TWI236944B

TWI236944B - Film removal method and apparatus, and substrate processing system

Info

Publication number: TWI236944B
Application number: TW091136003A
Authority: TW
Inventors: Shouichi Terada; Naoto Yoshitaka; Masami Akimoto
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2001-12-17
Filing date: 2002-12-12
Publication date: 2005-08-01
Also published as: CN1312732C; CN1572015A; US20040197433A1; KR20050083540A; TW200301172A; KR100953462B1; WO2003052805A1

Description

1236944 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（1) (技術領域）本發明是有關由基板的定位用對準標誌上除去控飽膜或反射防止膜等之塗敷膜的膜除去裝置，膜除去方法及基板處理系統。 (背景技術）製造LCD或半導體裝置的光刻工程（photolithographic process)中是依次進行在基板（LCD用玻璃基板，半導體晶圓 )之表面塗敷抗鈾液之抗蝕劑塗敷處理，在抗蝕膜上形成特定的潛像圖案的曝光處理，以及顯像抗鈾膜的顯像處理，並在基板上形成特定之電路圖案。曝光處理時，必須將基板以極精密地對曝光機定位。基板的定位必須在基板之特定位置事先形成對準標誌 (alignment mark)，並以位置檢測用之雷射光檢測該對準標誌的位置，且根據該對準標誌的位置進行。利用該雷射光的基板之定位以其可以高精密度進行定位這一點有其優點〇可是，在抗蝕劑塗佈工程或反射防止膜塗敷工程中，因爲利用旋轉塗敷法（spin-coating)在基板整面形成塗敷膜，因此對準標誌會被塗敷膜所覆蓋。因此，在曝光處理工程中，定位用之雷射光有時被塗敷膜反射，有衰減，所以對準標誌（alignment mark)無法正確檢測，基板的定位精密度降低，結果，圖案曝光有時變成不正確。日本國特開平1 0- 1 1 3779號公報提出一種雷射加工裝置本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝-

、1T 線 1236944 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（2 ) ，係在對曝光機定位基板之前，將加工用雷射光照射對準標誌上之膜，而僅除去該對準標誌上之膜。可是，先前的裝置，對膜照射以雷射光之高能量，而使膜的成分蒸發與分解，因此’除去後’被分解的膜會殘留或漂浮於四周。如將該情形置之不理，則該被分解之膜的漂浮物會再度附著於基板上，以致事後的處理有無法形成正常之電路圖案之虞。做爲解決此種弊害，美國專利4,752,668號公報及日本國特開平1 1 - 145 108號公報提出了在儲留液體之加工槽內浸漬基板的狀態下照射雷射光以施行孔加工之細微加工裝置。但是，即使利用該種細微加工裝置，一部分被除去之膜的分解物無疑地有再度附著之可能，對防止基板的污染並不完全。另外，因爲整個基板會附著液體，所以必須有洗淨基板整體之洗淨機構做爲後處理，加工工程有複雜化之缺點。 [發明之揭示] 本發明之目的在提供一種膜除去裝置，膜除去方法以及基板處理系統，其可以在除去基板之特定位置（對準標誌）上的塗敷膜時，不會污染基板。 [解決問題之方法] (1)膜除去裝置之特徵具備：基板保持部，用於保持具有塗敷膜的基板，雷射光源，對該基板保持部上之基板之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝·

、1T 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ29?公釐） -6 - 1236944 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（3 ) 特定位置的局部照射雷射光，俾使塗敷膜之一部分由基板剝離，流體供應機構，具有對上述特定位置供應特定流體的主噴嘴，回收機構，具有吸入口俾在基板上吸入除去供應至上述特定位置之特定流體與剝離之膜成分，以及引導構件，除了將上述主噴嘴噴出之特定流體引導至上述特定位置之外，還引導至上述回收機構的吸入口俾使上述特定流體與剝離之膜成分不至於擴散或洩漏到上述特定位置之周圍。利用上述之發明，可以在基板上噴出液體而在基板表面流動液體，一邊回收該液體，一邊照射雷射光以進行S莫的除去作業。如此一來，被雷射光分解的膜成分被捲入液體而回收。因此，可以防止被雷射光分解的膜再度附著基板而防止基板之污染。因爲利用引導構件將上述液體引導至上述特定位置，所以不會供應過量的液體，可以更有效地進行膜的除去處理。另外，液體絕不會擴散至基板整體，故可以簡化基板洗淨等之後處理。引導構件具有略呈長方體形，並可以在基板的特定位置上近接配置於基板上，而在該引導構件下面也可以形成引導液體的槽。藉由該槽，液體可以確實被引導至特定位置，並可以適當而確實地將由基板分解與剝離的膜加以排除。引導構件也可以爲來自雷射光源的雷射光可穿透之透明材料。藉此，雷射光不至於被引導構件所遮蔽，而可以對基板之特定位置適當照射雷射光。另外，因爲引導構件 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -7 - 1236944 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（4 ) 爲透明材料，因此，可以由任何角度將雷射光照射特定位置’並可以自由選擇雷射光源的安裝位置。主噴嘴也可以裝設振動器。藉此，可以對由主噴嘴噴出之液體傳播振動，因此可以提升由液體本身剝離、除去膜的效果。另外，振動器也可以爲可產生超音波的振動者。再者，主噴嘴之噴出口也可以朝向基板之特定位置。藉此，被附加以振動的液體會直接撞撃特定位置，所以膜的剝離與除去效果更加增強。此外，也可以在引導構件裝設振動器，也可以在上述基板保持部裝設振動器。在該情形下，振動傳達至液體，而提升液體剝離•除去膜之效果。另外，在將液體流布於基板上的特定位置的狀態下，可以對特定位置照射雷射光以進行膜的除去作業。而且可以利用整流板將通過g亥特定位置之液體由基板隔離。藉此，將膜捲入而被污染的液體再度接觸基板，而可以防止膜的顆粒再度附著於基板。再者，可以將液體流布於基板之特定位置，並在該流布之兩側形成與該液體的流布相同方向的流流之流布的狀態下，對特定位置照射雷射光以進行膜的作業。藉此，可以使液體被流體夾在中間成直線狀流動而不會擴散到基板上。因此，捲入分解之膜的液體擴散至基板整面，可防止膜的顆粒再度附著於基板。另外，由副噴嘴噴出的流體既可以爲純水，也可以爲氣體。膜除去裝置之特徵具備：基板保持部，用於保持具有 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8- 1236944 A7 B7 五、發明説明（5 ) 塗敷膜之基板，雷射光源，對該基板保持部上之基板之特定位置的局部照射雷射光，俾使塗敷膜之一部分由基板剝離，膜除去單元，具有對上述特定位置供應特定之流體之主噴嘴，且具有將供應至上述特定位置之上述特定流體同連同剝離之膜成分在基板上吸入除去之第1吸入口，並將由上述主噴嘴噴出之特定流體引導至上述特定位置，同時引導至上述第1吸入口俾使上述特定流體及剝離的膜成分不致擴散•洩漏到上述特定位置的周圍，流體供應機構，用於將上述特定流體供應至上述主噴嘴，以及回收機構，連通第1吸入口。利用上述發明，藉將膜除去單元近接配置於基板之特定位置，即可在特定位置形成膜除去空間。然後，可以對該膜除去空間供應液體並將該液體由膜除去空間排出，因此可以順暢地排出以雷射光在膜除去空間剝離之膜與液體一起排出。此時，可以在有限空間高效率供應，因此，可以減少液體的消耗量。另外，因爲將膜除去單元之一部分設成透明材料，所以順利照射雷射光而不會遮蔽雷射光。膜除去單元也可以另外在膜除去空間之外方之膜除去單元與基板之間設置供應液體之供應管。如此一來，膜除去空間之外方的膜除去單元與基板之間隙可以塡滿液體，並可以抑制由膜除去空間流出至該間隙的液體之流動。因此，膜除去空間的液體即適當地由排液管排出，而防止含有被分解之膜的液體擴充到基板上。另外，縱使將膜除去單元的吸入口配置於特定位置上本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1236944 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（6 ) ’也不至於遮斷來自上方之雷射光。因此，可以將吸入口接近特定位置來吸入，因此可以更有效而確實地將由雷射光所分解之膜成分排出。此外，經由本發明人等之實驗得知被雷射光分解之膜微粒會向上漂浮，吸入口可以配置於特定位置上，由此點看來有效。另外，膜除去單元也可以具有供應流體予基板的特定位置附近之流體供應部。如繼續來自吸入口之吸入，通常其周邊部分成爲負壓終至不易吸入。利用流體供應部可以對特定位置附近供應氣體等之流體，因此，可以恢復成爲負壓之周邊部分之壓力以維持來自吸入口之吸引力。因此 ’由吸入口排出之被分解膜可以順利進行，進而防止該膜之微粒再度附著於基板。此外，流體供應部也可以在以特定位置爲中心在同一圓周上設置多個。再者，理想的構造是具備第1噴嘴與第2噴嘴，而來自上述第1噴嘴之液體可以比來自第2噴嘴之液體以更快的速度噴出。利用近接配置於特定位置之第1噴嘴可形成通過特定位置之液體流（第1液流）。另外，利用第2噴嘴形成速度比第1液流慢的液體流（第2液流）。在此種狀態下，可以對特定位置照射雷射光以進行膜的除去作業。此時，在第1液流與第2液流之間會產生壓力差，而由第2液流側產生朝向第1液流側之力。藉此，可以抑制第1液流之液體，亦即含有剝離膜之成分的液體擴充到基板上。因此，可以抑制膜成分再度附著於基板上。遮蔽（mask)構件上設有使液體流之一部分接觸上述特定 ------0 I 裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ϋϋ \ v nil— ϋϋ ϋϋ -ϋϋ b. 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1236944 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（7 ) 位置之貫穿孔。由噴嘴噴出之液體流經遮蔽構件上而在中途的貫穿孔之部分接觸基板之特定位置。藉此，即可以將由特定位置剝離之膜成分捲入該遮蔽構件上的液體流而由基板上排除。其結果是可以抑制含有剝離的膜成分之液體接觸特定位置以外的部分，因此可以抑制該膜成分再度附著於基板。另外，因爲可以抑制液體與基板表面之接觸，所以可以簡化基板的洗淨等後處理。另外，遮蔽構件也可以形成爲平板狀，而遮蔽構件下面形成爲水平，而上面傾斜到貫穿孔之高度成爲最低。此外，遮蔽構件也可以形成由平面看來爲圓形，貫穿孔則設置於上述圓形之中心部分。膜除去裝置具有可以配置於面向遮蔽構件上的貫穿孔之位置，而且在上方抑制上述遮蔽構件上的液體流之引導構件，引導構件也可以上下運動自如，且來自雷射光源之雷射光可以透過至特定位置之透明材料。此時，可以將引導構件上下運動，並調節液體流路之寬度以調液體的流速。藉此，由特定位置剝離之膜成分被捲入具有一定流速之液體中而順利地由基板上除去。膜除去方法之特徵在： (a)實質上將基板保持於水平俾塗敷膜成爲上側，由主噴嘴將特定之流體噴出基板上，利用引導構件將上述特定之流體供應至基板之特定位置，同時利用吸入口將通過存在於上述特定位置之特定之流體或上述特定位置之特定流體並由基板上回收， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一I裝----Ί.-- 訂 ---^線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） -ΤΓ" 1236944 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) (b)在流布上述特定流體之狀態下，對上述特定位置之局部照射雷射光束，並由基板將部分塗敷膜剝離，將剝離的膜成分與上述特定流體一起由上述吸入口在基板上吸引而除去。利用上述發明，利用雷射光由基板剝離之膜被捲入液體中而與該液體一起被回收。因此，剝離之膜漂浮於周邊並且可以防止再度附著於基板。一種具備基板搬出入部，具有膜形成裝置與膜除去裝置之處理部，以及在上述膜形成裝置與膜除去裝置之間搬運基板之搬運裝置之基板處理系統，其特徵爲：上述膜除去裝置具備：基板保持部，用於保持具有塗敷膜的基板，雷射光源，對該基板保持部上之基板之特定位置之局部照射雷射光，俾使塗敷膜之一部分由基板剝離，流體供應機構，具有用於對上述特定位置供應特定液體之主噴嘴，回收機構，具有將供應至上述特定位置之特定流體與剝離之膜成分在基板上吸入除去之引入口，以及引導構件，用於將上述主噴嘴噴出之上述特定流體引導至上述特定位置，同時引導至上述回收機構之吸入口俾上述特定液體及剝離之膜成分不致擴散，洩漏至上述特定位置之周圍。一種基板處理系統，具備：基板搬出入部，具有膜形成裝置及膜除去部之處理部，以及將基板搬運於上述膜形成裝置與膜除去部之間的搬運機構，其特徵爲：上述膜除去裝置具備：基板保持部，用於保持具有塗本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -T2- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

1236944 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（9 ) 敷膜的基板，雷射光源’在該基板保持部上的基板之特定位置的局部照射雷射光俾使塗敷膜之一部分由基板剝離，膜除去單元，具有對上述特定位置供應特定流體之主噴嘴，且具有將供應予上述特定位置之特定流體與剝離之膜成分一起在基板上吸入除去之第1吸入口 ’並將由上述主噴嘴所噴出之特定流體引導至特定位置並引導至上述第1吸入口，以免上述之特定流體及剝離之膜成分擴散，洩漏至上述特定位置之周圍，對上述主噴嘴供應上述特定流體之流體供應機構，以及連通到上述第1吸入口之回收機構。利用上述之發明，可由雷射光照射而由基板剝離之膜立刻被排出。因此，可以防止剝離的膜漂浮而再度附著於基板，而基板的除膜作業不會受到污染。另外，因爲不使用液體，所以不需要乾燥處理等之後處理。利用搬運機構可以迅速而確實地將在膜形成裝置形成有膜的基板搬運到膜除去裝置。因此，可以防止先前作業員在搬運中損壞基板。另外，搬運時間也可以縮短，因此，可以降減搬運中的基板受污染。由於搬運時間縮短，基板整體的處理時間也縮短，可以謀求通量（through put)之提膜除去部及上述第1膜形成裝置與第2膜形成裝置間之基板的搬運可以由搬運機構更迅速而確實地進行。因爲具有兩套膜形成裝置，因此，可以在一系統內形成不同種類之膜。藉此，要在基板上形成不同種類之膜時，不必將基板搬運至其他系統，因此，減少因搬運而污染基板。另本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 13 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

1236944 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 外’可以謀求縮短處理時間。處理部可以設置熱處理基板之用的熱處理裝置，而搬運機構也可以對熱處理裝置將基板搬運自如。此時，可以將膜形成後之加熱與冷卻處理等在同一系統內進行。另外 ’在熱處理裝置中含有加熱處理裝置，冷卻處理裝置等。另外’基板處理系統也可以在上述處理部與系統外之曝光裝置之間具有搬運基板之搬運裝置之界面部。藉此，可以迅速地將系統內之基板搬運至曝光裝置。因此，可以連續進行包含曝光處理之基板處理，並縮短基板的處理時間。此外，膜除去部以具有對保持於上述基板保持部的基板之外緣部背面吹出氣體之吹氣口爲理想。在基板上有液體流布時，可以向基板之外緣部的背面噴吹氣體，所以可以防止由基板外緣部落下之液體回流入背面。因此，可以防止因爲顆粒（panicle)所引起的基板背面之污染。另外，因爲不必進行基板背面之淸洗，所以可以相應地簡化基板的處理工程。膜除去裝置也可以在基板上具有噴出氣體之氣體噴出部。因此，可以將氣體噴出基板上，並將殘留於基板上之液體吹散，因此可以省略或簡化基板的乾燥處理。此時，即使將膜除去單元之吸入口配置於特定位置上，也不致遮斷來自上方之雷射光。因此，可以將吸入口接近上述特定位置吸引，並有效率且確實將雷射光分解的膜微粒排出。另外，依據發明人們之實驗得知，被雷射光分本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -T4- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1236944 A7 B7 五、發明説明（11 ) 解之膜微粒會向上方漂浮，將吸入口配置於特定位置’由此點看來純屬有效。此外，基板處理系統也可以在基板之特定位置附近具有供應流體之流體供應部。如繼續來自上述吸入口之吸引時，通常其周邊成爲負壓，終久成爲不易吸引。依據本發明，因爲可以利流體供應部對上述特定位置附近供應氣體等之流體，並恢復成爲負壓的周邊之壓力，且保持來自吸引口之吸引力。再者，可以形成由流體供應部向吸引口之順暢流動有效地使特定位置剝離之膜成分流入膜除去單元。因此，可以順利除去被分解之膜，以防止該膜微粒再附著於基板。另外，「流體」中包含有氮氣、氧氣等之氣體或純水等液體。基板處理系統也可以具備使基板保持部在水平面內移動之移動機構。藉此，被搬運至膜除去部中之基板可以移動至被雷射光照射的特定位置。另外，處理系統也可以具備用於檢測保持於基板保持部之基板的位置之位置檢測構件。此時，因爲可以檢測基板之位置，因此可以根據檢測到之位置修正基板之位置。因此，可以將基板移動到更正確的位置，並更正確地照射雷射光束。基板處理系統也可以具有用於圍繞保持於基板保持部之基板的外裙（cup)。另外，基板處理系統也可以具備用於在膜除去部內形成淸淨空氣之下降流之空調裝置。由於在膜除去處理中於膜除去部內形成淸淨空氣之下降流，即可本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -ml nm HI·— m^i ml «ϋϋ ·ϋ>— —Βιϋ ϋ-·— mMti 一一 m· ϋϋ—f —.n m^i 、V'T»髮經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1236944 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（12 ) 排出由基板與驅動部發生之顆粒，並將膜除去部中保持淸潔之氣雰。因此，可以防止基板上附著塵埃等之浮游物，俾順利進彳了基板之處理。 [圖式之簡單說明] 圖1爲基板處理系統之內部透視平面圖。圖2爲基板處理系統之正面圖。圖3爲基板處理系統之背面圖。圖4爲反射防止膜形成裝置（或抗蝕劑塗敷裝置）之內部透視剖面圖。圖5爲表示本發明之膜除去裝置之槪要之方塊圖。圖6爲表示本發明之膜除去裝置之模式之方塊圖。圖7爲表示配置於外裙（cup)內之下部吸出口之平面圖。圖8爲引導構件之斜視圖。圖9爲表示由對準標誌除去抗鈾膜時之膜除去裝置之模式圖。圖10爲具有吸入口的回收噴嘴之斜視圖。圖11爲具有被塗敷膜覆蓋之對準標誌之晶圓的斜視圖〇圖12爲表示將對準標誌部分擴大之剖面模式圖。圖1 3爲表示由對準標誌上除去抗鈾膜的情形之剖面模式圖。圖14爲表示另一實施形態之回收噴嘴之擴大模式圖。圖1 5爲表示直接瞄準膜除去位以噴出流體之主噴嘴與本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

1236944 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（13 ) 引導構件之模式圖。圖16爲表示具有振動器之引導構件之模式圖。圖17爲表示具有振動器之基板保持部（chuck)之模式圖〇圖1 8爲表示具有整流板（遮蔽構件）之膜除去裝置之模式圖。圖19爲表示主噴嘴，輔助噴嘴及引導構件之平面圖。圖20爲表示對向配置之一對主噴嘴及引導構件之平面圖。圖21爲表示膜除去單元（方塊形）之剖面模式圖。圖22表示膜除去單元（方塊形）之內部流路之模式斜視圖〇圖23爲具有輔助噴嘴之膜除去單元（方塊形）的剖面模式圖。圖24爲具有多個主噴嘴之膜除去單元（箱形，氣體用）之方塊剖面圖。圖25爲由下方觀看圖24的膜除去單元之平面圖。圖26爲具有多個主噴嘴之膜除去單元（箱形，液體用）之方塊剖面圖。圖27表示主噴嘴之外還具有輔助噴嘴之膜除去單元之剖面模式圖。圖28爲圖27之膜除去單元之平面圖。圖29爲表示分別由主噴嘴及輔助噴嘴噴出之液體（純水) 之流動之擴大模式圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝. 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -ΤΓ- 1236944 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（14 ) 圖30爲具有遮蔽構件之膜除去裝置之重要部分剖面圖〇圖31爲膜除去單元（箱形，氣體用）之縱剖面圖。圖3 2爲以A-A線切斷圖31之膜除去單元之剖面圖。圖33爲另一膜除去單元（箱形，氣體用）之縱剖面圖。圖34爲圖33之膜除去單元之平面圖。圖35爲另一膜除去單元（箱形，氣體用）之方塊剖面圖。圖36爲以B-B線切斷圖35之膜除去單元之剖面圖。圖37爲另一膜除去單元之平面圖。圖38爲以C-C線切斷圖37之膜除去單兀（箱形，氣體用）之剖面圖。圖3 9爲以D - D線切斷圖3 7之膜除去單元（箱形，氣體用）之剖面圖。圖40爲另一膜除去單元之平面圖。圖41爲以C-C線切斷圖40之膜除去單元（箱形，氣體用）之剖面圖。圖42爲表示具有本發明之膜除去裝置及氣刀（air knife) 單元之基板處理系統之內部透視剖面圖。圖43爲表示具有膜除去單元（箱形，氣體用）之膜除去裝置內部之構造的縱剖面之說明圖。圖44爲表示具有本發明之膜除去裝置及介面部之基板處理系統之內部透視剖面圖。符號說明本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

1236944 A7 B7 五、發明説明（15 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 基板處理系統 2 匣盒站 3 處理站 4 膜除去裝置 4a 箱 7 外裙 10 匣盒載置台 11 輔助臂搬運路 12 搬運路 14 膜除去位置 15 對準標誌 16 抗鈾劑 17 流體 18 整流部 19 雷射光束 20 反射防止膜形成裝置 20a 箱 21 抗蝕劑塗敷裝置 26 回收管 27 回收槽 30 旋轉車床夾頭 31 噴嘴 32 外裙 33 搬運口 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 、11 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -19^ 1236944 A7 B7 五、發明説明（16 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 34 光閘 40,41,42 冷卻裝置 43 延伸裝置 44,45,46 加熱處理裝置 50 主臂搬運機構 60 夾頭 61 外裙 62 X-Y台 63 雷射裝置/雷射振盪器 64 主噴嘴 65 引導構件 65a 誘導槽 65b 傾斜部 66 回收噴嘴 66A 回收噴嘴 66a 吸入口 66b 前端部 70 驅動部 71 超音波振動器 72 排出口 73c 吹出口 74 支撐容器 75 第1平板 76 軌道 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -—ϋ ιϋ_ϋ ^—ϋ ϋϋ m m-— 一 V n-ϋ . 、v'口 '線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20 - 1236944 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（17 ) 77 驅動部 78 第2平板 79 軌道 80 驅動部 81 控制部 82 雷射振盪器 83 CCD攝影機 84 半透明鏡 85 保持臂 86 軌道 87 驅動部 90 回收機構 95 回收管 96 回收槽 97 吸引管 98 噴射器 99 排出管 105 氣刀單元 113 配管 114 供應源 115 泵 116 調整閥 150 輔助噴嘴 151 輔助噴嘴 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝----：---訂 ---線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -21 - 1236944 A7 B7 五、發明説明（18 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 160 引導構件 161,162 側面噴 163 誘導槽 164 槽 170 膜除去單元 171 凹部 172 供應管 173 排液管 177 透明構件 178 膜除去空間 180 輔助供應管 183 CCD攝影機 191 膜除去單元 193 吸入口 194 排出管 200 液體供應部 200a 吹出口 201 供應管 202 三通閥 203 噴射器 210 膜除去構件 211 本體 212 第1噴嘴 213 第2噴嘴 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -22 - 1236944 A7 五、發明説明（19 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 215 保持臂 216 支撐桿 218 第1液流 219 第2液流 220 遮罩構件 221 噴嘴 222 貫穿孔 223 引導構件 291 膜除去單元 292 周壁 293a 第1吸入口 294 吸入口 295 下室 296 上室 297 排氣管 311 膜除去單元 312 氣體淸掃室 313 吸入口 314 供氣口 316 排出室 317 排氣管 411 膜除去單元 412 平板 413 吸入口 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -ϋ·ϋ I I m Kmatms§ 一、 iti mi —m Js. . 、v'口 -線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23- 1236944 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7五、發明説明（20 ) 414 螺栓 416 排出室 417 排氣管 418,419 正負電極 421 高壓電源 422 電源 511 膜除去單元 512 針 513 吸入口 514 供氣孔 515 輔助流體室 516 排出室 517 排氣室 611 膜除去單元 612 針 613 吸入口 614 開縫 615 輔助流體室 616 排出室 710 膜除去裝置 711 膜除去單元 712 排出室 713 吸入口 714 排出管 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _ —裝----^---訂--- 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24 - 1236944 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（21 ) 715 噴射器 716 流體供應部 717 供應管 B 緩衝匣盒 C 匣盒 G1 第1處理裝置群 G2 第2處理裝置群 G3 第3處理裝置群 W 晶圓 [實施發明之最佳形態] 以下要參照附圖說明本發明之各種較佳實施形態。基板處理系統1，如圖i所示，具備由外界以匣盒 (cassette)爲單位接受例如25片的晶圓W至本基板處理系統1 並對匣显C將晶圓搬進搬出之搬出入部之匣盒站（cassette station)〗，對匣盒C逐片實施熱處理或膜形成處理等之特定處理之處理部之處理站3，以及設置於鄰接於該處理站3並用於在處理站3除去形成於晶圓W上之膜的一部分之膜除去部之膜除去裝置4，連接成一體之構成。匣盒站2係在載置部之匣盒載置台1 〇上面之特定位置沿著X軸載置一排多個匣盒C。搬運部12向X軸方向延伸，而沿著搬運路12設有輔助臂搬運機構11成可移動狀態。輔助臂搬運機構11具備：用於保持晶圓之保持器，使晶圓保持器在X-Y面內前進或後退之進退驅動機構，使晶圓本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1236944 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（22 ) 保持器在Z軸方向移動之昇降驅動機構，以及使晶圓保持器在Z軸周圍旋轉之0驅動機構。另外，輔助臂搬運機構丨i具有進行晶圓W的定位之對準功能。如後面所述，該輔助臂搬運機構11也可以存取屬於處理站3側之第2處理裝置群G2之延伸裝置43。處理站3係由實施特定處理之各種處理裝置配置多層以構成多個處理裝置群。該處理系統1中配置有2個處理裝置群G 1，G2，例如第1處理裝置群g 1是配置於處理系統1之正面側’而第2處理裝置群G 1則配置於處理站3之匣盒站2側。另外，處理站3設有可將多個晶圓W收容於多層之緩衝匣盒B。緩衝匣盒B是配置於例如處理站3之背面。緩衝匣盒B是藉由支撐晶圓W之外緣部以將晶圓W載置、收容於各層。如圖2所示，第1處理裝置G1由下面依次配置反射防止膜形成裝置20，用於在晶圓W上形成反射防止膜之膜的膜形成裝置以及做爲第1膜形成裝置，以及抗鈾劑塗敷裝置21 ’用於在晶圓W上形成抗蝕劑膜之膜的第2膜形成裝置之第2膜形成裝置，成爲兩層。反射防止膜防止曝光時光反射到基板上，爲利用駐波（s t a n d i n g w a v e)效果減輕抗鈾劑圖案之變形的膜。此外，第1處理裝置群G1之數可以任意選擇 ’也可以設置多個。如圖4所示，反射防止膜形成裝置20爲了要以旋轉塗敷法（spin coating)在晶圓W上面整面塗敷形成反射防止膜而在箱20a內具有旋轉車床夾頭（spin Chuck)30，噴嘴31以及外裙 (cup)32。旋轉車床夾頭30具有吸附保持晶圓W並使其在Z軸本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂線 1236944 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（23 ) 周圍旋轉之功能。噴嘴3 1是用於與未圖示之液體供給源連通以對旋轉車床夾頭3 0上之晶圓W供應處理液（反射防止膜用液）者。外裙32具有承管由晶圓W上飛散之處理液，並透過排出管將處理液排出至回收槽（未圖示）之功能。箱20a之側面設有用於將晶圓W搬進搬出之搬運口 33。另外，在該搬運口 33裝設有以特定之時序開閉搬運口 33之光聞（shutter)34。此外，抗蝕劑塗敷裝置2 1實質上與上述反射防止膜形成裝置20具有相同構造，故省略其說明。如圖3所示，在第2處理裝置群G2由上依次重疊用於冷卻處理晶圓W之冷卻裝置40,41，42，進行晶圓W之交接的交接部之延伸裝置（extension device)43，用於加熱處理晶圓W 之加熱處理裝置44,45,46共7層。此外，本實施形態之熱處理裝置爲冷卻裝置40-42及加熱處理裝置44-46。在該等熱處理裝置之平板上，晶圓W被加熱或冷卻至特定溫度。再者，熱處理裝置也可以爲具有用於加熱處理之平板與用於冷處理之平板雙方之加熱冷卻裝置。處理站3設有第1處理裝置群G1的各處理裝置，第2處理裝置群G2之各處理裝置，緩衝器匣盒B及與後面所述之膜除去裝置4之間搬運晶圓W之搬運機構之主臂搬運機構50。主臂搬運機構50已揭示於美國專利5,664,254號，所以省略詳細說明。如圖5所示，膜除去裝置4在箱4a中具備夾頭60，外裙61 ，X-Y台62，雷射裝置63，主噴嘴64，引導構件65，以及回本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -27^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

1236944 A7 B7 五、發明説明（24 ) 收噴嘴66等。夾頭60有未圖示之吸入口開口於上方’並具有做爲將晶圓W真空吸附保持成水平之基板保持部之功能。如圖6所示，夾頭60被驅動部70支撐成旋轉與可外降狀態。亦即，驅動部70內裝有使夾頭高速旋轉的馬達以及使夾頭60昇降的氣筒（cylinder)。夾頭60裝設有超音波振動器 71，可使夾頭60本身振動，並對主噴嘴64噴到晶圓W上之液體傳播超音波振動。藉此，防止被捲入流動於晶圓w上面之液體中的膜成分再度附著於晶圓W上面。外裙6 1係以上面爲開口之略呈圓筒狀設成圍繞夾頭60 之狀態。在外裙6 1之下部設有用於排出外裙6 1內部之液體之排出口 72。由晶圓W上溢落或飛散之液體被外裙61所承接而由排出口 72排出。在外裙61中之晶圓W下方設有多個對晶圓W之外緣部背面吹出氣體之吹氣口 73c。吹氣口 73c如圖7所示，係等間隔設置於同一個圓周上。吹氣口 73c被由例如未圖示之氣體供應裝置以特定之時序（timing)及壓力供應著氣體。如此地對晶圓W之外緣部背面噴出氣體，即可以抑制流動於晶圓W上面之液體回流入背面側。另外，被噴出的氣體以使用惰性氣體、氮氣、空氣爲佳。此外，外裙61整體，如圖5所示，是以下面爲封閉之略呈圓筒狀之支撐容器74所支撐。夾頭 60是被收容於該支撐容器74內部。 X-Y台62之功能在於做爲將旋轉夾頭60及外裙61移動於水平方向之移動機構。χ-γ台62具有例如上下配置之兩片平板。上面的第1平板75上面形成如圖1及圖5所示，延伸至本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I —裝----^---訂------線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -ZH - 1236944 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7_五、發明説明（25 ) Y軸方向之軌道76。支撐容器74是設置於軌道76上面而且可以藉由馬達等之驅動部77在軌道76上面移動於Y軸方向。另方面，在下面的第2平板7 8上面，設有如圖1及圖5所示延伸至X軸方向之軌道79。第1平板75被載置於該軌道79 上面，並可以利用馬達等之驅動部80在軌道上移動至X軸方向。利用此種構造，在第1平板75上面之支撐容器74也可以移動至X軸方向與Y軸方向。因此，支撐容器74可以與杯子 61或夾頭60—起移動至X-Y平面上之任何位置。另外，X-Y台62之驅動部77及驅動部80的驅動是以控制部81來控制。亦即，外裙61或夾頭60之移動同樣可以經由控制部8 1設定與控制。因此，可以使保持在夾頭60之晶圓W 移動到雷射裝置63下方之雷射照射位置俾對晶圓W上面企望之膜除去裝置照射雷射光。雷射裝置63內裝雷射振盪器，電源，電源控制器等，具有對覆蓋晶圓W之特定位置14(對準標誌15)之塗敷膜照射雷射光俾使該塗敷膜分解蒸散之功能。雷射振盪器63上使用例如YAG雷射，準分子雷射（excimer laser)等之加工用雷射。雷射振盪器63係被固定於例如膜除去裝置4之箱子（未圖示），藉以維持嚴格設定之光學系統。雷射振盪器63構造上可以垂直向下發射雷射光。此外，也可以將雷射振盪器裝設成雷射光發射到特定之偏角方向。本實施形態之雷射裝置63是固定於箱4a上面。雷射裝置63具備例如做爲雷射光之光源的雷射振盪器82，以及做爲檢測晶圓之位置的位置檢測構件之CCD攝影機1 83。雷射本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ^9 - " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、11 線 1236944 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（26) 振盪器82裝設成可以垂直向下發射雷射光。因而，雷射振盪器82之水平面內之X-Y座標與雷射位置之X-Y座標一致。另外，雷射振盪器82使用例如YAG雷射，準分子雷射 (excimer laser)等加工用雷射。此外，雷射光也可以對特定的方向發光。再者，本實施形態之雷射裝置63是將焦點位置之雷射束徑調整爲例如250 // m X 100 // m。 CCD攝影機83可以使例如雷射照射位置之影像在設置於雷射振盪器82相同光軸之半透明鏡（half mirror) 84反射而拍攝。亦即，CCD攝影機83可以拍攝由雷射振盪器82所見之雷射照射位置之影像。以CCD攝影機83所拍攝之晶圓W之攝影資料被輸出至例如控制部81。控制部81即依據該攝影資料識別晶圓W之現在位置，並比較該現在位置與事先設定之最佳位置，當該現在位置與最佳位置不符合時，可以對X-Y台 62之驅動部77及80下達命令俾將晶圓W之位置修正到最適當之位置。亦即，可以進行嚴密之位置修正俾使晶圓W上之膜除去位置成爲雷射照射位置。主噴嘴64，引導構件65與回收噴嘴66是裝設於例如可以移動到X軸方向之保持臂85。如圖所示，保持臂85被設成延伸至Y軸方向，並可以沿著軌道86移動於X軸方向。亦即，保持臂85是由具有馬達之驅動部86所支撐。另外，驅動部87裝設有使保持臂85升降之氣筒等，保持臂85可以上下運動以調整引導構件65之高度。亦即，保持臂85在使引導構件65接近晶圓W表面後，可以嚴密調整該引導構件65與晶圓W之距離。因此，可以調整流動於引導構件65之誘導槽 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1236944 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（27 ) 65a中之液體17(純水）的厚度T1。此外，保持臂85可以使主噴嘴64與引導構件從例如特定之待機部移動到雷射照射位置。保持臂85將引導構件65 保持於對晶圓W與主噴嘴64之最佳位置。例如，圖9所示，引導構件65被配置於由雷射照射位置14到引導構件65之主噴嘴64側之端部爲止之距離L1(純水的助跑距離）爲大於6mm 。藉此，由主噴嘴64所噴出之純水的助跑距離L1可以充分確保，並在純水之流動到達雷射照射位置之前，使該流動成爲穩定之層流狀態。如圖6所示，主噴嘴64具備透過配管113與流體供應機構連通並將做爲特定流體的純水供應至晶圓W上面之功能。流體供應機構具有儲存特定純度之純水的供應源114，另外，在供應源114與主噴嘴64之間具備泵浦115與調整閥116。泵浦115與調整閥116分別由圖5所示之控制器81控制其操作。控制器8 1藉由控制上述流體供應機構之泵浦11 5及調整閥 116之操作，而可將純水以特定之時序（timing)以及特定之壓力供應到主噴嘴64，並由主噴嘴64將純水噴到晶圓W上面。如圖8所示，引導構件65略呈長方體形狀，下部形成有用於誘導來自主噴嘴64之純水的誘導槽65a。誘導槽65a沿著引導構件65的長邊（Y軸方向）形成直線狀，其寬度W1 (例如2 至10mm左右）比膜除去位置14之對準標誌（alignment mark) 15 之寬度大。引導構件65是裝設於由主噴嘴64所噴出之純水流入誘導槽65a之位置。藉使該引導構件65接近晶圓W表面並使誘 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ϋϋ ·ϋ HI im ml m 士ml mi mi HI ·

、1T 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1236944 A7 B7 五、發明説明（28 ) 導槽65a位於膜除去位置14上面，即可以將晶圓W上的液體引導至膜除去位置14。引導構件65使用例如石英玻璃等之透明材料，可以衰減來自雷射振盪器63之雷射光且可不反射而穿透。引導構件65是利用保持臂85保持於與雷射振盪器82之雷射照射位置相同的Y座標之位置。亦即，藉由將保持臂85 移動至X軸方向，即可以將引導構件65移動到雷射位置（膜除去位置14正上方）。引導構件65使用例如石英玻璃等的透明材料，可以衰減由上方的雷射振盪器82發射之雷射光束，且不反射而穿透。回收噴嘴66具有用於回收流於晶圓W上面之液體之功能，如圖6所示，藉由回收管95與回收槽96相通與連接，另外，該回收槽96則藉由吸入管97相通連接於吸引機構例如噴射器（ejector)98。如圖15所示，主噴嘴64裝設有振動器71，可以對由主噴嘴64所噴出之純水傳達特定頻率之振動。藉此，可以提升雷射光束所照射之晶圓W的塗敷膜之剝離效果。回收機構90是由例如用於回收通過引導構件65之純水的回收噴嘴66，連接到該回收噴嘴66之回收管26，儲存流過該回收管26中之純水的回收槽27，以及對回收噴嘴66賦予吸引力之吸引機構之例如噴射器98等所構成。如圖10所示，回收噴嘴66略呈長方體之形狀，具有斜向切斷之下端部。在該噴嘴下端部有連通至開縫狀之吸入口 66a之開口。吸入口 66a如圖9所示，其開口朝向引導構件本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--------•線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -32 - 1236944 A7 B7 五、發明説明（29 ) 65，俾容易回收通過引導構件65之流體（純水加抗蝕劑）。吸入口 66a之寬度W2大於引導構件之誘導槽65a之寬度W1。寬度W2宜設成寬度W1之1.1倍至2.0倍。藉由此種寬度之吸入口 66a，可以毫無遺漏地吸入流體（純水加抗蝕劑）。回收噴嘴66是配置於引導構件65之下游側呈保持於臂 85之狀態。回收噴嘴66被定位成引導構件65接近配置於晶圓W時，其下端部之吸入口 66a靠近晶圓W。如圖6所示，回收管95與回收槽96上部連通。回收槽96 下部裝設有排出管99。回收之純水17暫時儲存於回收槽96 並透過排出管99由回收槽96隨時排除。回收槽96上部有連通到噴射器98之吸引管97之開口。利用噴射器98使吸引管97成負壓並吸引回收槽96中之氣體再對回收噴嘴66賦予吸引力。另外，藉由透過該吸引管97 之吸引，可以將伴隨純水17之空氣（氣泡）由回收槽96排出。回收槽96上部有連通到噴射器98之吸引管97之開口。利用噴射器9 8使吸引管9 7內部成爲負壓以吸引回收槽9 6內部之氣體，並對回收噴嘴66賦予吸引力。另外，藉由該吸引管97之吸引，可將伴隨純水17之空氣（汽泡）由回收槽96內部排除。藉此，在回收槽96中之回收物質被分離爲氣體成分與液體成分而分別排出。另外，可以將由排出管99排出之純水淨化處理後，送回主噴嘴64以供再使用。另外，也可以使用真空泵做爲吸引機構以替代噴射器。其次，要對如上構成之膜除去裝置4之作用詳加說明。首先，在夾頭60上吸附保持著如圖11及圖12所示之具有多本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝_ 線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1236944 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（30 ) 個對準標誌1 5且在上面形成抗蝕劑1 6之晶圓W。此時，也可以在由特定之搬運裝置（未圖示）事先升高待機之夾頭60 交接晶圓W。此外，膜除去位置14爲晶圓W上之對準標誌15 之位置。接著，外裙7由晶圓被搬入之位置開始移動，晶圓W之膜除去位置14被移動至雷射照射位置。此時，也可以依據用於檢測晶圓W之位置之CCD攝影機等之位置檢測手段的檢測結果，控制外裙7之移動位置。然後，利用保持臂85將主噴嘴64與引導構件65由待機部移動至晶圓W上的膜除去位置14並近接配置於晶圓W上。此時，引導構件65之高度調整並將流經誘導槽65a內之純水的液膜17厚度b調整爲小於2mm左右。如圖9所示，由主噴嘴64例如純水以0.5至21 /min左右開始噴出而在誘導槽65 a中形成通過膜除去位置1 4上面之純水流。此時，振動器71例如以0.4至1 MHz左右之超音波振動並振動傳播至噴出之純水。另外，噴射器28開始操作，而通過引導構件65之純水被由回收噴嘴66回收而排出。此外，未能被回收噴嘴66回收之純水則以杯子7回收之後由排出部11排出。在晶圓W上流布純水之狀態下，由雷射振盪器63發射雷射光束，並穿透引導構件65而照射於膜除去位置14。如圖 13所示，該膜形成裝置14之抗鈾劑16被其分解，而由晶圓W 剝離。被雷射光束剝離之抗鈾劑1 6或由雷射光束之熱反應而產生之異物被捲入純水流中，並被回收噴嘴66由晶圓W上 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --- .urn ·ϋϋ-、_ —ail— m·— ϋιϋ -" 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -34- 1236944 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（31 ) 除去。當以雷射光束照射一定時間而膜除去位置14之抗蝕劑 16被除去後，雷射光束之照射即停止，純水之噴出也被停止。另外經過一定時間之後，噴射器98之操作被停止而結束來自回收噴嘴66之吸引。然後，其他的對準標誌1 5上面之抗蝕劑1 6也同樣地被除去。當所有的膜除去位置14之抗蝕劑16被除去時，主噴嘴 64與引導構件65即移動至待機部。接著，例如夾頭60被高速旋轉，殘留於晶圓W上之水滴被甩脫，晶圓w即被乾燥。該項甩脫乾燥結束後，外裙7即移動至特定之搬出位置而結束一連串之抗蝕劑1 6之除去處理。利用上述實施形態，即可邊在晶圓W上流布純水，邊分解膜除去位置1 4之對準標誌1 5上之抗蝕劑1 6俾迅速回收捲入該分解物之純水，所以可以抑制分解物之抗蝕劑1 6再度附著於晶圓W上。因此晶圓W表面不致受到污染，可以適當進行膜的除去處理。由於在晶圓W上配置引導構件65，俾將純水誘導至膜除去位置14，因此可以對膜除去位置14供應充分之純水，而確實進行膜之除去。另外，因爲可以有效集中純水於膜除去位置1 4，因此可以減低純水之供應量。因爲引導噴出至晶圓W上面之純水，故可以防止晶圓W整面被純水浸濕。由主噴嘴64所噴出之純水的助跑距離L1充分確保，因此，純水流在通過膜除去位置14時成爲層流。因此，由於亂流而在純水中產生氣泡以致雷射光束不致被氣泡漫射，所以可 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —#1^----—— 訂 -線_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -36- 1236944 A7 B7 五、發明説明（32 ) 以適當進行抗鈾劑1 6之分解。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因爲在主噴嘴64裝設振動器71 ’並對純水施予超音波振動，因此可以提升由於照射抗蝕劑1 6與雷射光束而產生之分解異物之純水本身之剝離，除去作用。此外，也可以不對純水施予超音波振動而單純地僅噴出純水。另外’噴出之液體不限於純水，也可以爲二氧化碳’混入氧或氮等氣體之純水，離子水，臭氧水及過氧化氫等之其他液體。另外，爲防止晶圓W之帶電，噴出之液體宜調整到pH4至6。另外，供應液體時，因爲設成可以由吹出口 73c向晶圓 W之背面之周緣部勁吹氮氣，因此可以防止純水由晶圓W上面回流到背面，因而可以有效防止晶圓W背面之污染。因此可以免卻洗淨晶圓W背面之後工程，而縮短晶圓W之整體之處理時間。在上述實施形態中所記載的回收噴嘴66之前端部雖呈傾斜狀，但是如圖14所示，也可以將回收噴嘴66A之前端部 6 6f形成爲與晶圓W平行。此時，可以更確實地回收進入回收噴嘴66A與晶圓W之間的純水。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製另外，如圖15所示，也可以將主噴嘴64之噴出口設成朝向抗蝕劑16被除去之膜除去位置14。此時，在主噴嘴64 被附加振動之純水直接撞擊對準標誌15上面之抗鈾劑16而可以更加提升純水對抗蝕劑1 6之剝離與除去作用。另外，在該例之引導構件65也可以設置不妨礙由主噴嘴64所噴出之純水流之傾斜部65b。如圖16所示，振動器71也可以裝設於引導構件65側面 -- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1236944 A7 B7 五、發明説明（33 ) 。另外，如圖1 7所示，也可以裝設於夾頭60。在此等情形下，流布於晶圓W上之純水被傳達振動，而可以提升純水對抗蝕劑16之剝離與除去作用。如圖18所示，也可以設置整流板18以取代上述之回收噴嘴66。整流板1 8是配置於膜除去位置14之下游側。整流板18被形成爲例如100至200 // m左右之薄的平板，是由引導構件65之下游側插入晶圓W與引導構件65之間。整流板18 被配置成整流板1 8之上游側之前端部與膜除去位置1 4之距離S1爲例如10至100 //m左右，而整流板18之下游側之端部被形成到達晶圓W之端部。整流板1 8之上游側之前端部形成爲下側凸出之推拔形狀。整流板18以不接觸晶圓W的程度配置接近於晶圓W俾使例如與晶圓W之距離C1成爲大約10至50 // m。整流板18是以例如安裝於引導構件65之保持臂85所支撐而與引導構件 65整體移動。在本實施形態中，純水是由主噴嘴64噴出，而於通過膜除去位置1 4之後，被整流板1 8誘導至晶圓上方。因此，由晶圓W剝離之抗蝕劑16不會再附著於晶圓W上，因而防止晶圓W之污染。另外，也可以在整流板1 8上面設置回收噴嘴66而藉由回收噴嘴66回收抗蝕劑混入水16,17。此外，整流板1 8之後端部不必延伸到晶圓W的周緣端部，只要延伸到回收噴嘴66的位置即足夠。如圖19所示，也可以除了上述主噴嘴64之外，另在主噴嘴64之兩側並設兩個輔助噴嘴1 50, 1 5 1。由各輔助噴嘴 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - I I -II 1 I - - - - _ I 1—— 士^- - ---- 1- I- - - = I·? ^4 ......I— SI! In ...... _ 、ν'口線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -όί - 1236944 A7 B7 五、發明説明（34 ) 1IS— - _ — - - - ! I -1 I-=- - I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 5 0，1 5 1與主噴嘴6 4 —^樣將純水噴向Y軸方向。輔助噴嘴 1 50, 1 5 1與主噴嘴64皆由保持臂85所支撐。輔助噴嘴1 50, 1 5 1 之相互間距離是被調整爲例如引導構件65之橫寬。由主噴嘴64供應純水時，也由輔助噴嘴1 5〇，1 5 1同步供應純水。因此，形成來自輔助噴嘴1 5 0，1 5 1之供應水將來自主噴嘴64之供應水由兩側夾在中間的水流，因而抑制抗蝕劑混入水1 6，1 7向晶圓W上擴散。另外，還可以捲走抗蝕劑 16並將受污染的純水有效地筆指地排出晶圓w之外。再者由輔助噴嘴150,151所供應之液體不僅限於純水，離子水等其他液體也可以，又不僅限於液體，也可以爲惰性氣體、氮氣、氧氣等氣體。線如圖20所示，也可以在引導構件160上裝設一對側面噴嘴161，162以取代上述主噴嘴64。側面噴嘴161，162是安裝於引導構件160之側部而與膜除去位置14等距離對向配置以便對與引導構件160之縱向正交之X軸方向噴射流體。在引導構件1 60形成有向X軸方向伸出之導入槽1 64與向Y軸方向伸出之誘導槽163,兩槽163，164交叉於膜除去位置14。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製液體17(純水）由兩噴嘴161，162同時被噴射時，流體17撞擊膜除去位置14，而與剝離抗蝕劑16—起沿著誘導槽163向左右排出。另外，誘導槽163之兩出口以可以分別設置回收機構（未圖示）以回收抗蝕劑混入水16,17。如圖21，22所示，也可以將膜除去單元170設置於雷射振盪器63與膜除去位置14之間。膜除去單元略呈長方體形狀，其下面中央部具有凹部171。凹部171面對晶圓W之上面，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -- 1236944 A7 B7 五、發明説明（35 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 兩者間形成有膜除去空間178。膜除去單元170具備對膜除去空間178供應液體（純水）之供應管172，以及排出空間178 中之液體的排液管173。供應管172與排液管173具有與凹部 171相同的距離，向凹部171之開口部呈開縫狀。供應管172連通到與圖6所示之供應源114連通之液體供應管1 1 3。控制器8 1將信號傳輸至供應源1 1 4，並使供應源 114藉由供應管172以特定之計時（timing)供應至空間178中〇另方面，排液管173與具有圖6所示之噴射器98之回收機構90連通。控制器81可將信號傳輸到噴射器98之電源，並透過排氣管1 73以特定之壓力及計時使回收機構90吸引空間178內部，並由空間178將液體排出。如圖20所示，膜除去單元170的上部中央捲入有例如由玻璃所構成的透明材料177。雷射光束19是穿過透明構件177 而到達膜除去空間178內部，並射入位置14之抗蝕劑16。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製膜除去單元170是被保持於具有例如上述之保持臂85相同功能之保持臂75。藉此，保持臂75配置成將膜除去單元 170之凹部171面對晶圓W上的膜除去裝置14，且可使膜除去單元170接近晶圓W之表面。亦即，在晶圓W上的膜除去位置14上可以形成由凹部171與晶圓W之表面所形成之大致密閉之空間的膜除去空間178。另外，如將晶圓W與膜除去單元170下面之間隙C3設成膜除去空間178中的純水不洩漏之 100至300 // m之程度最爲理想。而在除去膜除去位置14之抗蝕劑16時，須對膜除去位本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1236944 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（36 ) 置上所形成之膜除去空間178內部由供應管172供應純水。與其同時，膜除去空間178之純水被排液管173吸引而排出。藉此，如圖22所示，形成以供應管172—塗敷膜除去空間 -排液管1 73之流路的純水流路。此外，此時，並將供應予膜除去空間178內部之純水供應量與排出之純水排液量相等，以免純水由膜除去空間178溢出。然後，與上述實施形態相同由雷射振盪器63對膜除去位置14照射雷射光以剝離抗蝕劑16。然後，被剝離之抗蝕劑16被捲入純水中而與純水一起由排液量17 3排出。依據此例，因爲對膜除去空間178之局部供應純水等之液體，因此可以減少所使用液體之消耗量。另外，因捲入抗蝕劑1 6而污染的純水絕不會擴張到晶圓W表面，因此可以抑制晶圓W上面之污染。如圖23所示，也可以在膜除去單元170與晶圓W之間C3 設置供塵純水17之輔助供應管180。輔助供應管180可以在例如凹部171之周圍設置兩個、三個或四個。當由供應管172對膜除去空間178供應純水17時，同時也由各輔助供應管180對間隙C3供應純水17。該周圍之供應純水17對流動於膜除去空間178內部的純水扮演堤防的角色，防止了純水17由膜除去空間178通過間隙C3而漏出外界。因此，可以防止受污染純水通過膜除去空間178以接觸到晶圓 W上面的其他部分。在上述實施形態中，是將雷射照射剝離之抗蝕劑1 6與流動液體（純水）同時由位置14除去，惟也可以將雷射照射剝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝·

、1T 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -40 - 1236944 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（37 ) 離之抗蝕劑16利用真空吸引由位置14除去。如圖24所示，也可以將多個流體供應部200設置於膜除去單元1 9 1側面之下部。流體供應部200與未圖示之多個流體供應源連通，以便對膜除去位置14之近傍選擇性地供應氣體（例如空氣或氧氣）與液體（例如純水）。該等流體供應部 200，如圖25所示，具有開口於以吸入口 193爲中心之同心圓上之排出口 200a。圖中之情形有8處排出口 200a，惟也可以設置3至1 6處。另外，如圖24所示，各排出口 200a是向膜除去單元191 之中心方向開□，而向膜除去單元191與晶圓W之間隙排出液體。各流體供應部200透過供應管201分別與氣體之供應源（未圖示）與液體之供應源（未圖示）連通。供應管201裝設有三通閥202。該三通閥202之上游口連通氧氣供應源（未圖示），另一方之上游口則與純水供應源（未圖示）連通。控制器81經由控制三通閥202之電源開關，可將供應予膜除去單元1 9 1之流體適當地在氧氣與純水之間切換。另一方面，排出管194有做爲負壓產生手段之噴射器 203相連通。控制器81藉由控制噴射器203之電源開關以調節施加於排出管194之負壓，並且調整吸入口 193之吸引力〇在除去抗蝕劑1 6之膜時，即由各流體供應器200將氧氣或純水供應至膜除去位置14之近傍。供應氧氣時’如圖24 所示，被剝離之抗鈾劑16與氧氣被吸入口 193吸引，通過排 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1236944 Α7 Β7 五、發明説明（38 ) 出室192而被排出管194排出。結果，膜除去位置14附近之排氣可以順利進行，並可以抑制例如回收機構90內部慢慢成爲負壓降低膜除去單元1 9 1的吸引力之問題。另一方面，如圖26所不’在膜除去單兀191與晶圓W之間形成純水之薄膜，與該薄膜純水一起剝離之抗蝕劑1 6被吸入口 193所吸引。另外，純水通過排出室192內部而由排出管194排出外界。此外，也可以藉由整節噴射器203之壓力調整來自吸入口 193之吸引量以調節膜除去單元191與晶圓W之間隙之純水量。再者，也可以在膜除去位置僅將氣體供應至膜除去位置14附近，或僅將液體供應至膜除去位置 14附近。如圖27,28所示，也可以利用膜除去構件210以抑制剝離之抗蝕劑16再度附著於晶圓W上。膜除去構件210具備本體 211，第1噴嘴212，以及左右一對之第2噴嘴213,214。第1 噴嘴212是在平面視野上沿著Y軸裝設於本體211之後部，而由後方對膜除去位置14供應液體者。第2噴嘴213,214是如圖28所示配置於第1噴嘴212之兩側成左右對稱，在平面視野上與第1噴嘴212形成銳角θ ( 例如，θ=5°至45 ° )。由該第2個第2噴嘴213,214也可以對膜除去位置14由斜後方供應液體。本體2 11具有例如略呈逆圓錐形，圓錐之尖端部，即本體2 11之下部形成水平面。本體2 11是以玻璃等之透明材料所製造，爲可以穿透雷射光束19者。本體211係由保持臂21 5 支撐成可移動於X軸，Υ軸與Ζ軸各方向。另外，保持臂215 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐) _ 42 - "~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝----：---訂 -線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1236944 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（39 ) 實質上有與上述保持臂85相同之構造。如圖27所示，本體211內裝有第2噴嘴213,214。第2噴嘴21 3 214分別連通到液體供應裝置（未圖示）。第2噴嘴 213，214之供應口開口於本體211之底面，例如直爲2mm左右。控制器81將指令信號傳輸至液體供應源之驅動電路，並由第2噴嘴21 3, 214以一定之計時與特定之流速噴出液體。第1噴嘴21 2是利用支撐桿21 6支撐於本體211。第1噴嘴21 2之尖端部由本體211之軸心（雷射光束19之光軸）後方僅離開些許之距離S2。距離S2爲例如0.01mm至0.05mm左右。第1噴嘴21 2對水平面傾斜例如50至45°左右之俯角方向。控制器81將指令信號傳輸到液體供應源之驅動電路，並且以一定之計時與特定之流速由第1噴嘴21 2噴出液體。除去膜時，將本體211近接配置於晶圓W，俾使本體211 之軸心位於膜除去位置14上面。使第1噴嘴212以例如20m/秒以上之流速噴出純水。藉此，可由近距離將純水供應予膜除去位置14，並且如圖29所示，形成沿著Y軸前進之純水流 (第1水流218)。另一方面，由第2噴嘴213，214也噴出比來自第1噴嘴 212之純水更慢流速之純水。來自第2噴嘴213，214之純水之流速定爲例如lm/秒左右。藉此，在第1水流21 8之兩側會形成比該第1水流更慢之純水流（第2水流2 1 9)。因爲第1水流 218比第2水流219快，因此，第1水流218與第2水流219之間會發生壓力差，而由第2水流219向第1水流218之方向之力發生作用。結果，膜除去位置14受到雷射光束之照射，抗蝕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·

、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） :43- 1236944 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（40 ) 劑1 6 —剝離，即乘著被第2水流所夾的第1水流2 1 8由晶圓W 上面除去。因此，剝離的抗蝕劑1 6不致擴散到晶圓W表面上，而抑制其再附著於晶圓W上。另外，如至少再具備用於回收通過膜除去位置14之第1 水流21 8之液體之回收機構則更理想。如圖30所示，也可以利用遮蔽構件220來抑制剝離之抗蝕劑16再度附著於晶圓W上。此種例子有例如在晶圓W上供應純水等的液體之噴嘴221與晶圓W之間配置遮蔽構件220。遮蔽構件220整體爲比晶圓W之半徑爲大之略呈圓盤形，而遮蔽構件220之上面220a之中心部分向下傾斜。在遮蔽構件 220之中心部分設有例如直徑〇.5mm左右之貫穿孔222。遮蔽構件220之下面220b呈水平面狀。遮蔽構件220係由例如具有與上述保持臂85相同功能之保持臂（未圖示）所保持，而可在水平方向與上下方向移動自如。在遮蔽構件220之貫穿孔222之上方配置有將液體由上方抑壓引導之引導構件223。引導構件223具有例如略呈立方體形狀。該引導構件223是由例如上下運動自如之保持臂 (未圖示）所保持，可以將例如與遮蔽構件220之上面220a 之距離調整爲特定距離，例如〇.〇5mm至0.3mm。而在除去膜時，遮蔽構件220與引導構件223被移動至膜除去位置14上面，並使遮蔽構件220接近晶圓W，俾使遮蔽構件220之下面220b與晶圓W表面之距離f成爲例如10 // m至100 // m。此時，遮蔽構件220之位置被調整爲貫穿孔 222與膜除去位置14相對向之位置。然後，由噴射221噴出液 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、11 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1236944 A7 B7 五、發明説明（41 ) 體，例如純水於遮蔽構件220上面，而被噴出之純水流下上面220a並通過貫穿孔222，再流上反對側之上面220a並由遮蔽構件2 2 0排出例如杯子6 1中。如果在該狀態下對膜除去位置14照射雷射光束以剝離抗蝕劑1 6時，該被剝離的抗蝕劑 16即被遮蔽構件120上面的純水流捲入而由晶圓W上面排出。結果，一旦被除去之抗蝕劑1 6即被抑制而不再附著於晶圓W上。另外，遮蔽構件220之形狀不限定於圓盤形狀，也可以爲其他形狀，例如方盤形狀。此外，遮蔽構件之上面220a 不必傾斜而爲水平面也可以。上述的實施形態是用於除去存在於晶圓W之膜除去裝置 1 4之對準標誌1 5上面之抗蝕劑1 6，但是本發明在其他的用途上也可以適用於除去晶圓上面之膜。另外，基板並不侷限於晶圓，也可以爲LCD基板，光罩用之光照光柵基板 (mask reticle substrate)等之其他的基板。其次，要參考圖3 1至4 1以說明各種實施形態之膜除去單元。如圖3 1所示，膜除去單元29內形成有兩個圓筒形流體室295，296以免妨礙雷射光束19之光路。上室296透過排氣管297與真空泵連通。其下面形成做爲吸引促進室之下室 295。兩個吸入口 293a，293b沿著雷射光軸19a上下串聯排列。第2吸入口 293b具有由雷射區域吸引剝離抗鈾劑16與流體17之功能。第1吸入口 293a具有將通過第2吸入口 2 93b 之剝離抗蝕劑1 6與流體1 7更強力吸引之功能。此外，在膜本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) —裝----：---訂—----線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1236944 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（42 ) 除去單元291之上部被捲入透明玻璃等之透明構件177。如圖32所示，4個第3吸入口 294開口於下室295之周壁 292。各吸入口 294將流體（例如空氣）吸引導入於背離（大致上爲接線方向）雷射光軸19a之方向，俾在下室2M內部形成流體之上升旋轉流。第3吸入口 294是依照做爲吸引促進室之下室295之尺寸選擇最適當之數量與直徑。例如下室292 之內徑dl爲25mm時，第3吸入口 294之直徑以設爲2mm，而數量以兩個爲理想。另外，控制器81藉由高精密控制升降機構86，87以將膜除去單元291 (吸入口 293 a)與塗敷膜16之間隙C7任意調整於 50至1000 # m之範圍內。利用本實施形態之裝置，因爲藉由旋餞流增強吸引力，因此，可以將照射雷射時所發生之顆粒毫無遺漏地吸引排除。如圖33所示，膜除去單元3 1 1內部形成有分別連通到下端之吸入口 313及排氣管317之排出室316。另外，膜除去單元311之下部裝設有氣體淸掃室312。該氣體淸掃槽312圍繞著吸入口 3 1 3，並透過供氣口 3 14由氧氣供應源（未圖示）供應氧氣。如圖34所示，供氣口 314是以氣體淸掃槽312上部的3處連通。此外，控制器81藉由高精密度控制升降機構86，87之操作，可將膜除去單元311(吸入口 313)與塗敷膜16之間隙C8任意調整於50至1000 // m之範圍內。另外，控制器81藉由分別控制氧氣供應源（未圖示）及真空泵（未圖示）之操作 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -46 - 1236944 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（43) 將氧氣之供應量Q1調整爲大於吸引排氣量Q2或相等（Q1 2 Q2)。利用本實施形態之裝置，可以利用旋轉流增強吸引力，因此，可以將照射雷射時所發生之顆粒毫無遺漏地加以吸引排除。如圖35所示，在膜除去單元411中，形成有分別連通到下端之吸入口 41 3及排氣管417之排出室416。吸入口 41 3是形成於平板412中央並藉由多個螺栓414裝設於膜除去單元411 的本體下部成裝卸自如。此外，平板4 1 2是以陶瓷等的絕緣材所製成。如圖36所示，貫穿排出室416之周壁有兩對正負電極 418, 419被引入排出室416中。互相對向之兩對電極418，419 之各別前端配置成極端接近吸入口 413。一對電極41 8被連接到高壓電源421，並被施加以數kV的正電壓。另方面，另一對的電極419被連接到電源422，並被施加以數kV的負電極。另外，控制器81藉由高精密度控制升降機構86，8 7之操作，可將膜除去單元41 1(吸入口 413)與塗敷膜16之間的間隙 C9任意調整於50至1000 μ m之範圍內。利用本實施形態之裝置，可以將帶電之顆粒吸引到電極側，因此可以防止顆粒對晶圓W之附著。此外，附著於電極之顆粒因爲吸引的關係而有上升氣流，因此絕無掉落晶圓之虞。如圖3 7至3 9所示，膜除去單元5 11中裝設有分別連通到 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·

、1T 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 1236944 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（44 ) 下端的吸入口 513及排氣管517之排出槽516。另外，形成有環狀之輔助流體室5 1 5以圍繞吸入口 5 1 3。再者，貫穿排出室516及輔助流體室515之周壁有兩支針512被引入排出室516 中。互相對向之兩支針512之各前端被配置於極爲接近吸入口 413。針512之前端以盡可能不干擾雷射光束19之光路之範圍內接近雷射照射區域14爲理想。針512具有內部流路，內部流路開口於針512之前端。內部流路連同於未圖示之流體供應源。另外，輔助流體室515透過供氣口 514與氧氣供應源（未圖示）連通。流體分別在正要照射雷射光束之前與之後的時序 (timing)的極短時間由針512供應。亦即，在正要照射雷射前之0.5秒的時序噴出例如僅0.1至0.3秒鐘之流體（純水或氣體），另外，在剛照射雷射光束之後之0.5秒之時序噴出例如僅僅0.1至0.3秒鐘之流體（純水或氣體）。另外，由針512噴出之液體與噴嘴所供應之液體相同。由針418，4 19只在加工前後的極短時間內（加工前0.5秒及加工後0.5秒中）排出流體。另外，所使用之針可以在單邊使用一支或兩支同時使用。此外，由針排出的液體可以爲液體（例如純水）或氣體（例如空氣、氧氣）。如由兩支針512噴出流體，即形成在吸引室516中旋轉之上升渦流5 1 8。該上升渦流5 1 8可以促進來自吸引室5 1 6中之流體的排出。另外，藉由控制器81高精密控制升降機構86，87之操作，即可將膜除去單元511(吸入口 51 3)與塗敷膜16之間隙C10 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、11 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1236944 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（45 ) 任意調整於50至1000 //m之範圍內。利用本實施形態之裝置，藉由針41 8，4 19之流體之排出，即可將發生於抗蝕劑剝離加工部14之顆粒順利地載於旋轉流上。尤其是，正要飛向橫向之顆粒由於針的排出局部流體與上部旋轉流之相乘效果而有效吸引與排除。如圖40，41所示，在膜除去單元611中形成有分別連通於下端之吸入口 61 3與排氣管417之排出室616。另外，環狀的輔助流體室6 1 5圍繞在吸入口 613周圍。輔助流體室61 5與氧氣供應源（未圖示）連通。再者，有兩支針612貫穿排出室616及輔助流體室615之周壁而引入排出室616中。互相相向的兩支針612之前端分別配置於極端接近於吸入口 613。針612之前端以盡可能於不干擾雷射光束19之光路之範圍內接近雷射照射區域14爲理想。在區隔排出室616與輔助流體室615之隔板形成有兩處開縫，氧氣可以透過開縫614由輔助流體室615流入排出室 616方向。另外，控制器81藉由高精密控制升降機構86，87，可將膜除去單元611(吸入口 613)與塗敷膜16之間隙C11任意調整在50至1000 // m之範圍。利用本實施形態之裝置，可以對雷射照射區域14透過開縫614供應足量的氧氣，因此，可以容易完全燃燒剝離對象的抗鈾膜1 6，而進一步提升抗蝕膜16之除去效果。上述之實施形態中，雖然藉由使純水潤濕之晶圓W旋轉本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -—I. ....... !- ------ - ϋϋ 1 ----- —ϋ I— ; ϋϋ m. -I. n、C^Jϋϋ —ϋ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1236944 A7 B7 五、發明説明（46 ) 以甩開乾燥，惟也可以對晶圓W噴出氣體以除去純水。例如在膜除去裝置4的箱4a上面裝設做爲氣體噴出部之氣刀單元 105。氣刀單元（air hnife unit) 105是如圖42所示，配置於X-Y 台62上之晶圓W之移動範圍內。氣刀單元105具有比例如晶圓W之直徑之開縫狀噴出口，並且可以對下方之晶圓W噴出幛形空氣。而在除去膜之後，除去晶圓W上之純水時，於由氣刀單元105噴出空氣之狀態下，驅動X-Y台62並使晶圓W通過幛形空氣下面。如此一來，殘留晶圓W上面的純水即被吹散而使晶圓乾燥。上述的空氣噴出工程也可以邊旋轉晶圓邊進行。此外，上述的空氣噴出工程也可以邊振動裝設於夾頭60之超音波振動器7 1邊進行。另外，上述之空氣噴出工程也可以使晶圓W旋轉，邊使超音波振動器71振動邊進行。以上的實施形態中，雖然是在晶圓W上面流布純水等之液體以除去剝離之反射防止膜，但是如圖43所示，也可以藉由吸收存在於膜除去位置14附近之流體以排出以排除剝離之反射防止膜。如圖43所示，在膜除去裝置710設有膜除去單元711以吸引與排出膜除去位置14附近之氣氛等之液體。膜除去單元 7 11略呈圓筒狀，其內部形成構成大致呈密閉空間之排出室 7 1 2。在膜除去單元7 11下面設有用於吸收存在於下方之液體進入排出室712中之吸入口 713。膜除去單元711之側面連接有用於排出吸入排出室7 1 2中之液體的排出管7 14。排出管7 14係與例如負壓產生手段之噴出器715連通，而可以特本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1236944 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（47 ) 定之壓力，特定之時序吸引排出室7 1 2中之流體。因此’可以由吸入口 7 1 3吸引膜除去單元7 1 1下方之流體’使其通過排出室712並由排出管714排氣。在膜除去單元7 11側面之下部設有流體供應部7 1 6 ’它可以選擇性地對膜除去位置14附近供應空氣’氧氣等氣體與純水等液體。液體供應部7 1 6是在以吸入口 7 1 3爲中心之圓周上設置多個。各流體供應部7 1 6是傾斜設置俾使流體供應部716之供應口 716a朝向吸入口 713側。藉此，各流體供應部716是經由例如供應管717連通連接到氣體，例如氧氣之供應源（未圖示）與液體，例如純水之供應源。供應管7 1 7 是設置於例如三通閥7 1 8，藉由該三通閥7 1 8，可以適當切換氧氣與純水之供給。另外，三通閥71 8之切換動作是由控制器81來控制。膜除去單元7 1 1上部，亦即排出室7 1 2上面是以石英玻璃等之透明構件1 77所形成。吸入口 7 1 3則配置於夾持排出室712之該透明構件177下方，俾可以由上方照射之雷射光束通過透明構件177，排出室712及吸入口 713以照射下方之晶圓W。膜除去單元711是被例如保持臂85所保持，並可將吸入口 713配置於晶圓W上之膜除去位置14上面。此外，還可以調整膜除去單元711之高度並將吸入口 713與晶圓W之距離調整成最適當的距離，例如1 0至5 0 // m左右。在除去膜時，膜除去單元711移動至膜除去位置14上面。純水被由流體供應部7 1 6供應至例如膜除去位置附近， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --~批衣---- 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1236944 A7 _____B7 五、發明説明（48 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 並由吸入口 7 1 3吸引該純水。由吸入口 7 1 3吸入的純水通過中空部71 2而由排出管714排出。在形成依流體供應部716 — 膜除去位置14->吸入口 713-排出管714之順序流出之純水流之狀態下，雷射光束由雷射振盪器63發射，穿透透明構件 177，吸入口 713之雷射光束即照射膜除去位置14。因該照射而剝離之反射防止膜被捲入純水流中而被膜除去單元7 11排出。雷射光束之照射-結束，繼續一定時間之純水之供應與排出，然後停止。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製利用本實施形態之裝置，被雷射光束由晶圓W剝離之反射防止膜直接由吸入口 713吸引而排出。因此，可以防止剝離之反射防止膜再度附著於晶圓W上而防止晶圓W之污染。因爲將膜除去單元7 1 1上面構成透明構件1 77，而膜除去單元711內部構成中空，因此可以在膜除去位置14之正上方配置膜除去單元7 1 1之狀態下照射雷射光束。從而可以膜除去位置14接近吸入口 71 3之狀態下吸引。尤其是經由實驗等確認由晶圓W剝離之反射防止膜之顆粒漂浮於上方，所以其效很大。另外，本例中，純水是由流體供應部7 1 6所供應，惟也可以供應氧氣等氣體。此時，也是通過膜除去位置 14而形成由吸入口 713吸引之氣流，因此，可以迅速而確實地除去由晶圓W剝離之反射防止膜。上述之實施形態中，於形成了反射防止膜之後，才進行膜之除去處理，然後形成抗鈾膜，但是，視處理程式 (recipe)，也可以形成反射防止膜後，形成抗蝕膜，然後進行膜除去處理。此時，以反射防止膜形成裝置20形成反射本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X 297公釐） 1236944 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（49 ) 防止膜之晶圓W在被加熱與冷卻後，被搬運至抗蝕劑塗敷裝置2 1，並在晶圓W上面形成抗蝕膜。然後，晶圓w被加熱與冷卻，然後搬運至膜除去裝置4。在膜除去裝置4施行膜除去處理之晶圓W被加熱與冷卻處理，而由延伸（extention)裝置43搬回匣盒站2。又在上述實施形態之基板處理系統1上，在處理站3設有抗蝕劑塗敷裝置21，惟沒有抗蝕劑塗敷裝置21也無妨。此時，在晶圓W上形成反射防止膜，然後，在除去膜除去位置的膜之後，晶圓W即由延伸裝置43回到匣盒站2。另外，上述實施形態中所記載之系統，如圖44所示，也可以具備介面部124，其具有在處理站與曝光裝置之間搬運晶圓W之搬運裝置。如圖44所示，在處理系統1B之處理站121之背面側（圖14 之上方），設有膜除去裝置122。另外，膜除去裝置122具有例如與上述之膜除去裝置4相同的構造。夾持處理站121之兩側設有匣盒站123與介面部124。另外，在該系統外設有鄰接於介面部124之曝光裝置125。處理站1 2 1在主搬運裝置12 6之介面部1 2 4側有第3處理裝置群G3。第3處理裝置群G3具有用於交接晶圓W予介面部 124側的交接部之延伸裝置130。此外，在主搬運裝置126之正面設有第4處理裝置群G4。第4處理裝置群G4設有例如雙層之顯像處理裝置1 3 1。再者，如同上述實施形態，第1處理裝置群G 1上設有反射防止膜形成裝置20與抗蝕劑塗敷裝置21，而第2處理裝置群G2則設有冷卻裝置40至42，延伸裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2K)X297公釐） -53 - 1236944 A7 B7 五、發明説明（5Q ) 置43，以及加熱處理裝置44至46。主搬運裝置126除了配置第1處理裝置群G1，第2處理裝置群G2之外，還配置膜除去裝置112，第3處理裝置群G3與第4處理裝置群G4以便搬運晶圓W。此外，在第3處理裝置群 G3中，則除了延伸裝置130之外，也可以配合晶圓W之處理程式（recipe)裝設冷卻裝置或加熱處理裝置等之其他處理裝置。介面部124設有做爲搬運裝置之晶圓搬運體132。該晶圓搬運體132構造上可以回到例如X軸方向（圖14中之上下方向），Z方向（垂直方向）之移動與Z方向（以Z軸爲中心之旋轉方向轉動自如，並存取第3處理裝置群G3之延伸裝置130 與曝光裝置125並對其搬運晶圓W。而且在處理晶圓W時，透過延伸裝置43與晶圓W由匣盒站123交接給主搬運裝置126，而主搬運裝置126將晶圓W搬運至反射防止膜形成裝置20。當晶圓W上面一形成反射防止膜時，晶圓W被加熱與冷卻之後，由主搬運裝置1 26搬運至膜除去裝置1 22。而在上述實施形態所記載之膜除去處理完成後之晶圓W即被加熱與冷卻而被搬送至抗蝕劑塗敷裝置 2 1。在抗蝕劑塗敷裝置2 1完成抗鈾塗敷處理之晶圓W被加熱與冷卻處理之後，即被搬運到第3處理裝置群G3之延伸裝置 130，再由晶圓搬運體132搬運至曝光裝置125。以曝光裝置125完成曝光處理的晶圓W再藉由晶圓搬運體132搬回延伸裝置130。搬回延伸裝置130之晶圓W被加熱與冷卻處理之後，被搬運到顯像處理裝置1 3 1。在顯像處理裝置1 3 1進行晶本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -mi am Βϋ— mi -ii- anil e_m mi ϋ_Ι 一 N HI ism in— 線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1236944 A7 B7 五、發明説明（51 ) 圓w之顯像處理後，晶圓w再度被加熱與冷卻處理，並以主搬運裝置126搬運至第2處理裝置群G2之延伸裝置43。然後，晶圓W藉由輔助臂搬運機構1 1搬回匣盒站123之匣盒C而結束晶圓W之一連串之處理。由於具備如此地在處理站1 2 1與曝光裝置1 25之間搬運晶圓W之介面部124，因而可以在一個處理系統中進行反射防止膜形成—膜除去處理—抗蝕膜形成—曝光處理—顯像處理之一連串處理。因此，在處理中，作業員等不會搬運晶圓W，所以可以防止搬運中污染或損壞晶圓。另外，因爲可以縮短晶圓W之搬運時間，所以也縮短晶圓W之整體之處理時間。另外，在此種實施形態中，是將膜除去裝置1 22配置於處理站121之背面，惟只要主搬運裝置126可以存取的位置，也可以設置於其他側面。介面部1 24也同樣地可以設置於處理站1 2 1之其他側面。另外，處理站1 2 1中也可以設置緩衝匣盒（buffer cassette)以便搬運膜除去裝置112之前使晶圓W暫時待命。上述之實施形態是用於除去反射防止膜，惟本發明也可以適用於例如同時除去反射防止膜與抗蝕膜。另外，本發明也適用於除去其他的膜。此外，上述之膜除去處理以外之處理內容與順序可以配合晶圓之處理程式（recipe)隨意變更。再者，基板並不限於晶圓，也可以爲LCD基板，光罩用光柵（mask reticle)基板等其他基板。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1236944 A7 B7 五、發明説明（52 ) [產業上之可利用性] 利用本發明，即使除去基板上面之膜也不致污染基板，所以可以保持基板於淸潔狀態，藉由後續之處理而可以製得高品質的基板。利用本發明，可以防止基板之污染並且提升基板之品質。另外，可以縮短搬運時間與提高產率° (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -1 —^ϋ - ...... a .....—I is -=- - - - I — - i- 士^—is· —i I— ml 訂-----00 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）

Claims

1236944 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製六、申請專利範圍 1 1. 一種膜除去裝置，其特徵具備：基板保持部，用於保持具有塗敷膜之基板，雷射光源，將雷射光束局部照射於該基板保持部上面之基板之特定位置並將上述塗敷膜之一部分由基板剝離，流體供應機構，具有對上述特定位置供應特定液體之主噴嘴，回收機構，具有吸入口俾在基板上一起吸引除去供應予上述特定位置之上述特定流體與剝離之膜成分，以及引導構件，用於引導由上述主噴嘴所噴出之上述特定流體至上述特定位置，同時引導至上述回收機構之吸入口以免上述特定液體與剝離之膜成分擴散，洩漏至上述特定位置之周圍。 2. 如申請專利範圍第1項之膜除去裝置，其中上述引導構件具備：具有槽之本體，是用於引導由上述噴嘴所供給之上述特定流體至上述特定位置，以及使上述本體接近配置於上述特定位置之手段。 3·如申請專利範圍第1項之膜除去裝置，其中上述引導構件之至少一部分是以可讓由上述雷射光源所振盪之雷射光束穿透之透明材料所構成。 4·如申請專利範圍第1項之膜除去裝置，其中另具備裝設於上述主噴嘴之超音波振動器。 5 ·如申請專利範圍第1項之膜除去裝置，其中另具備裝設於上述引導構件之超音波振動器。 ^ I裝------訂-----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） - ' 8 8 8 8 ABCD 1236944 六、申請專利範圍 2 6. 如申請專利範圍第1項之膜除去裝置’其中另具備裝設於上述基板保持部之超音波振動器。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7. 如申請專利範圍第4項之膜除去裝置，其中上述噴嘴具有將特定液體直接吹向上述特定位置之噴出口。 8. 如申請專利範圍第1項之膜除去裝置，其中另具備整流板，係配置於上述特定位置更下游且在基板之正上方，而用於將上述特定流體由基板轉載。 9. 如申請專利範圍第1項之膜除去裝置’其中另具備設置於上述主噴嘴之兩側之一對輔助噴嘴。 10. 如申請專利範圍第9項之膜除去裝置，其中上述流體供應機構分別將液體供應至上述主噴嘴與輔助噴嘴，而且上述輔助噴嘴實質上與上述主噴嘴噴出液體之方向相同之方向噴出液體。 11. 如申請專利範圍第9項之膜除去裝置，其中上述流體供應機構對上述主噴嘴供應液體，對上述輔助噴嘴供應氣體，經濟部智慧財產局員工消費合作社印製上述輔助噴嘴實質上與上述主噴嘴噴出液體之方向相同之方向噴出氣體。 12. 如申請專利範圍第8項之膜除去裝置，其中上述回收機構之吸入口係設置於上述整流板上。 13. —種膜除去裝置，其特徵具備：基板保持部，用於保持具有塗敷膜之基板，. 雷射光源，將雷射光束局部照射於該基板保持部上面本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210χ：297公釐） 1236944 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 之基板之特定位置並將上述塗敷膜之一部分由基板剝離，膜除去單元，具備對上述特定位置供應特定流體之主噴嘴，以及第1吸入口，用於在基板上一起吸引除去供應予上述特定位置之上述特定流體與剝離之膜成分，並且引導由上述主噴嘴所噴出之上述特定流體至上述特定位置，同時引導至上述第1吸入口以免上述特定液體及剝離之膜成分擴散，洩漏至上述特定位置之周圍，流體供應機構，用於對上述主噴嘴供應上述之特定流體，以及回收機構，連通至上述第1吸入口。 14. 如申請專利範圍第13項之膜除去裝置，其中上述膜除去單元，具有：設置於上述主噴嘴之更外側，用於將液體供應予形成於膜除去單元與基板之間之間隙之輔助噴嘴。 15. 如申請專利範圍第13項之膜除去裝置，其中上述膜除去單元之至少一部分係以可讓由上述雷射光源所振盪之雷射光束穿透之透明材料所製成，而且雷射光束穿透上述透明材料並通過上述第1吸入口之後，照射於上述特定位置。 16. 如申請專利範圍第13項之膜除去裝置，其中上述膜除去單元具備：排出室，上述第1吸入口開口於下面中央，且連通上述回收機構，以及透明構件，設置於上述排出室之上部俾與上述第1吸入本ϋ尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1236944 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製六、申請專利範圍 4 口相對向，並使來自上述雷射光源之雷射光穿透。 17. 如申請專利範圍第16項之膜除去裝置，其中在上述排出室下面之周緣裝設多個主噴嘴，且由上述流體供應機構對上述多個主噴嘴分別供應氣體。 18. 如申請專利範圍第17項之膜除去裝置，其中上述多個主噴嘴分別開口於以上述第1吸入口爲中心之同心圓上。 19. 如申請專利範圍第16項之膜除去裝置，其中上述膜除去單元另具備：吸引促進室，透過第1吸入口與上述排出室連通，而用於促進吸引上述特定流體及剝離之膜成分至上述排出室，第2吸入口，配置成與第1吸入口相對向，並開口於上述吸引促進室之下面中央，以及多個第3吸入口，分別朝向遠離雷射光軸開口於上述吸引促進室之周壁，而藉由上述回收機構之吸引而導入於上述吸引促進室內之外氣在上述吸引促進室內旋轉，俾在上述吸引促進室內產生外氣之旋渦流。 20. 如申請專利範圍第13項之膜除去裝置，其中上述膜除去單元另具備氣體淸掃室，圍繞上述第1吸入口並具有連通於上述流體供應機構之氣體供應口，用於將上述第1吸入口之周圍設成上述特定氣體之氣氛。 21. 如申請專利範圍第20項之膜除去裝置，其中上述氣體淸掃室係在上述第1吸入口之周圍形成環狀，.而上述氣體供應口有多個而分別開口於上述氣體淸掃室之上部。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）丨裝------訂-----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1236944 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8々、申請專利範圍 5 22. 如申請專利範圍第20項之膜除去裝置，其中另具備控制裝置，用於控制上述流體供應機構及上述回收機構 ’以便透過上述氣體供應口由上述流體供應機構供應至上述氣體淸掃室中之特定氣體之供應量大於由上述排出室排出到上述回收機構之特定氣體之排出量。 23. 如申請專利範圍第13項之膜除去.裝置，其中上述膜除去單元另具備：至少一對之正負極之電極，具有接近上述特定位置對向配置之前端部，第1高壓電源，對上述正電極施加正電壓，以及第2高壓電源，對上述負電極施加負電壓。 24. 如申請專利範圍第13項之膜除去裝置，其中上述膜除去單元另具備：一對針，具有接近上述特定位置對向配置之前端部，並與上述流體供應機構連通，且具有在上述前端部開口之內部流路，輔助流動室，形成於上述針之前端部周圍，並與上述流體供應機構連通，排出室，設置於上述針的前端部上方，呈硏鉢狀，以及開縫，開口形成於區隔上述輔助流體室與上述排出室之隔板，並將上述輔助流體室連通於上述排出室。 25. 如申請專利範圍第1 3項之膜除去裝置，.其中另具備： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） :61- 1236944 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 6 升降機構，將上述膜除去裝置支撐成可以升降，以及控制手段，用於控制升降機構俾使上述第1吸入口與上述特定位置上之塗敷膜之間隙成爲在50至1〇〇〇 # m之範_ 內。 26·如申請專利範圍第13項之膜除去裝置，其中另具備：一對輔助噴嘴，配置於上述主噴嘴之兩側，用於將上述特定流體噴出於來自上述主噴嘴之噴出流體與上述特定位置交叉之方向，以及控制手段，用於控制上述流體供應機構，俾使由主噴嘴噴出之上述特定流體之噴出速度大於由上述輔助噴嘴所噴出者。 27·如申請專利範圍第13項之膜除去裝置，其中另具備：遮蔽構件，設置於基板與上述主噴嘴之間，用於引導由上述主噴嘴所噴出之上述特定流體於其上面，以及’ 貫穿孔，上下貫穿該遮蔽構件，俾使流布於上述遮蔽構件上面之上述特定流體接觸上述特定位置之塗敷膜。 28. 如申請專利範圍第27項之膜除去裝置，其中上述遮蔽構件具有實質上形成於水平之下面，’以及對水平面傾斜之上面俾使上述貫穿孔之位置位於最低。 29. 如申請專利範圍第27項之膜除去裝置，其中上述遮蔽構件由平面視野看來呈圓形，其中央形成上述貫穿孔〇本餓!張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --^---K---I 裝------訂-----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1236944 A8 B8 C8 D8 ___________ 六、申請專利範圍 ( 30·如申請專利範圍第27項之膜除去裝置，其中另具備： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 引導構件，係由可使來自上述雷射光源之雷射光束穿透到上述特定位置之透明材料所構成，配置於上述遮蔽構件上方而與上述貫穿孔相向，並用於規定在上述遮蔽構件上面之特定流體之流向，以及升降機構，將上述引導構件支撐成可以升降。 3 1 . —種膜除去方法，其特徵爲： (a) 實質上將基板保持於水平俾塗敷膜成爲上側，由主噴嘴將特定之流體噴出基板上，利用引導構件將上述特定之流體供應至基板之特定位置，同時利用吸入口將通過存在於上述特定位置之特定之流體或上述特定位置之特定流體並由基板上回收， (b) 在流布上述特定流體之狀態下，對上述特定位置之局部照射雷射光束，並由基板將部分塗敷膜剝離，將剝離的膜成分與上述特定流體一起由上述吸入口在基板上吸引而除去。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 32·如申請專利範圍第3 1項之膜除去方法，其中在上述工程（b)中，進一步將上述特定位置之附近一邊強制排氣，一邊對上述特定位置照射雷射光束。 33·如申請專利範圍第31項之膜除去方法，其中在上述工程（b)中，進一步對通過上述特定位置之特定流體施加超音波。 . 34·如申請專利範圍第3 1項之膜除去方法，其中在上本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） =^63- 1236944 8 8 8 8 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製六、申請專利範圍 8 述工程（a)中，設置覆蓋除了上述特定位置之外的基板之遮蔽構件而利用該遮蔽構件防止由雷射光照射而剝離之膜成分附著於基板上。 35.如申請專利範圍第31項之膜除去方法，其中在上述工程（b)中，除了將上述吸入口對向於上述特定位置之外，在上述吸入口周圍配置多個上述主噴嘴，一邊由該等多數主噴嘴向上述特定位置供應上述特定流體，一邊將剝離之膜成分與上述特定流體以吸入口吸引而由基板上除去。 3 6.如申請專利範圍第3 1項之膜除去方法，其中在上述工程（b)中，於上述主噴嘴兩側設置左右一對之輔助噴嘴，而與由上述主噴嘴所噴出之上述特定流體之同時，也由上述輔助噴嘴噴出上述特定流體。 37. 如申請專利範圍第3 1項之膜除去方法，其中在上述工程（b)中，將左右一對的輔助噴嘴配置於上述主噴嘴兩側，並在與來自上述主噴嘴之噴出流體與上述特定位置交叉的方向，由上述輔助噴嘴噴出上述特定流體時，上述特定流體之噴出速度被控制成上述主噴嘴之速度大於上述輔助噴嘴之速度。 38. 如申請專利範圍第31項之膜除去方法，其中在上述工程（b)中，透過氣體供應口由液體供應機構供應至氣體淸掃室中之上述特定氣體之供應量設成大於由排氣室排出到回收機構之上述特定氣體之排氣量。 39·如申請專利範圍第3 1項之膜除去方法，.其中在上述工程（b)中，上述吸入口對基板之位置被定位爲上述吸入 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -64 - 1236944 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 9 口與特定位置上之塗敷膜之間隙成爲50至1000 // m之範圍〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 40. —種基板處理系統，是具備有：基板搬出入部，具有膜形成裝置及膜除去裝置之處理部，以及在上述膜形成裝置與膜除去裝置之間搬運基板之搬運機構，其特徵爲：上述膜除去裝置具備：基板保持部，用於保持具有塗敷膜之基板，雷射光源，將雷射光束局部照射於該基板保持部上面之基板之特定位置並將上述塗敷膜之一部分由基板剝離，流體供應機構，具有對上述特定位置供應特定液體之主噴嘴，回收機構，具有吸入口俾在基板上一起吸引除去供應予上述特定位置之特定流體與剝離之膜成分，以及引導構件，用於引導由上述主噴嘴所噴出之上述特定流體至上述特定位置，同時引導至上述回收機構之吸入口以免上述特定液體與剝離之膜成分擴散，洩漏至上述特定位置之周圍。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 41·如申請專利範圍第40項之基板處理系統，其中上述處理部具備在基板上形成第1膜之第1膜形成裝置，以及在基板上形成第2膜之第2膜形成裝置，而上述搬運機構係在上述第1膜形成裝置，第2膜形成裝置與上述膜除去裝置之間搬運基板。 42·如申請專利範圍第40項之基板處理系統，其中上述處理部具有用於熱處理基板之熱處理裝置，而本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1236944 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 1Q 上述搬運機構係在上述熱處理裝置，膜形成裝置及膜除去裝置之間搬運基板。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 43.如申請專利範圍第40項之基板處理系統，其中另具備介面部，裝設於外部之曝光裝置與處理部之間，並具備在該曝光裝置與處理部之間搬運基板之搬運裝置。 44·如申請專利範圍第40項之基板處理系統，其中上述膜除去裝置具備：升降機構，將上述膜除去單元支撐成可升降，以及控制手段，控制升降機構俾使上述吸入口與上述特定位置上之塗敷膜之間隙位於50至1000 //m之間。 45·如申請專利範圍第40項之基板處理系統，其中上述引導構件之至少一部分是以可讓雷射光束穿透之透明材料所形成。 46. 如申請專利範圍第40項之基板處理系統，其中上述膜除去裝置具有對保持於上述基板保持部之基板背面之周緣部勁吹氣體之手段。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 47. 如申請專利範圍第44項之基板處理系統，其中上述膜除去裝置具有對基板上之塗敷膜勁吹氣體之氣體噴出部。 48. 如申請專利範圍第44項之基板處理系統，其中另具備：升降機構，將上述膜除去單元支撐成可升降，以及控制手段，用於控制上述升降機構，俾使上述第1吸入口與特定位置上之塗敷膜之間的間隙位於50至1000 // m之 _ DD - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1236944 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 11 範圍內。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 49· 一種基板處理系統，具有：基板搬出入部，具有膜形成裝置及膜除去部之處理部，以及在上述膜形成裝置與膜除去部之間搬運基板之搬運機構，其特徵爲：上述膜除去裝置具備：基板保持部，用於保持具有塗敷膜的基板，雷射光源，在該基板保持部上的基板之特定位置的局部照射雷射光俾使塗敷膜之一部分由基板剝離，膜除去單元，具有對上述特定位置供應特定流體之主噴嘴，且具有將供應予上述特定位置之特定流體與剝離之膜成分一起在基板上吸入除去之第1吸入口，並將由上述主噴嘴所噴出之特定流體引導至特定位置並引導至上述第1吸入口，以免上述之特定流體及剝離之膜成分擴散，洩漏至上述特定位置之周圍，對上述主噴嘴供應上述特定流體之流體供應機構，以及連通到上述第1吸入口之回收機構。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 50.如申請專利範圍第49項之基板處理系統，其中上述膜除去裝置具備：升降機構，將上述膜除去單元支撐成可升降，以及控制手段，用於控制上述升降機構，俾使上述吸入口與特定位置上之塗敷膜之間的間隙位於50至1000 // m之範圍內。 5 1 ·如申請專利範圍第49項之基板處理系統，其中上本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 1236944 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 12 述膜除去裝置具有將上述基板保持部移動於水平方向之移動機構。 5 2.如申請專利範圍第49項之基板處理系統，其中上述膜除去裝置具有位置檢測構件，係用於檢測保持於上述基板保持部之基板的位置。 5 3.如申請專利範圍第49項之基板處理系統，其中上述膜除去裝置具有外裙，用於圍繞保持於上述基板保持部之基板外方。 54. 如申請專利範圍第49項之基板處理系統，其中上述主噴嘴具有近接配置於基板上之上述特定位置之噴出口，由該噴出口向上述特定位置直接供應上述之特定液體。 55. 如申請專利範圍第49項之基板處理系統，其中另具備空調裝置，用於在上述膜除去裝置中形成淸潔空氣之下降流。 --^---^---01裝------訂-----Φ-線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製準標家國一國中 |用適 I嗜公 7 9 2