JP3116297B2 - 処理方法及び処理装置 - Google Patents

処理方法及び処理装置

Info

Publication number
JP3116297B2
JP3116297B2 JP06200289A JP20028994A JP3116297B2 JP 3116297 B2 JP3116297 B2 JP 3116297B2 JP 06200289 A JP06200289 A JP 06200289A JP 20028994 A JP20028994 A JP 20028994A JP 3116297 B2 JP3116297 B2 JP 3116297B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
liquid
processed
container
processing liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP06200289A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0845832A (ja
Inventor
清久 立山
雅文 野村
隆之 友枝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP06200289A priority Critical patent/JP3116297B2/ja
Priority to KR1019950023817A priority patent/KR100267618B1/ko
Priority to TW084108169A priority patent/TW341667B/zh
Publication of JPH0845832A publication Critical patent/JPH0845832A/ja
Priority to US08/929,106 priority patent/US5871584A/en
Priority to US08/936,723 priority patent/US5965200A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3116297B2 publication Critical patent/JP3116297B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1039Recovery of excess liquid or other fluent material; Controlling means therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/02Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
    • B05C11/08Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B05C5/0208Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work for applying liquid or other fluent material to separate articles
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902Semiconductor wafer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばLCD基板等
の被処理体に処理液を供給して処理する処理方法及び処
理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、液晶表示ディスプレイ(LC
D)装置の製造工程においては、LCD基板(ガラス基
板)上に例えばITO(Indium Tin Oxi
de)の薄膜や電極パターン等を形成するために、半導
体製造工程において用いられるものと同様なフォトリソ
グラフィ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォト
レジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施
される。
【0003】例えば、被処理体である矩形状のLCD基
板を、洗浄装置にて洗浄した後、LCD基板にアドヒー
ジョン処理装置にて疎水化処理を施し、冷却処理装置に
て冷却した後、レジスト塗布装置にてフォトレジスト膜
すなわち感光膜を塗布形成する。そして、フォトレジス
ト膜を加熱処理装置にて加熱してベーキング処理を施し
た後、露光装置にて所定のパターンを露光し、そして、
露光後のLCD基板を現像装置にて現像液を塗布して現
像した後にリンス液により現像液を洗い流し、現像処理
を完了する。
【0004】上記のような処理を行う場合、LCD基板
等の被処理体の表面にスピンコーティング法やスプレー
法等によって現像液を塗布(供給)する処理が行われ、
その1つの処理方法として、LCD基板の幅全域カバー
すべく多数のノズル孔を直線状に設けた現像液供給ノズ
ルから吐出される現像液を、LCD基板表面のフォトレ
ジスト膜上に表面張力によって液盛りして所定時間おく
ことで、レジストの露光部分あるいは未露光部分を現像
させるパドル型の現像方式が知られている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の現像方式においては、比較的大きな面積のLC
D基板の幅全域に亘ってノズルをスキャンさせながらL
CD基板上に現像液を液盛りするため、現像液を余分に
使用する傾向にある。このようにして現像に供された現
像液は、所定の現像時間を経過した後、リンス液によっ
て洗い流されて排水処理されるため、現像液の消費量が
多くなり、コストが嵩むという問題があった。
【0006】この問題を解決するために、排出された現
像液とリンス液の混合液から現像液を分離して回収する
方法が考えられるが、混合液には現像液とリンス液の他
に、LCD基板や装置に付着した微細ごみ等の不純物が
混入するため、これら混合液から現像液を再生処理する
には複雑で高価な再生処理装置が必要となるという問題
がある。
【0007】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、処理に供された処理液を容易に回収し、再生を容易
にした処理方法及び処理装置を提供することを目的とす
るものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第1の処理方法は、被処理体の表面に処
理液を供給する処理液供給工程と、処理液回収手段が上
記被処理体表面上を移 動しつつ、被処理体表面上の処理
液を吸引により回収する処理液回収工程と、上記被処理
体に洗浄液を供給する洗浄工程と、上記被処理体に付着
した洗浄液を除去する乾燥工程とを有することを特徴と
するものである(請求項1)。
【0009】また、この発明の第2の処理方法は、被処
理体の表面に処理液を供給する処理液供給工程と、処理
液回収手段が上記被処理体表面上を移動しつつ、被処理
体表面上の処理液を吸引により回収する処理液回収工程
と、上記被処理体を回転して被処理体表面に残存する処
理液を遠心力の作用によって回収する工程と、上記被処
理体に洗浄液を供給する洗浄工程と、上記被処理体を回
転して被処理体表面上の処理液と洗浄液の混合液を遠心
力の作用によって回収する工程とを有することを特徴と
するものである(請求項2)。
【0010】また、この発明の第3の処理方法は、被処
理体の表面に処理液を供給する処理液供給工程と、処理
液回収手段が上記被処理体表面上を移動しつつ、被処理
体表面上の処理液を吸引により回収する処理液回収工程
と、上記被処理体を回転して被処理体表面に残存する処
理液を遠心力の作用によって回収する工程と、上記被処
理体に洗浄液を供給する洗浄工程と、上記被処理体を回
転して被処理体表面上の処理液と洗浄液の混合液を遠心
力の作用によって回収する工程と、上記被処理体を回転
して被処理体に付着した洗浄液を遠心力の作用によって
除去する乾燥工程とを有することを特徴とするものであ
る(請求項3)。
【0011】この発明の第1の処理方法において、処理
液回収工程の後に洗浄工程を行っても差し支えないが、
好ましくは処理液回収工程と洗浄工程とを同時的に行う
方がよい(請求項)。また、処理液回収工程中に、
素ガス吐出ノズルから処理液回収手段の吸引部側に向け
窒素ガスを噴射して処理液を処理液回収手段側へ圧送
するようにしてもよい(請求項)。
【0012】また、第1〜第3の処理方法において、処
理液供給手段が処理液回収手段と共に被処理体表面上を
移動しつつ、被処理体の表面に処理液を供給することも
可能 である(請求項7)。この場合、処理液供給手段の
移動と処理液回収手段の移動とは往復移動としてもよい
(請求項8)
【0013】また、第2又は第3の処理方法において、
被処理体を回転して被処理体表面に残存する処理液を遠
心力の作用によって第1の再生処理手段に回収し、被処
理体を回転して被処理体表面上の処理液と洗浄液の混合
液を遠心力の作用によって第2の再生処理手段に回収す
る方が好ましい(請求項)。この場合、被処理体表面
に残存する処理液を回収する工程での上記被処理体の回
転を低速とし、上記被処理体表面上の処理液と洗浄液の
混合液を回収する工程での上記被処理体の回転を高速と
してもよい(請求項10)。
【0014】この発明の第1の処理装置は、被処理体を
回転可能に保持する保持手段と、上記被処理体に処理液
を供給する処理液供給手段と、上記被処理体表面上を移
動しつつ、被処理体表面上の処理液を吸引により回収す
る処理液回収手段と、上記処理液回収手段によって回収
された処理液を再生処理する再生処理手段とを具備する
ことを特徴とするものである(請求項11)。
【0015】また、この発明の第2の処理装置は、被処
理体を回転可能に保持する保持手段と、上記被処理体に
処理液を供給する処理液供給手段と、上記被処理体表面
上を移動しつつ、被処理体表面上の処理液を吸引により
回収する処理液回収手段と、上記処理液回収手段によっ
て回収された処理液を再生処理する再生処理手段と、
記被処理体に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、上記
保持手段及び被処理体の外周及び下部を包囲する容器と
を具備し、上記容器を、上記保持手段及び被処理体の下
部に位置する下容器と、上記保持手段及び被処理体の外
周に位置する外容器と、下容器と外容器の間に位置する
内容器とで構成し、上記外容器及び内容器と上記保持手
段とを相対的に昇降移動可能に形成してなることを特徴
とするものである(請求項12)。
【0016】この第2の処理装置において、上記容器に
設けられた排液口に接続する第2の 再生処理手段を更に
具備する方が好ましい(請求項13)
【0017】また、この発明の第3の処理装置は、この
発明の第1の処理装置に加えて、被処理体に洗浄液を供
給する洗浄液供給手段と、保持手段及び被処理体の外周
及び下部を包囲する容器とを更に具備し、上記容器を、
上記保持手段及び被処理体の下部に位置する下容器と、
上記保持手段及び被処理体の外周に位置する外容器と、
下容器と外容器の間に位置する内容器とで構成し、上記
容器の下容器と内容器にて区画される室の下部に排液口
を形成すると共に、外容器と内容器とで区画される室の
下部にドレン口を形成し、上記排液口に使用済み処理液
を再生処理する第2の再生処理手段を接続することを特
徴とするものである(請求項14)。
【0018】また、この発明の第4の処理装置は、被処
理体を回転可能に保持する保持手段と、上記被処理体に
処理液を供給する処理液供給手段と、上記被処理体に洗
浄液を供給する洗浄液供給手段と、上記保持手段及び被
処理体の外周及び下部を包囲する容器とを具備する処理
装置において、上記処理液供給手段により被処理体表面
上に供給された処理液を回収する処理液回収手段と、上
処理液回収手段によって回収された処理液を再生処理
する第1の再生処理手段とを具備し、上記容器を、上記
保持手段及び被処理体の下部に位置する下容器と、上記
保持手段及び被処理体の外周に位置する外容器と、下容
器と外容器の間に位置する内容器とで構成し、上記容器
の下容器と内容器にて区画される室の下部に排液口を形
成すると共に、外容器と内容器とで区画される室の下部
にドレン口を形成し、上記排液口に、使用済み処理液を
再生処理する第2の再生処理手段を接続してなることを
特徴とするものである(請求項15)。
【0019】この発明の第2又は第4の処理装置におい
て、内容器の内側に設けられる仕切壁の上端部にテーパ
面を設けると共に、このテーパ面の周辺下部を延長さ
せ、下容器の外容器側に起立する起立壁の頂部を覆うよ
うに形成するようにしてもよい(請求項16)
【0020】この発明の第3又は第4の処理装置におい
て、ドレン口及び排液口にそれぞれ切換えバルブを備
え、上記ドレン口及び排液口を通って排出される液を更
に分けて回収可能とするようにしてもよい(請求項1
7)。また、上記保持手段を、高速又は低速回転可能に
形成し、外容器及び内容器と保持手段とを相対的に昇降
移動可能に形成することも可能である(請求項18)。
【0021】また、この発明の処理装置において、上記
処理液回収手段の回収部近傍位置に、処理液を回収部側
に圧送する気体吐出手段を設けることも可能である(請
求項19)。
【0022】また、上記処理液供給手段と処理液回収手
とを近接させて設けるようにしてもよい(請求項
)。また、上記処理液供給手段と処理液回収手段とを
同一のノズル体にて形成し、ノズル体に接続する処理液
供給管及び回収管を切換手段を介して切換え可能に形成
することも可能である(請求項21)。この場合、ノズ
ル体は、被処理体の幅と略同一の長さの処理液収容室を
有し、複数の吸引孔又は複数の吐出孔を直線状に穿設し
てもよい。(請求項22)
【0023】また、上記内容器に、被処理体の平面形状
に略相似し、被処理体が通過可能な開口を設けることも
可能である(請求項23)。
【0024】また、洗浄液供給手段の先端部にメッシュ
体を装着してもよい(請求項24)。また、保持手段に
リング状の回り込み防止用部材を取着してもよい(請求
25)。この場合、この回り込み防止用部材を、被処
理体の裏面近接位置に向かってナイフエッジ状に形成す
る方が好ましい(請求項26)。
【0025】
【作用】この発明によれば、被処理体の表面に処理液を
供給した後、被処理体表面上を移動しつつ、被処理体表
面上の処理液を吸引により回収することにより、洗浄液
等が混入していない比較的純度の高い状態の処理液を回
収することができる。このようにして処理液を回収した
後、被処理体に洗浄液を供給し、そして、被処理体に付
着した洗浄液を除去して処理を行うことができる(請求
)。
【0026】また、被処理体表面上の処理液を回収した
後、被処理体を回転して被処理体表面に残存する処理液
を遠心力の作用によって回収することにより、更に処理
液の回収を効率よく行うことができる。また、被処理体
に洗浄液を供給して洗浄した後、被処理体を回転して
処理体表面上の処理液と洗浄液の混合液を遠心力の作用
によって回収することができる(請求項2,3,9,1
0,12,16,18)。更に、被処理体を回転して
処理体に付着した洗浄液を遠心力の作用によって除去し
て乾燥処理することができる(請求項3)。
【0027】また、処理液回収工程と洗浄工程とを同時
的に行うことにより、被処理体に供給された処理液を吸
引しながら洗浄液を供給することができ、処理時間の短
縮化を図ることができる(請求項)。また、洗浄工程
と、処理液と洗浄液の混合液の回収工程を行い、その
後、洗浄液の供給を停止することにより、被処理体に洗
浄液を供給しながら混合液を回収することができるの
で、処理時間の短縮化を図ることができる(請求項
)。
【0028】また、被処理体表面上を移動しつつ、処理
液供給手段により被処理体表面上に供給された処理液
吸引により回収する処理液回収手段と、上記処理液回収
手段によって回収された処理液を再生処理する再生処理
手段とを設けることにより、処理液回収手段によって回
収された処理液を再生処理手段によって再生処理するこ
とができ、処理液を再利用することができる(請求項
)。
【0029】また、保持手段及び被処理体を包囲する容
器を、保持手段及び被処理体の下部に位置する下容器
と、保持手段及び被処理体の外周に位置する外容器と、
下容器と外容器の間に位置する内容器とで構成し、下容
器と内容器にて区画される室の下部に形成された排液口
に、使用済み処理液を再生処理する第2の再生処理手段
を接続することにより、処理液供給時と洗浄液供給時と
に応じて外容器と内容器を昇降動作させて、使用済みの
処理液を排液口から回収して第2の再生処理手段にて再
生処理することができる(請求項13,14,15,1
)。
【0030】また、回収手段の回収部近傍位置に、処理
液を回収部側に圧送する気体吐出手段例えば窒素ガス吐
出ノズルを設けることにより、気体吐出手段から回収手
段の吸引部側に向けて窒素ガスを噴射して処理液を積極
的に回収することができる(請求項6,19)。
【0031】また、処理液供給手段と処理液回収手段
を近接させて設けるか、あるいは、処理液供給手段と
理液回収手段とを同一のノズル体にて形成して処理液供
給手段と処理液回収手段とを共に移動可能にし、ノズル
体に接続する処理液供給管及び回収管を切換手段を介し
て切換え可能に形成することにより、装置の小型化が図
れると共に、処理液の供給及び処理液の回収作業効率の
短縮化が図れる(請求項7,8,20,21,22)。
【0032】また、内容器に被処理体の平面形状に略相
似し、被処理体が通過可能な開口を設けることにより、
回収された処理済みの処理液に洗浄液が混入するのを防
止することができる(請求項23)。
【0033】また、洗浄液供給手段の先端部にメッシュ
体を装着することにより、メッシュ部に毛細管現象が作
用して洗浄液のぼた落ちを防止することができる(請求
24)。また、保持手段にリング状の回り込み防止用
部材を取着することにより、被処理体の表面に供給され
た処理液等が被処理体の裏面側に回り込むのを防止する
ことができる(請求項25)。この場合、回り込み防止
用部材を被処理体の裏面近接位置に向かってナイフエッ
ジ状に形成することにより、更に確実に処理液等の被処
理体裏面側への回り込みを防止することができる(請求
項26)
【0034】
【実施例】次に、この発明の実施例を添付図面に基いて
詳細に説明する。この実施例では、この発明に係る処理
装置をLCD基板の塗布・現像処理システムに適用した
場合について説明する。
【0035】上記塗布・現像処理システムは、図1に示
すように、被処理体としてLCD基板G(以下に基板と
いう)を搬入・搬出するローダ部1と、基板Gの第1の
処理部2と、中継部3を介して第1の処理部2に連設さ
れる第2の処理部4とで主に構成されている。なお、第
2の処理部4には受渡し部5を介してレジスト膜に所定
の微細パターンを露光するための露光装置6が連設可能
になっている。
【0036】上記ローダ部1は、未処理の基板Gを収容
するカセット7と、処理済みの基板Gを収容するカセッ
ト7aを載置するカセット載置台8と、このカセット載
置台8上のカセット7,7aとの間で基板Gの搬出入を
行うべく水平(X,Y)方向と垂直(Z)方向の移動及
び回転(θ)可能な基板搬出入ピンセット9とで構成さ
れている。
【0037】上記第1の処理部2は、X,Y、Z方向の
移動及びθ回転可能なメインアーム10の搬送路11の
一方の側に、基板Gをブラシ洗浄するブラシ洗浄装置1
2と、基板Gを高圧ジェット水で洗浄するジェット水洗
浄装置13と、基板Gの表面を疎水化処理するアドヒー
ジョン処理装置14と、基板Gを所定温度に冷却する冷
却処理装置15とを配置し、搬送路11の他方の側に、
レジスト塗布装置16及び塗布膜除去装置17を配置し
てなる。
【0038】一方、上記第2の処理部4は、第1の処理
部2と同様に、X,Y、Z方向の移動及びθ回転可能な
メインアーム10aを有し、このメインアーム10aの
搬送路11aの一方の側に、レジスト液塗布の前後で基
板Gを加熱してプリベーク又はポストベークを行う加熱
処理装置18を配置し、搬送路11aの他方の側に、こ
の発明の処理装置である現像装置20を配置している。
【0039】また、上記中継部3は、基板Gを支持する
支持ピン3aを立設する受渡し台3bを有する箱体3c
の底面にキャスタ3dを具備した構造となっており、必
要に応じてこの中継部3を第1の処理部2及び第2の処
理部4から引出して、第1の処理部2又は第2の処理部
4内に作業員が入って補修や点検等を容易に行うことが
できるようになっている。
【0040】なお、上記受渡し部5には、基板Gを一時
待機させるためのカセット19aと、このカセット19
aとの間で基板Gの出入れを行う搬送用ピンセット19
bと、基板Gの受渡し台19cが設けられている。
【0041】上記のように構成される塗布・現像処理シ
ステムにおいて、カセット7内に収容された未処理の基
板Gはローダ部1の搬出入ピンセット9によって取出さ
れた後、第1の処理部2のメインアーム10に受け渡さ
れ、そして、ブラシ洗浄装置12内に搬送される。この
ブラシ洗浄装置12内にてブラシ洗浄された基板Gは必
要に応じてジェット水洗浄装置13内にて高圧ジェット
水により洗浄される。この後、基板Gは、アドヒージョ
ン処理装置14にて疎水化処理が施され、冷却処理装置
15にて冷却された後、レジスト塗布装置16にてフォ
トレジスト膜すなわち感光膜が塗布形成され、引続いて
塗布膜除去装置17によって基板Gの周辺部の不要なレ
ジスト膜が除去される。そして、このフォトレジスト膜
が加熱処理装置18にて加熱されてベーキング処理が施
された後、露光装置6にて所定のパターンが露光され
る。そして、露光後の基板Gは現像装置20内へ搬送さ
れ、現像液により現像された後にリンス液により現像液
を洗い流し、現像処理を完了する。
【0042】現像処理された処理済みの基板Gはローダ
部1のカセット7a内に収容された後に、搬出されて次
の処理工程に向けて移送される。
【0043】次に、上記LCD基板の塗布・現像処理シ
ステムに使用されるこの発明に係る処理装置(具体的に
は現像装置)の構成について説明する。
【0044】◎第一実施例 上記現像装置20は、図2及び図3に示すように、基板
Gを真空吸着によって保持し、水平方向に回転するスピ
ンチャック21と、このスピンチャック21と基板Gを
包囲する容器30と、基板Gの表面のレジスト膜面に処
理液として現像液を供給する現像液供給ノズル22(処
理液供給手段)と、基板G上の現像液を吸引により回収
する吸引ノズル23(処理液回収手段)と、現像後の基
板G表面の回路パターンにリンス液(洗浄液)を供給す
る洗浄液供給ノズル24(洗浄液供給手段)と、現像液
供給ノズル22と吸引ノズル23をそれぞれ右側、左側
に設けた待機位置と基板G上方の処理位置に移動する移
動機構25とを具備してなる。
【0045】この場合、上記現像液供給ノズル22は現
像液供給管26を介して現像液収容タンク27に接続さ
れ、現像液供給管26に介設されるポンプ28の駆動及
びバルブ29の開閉操作によって現像液が供給されるよ
うに構成されている。
【0046】一方、吸引ノズル23は、吸引機構40を
有する回収管41を介して再生処理手段50に接続され
ると共に、現像液供給管26に接続されている。この場
合、吸引機構40は、圧縮空気源42から噴射される空
気を利用して真空を得るエゼクタにて形成されている。
吸引機構40は必ずしもエゼクタである必要はなく、例
えば真空ポンプ等を用いることも可能である。
【0047】上記再生処理手段50は、吸引ノズル23
によって吸引回収された現像液を気液分離する気液分離
機構51と現像液中の不純物を除去する不純物除去機構
52とで構成されている。したがって、吸引ノズル23
により吸引回収された現像液は再生処理手段50によっ
て不純物等が除去されると共に、所定の濃度の現像液に
再生成されるので、現像液供給管26へ戻されて再利用
することができる。なお、再生成された現像液を、現像
液収容タンク27に戻すように構成してもよい。
【0048】上記現像液供給ノズル22と吸引ノズル2
3は、ヘッド部は同様な構造で構成できるので、ここで
は吸引ノズル23について、図4を参照して説明する。
吸引ノズル23は、基板Gの幅とほぼ等しい長さの現像
液収容室23aを内部に有し、下側部分が先細りのテー
パー状に形成されたヘッド23bの下部面に、適宜間隔
をおいて多数の吸引孔23cを直線状に穿設してなり、
現像液収容室23aの上面側に回収管41を接続してな
る(図5参照)。このように構成される吸引ノズル23
において、吸引機構40の駆動により、現像液収容室2
3a内を負圧状態にして、吸引孔23cから基板G上の
現像液Laを吸引して回収し、再生処理手段50へ圧送
することができる。なお、現像液供給ノズル22の場合
は、現像液収容室23aを有するヘッド23bの下面に
吸引孔23cに代えて現像液吐出孔が穿設され、現像液
収容室23aに現像液供給管26が接続される。
【0049】一方、上記洗浄液供給ノズル24は、図3
に示すように、現像装置20の吸引ノズル23の待機側
付近に、水平方向に回転(回動)可能に装着されるアー
ム24aの先端側に下方に向って傾斜状に折曲するヘッ
ド24bを有しており、ヘッド24bの先端口部には、
例えば有底筒状のメッシュ体24cが装着されている
(図6参照)。このようにメッシュ体24cを洗浄液供
給ノズル24の先端口部に装着することによって、洗浄
液供給ノズル24からリンス液を吐出して停止した際
に、メッシュ部に毛細管現象が働いてリンス液を保持
し、リンス液がぼた落ちするのを防止することができ
る。
【0050】なお、洗浄液供給ノズル24は、必ずしも
図3に示すように、水平方向に回転可能に形成されるも
のである必要はなく、例えば現像液供給ノズル22や吸
引ノズル23と同様な直線移動するような構造であって
もよい。
【0051】なお、上記容器30は、スピンチャック2
1及び基板Gの下方に位置する下容器31と、スピンチ
ャック21及び基板Gの外周側に位置する外容器32と
で構成されており、下容器31の底部に図示しない排気
装置に接続する排気口38が設けられ、外容器32の底
部には、排液口39が設けられている。この場合、排液
口39に第2の再生処理手段60を介設する回収管61
を介して現像液収容タンク27を接続することも可能で
ある(図2想像線参照)。このように第2の再生処理手
段60を用いることにより、現像液とリンス液との混合
液中のリンス液と不純物を分離除去して、現像液を現像
液収容タンク27に戻してリサイクルに供することがで
きる。
【0052】◎第二実施例 図7にはこの発明に係る処理装置における回収手段の別
の実施例の断面図が示されている。
【0053】第二実施例は処理液を更に確実に吸引回収
できるようにした場合である。すなわち、吸引ノズル2
3の進行方向の前方側における吸引孔23cの近傍位置
に、現像液Laを吸引孔23c側に向けて圧送する(押
しやる)例えば窒素(N2)ガス吐出ノズル45を設け
た場合である。なお、N2ガス吐出ノズル45はバルブ
45aを介してN2ガス供給源45bに接続されてい
る。 また、N2ガス吐出ノズル45は、吸引孔23cの
全部に向けて圧送可能なように複数個設けるか又はスリ
ット状に構成する。
【0054】このように構成することにより、N2ガス
吐出ノズル45からN2ガスを吐出させながら、吸引ノ
ズル23を負圧状態にして基板G上を矢印で示す方向に
スキャンさせると、N2ガスによって現像液Laが吸引ノ
ズル23の吸引孔23c側に向って圧送されるので現像
液Laを確実にかつ効率よく吸引回収することができ
る。
【0055】なお、第二実施例において、その他の部分
は上記第一実施例と同じであるので、その説明は省略す
る。
【0056】◎第三実施例 図8にはこの発明に係る処理装置における回収手段と洗
浄液供給手段の別の実施例の断面図が示されている。
【0057】第三実施例は現像液の回収と洗浄液の供給
とを同時的に行えるようにした場合である。すなわち、
吸引ノズル23の進行方向の後方側に例えばスリット状
の吐出口あるいは複数の吐出口を配列した洗浄液供給ノ
ズル24を配設して、吸引ノズル23により現像液La
を吸引回収した後から洗浄液供給ノズル24からリンス
液(洗浄液)を供給して現像液を洗い流すようにした場
合である。このリンス液の供給方向は、吸引口23cか
らリンス液が吸引されないように、吸引ノズル23の進
行方向とは逆の後方側になるようにしてもよい。したが
って、現像液Laの回収工程と洗浄液を供給して基板G
表面を洗浄する洗浄工程とを同時的に行うことができ、
処理能率の向上を図ることができる。
【0058】なお、第三実施例において、その他は上記
第一実施例と同じであるので、その説明は省略する。
【0059】◎第四実施例 図9にはこの発明に係る処理装置における処理液供給手
段と回収手段の別の実施例の概略側面図が示されてい
る。
【0060】第四実施例は装置の小型化を図ると共に、
処理液の供給及び処理液の回収作業の短縮化を図れるよ
うにした場合である。すなわち、現像液供給ノズル22
と吸引ノズル23とを近接配置して、現像液供給ノズル
22と吸引ノズル23とを同じ移動機構(図示せず)に
よって往復移動させて、例えば往時には現像液の供給を
行い(図9(a):処理液供給工程)、復時には現像液
Laの吸引回収(図9(b):回収工程)を行えるよう
にした場合である。
【0061】したがって、現像液供給ノズル22と吸引
ノズル23とを近接させて配設するので、スペースの有
効利用が図れ、装置の小型化が図れる。また、現像液供
給ノズル22からの現像液の供給と、吸引ノズル23に
よる現像液Laの吸引回収とを往復移動によって行うこ
とができるので、回収作業効率の短縮化が図れる。
【0062】なお、第四実施例において、その他の部分
は上記第一実施例と同じであるので、その説明は省略す
る。
【0063】◎第五実施例 図10にはこの発明に係る処理装置における処理液供給
手段と回収手段の更に別の実施例の概略側面図が示され
ている。
【0064】第五実施例は更に装置の小型化を図ると共
に、処理液の供給及び処理液の回収作業の短縮化を図れ
るようにした場合である。すなわち、上記現像液供給ノ
ズル22と吸引ノズル23と同一の形状の現像液供給兼
吸引ノズル体46の現像液収容室(図示せず)に、切換
手段としての切換弁47を介して現像液供給管26と回
収管41とを接続した場合である。
【0065】このように構成することにより、現像液を
供給する場合は、切換弁47を現像液供給管26と現像
液収容タンク(図示せず)とを連通する位置に切換える
と共に、ノズル体46を例えば左方向にスキャンさせる
ことにより、基板G上に現像液Lを供給(液盛り)する
ことができる(図10(a)参照)。また、現像液La
を回収する場合には、切換弁47を回収管41と吸引機
構及び再生処理手段(図示せず)とを連通させてノズル
体46を例えば右方向にスキャンさせると共に、ノズル
体46を負圧にすることにより、現像液Laを吸引回収
することができる(図10(b)参照)。
【0066】したがって、現像液供給ノズル22と吸引
ノズル23とを一体に形成するので、スペースの有効利
用を図ることができると共に構成部材の削減を図ること
ができ、装置の小型化が図れる。また、上記第四実施例
と同様に、現像液の供給と現像液Laの吸引回収とを往
復移動によって行うことができるので、回収作業効率の
短縮化を図ることができる。
【0067】なお、第五実施例において、その他の部分
は上記第一実施例と同じであるので、その説明は省略す
る。
【0068】◎第六実施例 図11にはこの発明に係る処理装置の第六実施例の断面
図が示されている。
【0069】第六実施例は、回収手段による処理液の回
収再生とは別に、使用に供された処理液の回収再生を行
えるようにした場合である。
【0070】この場合、スピンチャック21及び基板G
を包囲する容器30Aは、二重カップ構造に構成されて
おり、スピンチャック21及び基板Gの下部に位置する
下容器31と、スピンチャック21及び基板Gの外周に
位置する昇降可能な外容器32Aと、下容器31と外容
器32Aの間に位置する内容器32Bと、この内容器3
2Bの内側に設けられ、上端部が内容器32Bに取着さ
れ下方部が開放された筒状の仕切壁33と、連結部材3
4を介して連結される外容器32Aと内容器32Bと仕
切壁33を同時に昇降する昇降シリンダ35(昇降手
段)とで主要部が構成されている。
【0071】なおこの場合、内容器32Bは、図12に
示すように、仕切壁33の上端部に狭隘テーパ面32C
を有し、かつ、その開口部には、開口部が基板Gより上
方位置に上昇するため、基板Gが通過可能なように基板
Gの外形(平面形状)よりもやや大きい略相似形の開口
例えば矩形状切欠32Dが設けられている。また、内容
器32Bのテーパ面32Cの周辺下部を延長させて下容
器31の外容器32A側に起立する筒状の起立壁31a
の頂部を覆うようにすれば、洗浄時に発生する洗浄液と
現像液の混合液が内側室36a内に侵入するのを防止す
ることができる(図12(b)参照)。
【0072】また、この容器30Aの下容器31と内容
器32Bの仕切壁33にて区画される内側室36aの下
部に排液口39が形成されると共に、外容器32Aと内
容器32Bの仕切壁33とで区画される外側室36bの
下部にはドレン口37が形成されている。そして、排液
口39に、第2の回収管43を介して使用済み現像液を
再生処理する第2の再生処理手段50Aが接続されてい
る。第2の再生処理手段50Aは、上記再生処理手段5
0と同様に、気液分離する気液分離機構51と使用済み
現像液中の不純物を除去する不純物除去機構52とで構
成されて、現像液収容タンク27に接続されている。な
お、ドレン口37には図示しない回収タンクが接続され
る。
【0073】上記のように構成することにより、現像液
供給ノズル22から現像液を供給した後、吸引ノズル2
3をスキャンさせると共に、吸引機構40によって負圧
にして現像液を吸引回収した後、昇降シリンダ35のピ
ンストンロッド35aを伸長させて内容器32Bと外容
器32Aを上昇させ(図11の想像線の状態)、次に、
スピンチャック21を回転させて吸引ノズル23で回収
しきれなかった使用済み現像液と周囲に残存する不純物
等が混合する混合液を遠心力により振り切り、内側室3
6aの排液口39から第2の回収管43を介して第2の
再生処理手段50Aに回収させることができる。そし
て、第2の再生処理手段50Aによって再生された現像
液は現像液収容タンク27に戻されて、再び現像液供給
ノズル22から基板G上に供給可能に構成される。ま
た、昇降シリンダ35のピンストンロッド35aを収縮
させて内容器32B及び外容器32Aを下降させ(図1
1の実線の状態)た後、洗浄液供給ノズル24からリン
ス液(洗浄液)を供給させると共に、スピンチャック2
1を回転させると、現像液とリンス液との混合液体は遠
心力により振り切られ、外側室36b内に流れた後、ド
レン口37から排出される。
【0074】したがって、基板G上に供給された現像液
の上側の上澄みの部分は吸引ノズル23によって吸引さ
れて第1の再生処理手段50に回収される他に、下側部
分は第2の再生処理手段50Aに回収されて、再生され
ると共に、再利用に供することができる。
【0075】なお、第六実施例において、その他の部分
は上記第一実施例と同じであるので、同一部分には同一
符号を付して、その説明は省略する。
【0076】次に、この発明の処理方法について、図1
3を参照して上記第一実施例の処理装置を用いた場合に
ついて説明する。
【0077】まず、メインアーム10aで基板Gを現像
装置20内に搬入し、スピンチャック21上に基板Gを
真空吸着によって保持した状態で、図13(a)に示す
ように、現像液供給ノズル22を基板Gの短辺又は長辺
方向にスキャンさせて、基板G表面に例えば液の深さ
(厚さ)が約2mm程度になるように現像液Lを供給す
る(液盛り)(処理液供給工程)。
【0078】次に、現像液供給ノズル22を待機位置に
後退させ所定時間、現像処理を行った後、図示しない吸
引機構によって吸引ノズル23を負圧状態にさせて、図
13(b)に示すように、吸引ノズル23をその先端部
が基板Gに接触しない程度の間隔例えば0.5mm程度
に近付けた状態に設定し、スキャンさせて現像液Lの上
澄み部分の余剰となった現像液Laを吸引し、再生処理
手段(図示せず)に回収する(処理液回収工程)。処理
液再生手段に回収された現像液Laは上述のように再生
されて再び現像液供給ノズル22から基板G上に供給さ
れる。
【0079】吸引ノズル23によって現像液Laがほぼ
吸引回収された後、図13(c)に示すように、洗浄液
供給ノズル24を基板Gの上方に移動し、リンス液を供
給すると共に、スピンチャックを回転させることによ
り、リンス液で基板G上に残っている現像液Lを洗い流
す(洗浄工程)。この際、上記第三実施例に示すよう
に、吸引ノズル23と洗浄液供給ノズル24とを近接さ
せて設けることにより、現像液Laを回収しながらリン
ス液を供給することができる。
【0080】そして、洗浄液供給ノズル24の供給を停
止して洗浄液供給ノズル24を待機位置へ後退させた
後、図13(d)に示すように、スピンチャック21を
高速に回転して基板G表面上に付着する現像液、リンス
液を遠心力で吹き飛ばして乾燥を行って(乾燥工程)、
処理が完了する。
【0081】次に、第六実施例の処理装置を用いた場合
について説明する。なお、吸引ノズル23による現像液
Laの吸引までは上記第一実施例の場合で説明している
ので省略する。
【0082】吸引ノズル23によって現像液Laがほぼ
吸引回収された後、外容器32A他を上昇させた状態で
スピンチャック21を高速回転して基板G表面上に回収
されずに付着(残存)している現像液Lを遠心力の作用
により基板G外に向って飛散させる。飛散した現像液L
は内容器32B、仕切壁33の内壁に衝突して流下し、
自重により排液口39を通って第2の再生処理手段50
Aに流入し再生処理される。
【0083】次に、昇降シリンダ35のピストンロッド
35aを収縮させて、外容器32A,内容器32B,仕
切壁33を下降させ、洗浄液供給ノズル24からリンス
液を基板G表面に向けて供給し、基板Gを洗浄する。
ると、現像液とリンス液の混合液体は遠心力の作用によ
り外方へ飛散し、外容器32Aの内壁に衝突して流下
し、自重によりドレン口37を通って排出される。した
がって、現像液と、リンス液と現像液の混合液とを分離
して別々に回収することができる。
【0084】そして、洗浄液供給ノズル24のリンス液
供給を停止して、スピンチャック21の高速回転により
基板Gを乾燥させ、現像処理を完了する。なお、上記リ
ンス液を供給する際、基板Gを比較的低速回転させた場
合、遠心力の作用が十分でなく、リンス液が基板Gの周
縁部から下方に落下しやすい。
【0085】しかし、内容器32Bの切欠部を矩形状切
欠32Dのように基板Gより僅かに大きい程度の寸法に
形成しているので、基板Gの周縁部から落下したリンス
液などはテーパー面32C上に殆ど落下し外側室36b
側に流下しドレン口37より排出され、内側室36a側
には流下しないので、リンス液が、回収された現像液L
に混入するのを防止できる。
【0086】また、この実施例では、現像液を基板G外
に飛散させる方法として、遠心力を利用した例について
説明したが、例えば、基板Gの中心上方位置に、基板G
に向って窒素(N2)等のガスを噴出するノズル(図示
せず)を設け、回転させずに静止した状態の基板Gの中
心にガスを噴出させ、中心から外周に向うガスの押圧に
より現像液を基板G外に押し出すようにして飛散させる
ようにしてもよい。更に、基板Gを回転させながらガス
を噴出させ、遠心力とガスの押圧力とを同時に利用して
現像液を飛散させるようにしてもよい。
【0087】また、飛散した液は自重により排液口3
9,ドレン口37を通って排出される例について説明し
たが、真空装置や排気装置など(図示せず)を排出路に
設け、積極的に液を排出収集するように構成してもよ
い。これにより、迅速、確実な排出が可能となる。
【0088】更に、図14に示すように、排液口39、
ドレン口37にそれぞれ切換えバルブ39A,37Aを
設け、液の回収を細かくできるように構成してもよい。
例えば、外容器32A、内容器32Bを上昇させ、基板
Gを回転させて現像液Lを回収する場合に、まず、排液
口39の切換えバルブ39Aを配管39B側にして、こ
の配管39Bにより現像液Lのみを回収する。次に、切
換えバルブ39Aを配管39C側にして、洗浄液供給ノ
ズル24からリンス液を供給し、リンス液が少し混入し
た現像液を配管39Cにより回収する。
【0089】次に、外容器32A、内容器32Bを下降
させ、まず、ドレン口37の切換えバルブ37Aを配管
37B側にして、リンス液を供給しつつ、この配管37
Bにより現像液が少し混入した現像液を回収する。次
に、切換えバルブ37Aを配管37C側にして、この配
管37Cによりリンス液のみを回収する。以上のよう
に、4種類に分類して回収・排出してもよい。これによ
り、各液の再生、再利用などが容易となり、液を有効に
利用できる。
【0090】また、外容器32Aの内壁や内容器32B
の外壁、内壁に付着し残っている各液を乾燥除去する
際、基板Gを回転しながら周囲に発生する気流を利用し
て乾燥し、付着し残っている液を排液口39、ドレン口
37方向に向って押し出すようにして乾燥を促進させて
もよい。
【0091】更に、外容器32A、内容器32Bなどは
使用している内に汚れてくるので洗浄する必要がある。
この洗浄のため、例えば、洗浄液供給ノズル24からの
リンス液を利用し、外容器32A、内容器32Bを下降
させた状態で、回転する基板G上にリンス液を供給して
遠心力により飛散させ、飛散したリンス液で外容器32
Aの内壁部分、内容器32Bの外壁部分(外側部分)を
洗浄する。また、外容器32A、内容器32Bを上昇さ
せた状態で、飛散したリンス液により内容器32Bの内
壁部分、仕切壁33の内壁部分などを洗浄する。このと
き、基板Gの代りに、ダミー用の基板をスピンチャック
21上に載置するようにしてもよい。この洗浄は、ロッ
トの初め、予め設定した処理枚数毎、汚れ具合に応じて
随時、枚葉処理毎になど、実際の処理状況に対応して行
う。
【0092】更に、外容器32A、内容器32Bなど
は、それぞれ取外し可能に構成し、あるいは一体的に取
外し可能に構成し、取り外して洗浄可能なように構成し
てもよい。
【0093】また、外容器32A、内容器32Bの排液
口として、それぞれドレン口37と排液口39を設け、
別々の排液系に構成したが、ドレン口37と排液口39
を共通の切換えバルブ(図示せず)に接続し、この配管
の下流にて再び切換えバルブ(図示せず)により排液
側、ドレン側にと切換えるように構成してもよい。
【0094】更に、内容器32B、外容器32Aによる
現像液、リンス液の回収排出手段として、容器を昇降さ
せる代りに、基板Gの回転数を変え、遠心力の相違によ
って別々に回収するようにしてもよい。例えば、内容器
32Bの矩形状切欠32Dの切欠寸法を上記実施例の場
合よりも大きくなるように形成し、容器を下降させた状
態で基板Gを回転させる。低速回転時には遠心力が小さ
く飛散距離が短いので、現像液Lを内容器32Bにて回
収し、高速回転時には遠心力が大きく飛散距離が長いの
で、リンス液を外容器32Aにて回収するように制御す
る。
【0095】なお、上記した各実施例において、基板G
上に液盛りされた現像液等が、基板Gの周縁部を通って
裏面側に回り込むと、例えばスピンチャック21の駆動
軸を伝わり回転用モータ等(図示せず)に悪影響を及ぼ
す虞れがある。そこで、この回り込みを防止するため
に、図15(a),(b)に示すように、基板Gの裏面
側にリング状の回り込み防止用部材21Aを設けてもよ
い。この回り込み防止部材21Aは、例えば、上端部を
ナイフエッジ状に形成し、基板Gの周縁部付近に上端部
と基板Gの裏面との間隔が0.5〜2mm程度となるよ
うに配置する。また、この回り込み防止用部材21Aは
取付部材(図示せず)にてスピンチャック21に取着
し、スピンチャック21と同時、すなわち基板Gと同時
に回転するように構成する。
【0096】なお、上記実施例では、この発明の処理方
法及び処理装置をLCD基板の塗布・現像処理システム
に適用した場合について説明したが、単独の現像装置に
も適用できる他、エッチング装置や洗浄装置等にも適用
できることは勿論である。また、被処理体としてシリコ
ンウエハを処理する場合にも適用できる。
【0097】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、以下のような優れた効果が得られる。
【0098】1)請求項記載の発明によれば、被処理
体の表面に処理液を供給した後、被処理体表面上を移動
しつつ、被処理体表面上の処理液を吸引により回収する
ので、洗浄液等が混入していない比較的純度の高い状態
の処理液を回収することができ、処理液の有効利用を図
ることができる。
【0099】2)請求項2,3,9,10,12,1
6,18記載の発明によれば、被処理体を回転して被処
理体表面に残存する処理液を遠心力の作用によって回収
することにより、更に処理液の回収を効率よく行うこと
ができる。また、被処理体に洗浄液を供給して洗浄した
後、被処理体を回転して被処理体表面上の処理液と洗浄
液の混合液を遠心力の作用によって回収することができ
る。更に、被処理体を回転して被処理体に付着した洗浄
液を遠心力の作用によって除去して乾燥処理することが
できる(請求項3)。
【0100】3)請求項記載の発明によれば、処理液
回収工程と洗浄工程とを同時的に行うので、被処理体に
供給された処理液を吸引しながら洗浄液を供給すること
ができ、処理時間の短縮化を図ることができる。また、
洗浄工程と、処理液と洗浄液の混合液の回収工程を行
い、その後、洗浄液の供給を停止することにより、被処
理体に洗浄液を供給しながら混合液を回収することがで
きるので、処理時間の短縮化を図ることができる(請求
)。
【0101】4)請求項11記載の発明によれば、処理
液供給手段により被処理体表面上に供給された処理液を
例えば吸引により回収する処理液回収手段と、処理液回
収手段によって回収された処理液を再生処理する再生処
理手段とを設けるので、処理液回収手段によって回収さ
れた処理液を再生処理手段によって再生処理することが
でき、処理液を再利用することができる。
【0102】5)請求項13,14,15,17記載の
発明によれば、上記4)に加えて使用済みの処理液を排
液口から回収して第2の再生処理手段にて再生処理する
ことができるので、更に処理液の有効利用を図ることが
できる。
【0103】6)請求項6,19記載の発明によれば、
回収手段の回収部近傍位置に、処理液を回収部側に圧送
する気体吐出手段例えば窒素ガス吐出ノズルを設けるの
で、処理液を積極的に吸引回収することができ、上記
4)及び5)に加えて更に処理液の回収を確実にするこ
とができる。
【0104】7)請求項7,8,20,21,22記載
の発明によれば、処理液供給手段と回収手段とを近接さ
せて設けるか、あるいは、処理液供給手段と回収手段と
を同一のノズル体にて形成して処理液供給手段と処理液
回収手段とを共に移動可能にし、ノズル体に接続する処
理液供給管及び回収管を切換手段を介して切換え可能に
形成するので、上記4)及び5)に加えて装置の小型化
が図れると共に、処理液の供給及び処理液の回収作業効
率の短縮化が図れる。
【0105】8)請求項23記載の発明によれば、内容
器に被処理体の平面形状に略相似し、被処理体が通過可
能な開口を設けるので、回収された処理済みの処理液に
洗浄液が混入するのを防止することができ、上記4)及
び5)に加えて更に処理液の回収を確実にすることがで
きる。
【0106】9)請求項24記載の発明によれば、洗浄
液供給手段の先端部にメッシュ体を装着することによ
り、メッシュ部に毛細管現象が作用して洗浄液のぼた落
ちを防止することができる。
【0107】10)請求項25記載の発明によれば、保
持手段にリング状の回り込み防止用部材を取着すること
により、被処理体の表面に供給された処理液等が被処理
体の裏面側に回り込むのを防止することができる。この
場合、回り込み防止用部材を被処理体の裏面近接位置に
向かってナイフエッジ状に形成することにより、更に確
実に処理液等の被処理体の裏面側への回り込みを防止す
ることができる(請求項26)。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る処理装置を適用したLCD基板
の塗布・現像処理システムの斜視図である。
【図2】この発明に係る第一実施例の処理装置の概略断
面図である。
【図3】第一実施例の処理装置の概略平面図である。
【図4】この発明における吸引ノズルの斜視図である。
【図5】この発明における吸引ノズルの要部断面図であ
る。
【図6】この発明における洗浄液供給ノズルの一部を断
面で示す側面図である。
【図7】この発明の第二実施例の吸引ノズルを示す要部
断面図である。
【図8】この発明の第三実施例の吸引ノズルを示す要部
断面図である。
【図9】この発明の第四実施例の吸引ノズルを示す概略
側面図である。
【図10】この発明の第五実施例の吸引ノズルを示す概
略側面図である。
【図11】この発明の第六実施例の処理装置を示す概略
断面図である。
【図12】第六実施例における内容器の斜視図及びその
要部拡大断面図である。
【図13】この発明の処理方法の一例を示す説明図であ
る。
【図14】第六実施例における排液の他の構成例の説明
図である。
【図15】基板の裏面側に設ける回り込み防止用部材の
構成を示す概略平面図及びその側面図である。
【符号の説明】
G LCD基板(被処理体) L,La 現像液(処理液) 21 スピンチャック(保持手段) 21A 回り込み防止用部材 22 現像液供給ノズル(処理液供給手段) 23 吸引ノズル(処理液回収手段) 24 洗浄液供給ノズル(洗浄液供給手段) 24c メッシュ体 30,30A 容器 31 下容器 32A 外容器 32B 内容器 32D 矩形状切欠(開口) 33 仕切壁 35 昇降シリンダ 36a 内側室 36b 外側室 39 排液口 40 吸引機構 41 回収管 43 第2の回収管 45 N2ガス吐出ノズル(気体吐出手段) 46 ノズル体 47 切換弁 50 再生処理手段 50A,60 第2の再生処理手段
フロントページの続き (72)発明者 友枝 隆之 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東 京エレクトロン九州株式会社 熊本事業 所内 (56)参考文献 特開 平5−190442(JP,A) 特開 昭63−78529(JP,A) 特開 平6−310419(JP,A) 特開 平7−37803(JP,A) 特開 昭64−21923(JP,A) 特開 昭57−27168(JP,A) 実開 昭61−51732(JP,U) 実開 昭63−111960(JP,U) 実開 昭63−351(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 7/30 502

Claims (26)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理体の表面に処理液を供給する処理
    液供給工程と、処理液回収手段が上記被処理体表面上を移動しつつ、
    処理体表面上の処理液を吸引により回収する処理液回収
    工程と、 上記被処理体に洗浄液を供給する洗浄工程と、 上記被処理体に付着した洗浄液を除去する乾燥工程とを
    有することを特徴とする処理方法。
  2. 【請求項2】 被処理体の表面に処理液を供給する処理
    液供給工程と、処理液回収手段が上記被処理体表面上を移動しつつ、被
    処理体表面上の処理液を吸引により回収する処理液回収
    工程と、 上記被処理体を回転して被処理体表面に残存する処理液
    を遠心力の作用によって回収する工程と、 上記被処理体に洗浄液を供給する洗浄工程と、 上記被処理体を回転して被処理体表面上の処理液と洗浄
    液の混合液を遠心力の作用によって回収する工程とを有
    することを特徴とする処理方法。
  3. 【請求項3】 被処理体の表面に処理液を供給する処理
    液供給工程と、処理液回収手段が上記被処理体表面上を移動しつつ、被
    処理体表面上の処理液を吸引により回収する処理液回収
    工程と、 上記被処理体を回転して被処理体表面に残存する処理液
    を遠心力の作用によって回収する工程と、 上記被処理体に洗浄液を供給する洗浄工程と、 上記被処理体を回転して被処理体表面上の処理液と洗浄
    液の混合液を遠心力の作用によって回収する工程と、 上記被処理体を回転して被処理体に付着した洗浄液を遠
    心力の作用によって除去する乾燥工程とを有することを
    特徴とする処理方法。
  4. 【請求項4】 処理液回収工程と洗浄工程とを同時的に
    行うことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに
    載の処理方法。
  5. 【請求項5】 洗浄工程と、処理液と洗浄液の混合液の
    回収工程を行い、その後、洗浄液の供給を停止する工程
    を有することを特徴とする請求項2又は3記載の処理方
    法。
  6. 【請求項6】 処理液回収工程中に、窒素ガス吐出ノズ
    から処理液回収手段の吸引部側に向けて窒素ガスを噴
    射して処理液を処理液回収手段側へ圧送することを特徴
    とする請求項1ないしのいずれかに記載の処理方法。
  7. 【請求項7】 処理液供給手段が処理液回収手段と共に
    被処理体表面上を移動しつつ、被処理体の表面に処理液
    を供給することを特徴とする請求項1ないし3のいずれ
    かに記載の処理方法。
  8. 【請求項8】 処理液供給手段の移動と処理液回収手段
    の移動とは往復移動であることを特徴とする請求項7記
    載の処理方法。
  9. 【請求項9】 被処理体を回転して被処理体表面に残存
    する処理液を遠心力の作用によって第1の再生処理手段
    に回収し、 上記被処理体を回転して被処理体表面上の処理液と洗浄
    液の混合液を遠心力の作用によって第2の再生処理手段
    に回収することを特徴とする請求項2又は3記載の処理
    方法。
  10. 【請求項10】 被処理体表面に残存する処理液を回収
    する工程での上記被処理体の回転を低速とし、上記被処
    理体表面上の処理液と洗浄液の混合液を回収する工程で
    の上記被処理体の回転を高速とすることを特徴とする請
    求項2、3又は記載の処理方法。
  11. 【請求項11】 被処理体を回転可能に保持する保持手
    段と、 上記被処理体に処理液を供給する処理液供給手段と、 上記被処理体表面上を移動しつつ、被処理体表面上の処
    理液を吸引により回収する処理液回収手段と、 上記処理液回収手段 によって回収された処理液を再生処
    理する再生処理手段とを具備することを特徴とする処理
    装置。
  12. 【請求項12】 被処理体を回転可能に保持する保持手
    段と、 上記被処理体に処理液を供給する処理液供給手段と、上記被処理体表面上を移動しつつ、被処理体表面上の処
    理液を吸引により回収 する処理液回収手段と、 上記処理液回収手段によって回収された処理液を再生処
    理する再生処理手段と、 上記被処理体に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、 上記保持手段及び被処理体の外周及び下部を包囲する容
    器とを具備し、 上記容器 を、上記保持手段及び被処理体の下部に位置す
    る下容器と、上記保持手段及び被処理体の外周に位置す
    る外容器と、下容器と外容器の間に位置する内容器とで
    構成し、 上記外容器及び内容器と上記保持手段とを相対的に昇降
    移動可能に形成してなることを特徴とする処理装置。
  13. 【請求項13】 上記容器に設けられた排液口に接続す
    る第2の再生処理手段を更に具備することを特徴とする
    請求項12記載の処理装置。
  14. 【請求項14】 被処理体に洗浄液を供給する洗浄液供
    給手段と、 保持手段及び被処理体の外周及び下部を包囲する容器と
    を更に具備し、 上記容器を、上記保持手段及び被処理体の下部に位置す
    る下容器と、上記保持手段及び被処理体の外周に位置す
    る外容器と、下容器と外容器の間に位置する内容器とで
    構成し、 上記容器の下容器と内容器にて区画される室の下部に排
    液口を形成すると共に、外容器と内容器とで区画される
    室の下部にドレン口を形成し、 上記排液口に使用済み処理液を再生処理する第2の再生
    処理手段を接続してなることを特徴とする請求項11記
    載の処理装置。
  15. 【請求項15】 被処理体を回転可能に保持する保持手
    段と、上記被処理体に処理液を供給する処理液供給手段
    と、上記被処理体に洗浄液を供給する洗浄液供給手段
    と、上記保持手段及び被処理体の外周及び下部を包囲す
    る容器とを具備する処理装置において、 上記処理液供給手段により被処理体表面上に供給された
    処理液を回収する処理液回収手段と、 上記処理液回収手段によって回収された処理液を再生処
    理する第1の再生処理手段とを具備し、 上記容器を、上記保持手段及び被処理体の下部に位置す
    る下容器と、上記保持手段及び被処理体の外周に位置す
    る外容器と、下容器と外容器の間に位置する内容器とで
    構成し、 上記容器の下容器と内容器にて区画される室の下部に排
    液口を形成すると共に、外容器と内容器とで区画される
    室の下部にドレン口を形成し、 上記排液口に、使用済み処理液を再生処理する第2の再
    生処理手段を接続してなることを特徴とする処理装置。
  16. 【請求項16】 内容器の内側に設けられる仕切壁の上
    端部にテーパ面を設けると共に、このテーパ面の周辺下
    部を延長させ、下容器の外容器側に起立する起立壁の頂
    部を覆うように形成することを特徴とする請求項12、
    14又は15記載の処理装置。
  17. 【請求項17】 ドレン口及び排液口にそれぞれ切換え
    バルブを備え、上記ドレン口及び排液口を通って排出さ
    れる液を更に分けて回収可能とすることを特徴とする請
    求項14又は15記載の処理装置。
  18. 【請求項18】 保持手段を、高速又は低速回転可能に
    形成し、外容器及び内容器と上記保持手段とを相対的に
    昇降移動可能に形成してなることを特徴とする請求項
    記載の処理装置。
  19. 【請求項19】 処理液回収手段の回収部近傍位置に、
    処理液を回収部側に圧送する気体吐出手段を設けたこと
    を特徴とする請求項11ないし15のいずれかに記載の
    処理装置。
  20. 【請求項20】 処理液供給手段と処理液回収手段とを
    近接させて設けたことを特徴とする請求項11ないし1
    のいずれかに記載の処理装置。
  21. 【請求項21】 処理液供給手段と処理液回収手段とを
    同一のノズル体にて形成し、ノズル体に接続する処理液
    供給管及び回収管を切換手段を介して切換え可能に形成
    してなることを特徴とする請求項11ないし15のいず
    れかに記載の処理装置。
  22. 【請求項22】 ノズル体は、被処理体の幅と略同一の
    長さの処理液収容室を有し、複数の吸引孔又は複数の吐
    出孔を直線状に穿設してなることを特徴とする請求項2
    1記載の処理装置。
  23. 【請求項23】 内容器に、被処理体の平面形状に略相
    似し、被処理体が通過可能な開口を設けたことを特徴と
    する請求項12、14、15又は18記載の処理装置。
  24. 【請求項24】 洗浄液供給手段の先端部にメッシュ体
    を装着してなることを特徴とする請求項12、14又は
    15記載の処理装置。
  25. 【請求項25】 保持手段にリング状の回り込み防止用
    部材を取着してなることを特徴とする請求項11、1
    2、15又は18記載の処理装置。
  26. 【請求項26】 回り込み防止用部材を、被処理体の裏
    面近接位置に向かってナイフエッジ状に形成してなるこ
    とを特徴とする請求項25記載の処理装置。
JP06200289A 1994-08-03 1994-08-03 処理方法及び処理装置 Expired - Fee Related JP3116297B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP06200289A JP3116297B2 (ja) 1994-08-03 1994-08-03 処理方法及び処理装置
KR1019950023817A KR100267618B1 (ko) 1994-08-03 1995-08-02 처리장치 및 처리방법
TW084108169A TW341667B (en) 1994-08-03 1995-08-05 Substrate image processing device and substrate image processing method
US08/929,106 US5871584A (en) 1994-08-03 1997-09-15 Processing apparatus and processing method
US08/936,723 US5965200A (en) 1994-08-03 1997-09-25 Processing apparatus and processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP06200289A JP3116297B2 (ja) 1994-08-03 1994-08-03 処理方法及び処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0845832A JPH0845832A (ja) 1996-02-16
JP3116297B2 true JP3116297B2 (ja) 2000-12-11

Family

ID=16421844

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP06200289A Expired - Fee Related JP3116297B2 (ja) 1994-08-03 1994-08-03 処理方法及び処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5871584A (ja)
JP (1) JP3116297B2 (ja)
KR (1) KR100267618B1 (ja)
TW (1) TW341667B (ja)

Families Citing this family (112)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5952050A (en) * 1996-02-27 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Chemical dispensing system for semiconductor wafer processing
JPH1133506A (ja) * 1997-07-24 1999-02-09 Tadahiro Omi 流体処理装置及び洗浄処理システム
JP3612196B2 (ja) * 1997-04-28 2005-01-19 大日本スクリーン製造株式会社 現像装置、現像方法および基板処理装置
TW402737B (en) * 1997-05-27 2000-08-21 Tokyo Electron Ltd Cleaning/drying device and method
SG71809A1 (en) 1997-07-03 2000-04-18 Tokyo Electron Ltd Solution treatment apparatus
TW425618B (en) * 1998-05-19 2001-03-11 Tokyo Electron Ltd Coating apparatus and coating method
US6203218B1 (en) * 1998-07-31 2001-03-20 Tokyo Electron Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3806537B2 (ja) * 1999-03-10 2006-08-09 株式会社カイジョー 超音波洗浄機及びそれを具備するウエット処理ノズル
TW464970B (en) * 1999-04-21 2001-11-21 Sharp Kk Ultrasonic cleaning device and resist-stripping device
ATE211855T1 (de) * 1999-04-28 2002-01-15 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung und verfahren zur flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen gegenständen
JP3653198B2 (ja) 1999-07-16 2005-05-25 アルプス電気株式会社 乾燥用ノズルおよびこれを用いた乾燥装置ならびに洗浄装置
TW480584B (en) * 1999-08-17 2002-03-21 Tokyo Electron Ltd Solution processing apparatus and method
JP4245743B2 (ja) * 1999-08-24 2009-04-02 株式会社半導体エネルギー研究所 エッジリンス装置およびエッジリンス方法
JP3635217B2 (ja) 1999-10-05 2005-04-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及びその方法
WO2001027357A1 (en) * 1999-10-12 2001-04-19 Semitool, Inc. Method and apparatus for executing plural processes on a microelectronic workpiece at a single processing station
US20050205111A1 (en) * 1999-10-12 2005-09-22 Ritzdorf Thomas L Method and apparatus for processing a microfeature workpiece with multiple fluid streams
JP4426036B2 (ja) * 1999-12-02 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US6544590B1 (en) * 2000-01-17 2003-04-08 Canon Kabushiki Kaisha Liquid coating method, apparatus and film-forming method for producing the same employing excess coating removing unit having absorbent fabric on porous structure
JP3405312B2 (ja) * 2000-02-25 2003-05-12 日本電気株式会社 塗布膜除去装置
JP2001276702A (ja) 2000-03-28 2001-10-09 Toshiba Corp 成膜装置及び成膜方法
US6536454B2 (en) * 2000-07-07 2003-03-25 Sez Ag Device for treating a disc-shaped object
US6709699B2 (en) * 2000-09-27 2004-03-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Film-forming method, film-forming apparatus and liquid film drying apparatus
US6805769B2 (en) * 2000-10-13 2004-10-19 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US7153364B1 (en) * 2000-10-23 2006-12-26 Advance Micro Devices, Inc. Re-circulation and reuse of dummy-dispensed resist
DE10053198C2 (de) * 2000-10-26 2003-01-02 Infineon Technologies Ag Verfahren zum lokalen Ätzen
JP4189141B2 (ja) 2000-12-21 2008-12-03 株式会社東芝 基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法
US6692165B2 (en) * 2001-03-01 2004-02-17 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP3957983B2 (ja) * 2001-03-01 2007-08-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板現像装置
KR100419669B1 (ko) * 2001-06-12 2004-02-25 주식회사 퓨어엔비텍 인쇄회로기판 제조용 현상액 리사이클링 시스템
KR20020094585A (ko) * 2001-06-12 2002-12-18 주식회사 퓨어테크 인쇄회로기판 제조용 현상액 리사이클링 시스템
US6645699B2 (en) 2001-06-21 2003-11-11 Agfa-Gevaert Method of processing a lithographic printing plate precursor
EP1271250A3 (en) * 2001-06-21 2005-02-09 Agfa-Gevaert N.V. Method of developing a lithographic printing plate precursor
KR100488753B1 (ko) * 2001-07-23 2005-05-11 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리방법 및 그 장치
JP4678665B2 (ja) * 2001-11-15 2011-04-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
TWI236944B (en) * 2001-12-17 2005-08-01 Tokyo Electron Ltd Film removal method and apparatus, and substrate processing system
KR100566840B1 (ko) 2002-01-30 2006-04-03 가부시끼가이샤 도시바 성막 방법 및 성막 장치
JP3852758B2 (ja) * 2002-03-01 2006-12-06 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション スラリー回収装置及びその方法
US6807972B2 (en) * 2002-03-29 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Gutter and splash-guard for protecting a wafer during transfer from a single wafer cleaning chamber
KR20030083779A (ko) * 2002-04-22 2003-11-01 주식회사 디엠에스 액정표시소자용 처리장치 및 처리방법
KR100935286B1 (ko) * 2002-06-07 2010-01-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 현상장치
JP2004031400A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Sipec Corp 基板処理装置及びその処理方法
KR20040012111A (ko) * 2002-08-01 2004-02-11 주식회사 에이알티 다층 캐치컵 및 이를 구비한 반도체 웨이퍼 클리닝장치
JP2004081988A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Seiko Epson Corp 製膜方法と製膜装置及びデバイス製造方法並びにデバイス製造装置
JP4005879B2 (ja) * 2002-08-30 2007-11-14 株式会社東芝 現像方法、基板処理方法、及び基板処理装置
SG135052A1 (en) 2002-11-12 2007-09-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3894104B2 (ja) * 2002-11-15 2007-03-14 東京エレクトロン株式会社 現像方法及び現像装置及び現像液再生装置
TW200410912A (en) * 2002-12-20 2004-07-01 Au Optronics Corp Method and device for cleaning glass substrate prior to coating of photoresist
US7467635B2 (en) * 2003-05-12 2008-12-23 Sprout Co., Ltd. Apparatus and method for substrate processing
JP4293830B2 (ja) * 2003-05-12 2009-07-08 葵精機株式会社 基板処理装置およびその処理方法
US7267723B2 (en) * 2003-05-13 2007-09-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Treating solution supply nozzle, a substrate treating apparatus having this nozzle, and a method of manufacturing a treating solution supply nozzle
KR100954895B1 (ko) * 2003-05-14 2010-04-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 박막제거장치 및 박막제거방법
US7370659B2 (en) * 2003-08-06 2008-05-13 Micron Technology, Inc. Photolithographic stepper and/or scanner machines including cleaning devices and methods of cleaning photolithographic stepper and/or scanner machines
US20050048208A1 (en) * 2003-09-02 2005-03-03 Yao-Hwan Kao Resist supply apparatus with resist recycling function, coating system having the same and method of resist recycling
US20050051196A1 (en) * 2003-09-08 2005-03-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Developer dispensing apparatus with adjustable knife ring
CN1301804C (zh) * 2003-09-19 2007-02-28 旺宏电子股份有限公司 清洗保养旋转蚀刻机的方法
KR100958573B1 (ko) * 2003-10-06 2010-05-18 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널의 제조장치 및 제조방법
WO2005043608A1 (en) * 2003-10-31 2005-05-12 Ebara Corporation A processing liquid coating apparatus and a processing liquid coating method
JP4183604B2 (ja) 2003-12-01 2008-11-19 東京応化工業株式会社 現像装置および現像方法
JP4043444B2 (ja) * 2004-02-18 2008-02-06 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置及び塗布処理方法
JP4331024B2 (ja) * 2004-03-16 2009-09-16 Okiセミコンダクタ株式会社 現像処理装置及び現像処理方法
JP4451175B2 (ja) * 2004-03-19 2010-04-14 大日本スクリーン製造株式会社 ノズル洗浄装置および基板処理装置
TWI289477B (en) * 2004-04-23 2007-11-11 Innolux Display Corp Apparatus for coating
SG116641A1 (en) * 2004-04-26 2005-11-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and apparatus for recycling ultraviolet curing resin, and method for manufacturing optical recording medium using that recycling method.
US20050247673A1 (en) * 2004-05-07 2005-11-10 International Business Machines Corporation Confinement of fluids on surfaces
JP2006066501A (ja) * 2004-08-25 2006-03-09 Tokyo Seimitsu Co Ltd スピン洗浄乾燥装置及びスピン洗浄乾燥方法
US20060130767A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Purged vacuum chuck with proximity pins
US20060182535A1 (en) * 2004-12-22 2006-08-17 Mike Rice Cartesian robot design
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7651306B2 (en) * 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7819079B2 (en) * 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7699021B2 (en) * 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
JP2006310756A (ja) * 2005-03-30 2006-11-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2006278966A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Toshiba Corp 半導体製造装置
US20060241813A1 (en) * 2005-04-22 2006-10-26 Applied Materials, Inc. Optimized cluster tool transfer process and collision avoidance design
US7583358B2 (en) * 2005-07-25 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Systems and methods for retrieving residual liquid during immersion lens photolithography
US7456928B2 (en) * 2005-08-29 2008-11-25 Micron Technology, Inc. Systems and methods for controlling ambient pressure during processing of microfeature workpieces, including during immersion lithography
US8472004B2 (en) * 2006-01-18 2013-06-25 Micron Technology, Inc. Immersion photolithography scanner
US7752996B2 (en) * 2006-05-11 2010-07-13 Lam Research Corporation Apparatus for applying a plating solution for electroless deposition
KR100797079B1 (ko) * 2006-07-12 2008-01-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP4761381B2 (ja) 2006-08-01 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 薄膜除去装置及び薄膜除去方法
TW200817105A (en) * 2006-08-18 2008-04-16 Akrion Technologies Inc System and method for processing a substrate utilizing a gas stream for particle removal
KR100900628B1 (ko) 2006-09-15 2009-06-02 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
US8091504B2 (en) * 2006-09-19 2012-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning spin coater
US8578953B2 (en) 2006-12-20 2013-11-12 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and computer-readable storage medium
JP5410040B2 (ja) * 2008-06-26 2014-02-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7849554B2 (en) * 2009-04-28 2010-12-14 Lam Research Corporation Apparatus and system for cleaning substrate
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
JP5242632B2 (ja) * 2010-06-03 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
DE202010015018U1 (de) * 2010-11-07 2011-04-14 Bohnet, Hans Anordnung zur Herstellung von strukturierten Substraten
JP2012175672A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Seiko Instruments Inc スピンチャック、スピンチャックを備えた圧電振動片の製造装置、圧電振動片の製造方法、圧電振動片、および圧電振動子
US9101699B2 (en) 2011-04-27 2015-08-11 Fresenius Kabi Deutschland Gmbh Device for wetting a medical equipment component
US20130067761A1 (en) * 2011-09-16 2013-03-21 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Drying apparatus
KR101969361B1 (ko) * 2012-10-23 2019-08-13 세메스 주식회사 집적회로 소자 제조 장치 및 방법
JP6239893B2 (ja) * 2013-08-07 2017-11-29 株式会社荏原製作所 ウェット処理装置及びこれを備えた基板処理装置
US9922801B2 (en) 2013-08-23 2018-03-20 Mapper Lithography Ip B.V. Drying apparatus for use in a lithography system
JP6234736B2 (ja) * 2013-08-30 2017-11-22 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
US9855579B2 (en) 2014-02-12 2018-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Spin dispenser module substrate surface protection system
JP6215787B2 (ja) 2014-07-25 2017-10-18 東京エレクトロン株式会社 現像方法、現像装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6239548B2 (ja) * 2015-03-18 2017-11-29 株式会社東芝 塗布装置及び塗布方法
DE102015211616A1 (de) * 2015-06-23 2016-12-29 Josef Schiele Ohg Beschichtungsvorrichtung mit einer Gaszufuhr
JP6443242B2 (ja) * 2015-06-30 2018-12-26 東京エレクトロン株式会社 ノズル、処理液供給装置、液処理装置、及び処理液供給方法
JP6443243B2 (ja) * 2015-06-30 2018-12-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
US10265735B2 (en) * 2016-01-14 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Cup wash disk with shims
JP6632417B2 (ja) * 2016-02-16 2020-01-22 株式会社東京精密 ウエハ研磨装置
JP6156893B1 (ja) * 2016-03-01 2017-07-05 株式会社 イアス 基板分析用のノズル
JP6439766B2 (ja) * 2016-09-23 2018-12-19 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像方法及び塗布、現像装置
CN109856914B (zh) * 2017-11-30 2023-11-03 上海微电子装备(集团)股份有限公司 涂胶装置及方法
US11020766B2 (en) * 2018-09-28 2021-06-01 Service Support Specialties, Inc. Spin coating apparatus, system, and method
CN110394283A (zh) * 2019-07-31 2019-11-01 江苏塔菲尔新能源科技股份有限公司 锂电池涂布回收系统及其浆料分离回收装置
IT201900017288A1 (it) * 2019-09-26 2021-03-26 Cefla Deutschland Gmbh Processo per preparare bordi di pannelli a prova di acqua, rinforzati e/o a fiamma ritardata
WO2021085213A1 (ja) * 2019-11-01 2021-05-06 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置および基板洗浄方法
KR102616521B1 (ko) * 2020-10-08 2023-12-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL255695A (ja) * 1959-09-09
US3656173A (en) * 1969-08-08 1972-04-11 Olivetti & Co Spa Liquid development of electrostatic images
US3950184A (en) * 1974-11-18 1976-04-13 Texas Instruments Incorporated Multichannel drainage system
US4451507A (en) * 1982-10-29 1984-05-29 Rca Corporation Automatic liquid dispensing apparatus for spinning surface of uniform thickness
US4587203A (en) * 1983-05-05 1986-05-06 Hughes Aircraft Company Wet process for developing styrene polymer resists for submicron lithography
US4510176A (en) * 1983-09-26 1985-04-09 At&T Bell Laboratories Removal of coating from periphery of a semiconductor wafer
JPS61279858A (ja) * 1985-06-05 1986-12-10 Mitsubishi Electric Corp ネガレジスト現像装置
JP2527318B2 (ja) * 1986-12-25 1996-08-21 関東化学 株式会社 レジスト組成物を回収、再使用するための方法および装置
JP2675309B2 (ja) * 1987-09-19 1997-11-12 パイオニア株式会社 無電解めっき方法及びその装置
JP2592475B2 (ja) * 1987-12-30 1997-03-19 株式会社日立製作所 投影露光装置及びそのパターンオフセツト補正方法
JPH0230118A (ja) * 1988-07-19 1990-01-31 Nec Corp レジスト塗布機
JPH02249225A (ja) * 1989-03-22 1990-10-05 Fujitsu Ltd レジスト塗布装置
JPH03262563A (ja) * 1990-03-13 1991-11-22 Tokyo Electron Ltd 塗布装置
JP3241058B2 (ja) * 1991-03-28 2001-12-25 大日本スクリーン製造株式会社 回転式塗布装置及び回転式塗布方法
US5159374A (en) * 1991-04-04 1992-10-27 Vlsi Technology, Inc. Water sealing develop ring
US5275658A (en) * 1991-12-13 1994-01-04 Tokyo Electron Limited Liquid supply apparatus
US5429912A (en) * 1993-08-02 1995-07-04 Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Method of dispensing fluid onto a wafer
JP3002368B2 (ja) * 1993-11-12 2000-01-24 東京応化工業株式会社 回転カップ式液体供給装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5965200A (en) 1999-10-12
KR100267618B1 (ko) 2000-10-16
US5871584A (en) 1999-02-16
KR960008976A (ko) 1996-03-22
TW341667B (en) 1998-10-01
JPH0845832A (ja) 1996-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3116297B2 (ja) 処理方法及び処理装置
JP4810411B2 (ja) 処理装置
US7472713B2 (en) Substrate processing apparatus
JP3587723B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI267129B (en) Coating and developing apparatus, exposure apparatus and resist pattern forming method
CN111261561A (zh) 基板清洗装置及方法、基板处理装置及方法
JP3665715B2 (ja) 現像方法及び現像装置
JP3573445B2 (ja) 現像装置及び洗浄装置
JP3317855B2 (ja) 洗浄装置
JP3362767B2 (ja) 処理方法及び処理装置
JP3225452B2 (ja) 処理装置
JPH1126547A (ja) ウエット処理装置
JP4043039B2 (ja) 現像方法及び現像装置
JP3734154B2 (ja) 液処理装置及びその方法
JP2004050080A (ja) 塗布装置
JP3743954B2 (ja) 処理装置及び処理方法及び基板洗浄装置及び基板洗浄方法及び現像装置及び現像方法
JP3289208B2 (ja) 洗浄処理方法及び洗浄処理装置
JP2005340381A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP3934745B2 (ja) 基板授受ユニット及びこれを用いたウエット処理装置
JP2000271524A (ja) 処理装置及び処理方法
JP2000035681A (ja) 現像装置及び現像方法
JP3823074B2 (ja) 現像装置
JPH10340875A (ja) 処理装置及び処理方法
JP3576899B2 (ja) 現像処理装置
JP3773626B2 (ja) 両面洗浄ユニット及びこれを用いたウエット処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20000911

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees