向移动；θ驱动机构，将晶片固定器围绕Z轴旋转。进一步，辅助臂搬送机构11具备对晶片W进行定位的调整机能。该辅助臂搬送机构11像后述的那样，即便对属于处理区3侧的第二处理装置组G2的扩展装置43也可以进行访问。
处理区3中，实施规定处理的各种处理装置被配置成多段，构成多个处理装置组。在这个处理系统1中，两个处理装置组G1、G2被配置，例如，第一处理装置组G1配置在处理系统1的正面侧，第二处理装置组G2配置在处理区3的晶匣出入区2侧。还有，处理区3中设置了能够多段收容数个晶片W的缓存晶匣B。缓存晶匣B例如设置在处理区3的背面侧。缓存晶匣B是通过支持晶片W的外缘部分来在各段载置、收容晶片W。
如图2所示，在第一处理装置组G1中，以下部分自下向上顺序配置成两段：在晶片W上形成作为膜的反射防止膜的膜形成装置以及作为第一膜形成装置的反射防止膜形成装置20、和作为在晶片W上形成作为膜的保护膜的第二膜形成装置的保护层涂布装置21。反射防止膜是防止曝光时光在基板上反射、通过驻波效果减轻保护图案变形的膜。需提一下，第一处理装置组G1的数量可以任意选择，也可以设置多个。
如图4所示，反射防止膜形成装置20为了使用旋转涂布法在晶片W的整个上面涂布形成反射防止膜，在壳体(casing)20a内具备：旋转卡盘30、喷嘴31、罩32。旋转卡盘30具有吸附保持晶片W、并使其围绕Z轴旋转的机能。喷嘴31与图中未标示的处理液供给源连通、是对旋转卡盘30上的晶片W供给处理液(反射防止膜用的溶液)的部分。罩32具有下列机能：接收从晶片W飞散的处理液、将处理液经过排水管排出到回收槽(图中未标示)。
壳体20a的侧面设有为使晶片W搬入搬出的搬送口33。还有，在该搬送口33上安装定时开关搬送口33的闸板34。
需提一下，保护层涂布装置21实质上与上述反射防止膜形成装置20结构相同，所以在此省略其说明。
如图3所示，在第二处理装置组G2中，以下部分自下向上重叠配置成七段：冷却处理晶片W的清洁处理装置40、41、42、作为对晶片W进行传递处理的传递部的扩展装置43、加热处理晶片W的加热处理装置44、45、46。需提一下，本实施方式的热处理装置是清洁处理装置40～42以及加热处理装置44～46。晶片W在这些热处理装置的板(plate)上被加热或是冷却到规定温度。需提一下，热处理装置也可以是包含加热处理板和冷却处理板两方的加热冷却装置。
在处理区3中，设置有第一处理装置组G1的各处理装置、第二处理装置组G2的各处理装置、主臂搬送机构50，它作为搬送机构在缓存晶匣B和后述的膜除去装置4之间搬送晶片W。主臂搬送机构50已在美国专利5664254号中公开，在此省略详细说明。
如图5所示，膜除去装置4包括：壳体4a内的卡盘60、罩61、X-Y工作台(X-Y stage)62、激光装置63、主喷嘴64、引导部件65、以及回收管口66等。卡盘60在图中未标示的吸引口向上面开口，具有水平地真空吸附保持晶片W的基板保持部的功能。
如图6所示，卡盘60通过驱动部70能够回转、升降。即，驱动部70内藏有使卡盘60高速回转的马达、以及使卡盘60升降的气缸。卡盘60上安装着超声波振动器71，使得卡盘60本身产生振动，超声波振动就传播到从主喷嘴64喷到晶片W上的液体中。由此就防止了汇入晶片W上流动的液体中的膜成分再次附着在晶片W上。
罩61设置成上面开口、近似圆筒状地围绕着卡盘60。罩61下部设有排出罩61内液体或气体的排出口72。从晶片W上或撒落或飞散的液体由罩61阻挡并由排出口72排出。
在罩61内，晶片W的下方设置多个向晶片W的外缘部背面吹出气体的吹出口73c，吹出口73c如图7所示在同一圆周上等间隔设置。对于吹出口73c而言，例如从图中未标示的气体供给装置中定时地、以规定压力供给气体。这样通过向晶片W的外缘部背面喷出气体，就能够抑制流在晶片W上面的液体向背面一侧流转。需提一下，对于喷出的气体而言，可以使用非活性气体、氮气、空气等。还有，罩61全体如图5所示，由下面封口的近似圆筒状的支持容器74支持。卡盘60容纳在该支持容器74中。
X-Y工作台62具有移动装置的作用，在水平方向移动旋转卡盘60以及罩61。例如X-Y工作台62具有两张上下配置的板。在上侧的第一板75上，如图1和图5所示，形成沿Y轴方向的轨道76。支持容器74设置在轨道76上，通过马达等驱动部77能够使其在轨道76上沿Y轴方向移动。
另一方面，在下侧的第二板78上，如图1和图5所示形成沿X轴方向延伸的轨道79。第一板75载置在该轨道79上，通过马达等驱动部80能够使其在轨道79上沿X轴方向移动。通过这样的结构，第一板75上的支持容器74能够在X轴方向、Y轴方向移动。因此，支持容器74与罩61和卡盘60一起可以向X-Y平面的任意位置移动。
另外，X-Y工作台62的驱动部77以及驱动部80的驱动由控制部81控制。即，罩61或卡盘60的移动目标点可以由控制部81来设定、控制。因此，将卡盘60所保持的晶片W移动到激光装置63下方的激光照射位置，就能够在晶片W上的所期望的膜除去位置照射激光。
激光装置63内藏激光振荡器、电源、电源控制器等，具有向覆盖晶片W的规定位置14(定位记号15)的涂布膜照射激光，并使该涂布膜分解发散的机能。对于激光振荡器63而言，例如使用YAG激光器、受激准分子激光器等的加工用激光器。激光振荡器63例如固定设置在膜除去装置4的壳体(未在图中表示)上，由此可以严格维持被设定的光学系统。激光振荡器63是能够垂直向下地发射激光。需提一下，也可以安装激光振荡器使得激光向规定偏角方向发光。
本实施方式的激光装置63固定在壳体4a的上面，激光装置63包含：例如作为激光光源的激光振荡器82、作为检测晶片W位置的位置检测部的CCD照相机83。激光振荡器82安装成能够垂直向下地发射激光的状态。因此，激光振荡器82的水平面内X-Y坐标与激光照射位置的X-Y坐标一致。需提一下，对于激光振荡器82而言，例如使用YAG激光器、受激准分子激光器等的加工用激光器。还有，激光也可以向规定方向发光。需提一下，本实施方式的激光装置63在焦点位置上的激光光束直径是调节为250μm×100μm。
CCD照相机83可以由例如与激光振荡器82设置在同光轴上的半反射镜84来对激光照射位置的影像进行反射、摄像。即，CCD照相机83能够对从激光振荡器82看到的激光照射位置的影像进行摄像。使用CCD照相机83所摄的晶片W的摄像数据例如可以输出到控制部81中。控制部81根据该摄像数据识别晶片W的现在位置，将该现在位置与事先规定的最适位置进行比较，如果该现在位置与事先规定的最适位置错开了，就向X-Y工作台62的驱动部77以及80发出命令，能够将晶片W的位置修正到适当的位置上。即，能够进行严密的位置修正使晶片W上的膜除去位置成为激光照射位置。
主喷嘴64、引导部件65和回收管口66安装在例如X轴方向能够移动的保持臂85上。保持臂85如图1和图5所示，设置成能够向Y轴方向伸延，在X轴方向沿轨道86行走。即，保持臂85通过具有马达的驱动部87来支持。另外，驱动部87中，设有使保持臂85升降的气缸等，保持臂85可以上下移动调整引导部件65等的高度。即，保持臂85可以将引导部件65接近晶片W表面后，再对该引导部件65与晶片W的距离进行严密地调节。因此，就可以调节流淌在引导部件65的诱导槽65a内的流体17(纯水)的厚度T1。
还有，保持臂85例如能够将主喷嘴64或引导部件65从规定的待机部移动到激光照射位置。保持臂85将引导部件65保持在相对于晶片W和主喷嘴64最合适的位置。例如如图9所示，配置引导部件65使得从激光照射位置14到引导部件65的主喷嘴64侧的端部的距离L1(纯水的助走距离)为6mm以上。由此，可以充分确保从主喷嘴64喷出的纯水的助走距离L1，并在纯水流到达激光照射位置之前形成使该水流安定的层流状态。
如图6所示，主喷嘴64具有经过配管113与流体供给机构连通，并向晶片W上供给作为规定流体的纯水的机能。流体供给机构具有储存规定纯度纯水的供给源114，还包括在供给源114和主喷嘴64之间的水泵115和调节阀116。水泵115和调节阀116各自的动作分别被图5所示的控制器81所控制。通过控制器81控制上述流体供给机构的水泵115和调节阀116的动作，在规定的定时、以规定压力使纯水供给到主喷嘴64，并使纯水从喷嘴64喷出到晶片W上。
如图8所示，引导部件65做成近似长方体的形状，诱导来自喷嘴64的纯水的诱导槽65a在下部形成。诱导槽65a沿引导部件65的长边(Y轴方向)形成直线状，其宽度W1(例如2～10mm左右)比膜除去位置14的定位记号15的宽度要大。
引导部件65安装在从喷嘴64喷出的纯水流入诱导槽65a的位置。通过将该引导部件65接近晶片W表面，将诱导槽65a放置到膜除去位置14上，就能够把晶片W上的液体引导到膜除去位置14。对于引导部件65而言，例如使用石英玻璃等的透明部件，就会使激光振荡器63所发出的激光无衰减、反射地透过。
引导部件65通过保持臂85被保持在与激光振荡器82的激光照射位置相同的Y坐标位置。即，通过将保持臂85在X轴方向上移动，可以将引导部件65移动直至激光照射位置(膜除去位置14的上方)。对于引导部件65而言，例如使用石英玻璃等的透明部件，就会使上方的激光振荡器82所发射的激光无衰减、反射地透过。
回收管口66具有回收在晶片W上流淌的液体的机能。如图6所示，通过回收管95将其与回收槽96相连通，而且，该回收槽96借助吸引管97与吸引机构例如排出器98相连通。
如图15所示，在主喷嘴64上安装振动器71，就能够将规定频率的振动传达到自主喷嘴64喷出的纯水当中。由此，就可能提高被激光所照射的晶片W的涂布膜的剥离效果。
回收机构90由以下部分构成：例如回收通过引导部件65的纯水的回收管口66；与该回收管口66连接的回收管26；储存在该回收管26中流淌的纯水的回收槽27；和将吸引力施加到回收管口66的吸引机构的、例如排出器28等。
如图10所示，回收管口66做成近似长方体的形状，具有斜切的下端部，在该管口的下端部开口有与回收管95相连的切口状的吸引口66a。如图9所示，吸引口66a朝向引导部件65开口，使得通过引导部件65的流体(纯水+保护层)回收容易。吸引口66a的宽度W2比引导部件的诱导槽65a的宽度W1要大。宽度W2优选例如是宽度W1的1.1倍～2.0倍。通过这样幅度的吸引口66a能够吸引流体(纯水+保护层)不会漏出。
回收管口66由臂85保持着，被置于引导部件65的下流侧。回收管口66在引导部件65接近晶片W配置时，其下端部的吸引口66a接近晶片W而定位。
如图6所示，回收管95与回收槽96的上部相连通，回收槽96的下部设有排水管99。回收的纯水17暂时储存在回收槽96中，经过排水管99随时从回收槽96排出。
在回收槽96的上部，开口有连通排出器98的吸引管97，用排出器98使吸引管97形成负压，从而吸引回收槽96内的气体，进一步，对回收管口66施加吸引力。还有，通过利用经该吸引管97的吸引，能够从回收槽96内排出伴随在纯水17的空气(气泡)。由此回收槽96内回收物气液分离成气体成分和液体成分，并分别各自排出。需提一下，对从排水管99排出的纯水进行净化处理以后，可以返回主喷嘴64再利用。还有，取代作为吸引机构的排出器也可以使用真空泵。
下面，对如上所构成的膜除去装置4的作用进行详细说明。首先，具有如图11、图12所示的多个定位记号15的、其上形成有保护层16的晶片W吸附保持在卡盘60之上。这时，可以将晶片W从规定的搬送位置(图中未标示)传递到先前上升并正在待机的卡盘60。需提一下，膜除去位置14是晶片W上的定位记号15的位置。
接下来，罩61从晶片W搬入的位置开始移动，晶片W的膜除去位置14移动到激光照射位置。这时，可以根据检测晶片W位置的CCD照相机等的位置检测装置的检测结果，来控制罩61的移动位置。
接着，通过保持臂85将主喷嘴64和引导部件65从待机部移动到晶片W上的膜除去位置14上，接近配置在晶片W上面。这时调节引导部件65的高度，调节到使流淌在诱导槽65a内的纯水的液膜17的厚度b在2mm左右以下。
如图9所示，来自主喷嘴64的例如纯水以0.5-2L/min左右的量开始喷出，在诱导槽65a内形成通过膜除去位置14上的纯水流。这时振动器71例如以0.4-1MHz左右的超声波振动，振动传播到喷出的纯水。另外，排出器28动作，通过引导部件65的纯水从回收管口66回收、排液。需提一下，回收管口66不能回收的纯水用罩61来回收，之后从排出部72排出。
在纯水流在晶片W上的状态下，从激光振荡器63发射激光，透过引导部件65，照射到膜除去位置14。如图13所示，借此该膜除去位置14的保护层16分解，从晶片W被剥离。由激光剥离的保护层16或因激光引起的热反应生成的异物汇入纯水水流，通过回收管口66从晶片W上除去。
激光照射了规定时间，如果膜除去位置14的保护层16被除去的话，激光的照射停止，纯水的喷出也停止。进一步，规定时间经过后，排出器98的动作停止，回收管口66的吸引终了。其后其他的定位记号15上的保护层16也同样被除去。
所有的膜除去位置14的保护层16被除去时，主喷嘴64和引导部件65就移动到待机部。接着，例如卡盘60高速回转，留在晶片W上的水滴被甩出，晶片W就被干燥了。该甩干干燥一旦终了，罩61移至规定搬出位置，一连串的保护层16的除去处理就终了了。
根据以上实施方式，纯水在晶片W上流淌的同时，分解膜除去位置14的定位记号15上的保护层16，迅速回收汇入有该分解物的纯水，所以就能够抑制作为分解物的保护层16再度附着到晶片W上。因此，晶片W表面可以不被污染地适当地进行膜除去处理。
由于引导部件65配置在晶片W上，纯水被诱导至膜除去位置14，因此对膜除去位置14能够供给水量充足的纯水，膜的除去能够确实地施行。另外，纯水可高效地集中在膜除去位置14，所以能够减少纯水的供给量。由于引导喷出到晶片W上的纯水，所以能够防止晶片W整面被纯水淋湿。由于充分确保了从主喷嘴64喷出的纯水的助走距离L1，纯水水流经过膜除去位置14时形成为层流，因此不会发生由乱流引起的纯水内的气泡进而激光由于该气泡而扩散，保护层16的分解也就可以切实地进行。
振动器71安装在主喷嘴64上，将超声波振动传至纯水，所以能够提高由保护层16或激光的照射引起的分解异物的纯水自身的剥离、除去作用。需提一下，也可以不将超声波振动传至纯水，而只喷出纯水。另外，所喷出的液体不只限于纯水，还可以是汇入了二氧化碳、氧或者氮等气体的纯水、离子水、臭氧水、以及过氧化氢水等其他液体。需提一下，为了防止晶片W带电，优选将喷出的液体调节在pH4-6。
进一步，由于液体供给时，从吹出口73c向晶片W的背面的周边部分吹氮气，就可以防止纯水从晶片W上面向背面流转，也可以有效防止晶片W背面的污染。由此就不需要洗净晶片W背面的后续工程，缩短了晶片W的整体处理时间。
上述实施方式中记载的回收管口66的前端部虽然倾斜，但要如图14所示可以使回收管口66A的前端部66f形成与晶片W平行的状态。在这种情况下，进入回收管口66A和晶片W缝隙的纯水能够更为确实地回收。
另外，如图15所示，可以将主喷嘴64的喷出口朝向保护层16被除去的膜除去位置14设置。在这种情况下，主喷嘴64中附加了振动的纯水直接与定位记号15上的保护层16冲突，因此能够进一步提高纯水所带来的保护层16的剥离、除去作用。需提一下，对于本例的引导部件65，应将倾斜部65b设置成不妨碍从主喷嘴64所喷出的纯水水流。
如图16所示，振动器71可以安装在引导部件65一侧。还有，如图17所示，可以安装在卡盘60。在这些情况下，振动传至在晶片W上流淌的纯水，因此能够提高纯水所带来的保护层16的剥离、除去作用。
如图18所示，取代回收管口66，也可以安装整流板18。整流板18设置在膜除去位置14的下流侧。整流板18例如制作成100-200μm左右的薄平板状，从引导部件65下流侧插入在晶片W和引导部件65之间。整流板18配置成在整流板18的上流侧的前端部与膜除去位置14之间距离S1为例如10-100μm左右的位置。整流板18的下流侧的端部做成能够达到晶片W端部的状态。整流板18的上流侧的端部做成下侧突出的锥形状。
整流板18接近晶片W配置，不接触晶片W形成例如与晶片W的距离C1为10-50μm左右的状态。整流板18通过例如安装在引导部件65的保持臂85支持，与引导部件65一体移动。
本实施方式中，纯水从主喷嘴64吐出，通过膜除去位置14以后，使用整流板18诱导至晶片上方。由此从晶片W剥离下来的保护层16不会再附着到晶片W上，晶片W的污染得到防止。进一步在整流板18上设置回收管口66，可以通过回收管口66回收保护层混入水16、17。需提一下，整流板18的后端部没有必要延伸到晶片W的周边端部，只到回收管口66的位置即可。
如图19所示，可以在上述的主喷嘴64以外，进一步在主喷嘴64两侧并设两个副喷嘴150、151。从各副喷嘴150、151与主喷嘴64同样在Y轴方向吐出纯水。副喷嘴150、151与主喷嘴64一起被保持臂85支持。副喷嘴150、151的相互间的距离可以大约调整成例如引导部件65的横宽。
由主喷嘴64供给纯水时，由副喷嘴150和151也同时供给纯水。由此从副喷嘴150和151供给的纯水形成水流从两侧夹住来自主喷嘴64的供给水，从而抑制了保护层混入水16、17在晶片W上扩散。另外，还可以上卷保护层16、使被污染的纯水呈直线高效地排出到晶片W之外。需提一下，从副喷嘴150和151供给的流体，不只限于纯水，离子水等的其他液体也可以，另外，也不只限于液体，也可以是非活性气、氮气、氧气等气体。
如图20所示，取代上述的主喷嘴64，可以在引导部件160上安装一对副喷嘴161、162。副喷嘴161、162安装在引导部件160的侧部，相对于膜除去位置14等距离相对配置。流体向垂直于引导部件160的长边方向的X轴方向喷射，引导部件160中形成向X轴方向延伸的导入槽164和向Y轴方向延伸的导入槽163，两槽163、164在膜除去位置14处交叉。
来自两个喷嘴161、162的流体17(纯水)同时被喷出，流体17在膜除去位置14冲突，连同剥离的保护层16沿诱导槽163左右排出。进一步，在诱导槽163的两个出口上分别设置了回收机构(图中未标示)，可以回收保护层混入水16、17。
如图21、图22所示，膜除去单元170可以设置于激光振荡器63和膜除去位置14之间。膜除去单元170做成近似长方体形状，其下面的中央部分具有凹部171，凹部171与晶片W的上面相对，两者之间形成膜除去空间178。膜除去单元170包括：供给管172，向膜除去空间178供给液体(纯水)；排液管173，将空间178内的液体排出。供给管172和排液管173具有与凹部171相同的宽度，朝向凹部171的开口部被做成切口。
供给管172与如图6所示的连通供给源114的液体供给管113相连通。控制器81向供给源114的电源送信号，使供给源114在规定时刻，经由供给管172向空间178内供给规定流量的纯水。
另一方面，排液管173与如图6所示的具有排出器98的回收机构90相连通。控制器81向排出器98的电源送信号，使回收机构90以规定压力和时刻，经由排液管173吸引空间178内，从而能够将液体从空间178排出。
如图21所示，在膜除去单元170的上部中央，嵌入有例如由玻璃组成的透明部件177。激光19透过透明部件177到达膜除去空间178，入射到位置14的保护层16。
膜除去单元170被与例如上述的保持臂85具有相同机能的保持臂175所保持。由此，保持臂175配置成可以将膜除去单元170的凹部171与晶片W的膜除去位置14相对设置，进一步使膜除去单元170接近晶片W的表面。即，在晶片W的膜除去位置14上，能够形成由凹部171和晶片W的表面所形成的大致密封的空间的膜除去空间178。需提一下，可以将晶片W和膜除去单元170的下面的缝隙C2做成100-300μm左右使得膜除去空间178中的纯水不会漏出。
而且，在除去膜除去位置14的保护层16时，向在膜除去位置14上所形成的膜除去空间178内供给来自供给管172的纯水。与此同时膜除去空间178的纯水通过被排液管173吸引而被排液。由此就如图22所示，按供给管172→涂布膜除去空间178→排液管173的顺序流淌的纯水流就形成了。还有，这时为了从膜除去空间178来的纯水不至溢出，要控制向膜除去空间178供给纯水的供给量使得其与被排液的纯水的排液量等同。其后，与上述实施方式同样，激光振荡器63向膜除去位置14照射激光，使保护层16剥离。而且被剥离的保护层16汇入纯水，与纯水一起从排液管173排出。
根据本例，由于向膜除去空间178局部供给纯水等液体，所使用的液体的消费量可以减低。还有，汇入保护层16而污染的纯水由于不会在晶片W表面上扩散，所以可以抑制晶片W上的污染。
如图23所示，可以设置向膜除去单元170和晶片W之间的缝隙C3供给纯水17的副供水管180。副供水管180例如可以在凹部171的周围设置两个、三个或是四个。
从供给管172向膜除去空间178供给纯水17的时候，同时各副供水管180也向缝隙C3供给纯水17。其周围的供给纯水17对流动在膜除去空间178内的纯水17起到堤防的作用，就防止了纯水17从膜除去空间178通过缝隙C3向外漏出。因此通过膜除去空间178，就能够防止污染了的纯水接触到晶片W上的其他部分。
虽然在上述实施方式中，激光照射剥离的保护层16是连同流动液体(纯水)从位置14除去的，不过也可以通过真空吸引将激光照射剥离的保护层16从位置14除去。
如图24所示，可以将多个流体供给部200设在膜除去单元191的侧面的下部。流体供给部200与图中未标示的多个流体供给源连通使得在膜除去位置14的近旁可选地供给气体(例如空气或氧气)和液体(例如纯水)。这些流体供给部200如图25所示，具有在以吸引口193为中心的同心圆上开口的吹出口200a。虽然图中吹出口200a标示了8个，但可以设置3-16个。
另外，如图24所示，各吹出口200a朝向膜除去单元191的中心开口，流体在膜除去单元191和晶片W间的缝隙间吹出。各流体供给部200经由供给管201分别与气体供给源(图中未标示)和液体供给源(图中未标示)连通。
供给管201上安装着三面阀门202。该三面阀门202的一个上流口与氧气供给源(图中未标示)连通，另一的上流口与纯水的供给源(图中未标示)连通。控制器81通过控制三面阀门202的电源开关，将向膜除去单元191供给的流体在氧气和纯水之间适当切换。
另一方面，作为负压发生装置的排出器203与排出管194连通，控制器81通过控制排出器203的电源开关，调节施加于排出管194的负压，调整吸引口193的吸引力。
在除去保护层16的膜的时候，从各流体供给部200向膜除去位置14的近旁供给氧气或者纯水。供给氧气的情况下，如图24所示，氧气连同剥离的保护层16被吸引口193吸引，再通过排出室192从排出管194排出。结果，膜除去位置14近旁的排气能够顺利进行，且能够抑制例如回收机构90内慢慢形成负压、膜除去单元191的吸引压力低下。
另一方面，供给纯水的情况下，如图26所示，膜除去单元191和晶片W之间形成纯水的薄膜，剥离的保护层16连同该薄膜纯水被吸引口193吸引。进一步，纯水通过排出室192内从排出管194排出。需提一下，通过调节排出器203的压力，也可以调节自吸引口193的吸引量，调节膜除去单元191和晶片W之间缝隙的纯水量。另外，在膜除去装置中，既可以对膜除去位置14近旁只供给气体，也可以对膜除去位置14近旁只供给液体。
如图27、28所示，也可以使用膜除去部件210来抑制剥离了的保护层16对晶片W的再附着。膜除去部件210包含：本体211、第一喷嘴212、左右一对的第二喷嘴213、214。第一喷嘴212在平面视野中沿Y轴安装在本体211的后部，相对于膜除去位置14是从后方供给液体的。
如图28所示，第二喷嘴213、214左右对称地配置在第一喷嘴212的两侧，在平面视野中与第一喷嘴212成锐角θ配置(例如θ＝5°～45°)，液体从这两个第二喷嘴213、214、从相对于膜除去位置14的斜后方被供给。
本体211例如具有近似倒圆锥形状，圆锥的前端部，即在本体211的下部做成水平面。本体211由玻璃等透明材料制成，可透过激光19。本体211被保持臂215支持，在X轴、Y轴、Z轴的各个方向都可以移动。需提一下，保持臂215与上述保持臂85是实质上相同的结构。
如图27所示，本体211内藏有第二喷嘴213、214。第二喷嘴213、214分别与液体供给装置(图中未标示)连通。第二喷嘴213、214的供给口在本体211的底面开口，例如直径2mm左右。控制器81向液体供给源的驱动电路发送指令信号，液体从第二喷嘴213、214在规定时刻、以规定流速喷出。
第一喷嘴212通过支持棒216来由本体211支持。第一喷嘴212的前端部距本体211的轴心(激光19的光轴)在后方仅仅离开极小的距离S2。距离S2选择例如0.01mm～0.05mm左右。第一喷嘴212相对于水平面例如在俯角方向倾斜5°～45°。控制器81向液体供给源的驱动电路发送指令信号，液体从第一喷嘴212在规定定时、以规定流速喷出。
膜除去时，本体211接近于晶片W配置使得本体211的轴心位于膜除去位置14的上面。纯水从第一喷嘴212以例如20m/秒以上的流速喷出，由此，对膜除去位置14近距离供给纯水，如图29所示就形成了沿Y轴前进的纯水水流(第一流218)。
另一方面，纯水以比从第一喷嘴212出来的纯水缓慢的流速从第二喷嘴213、214喷出。来自第二喷嘴213、214的纯水的流速选择例如1m/秒左右。由此在第一流218的两侧就形成了比该第一流慢的纯水水流(第二流219)。由于第一流218比第二流219的速度快，就在第一流218和第二流219之间产生了压力差，从第二流219向第一流218的力也就起作用了。结果，当向膜除去位置14照射激光、保护层16剥离的时候，其随着被夹在第二流219中的第一流218就从晶片W上除去。因此，剥离了的保护层16不会在晶片W表面上扩散，抑制剥离了的保护层16再次附着在晶片W上。
需提一下，也可以包含回收至少通过了膜除去位置14的第一流218的液体的回收机构。
如图30所示，可以使用掩模部件220，抑制剥离了的保护层16再次附着在晶片W上。在这个例子中，例如在向晶片W供给纯水等液体的喷嘴221和晶片W之间配置掩模部件220。掩模部件220整体是半径比晶片W大的近似圆盘形状，掩模部件220上面的220a是中部变低地倾斜着。掩模部件220的中心部设有例如直径为0.5mm左右的贯通孔222。掩模部件220的下面220b形成平面。掩模部件220由例如与上述保持臂85具有相同机能的保持臂(图中未标示)保持，在水平方向和上下方向上自由移动。
在掩模部件220的贯通孔222上方配置有从上方抑制引导流体的引导部件223。引导部件223是例如石英玻璃等的透明部件。该引导部件223例如是近似立方体的形状。引导部件223例如被上下移动自由的保持臂(图中未标示)保持，例如可以将距掩模部件220的上面220a的距离调节为规定距离例如0.05mm～0.3mm左右。
而且，膜除去时，掩模部件220接近于晶片W使得掩模部件220和引导部件223移动到膜除去位置14之上，掩模部件220的下面220b距晶片W表面的距离f变成为10μm-100μm。这时掩模部件220的位置调节成贯通孔222面对膜除去位置14的位置。而且，在掩模部件220上液体例如纯水从喷嘴221喷出，喷出的纯水从上面220a下行经过贯通孔222，上到对面一侧的上面220a，再从掩模部件220上排出到例如罩61内。以此状态激光照射到膜除去位置14，一旦保护层16剥离，该剥离的保护层16就会汇入掩模部件120上的纯水流，从晶片W上排出。结果，就会抑制一旦去除的保护层16再度附着到晶片W上。
需提一下，掩模部件220的形状不只限于圆盘形状，也可以是其他的形状，例如方盘形状。还有，掩模部件的上面220a不必倾斜是水平面也可以。
以上实施方式是除去在晶片W的膜除去位置14上存在的定位记号15上的保护膜16的方式。本发明也适用于作为其他用途的除去晶片上膜的情况。另外，基板也不只限于晶片、LCD基板、光掩模(photomask)用掩模标线(reticule)基板的等其他基板也可以。
下面，参照图31-41，对各种实施形态的膜除去单元进行说明。
如图31所示，在膜除去单元291内不妨碍激光19的行经路径地形成上下两个圆筒形状的流体室295、296。图中未标示的真空泵经由排气管297连通到上室296。在其下形成作为吸引促进室的下室295。两个吸引口293a、293b沿激光轴19a上下直列排列。第二吸引口293b具有从激光照射领域吸引剥离的保护层16和流体17的功能。第一吸引口293a具有进一步强力吸引通过了第二吸引口293b剥离的保护层16和流体17的功能。需提一下，在膜除去单元291的上部嵌入有透明玻璃等的透明部件177。
如图32所示，四个第三吸引口294在下室295的四周壁292上开口。各吸引口294偏离激光轴19a(大致切线方向)将流体(例如空气)吸引导入，在下室295内形成流体的上升旋回流。第三吸引口294依照作为吸引促进室的下室295的大小应适当地选择数量和直径。例如下室292的内径d1为25mm的情况下，将第三吸引口294的直径优选为2mm，数量优选为两个。
需提一下，通过控制器81高精度控制升降机86、87，膜除去单元291(吸引口293a)和涂布膜16之间的缝隙C7可在50-1000μm的范围内任意调整。
根据本实施方式的装置，由于旋回流，吸引力被增强，所以能够将激光照射时发生的微粒(particle)不漏地吸引排出。
如图33所示，膜除去单元311内形成分别与下端的吸引口313以及排气管317连通的排出室316。另外，在膜除去单元311的下部安装有气体排放器室312。该气体排放器室312围绕吸引口313设置，氧气经由给气口314从氧气供给源(图中未标示)被供给。如图34所示，给气口314连通到在气体排放器室312上部的3处。
需提一下，通过控制器81高精度控制升降机86、87，膜除去单元311(吸引口313)和涂布膜16之间的缝隙C8可在50-1000μm的范围内任意调整。还有，通过控制器81分别对氧气供给源(图中未标示)以及真空泵(图中未标示)的动作进行控制，氧气的供给量Q1被调整成大于或是等于吸引排气量Q2(Q1≥Q2)。
根据本实施方式的装置，由于旋回流，吸引力被增强，所以能够将激光照射时发生的微粒不漏出地吸引排出。
如图35所示，膜除去单元411内形成分别与下端的吸引口413以及排气管417连通的排出室416。吸引口413在平板412的中央形成，平板412利用多个螺栓414装拆可能地安装在膜除去单元411的本体下部。需提一下，平板412是由陶瓷(ceramic)等绝缘材料制成的。
如图36所示，两对正负电极418、419贯通排出室416的周围壁被导入到排出室416内，相对的两对电极418、419各自的前端极力接近吸引口413配置。一对电极418与高压电源421连接，使得几kV的正电压被施加。另一方面，另外一对电极419与高压电源422连接，使得几kV的负电压被施加。
需提一下，通过控制器81高精度控制升降机86、87，膜除去单元411(吸引口413)和涂布膜16之间的缝隙C9可在50-1000μm的范围内任意调整。
根据本实施方式的装置，由于能够吸引带了电的微粒到电极一侧，所以可以防止微粒附着到晶片W。需提一下，附着于电极的微粒由于存在由吸引造成的上升气流，所以没有落到晶片W的危险。
如图37-39所示，膜除去单元511内形成分别与下端的吸引口513以及排气管517连通的排出室516。还有，围绕吸引口513形成环状的辅助流体室515。进一步，两根针512贯通排出室516以及辅助流体室515的周围壁被导入到排出室516内。相对的两根针512各自的前端极力接近吸引口413配置。针512的前端希望尽可能在与激光19的行路不干涉的范围内接近激光照射区域14。针512具有内部流路，内部流路在针512的前端开口，内部流路与图中未标示的流体供给源连通。需提一下，将排出室516做成倒圆锥台(研钵形状)的形状。另外，经由给气口514，氧气供给源(图中未标示)与辅助流体室515连通。
从针512每隔极短的时间流体在激光照射之前和之后的定时被供给。即，例如在激光照射之前的0.5秒的定时里，仅仅0.1-0.3秒间让流体(纯水或者气体)喷出。另外，例如在激光照射之后的0.5秒的定时里，仅仅0.1-0.3秒间让流体(纯水或者气体)喷出。需提一下，从针512喷出的流体取为与从喷嘴供给的流体相同。
从针418、419仅在加工前后的极短时间(加工前0.5秒、以及加工后0.5秒)吐出流体。需提一下，使用的针既可以只是单侧一条，也可以同时是两条。另外，从针吐出的流体既可以是液体(例如纯水)也可以是气体(例如空气、氧气)。
一旦自两个针512喷出流体，回旋在吸引室516内的上升涡流518就会形成。该上升涡流518会促进来自吸引室516内的流体的排出。
需提一下，通过控制器81高精度控制升降机86、87，膜除去单元511(吸引口513)和涂布膜16之间的缝隙C10可在50-1000μm的范围内任意调整。
根据本实施方式的装置，通过来自针418、419的流体的吐出，就可以将在保护层剥离加工部14发生的微粒顺利地放到上方的回旋流中。特别是，在加工部14横向飞散的微粒，由于针局部流体吐出和上部回旋流的综合效果，会得到有效的吸引排出。
如图40、41所示，膜除去单元611内形成分别与下端的吸引口613以及排气管417连通的排出室616。还有，围绕吸引口613形成环状的辅助流体室615。辅助流体室615与氧气供给源(图中未标示)连通。
进一步，两根针612贯通排出室616以及辅助流体室615的周围壁被导入到排出室616内。相对的两根针612配置成各自的前端极力接近吸引口613。针612的前端希望在与激光19的行路不干涉的范围内尽可能接近激光照射区域14。
隔开排出室616和辅助流体室615的壁在两处形成切口614，通过切口614氧气从辅助流体室615流入排出室616。
需提一下，通过控制器81高精度控制升降机86、87，膜除去单元611(吸引口613)和涂布膜16之间的缝隙C11可在50-1000μm的范围内任意调整。
根据本实施方式的装置，通过切口614，充分量的氧气被供给到激光照射区域14，所以作为剥离对象的保护膜16容易完全燃烧，因此保护膜16的除去效果就进一步提高了。
以上的实施方式中，通过旋转对被纯水淋湿的晶片W进行甩干、干燥，也可以向晶片W上喷出气体，将纯水除去。例如在膜除去装置4的壳体4a上面设置作为气体喷出部的气刀组件105。气刀组件105如图42所示配置在借助X-Y工作台62的晶片W的移动范围内。气刀组件105例如具有比晶片W直径还长的切口状喷出口，能够向下方的晶片W喷出帘幕形的空气。而且，膜除去后在除去晶片W上的纯水的时候，气刀组件105一边喷出空气，一边驱动X-Y工作台62，将晶片W从帘状的空气下通过。这样做，晶片W上残存的纯水就被吹飞，晶片W也就被干燥。
上述的空气喷出工序中，也可以边旋转晶片W边进行。另外，上述的空气喷出工序中，也可以边振动安装于卡盘60的超声波振动器71边进行。进一步，上述的空气喷出工序中，可以回转晶片W，边振动超声波振动器71边进行。
以上的实施方式中，虽然在晶片W上让纯水等液体流淌来除去剥离的反射防止膜，但是也可以如图43所示通过吸引、排出存在于膜除去位置14附近的流体来除去剥离后的反射防止膜。
如图43所示，在膜除去装置710上设置膜除去单元711以便吸引、排出膜除去位置14附近的气氛气等的流体。膜除去单元711例如做成近似圆柱状，其内部做成形成近似封闭空间的排出室712。在膜除去单元711下面设有将存在于下方的流体吸引到排出室712内的吸引口713。膜除去单元711侧面与将吸引到排出室712内的流体排出的排出管714连接。排出管714例如与作为负压发生装置的排出器715相连，能够以规定的压力，在规定的定时吸引排出室712内的流体。因此，就能够将膜除去单元711的下方的流体从吸引口713吸引，并通过排出室712从排出管714排气。
在膜除去单元711侧面的下部设有能够有选择的向膜除去位置14附近供给空气、氧气等气体和纯水等液体的流体供给部716。流体供给部716在以吸引口713为中心的同一圆周上设置了多个。各流体供给部716设置成流体供给部716的供给口716a朝向吸引口713倾斜。由此，各流体供给部716就能够向膜除去单元711与晶片W间的缝隙供给规定的流体。各流体供给部716例如通过供给管717与气体例如氧气的供给源(图中未标示)、和液体例如纯水的供给源相连。供给管717设有三向阀门718，通过该三向阀门718就可以对氧气和纯水的供给进行适当地切换。需提一下，三向阀门718的动作是由控制器81来控制的。
在膜除去单元711的上部，即排出室712的上面是由石英玻璃等的透明部件177做成。吸引口713配置在夹持着排出室712的该透明部件177的下方。从上方照射的激光通过透明部件177、排出室712以及吸引口713，就会照射到下方的晶片W上。
膜除去单元711例如是由保持臂85保持，可以将吸引口713配置在晶片W上的膜除去位置14之上。另外，还能够调节膜除去单元711的高度，将吸引口713与晶片W间的距离调整到最适当的距离，例如10-50μm左右。
而且，膜除去时，膜除去单元711会移动到膜除去位置14上。纯水从流体供给部716供给到膜除去位置14附近，从吸引口713吸引该纯水。被吸引口713吸引的纯水通过中空部712，经排出管714排出。这样形成了以流体供给部716→膜除去位置14→吸引口713→排出管714的顺序流淌的纯水水流，在此状态下，从振荡器63发射激光，通过了透明部件177、吸引口713的激光照射在膜除去位置14上。因为该照射而剥离的反射防止膜汇入纯水流，再通过膜除去单元711排出。激光照射一终了，继续规定时间纯水的供给、排出，其后停止。
根据本实施方式的装置，通过激光从晶片W剥离了的反射防止膜立刻从吸引口713被吸引、排出。因此，就能防止剥离了的反射防止膜再度附着到晶片W上，从而防止了晶片W的污染。由于膜除去单元711的上面使用透明部件177，膜除去单元711的内部做成中空的，所以将膜除去单元711配置在膜除去位置14的正上方，就可以照射激光。因此，就能够将吸引口713更为接近膜除去位置14地进行吸引。特别是，通过试验等已经确认从晶片W剥离的反射防止膜的粒子在上方浮游，所以其效果是很大的。需提一下，本例当中，虽然是从流体供给部716供给了纯水，但是也可以供给氧气等气体。在这种情况下，就形成了通过膜除去位置14、从吸引口713被吸引的气流，因此从晶片W剥离的反射防止膜就可以迅速且确实地除去。
在以上实施方式中，虽然是在反射防止膜形成之后，实行膜的除去处理，之后形成保护膜，但也可以是，根据制造方法，在反射防止膜形成之后就形成了保护膜，其后再进行膜的除去处理。在这种情况下，使用反射防止膜形成装置20形成有反射防止膜的晶片W在被加热、冷却后再被搬送到保护层涂布装置21上，在晶片W上形成保护膜。其后晶片W被加热、冷却，其后被搬送到膜除去装置4。在膜除去装置4进行过膜除去处理的晶片W被加热、冷却处理，然后再从扩展装置43返回到晶匣出入区2。
另外，上述实施方式的基板处理系统1中虽然在处理区3设有保护层涂布装置21，但是也可以没有保护层涂布装置21。这种情况下，在晶片W上形成反射防止膜，其后在膜除去位置14上的膜被除去之后，晶片W再从扩展装置43返回到晶匣出入区2。
进一步，以上实施方式记载的系统如图44所示可以具备带有在处理区与曝光装置之间搬送晶片W的搬送装置的接口部124。
如图44所示，处理系统1B的处理区121的背面侧(图14的上方侧)设有膜除去位置122。需提一下，膜除去位置122是例如具有与上述的膜除去位置4相同结构的部分。夹着处理区121的两侧设有晶匣出入区123和接口部124。还有，在该系统外，与接口部124相邻设有曝光装置125。
在处理区121，在主搬送装置126的接口部124侧，设有第三处理装置组G3。在第三处理装置组G3中具有作为向接口部124一侧传递晶片W的传递部的扩展装置130。还有在主搬送装置126的正面一侧设有第四处理装置组G4。在第四处理装置组G4当中，例如显影处理装置131被两段重叠设置。需提一下，在与上述实施方式相同的第一处理装置组G1中设有反射防止膜形成装置20和保护层涂布装置21，第二处理装置组G2中设有冷却装置40-42、扩展装置43、加热处理装置44-46。
主搬送装置126被配置成，除相对于除第一处理装置组G1、第二处理装置组G2外，相对于膜除去装置112、第三处理装置组G3以及第四处理装置组G4，能够搬送晶片W。需提一下，对于第三处理装置组G3而言，加上扩展装置130，与晶片W的制法相匹配，可以设置冷却装置或加热处理装置等其他处理装置。
接口部124当中设有作为搬运装置的晶片搬运体132。这种搬运体132构成为例如能够在X轴方向(图14中的上下方向)、Z方向(垂直方向)自由移动和在θ方向(以Z轴为中心的回转方向)回转，能够对于第三处理装置组G3的扩展装置130和曝光装置125进行进出操作，分别将晶片W搬送到它们。
而且，在晶片W处理的时候，晶片W从晶匣出入区123经由扩展装置43被传递到主搬送装置126，主搬送装置126将晶片W搬送到反射防止膜形成装置20中。在晶片W上一旦反射防止膜形成，晶片W在被加热、冷却之后借助主搬送装置126就被搬送到膜除去装置122。而且，完成上述实施方式所记载的膜除去处理后的晶片W被加热、冷却处理后，搬送到保护层涂布装置21。在保护层涂布装置21中，保护层涂布处理终了后的晶片W被加热、冷却处理后，搬送到第三处理装置组G3的扩展装置130，然后借助晶片搬运体132搬送到曝光装置125。在曝光装置125中曝光处理完成后的晶片W再度借助晶片搬运体132返回到扩展装置130。返回到扩展装置130的晶片W被加热、冷却处理后，搬送到显影处理装置131。在显影处理装置131中完成晶片W的显影处理之后，晶片W再度被加热、冷却处理，然后借助主搬送装置126搬送到第二处理装置组G2的扩展装置43。其后，晶片W借助辅助臂搬送机构11返回到晶匣出入区123的晶匣C中，晶片W的一连串的处理就结束了。
这样，通过具备在处理区121和曝光装置125之间搬送晶片W的接口部124，就能够在一个处理系统内进行反射防止膜形成→膜除去处理→保护膜形成→曝光处理→显影处理的一连串的晶片处理。因此，处理中，操作人员等无需搬送晶片W，所以也就能够防止搬送中污染、破损晶片W。还有，能够缩短晶片W的搬送时间，所以晶片W全体的处理时间也就能够缩短。
需提一下，在这种实施方式下，虽然膜除去装置122配置在处理区121的背面侧，但只要是主搬送装置126能够访问到的位置，设在其他侧面也可以。接口部124也可以同样设在处理区121的其他侧面。还有，处理区121内还可以设有膜除去装置112搬送前使晶片W暂时待机存放的缓存晶匣。
以上的实施方式虽然是将反射防止膜除去的方式，但本发明也适用于例如反射防止膜和保护膜同时除去的情况。另外，本发明还适用于除去其他膜的情况。需提一下，上述的膜除去处理以外的处理内容和顺序可以结合晶片的制法自由变更。此外，基板也不只限于晶片、LCD基板、光掩模(photomask)用掩模标线(reticule)基板的等其他基板也可以。
产业上利用的可能性
根据本发明，除去基板上的膜而不使基板污染，可使基板保持清净的状态，再借助其后的处理就能制造高品质的基板。
根据本发明，可防止基板污染，提高基板品质。还有，缩短搬送时间，提高生产率。

Claims (49)

1.一种膜除去装置，其特征在于，包括：
保持具有涂布膜的基板的基板保持部；
用激光局部照射该基板保持部上的基板的规定位置，使所述涂布膜从基板上部分剥离的激光光源；
具有对所述规定位置供给规定流体的主喷嘴的流体供给机构；
具有将供给到所述规定位置的所述规定流体连同剥离后的膜成分从基板上吸收并除去的吸引口的回收机构；
具有将所述主喷嘴喷出的所述规定流体引导至所述规定位置的槽，同时将所述规定流体以及剥离后的膜成分引导至所述回收机构的吸引口使得其不会在所述规定位置周围扩散、漏出的引导部件；和
使所述引导部件接近所述规定位置而配置的机构。
2.根据权利要求1所述的膜除去装置，其特征在于，
所述引导部件的至少一部分由能够透过所述激光光源所发出的激光的透明部件构成。
3.根据权利要求1所述的膜除去装置，其特征在于，
还具有安装在所述主喷嘴的超声波振动器。
4.根据权利要求1所述的膜除去装置，其特征在于，
还具有安装在所述引导部件的超声波振动器。
5.根据权利要求1所述的膜除去装置，其特征在于，
还具有安装在所述基板保持部的超声波振动器。
6.根据权利要求3所述的膜除去装置，其特征在于，
所述主喷嘴具有朝所述规定位置直接吹出规定流体的喷出口。
7.根据权利要求1所述的膜除去装置，其特征在于，
还具有整流板，配置于所述规定位置的下流侧且基板的正上方，将所述规定流体从基板迁移。
8.根据权利要求1所述的膜除去装置，其特征在于，
还具有在所述主喷嘴两侧所设的一对副喷嘴。
9.根据权利要求8所述的膜除去装置，其特征在于，
所述流体供给机构分别对所述主喷嘴和所述副喷嘴供给液体，
所述副喷嘴向与所述主喷嘴喷出液体的方向实质上相同的方向喷出液体。
10.根据权利要求8所述的膜除去装置，其特征在于，
所述流体供给机构向所述主喷嘴供给液体，向所述副喷嘴供给气体，
所述副喷嘴向与所述主喷嘴喷出液体的方向实质上相同的方向喷出气体。
11.根据权利要求7所述的膜除去装置，其特征在于，
所述回收机构的吸引口被设置在所述整流板的上面。
12.一种膜除去装置，其特征在于，包括：
保持具有涂布膜的基板的基板保持部；
用激光局部照射该基板保持部上的基板的规定位置，使所述涂布膜从基板上部分剥离的激光光源；
膜除去单元，具有向所述规定位置供给规定流体的主喷嘴，而且，还具有将向所述规定位置供给的所述规定流体连同剥离后的膜成分从基板上吸引并除去的第一吸引口，将所述主喷嘴喷出的所述规定流体引导至所述规定位置，同时将所述规定流体以及剥离后的膜成分引导至所述第一吸引口使得其不会向所述规定位置周围扩散、漏出；
向所述主喷嘴供给所述规定流体的流体供给机构；
连通到开口于所述膜除去单元的下面中央的所述第一吸引口的回收机构；
与所述回收机构连通的排出室；和
安装在所述排出室的下面的周边、并从所述流体供给机构分别供给流体的多个主喷嘴。
13.根据权利要求12所述的膜除去装置，其特征在于，
所述膜除去单元还具有比所述主喷嘴还设置于外侧、向在该膜除去单元和基板之间形成的间隙供给液体的辅助喷嘴。
14.根据权利要求12所述的膜除去装置，其特征在于，
所述膜除去单元的至少一部分由能够透过所述激光光源所发出的激光的透明部件构成，
激光透过所述透明部件，在通过所述第一吸引口之后，照射到所述规定位置。
15.根据权利要求12所述的膜除去装置，其特征在于，
所述多个主喷嘴分别在以所述第一吸引口为中心的同心圆上开口。
16.根据权利要求12所述的膜除去装置，其特征在于，
所述膜除去单元进一步包含：
通过所述第一吸引口与所述排出室连通的、使所述规定流体以及剥离后的膜成分向所述排出室的吸引得以促进的吸引促进室；
与所述第一吸引口相对配置的、在所述吸引促进室的下面中央开口的第二吸引口；和
多个第三吸引口，各自朝向偏离激光轴的方向，在所述吸引促进室的周壁上开口，通过所述回收机构的吸引被导入所述吸引促进室内的外气在所述吸引促进室内旋回，所述外气的涡旋流在所述吸引促进室内产生。
17.根据权利要求12所述的膜除去装置，其特征在于，
所述膜除去单元还包括：
围绕所述第一吸引口的、具有与所述流体供给机构连通的气体供给口的、使所述第一吸引口的周围为所述规定气体气氛的气体排放器室。
18.根据权利要求17所述的膜除去装置，其特征在于，
所述气体排放器室在所述第一吸引口的周围环状形成；
所述气体供给口为多个，各自在所述气体排放器室的上部开口。
19.根据权利要求17所述的膜除去装置，其特征在于，还具有：
控制所述流体供给机构和所述回收机构的控制装置，使得从所述流体供给机构通过所述气体供给口向所述气体排放器室内供给的所述规定气体的供应量，比从所述排出室向所述回收机构排出的所述规定气体的排气量大。
20.根据权利要求12所述的膜除去装置，其特征在于，
所述膜除去单元还包括：
具有接近所述规定位置而相对配置的前端部的至少一对正负电极；
在所述正电极上施加正电压的第一高压电源；
在所述负电极上施加负电压的第二高压电源。
21.根据权利要求12所述的膜除去装置，其特征在于，
所述膜除去单元还包括：
具有接近所述规定位置而相对配置的前端部，与所述流体供给机构连通，具有在所述前端部开口的内部流路的至少一对的针；
在所述针的前端部周围形成，与所述流体供给机构连通的辅助流体室；
设置在所述针的前端部上方、形成为研钵状的排出室；和
在分隔所述辅助流体室和所述排出室的壁上开口形成的、将所述辅助流体室与所述排出室连通的切口。
22.根据权利要求12所述的膜除去装置，其特征在于，还包括：
可升降地支持所述膜除去单元的升降机构；
控制所述升降机构的控制装置，使得所述第一吸引口与所述规定位置上的涂布膜之间的间隙在50-1000μm的范围内。
23.根据权利要求12所述的膜除去装置，其特征在于，还包括：
配置在所述主喷嘴的两侧、向与从所述主喷嘴喷出的流体在所述规定位置处交叉的方向喷出所述规定流体的一对副喷嘴；和
控制所述流体供给机构的控制装置，使得所述规定流体的喷出速度是所述主喷嘴方比所述副喷嘴方大。
24.根据权利要求12所述的膜除去装置，其特征在于，还包括：
掩模部件，配置在基板和所述主喷嘴之间，将所述主喷嘴喷出的所述规定流体在其上加以引导；和
将所述掩模部件上下贯通的贯通孔，使流在所述掩模部件上的所述规定流体接触到所述规定位置的涂布膜。
25.根据权利要求24所述的膜除去装置，其特征在于，
所述掩模部件包括实质上水平形成的下面；和
相对于水平面倾斜的、使得所述贯通孔的位置变得最低的上面。
26.根据权利要求24所述的膜除去装置，其特征在于，
所述掩模部件俯视为圆形，所述贯通孔在其中央形成。
27.根据权利要求24所述的膜除去装置，其特征在于，还包括：
由使所述激光光源射出的激光透过到达所述规定位置的透明部件构成，配置在所述掩模部件的上方，与所述贯通孔相对，限制所述掩模部件上的所述规定流体的流动的导向部件；和
可升降地支持所述导向部件的升降机构。
28.一种膜除去方法，其特征在于，
(a)将涂布膜为上侧地使基板实质保持水平，从主喷嘴向基板上喷出规定流体，通过引导部件将所述规定流体供给到基板的所述规定位置，同时通过吸引口从基板上吸引存在于所述规定位置的所述规定流体或者通过所述规定位置后的所述规定流体，并回收，
(b)在所述规定流体流过的状态下，对所述规定位置局部照射激光，使所述涂布膜从基板上部分剥离，剥离后的膜成分连同所述规定流体通过所述吸引口从基板上吸引除去，对通过所述规定位置的所述规定流体施加超声波。
29.根据权利要求28所述的膜除去方法，其特征在于，
在所述工序(b)中，还在所述规定位置的近旁强制排气，同时向所述规定位置照射激光。
30.根据权利要求28所述的膜除去方法，其特征在于，
在所述工序(a)中，在不包括所述基板的所述规定位置的部分，设置覆盖基板的掩模部件，利用该掩模部件防止由于激光照射而得以剥离的膜成分附着在基板上。
31.根据权利要求28所述的膜除去方法，其特征在于，
在所述工序(b)中，将所述吸引口对准所述规定位置，同时在所述吸引口周围配置多个所述主喷嘴，从这些多个所述主喷嘴中向所述规定位置供给所述规定流体，通过所述吸引口将剥离后的膜成分连同所述规定流体吸引并除去。
32.根据权利要求28所述的膜除去方法，其特征在于，
在所述工序(b)中，在所述主喷嘴两侧设置左右一对副喷嘴，与所述主喷嘴喷出的所述规定流体并行地从所述副喷嘴喷出所述规定流体。
33.根据权利要求28所述的膜除去方法，其特征在于，
在所述工序(b)中，在所述主喷嘴两侧设置左右一对副喷嘴，向与所述主喷嘴的喷出流体在所述规定位置相交叉的方向从所述副喷嘴喷出所述规定流体时，
加以控制，使得所述规定流体的喷出速度是在所述主喷嘴方比所述副喷嘴方大。
34.根据权利要求28所述的膜除去方法，其特征在于，
在所述工序(b)中，使来自流体供给机构通过气体供给口向气体排放器室内供给的所述规定气体的供给量大于从排出室向回收机构排气的所述规定气体的排气量。
35.根据权利要求28所述的膜除去方法，其特征在于，
在所述工序(b)中，相对于基板将所述吸引口定位使得所述吸引口与所述规定位置上的涂布膜之间的间隙在50-1000μm的范围内。
36.一种基板处理系统，其特征在于，包括：
基板搬入搬出部、具有膜形成装置以及膜除去装置的处理部、和在所述膜形成装置和所述膜除去装置之间搬送基板的搬送机构，
所述膜除去装置包括：
保持具有涂布膜的基板的基板保持部；
用激光局部照射该基板保持部上的基板的规定位置，使所述涂布膜从基板上部分剥离的激光光源；
具有对所述规定位置供给规定流体的主喷嘴的流体供给机构；
具有将供给到所述规定位置上的所述规定流体和剥离后的膜成分在基板上吸收并除去的吸引口的回收机构；
引导部件，将所述主喷嘴喷出的所述规定流体引导至所述规定位置，同时将所述规定流体以及剥离后的膜成分引导至所述回收机构的吸引口使其不会向所述规定位置周围扩散、漏出；和
向保持在所述基板保持部的基板的背面的周边部吹出气体的装置。
37.根据权利要求36所述的基板处理系统，其特征在于，
所述处理部包括在基板上形成第一膜的第一膜形成装置；和在基板上形成第二膜的第二膜形成装置，
所述搬送机构在所述第一膜形成装置、所述第二膜形成装置和所述膜除去装置之间搬送基板。
38.根据权利要求36所述的基板处理系统，其特征在于，还，
所述处理部包括用于对基板进行热处理的热处理装置；
所述搬送机构在所述热处理装置、所述膜形成装置和所述膜除去装置之间搬送基板。
39.根据权利要求36所述的基板处理系统，其特征在于，
还具备接口部，设于外部曝光装置和所述处理部之间，具有在该曝光装置和所述处理部之间搬送基板的搬送装置。
40.根据权利要求36所述的基板处理系统，其特征在于，
所述膜除去装置包括：
可升降地支持所述膜除去单元的升降机构；
控制所述升降机构使得所述吸引口与所述规定位置上的涂布膜之间的间隙在50-1000μm的范围内的控制装置。
41.根据权利要求36所述的基板处理系统，其特征在于，
所述引导部件的至少一部分由能够透过激光的透明部件形成。
42.根据权利要求40所述的基板处理系统，其特征在于，还，
所述膜除去装置包括向基板上的涂布膜吹出气体的气体喷出部。
43.一种基板处理系统，其特征在于，包括：
基板搬入搬出部、具有膜形成装置以及膜除去装置的处理部、和在所述膜形成装置和所述膜除去部之间搬送基板的搬送机构，
所述膜除去装置是权利要求12所述的膜除去装置。
44.根据权利要求43所述的基板处理系统，其特征在于，
所述膜除去装置还包括：
可升降地支持所述膜除去单元的升降机构；
控制所述升降机构使得所述吸引口与所述规定位置上的涂布膜之间的间隙在50-1000μm的范围内的控制装置。
45.根据权利要求43所述的基板处理系统，其特征在于，
所述膜除去装置具有使所述基板保持部在水平方向移动的移动机构。
46.根据权利要求43所述的基板处理系统，其特征在于，
所述膜除去装置具有检测保持在所述基板保持部的基板的位置的位置检测机构。
47.根据权利要求43所述的基板处理系统，其特征在于，
所述膜除去装置具有包围保持于所述基板保持部的基板的外方的罩。
48.根据权利要求43所述的基板处理系统，其特征在于，
所述主喷嘴包括接近于基板上的所述规定位置配置的喷出口，从该喷出口向所述规定位置直接供给所述规定流体。
49.根据权利要求43所述的基板处理系统，其特征在于，
还包括在所述膜除去装置内形成清洁空气的下降气流的空调装置。
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