JP2006310756A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006310756A JP2006310756A JP2006002223A JP2006002223A JP2006310756A JP 2006310756 A JP2006310756 A JP 2006310756A JP 2006002223 A JP2006002223 A JP 2006002223A JP 2006002223 A JP2006002223 A JP 2006002223A JP 2006310756 A JP2006310756 A JP 2006310756A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid
- proximity member
- substrate surface
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 244
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 107
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 96
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 49
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 13
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 35
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 33
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 67
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】近接部材26の対向面28が基板表面WSに対して近接配置され、対向面28と基板表面WSとの間に液密層36が形成された状態で近接部材26が移動方向(−X)に移動するとともに、移動方向における近接部材26の上流側(+X)から液密層36の上流側界面に向けて窒素ガスが吐出される。こうして吐出された窒素ガスは露出界面部52に選択的・集中的に吹き付けられ、この露出界面部52を構成するリンス液が基板表面WSおよび液密層36から吹き飛ばされて露出界面部52に対応する基板表面領域が乾燥される。
【選択図】 図3
Description
図1は、この発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を装備した基板処理システムの平面レイアウト図である。この基板処理システムでは、基板の表面に対して薬液処理およびリンス処理を施す湿式処理装置1と、その表面がリンス液などの液体で濡れた基板を乾燥する装置であり本願発明の基板処理装置に相当する乾燥処理装置2とが一定距離だけ離間して配置されるとともに、それらの間に基板搬送装置3が配置されている。これらの装置のうち、湿式処理装置1は基板の表面に薬液を供給して基板表面を洗浄した後、該基板表面に対して純水やDIW(=deionized water)などのリンス液を供給してリンス処理を施す装置である。そして、湿式処理装置1で最終的にリンス処理を受けた基板が基板搬送装置3により乾燥処理装置2に搬送されて乾燥処理が行われる。このように、本実施形態では、湿式処理と乾燥処理とは相互に分離されており、湿式処理装置1からはリンス液で表面が濡れた基板が基板搬送装置3により搬出され、リンス液で濡れたままの状態で乾燥処理装置2に搬送される。なお、湿式処理装置1および基板搬送装置3は従来より多用されている装置を用いているため、ここでは構成および動作の説明は省略する。一方、乾燥処理装置2は本発明にかかる基板処理装置の第1実施形態に相当するものであり、以下のような特徴を有しているため、図面を参照しつつ詳述する。
図5はこの発明にかかる基板処理装置の第2実施形態たる乾燥処理装置を示す平面図である。また、図6は図5の乾燥処理装置の部分拡大図である。この第2実施形態にかかる乾燥処理装置2が第1実施形態と大きく相違する点は、近接部材26の対向面28と基板表面WSとの間にリンス液を供給して液密層36を形成するための構成(本発明の「液体供給手段」に相当)が追加されている点である。なお、その他の構成および動作は第1実施形態と同様であるため、ここでは同一符号を付して説明を省略する。
図7はこの発明にかかる基板処理装置の第3実施形態たる乾燥処理装置を示す平面図である。この第3実施形態では、移動方向において乾燥ヘッド22の初期位置(同図の右端位置)の下流側(−X)、より具体的には基板中央の上方位置にリンス液供給用のノズル64が1本または複数本(図7の実施形態では5本)設けられており、リンス液供給部66からリンス液を供給可能に構成されている。そして、制御部16からの動作指令に応じてリンス液供給部66が作動すると、各ノズル64からリンス液が基板表面WSに向けて吐出されて装置2において基板Wに対するリンス処理が実行される。したがって、同一装置2内でリンス処理を実行した後、上記第1実施形態と同様にして乾燥処理を実行することが可能となっており、リンス処理完了から乾燥処理までの時間を短縮して基板表面WSの清浄度を高めることができる。このように、第3実施形態では、ノズル64およびリンス液供給部66により本発明の「リンス液供給手段」が構成されているが、ノズルの本数や配設位置などに関しては本実施形態に限定されるものではない。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、近接部材26は乾燥ヘッド22の移動方向Xに対してほぼ直交する方向(例えば図2の上下方向)に基板Wと同一あるいはそれよりも長く伸びる棒状形状を有しているが、近接部材26の外形形状はこれに限定されるものではなく、例えば図8に示すように基板Wに対応した半円環形状を有するものを用いてもよい。また、上記実施形態では、基板Wを固定配置した状態で近接部材26を移動させて乾燥処理を実行しているが、基板側も同時に移動させるように構成してもよい。また、近接部材26を固定配置する一方、基板Wのみを移動させてもよい。要は、基板表面WSから離間配置された対向面28と基板表面WSとの間にリンス液を満たして液密層36を形成した状態で、基板Wに対して近接部材26を移動方向に相対移動させるように構成すればよい。
Claims (13)
- 液体で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理装置において、
前記基板表面に対向する対向面を有し、該対向面が前記基板表面から離間配置されるとともに該対向面と前記基板表面との間に前記液体が満たされて液密層が形成された状態で、前記基板に対して所定の移動方向に相対移動自在な近接部材と、
前記近接部材を前記基板に対して前記移動方向に相対移動させる駆動手段と、
前記基板表面を乾燥させるための乾燥用ガスを吐出するガス吐出手段とを備え、
前記近接部材は、前記対向面を規定する辺部のうち前記移動方向の上流側に位置する上流辺部と接続されるとともに該接続位置から前記移動方向の上流側を臨みながら前記基板表面から離れる方向に延設された案内面をさらに有し、
前記ガス吐出手段は、前記移動方向において、前記近接部材の上流側に配置されるとともに前記液密層の上流側界面に向けて前記乾燥用ガスを吐出する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 前記液体が毛細管現象により前記基板表面と前記対向面とに挟まれた空間全体に入り込んで前記液密層を形成するような前記対向面が前記基板表面に近接する位置に、前記近接部材が配置されている請求項1記載の基板処理装置。
- 前記基板表面と前記対向面とに挟まれた空間に連通して、該空間に前記液体を供給して充満させて前記液密層を形成する液体供給手段をさらに備える請求項1記載の基板処理装置。
- 前記基板に対する前記近接部材の相対移動中に、前記近接部材と前記乾燥用ガスの吐出位置との間隔が予め定められた離間距離に保たれる請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記駆動手段は前記近接部材と前記ガス吐出手段とを前記離間距離だけ離間したまま一体的に移動させる請求項4記載の基板処理装置。
- 前記ガス吐出手段は、ガス供給部に連通する空気溜りと、この空気溜りから表面まで延設される細管部とが内部に設けられたヘッド本体を備え、
前記近接部材は、前記ヘッド本体の下面側であって前記移動方向において前記細管部より下流側に取り付けられ、
前記駆動手段は、前記近接部材が取り付けられた前記ヘッド本体を移動させる請求項5記載の基板処理装置。 - 前記ガス吐出手段は固定配置される一方、前記近接部材は前記駆動手段により駆動されて前記移動方向に移動する請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記ガス吐出手段から吐出される乾燥用ガスの流速を、前記近接部材と前記乾燥用ガスの吐出位置との間隔に応じて調整するガス流速制御手段をさらに備えた基板処理装置。 - 前記近接部材の上流側端部では、前記対向面と前記案内面とが鋭角をなしている請求項1ないし7のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記近接部材に対して前記移動方向の下流側で前記基板表面にリンス液を供給してリンス処理を施すリンス液供給手段をさらに備えた請求項1ないし8のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記近接部材では前記対向面が親水性材料で形成されている請求項1ないし9のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記近接部材では前記案内面が親水性材料で形成されている請求項1ないし10のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記近接部材全体が石英で形成されている請求項10または11記載の基板処理装置。
- 液体で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理方法において、
前記基板表面に対向する対向面と、該対向面を規定する辺部のうち所定の移動方向の上流側に位置する上流辺部と接続されるとともに該接続位置から前記移動方向の上流側を臨みながら前記基板表面から離れる方向に延設された案内面とを有する近接部材を、前記対向面が前記基板表面から離間するように配置する工程と、
前記対向面と前記基板表面との間に前記液体を満たして液密層を形成する工程と、
前記液密層が形成された状態を維持しつつ前記近接部材を前記基板に対して前記移動方向に相対移動させる工程と、
前記基板表面を乾燥させるための乾燥用ガスを前記移動方向において前記近接部材の上流側から前記液密層の上流側界面に向けて吐出する工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006002223A JP2006310756A (ja) | 2005-03-30 | 2006-01-10 | 基板処理装置および基板処理方法 |
TW095104316A TWI298908B (en) | 2005-03-30 | 2006-02-09 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR1020060027805A KR100787662B1 (ko) | 2005-03-30 | 2006-03-28 | 기판처리 장치 및 기판처리 방법 |
US11/396,724 US7373736B2 (en) | 2005-03-30 | 2006-03-28 | Substrate processing apparatus and method with proximity guide and liquid-tight layer |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005097438 | 2005-03-30 | ||
JP2006002223A JP2006310756A (ja) | 2005-03-30 | 2006-01-10 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006310756A true JP2006310756A (ja) | 2006-11-09 |
Family
ID=37068649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006002223A Pending JP2006310756A (ja) | 2005-03-30 | 2006-01-10 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7373736B2 (ja) |
JP (1) | JP2006310756A (ja) |
KR (1) | KR100787662B1 (ja) |
TW (1) | TWI298908B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011124431A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法及びこの基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080256825A1 (en) * | 2007-04-17 | 2008-10-23 | Hokwang Industries Co., Ltd. | Hand dryer with visible light indicated sensing area |
JP4954795B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2012-06-20 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板の保持装置及び基板の処理方法 |
US20090178298A1 (en) * | 2008-01-15 | 2009-07-16 | Anatoli Anatolyevich Abramov | Device for fluid removal after laser scoring |
US9922801B2 (en) | 2013-08-23 | 2018-03-20 | Mapper Lithography Ip B.V. | Drying apparatus for use in a lithography system |
JP6086059B2 (ja) * | 2013-12-20 | 2017-03-01 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの乾燥装置及びウェーハの乾燥方法 |
KR101647310B1 (ko) * | 2014-12-29 | 2016-08-10 | 주식회사 케이씨엠텍 | 슬릿 노즐 타입의 에어나이프 유닛 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001033165A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Furontekku:Kk | 乾燥用ノズルおよびこれを用いた乾燥装置ならびに洗浄装置 |
JP2003151948A (ja) * | 2001-11-08 | 2003-05-23 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置および表面処理方法 |
JP2003282525A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
WO2004032160A2 (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Lam Research Corporation | Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus |
JP2004193455A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Sharp Corp | 処理装置および処理方法 |
WO2005006431A1 (en) * | 2003-06-24 | 2005-01-20 | Lam Research Corporation | System and method for integrating in-situ metrology within a wafer process |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3950184A (en) * | 1974-11-18 | 1976-04-13 | Texas Instruments Incorporated | Multichannel drainage system |
JP2922754B2 (ja) | 1993-07-09 | 1999-07-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 回転式基板乾燥装置及び回転式基板乾燥方法 |
JP3116297B2 (ja) * | 1994-08-03 | 2000-12-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及び処理装置 |
JP3070511B2 (ja) * | 1997-03-31 | 2000-07-31 | 日本電気株式会社 | 基板乾燥装置 |
ATE211855T1 (de) * | 1999-04-28 | 2002-01-15 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Vorrichtung und verfahren zur flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen gegenständen |
JP3803913B2 (ja) | 2001-07-12 | 2006-08-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板乾燥装置、基板乾燥方法および基板のシリコン酸化膜除去方法 |
JP2003151947A (ja) | 2001-11-08 | 2003-05-23 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置および表面処理方法 |
JP2004335840A (ja) | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Personal Creation Ltd | 基板からの水分除去装置及び水分除去方法 |
KR100958573B1 (ko) * | 2003-10-06 | 2010-05-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시패널의 제조장치 및 제조방법 |
-
2006
- 2006-01-10 JP JP2006002223A patent/JP2006310756A/ja active Pending
- 2006-02-09 TW TW095104316A patent/TWI298908B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-03-28 KR KR1020060027805A patent/KR100787662B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-03-28 US US11/396,724 patent/US7373736B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001033165A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Furontekku:Kk | 乾燥用ノズルおよびこれを用いた乾燥装置ならびに洗浄装置 |
JP2003151948A (ja) * | 2001-11-08 | 2003-05-23 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置および表面処理方法 |
JP2003282525A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
WO2004032160A2 (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Lam Research Corporation | Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus |
JP2004193455A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Sharp Corp | 処理装置および処理方法 |
WO2005006431A1 (en) * | 2003-06-24 | 2005-01-20 | Lam Research Corporation | System and method for integrating in-situ metrology within a wafer process |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011124431A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法及びこの基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI298908B (en) | 2008-07-11 |
KR100787662B1 (ko) | 2007-12-21 |
US7373736B2 (en) | 2008-05-20 |
KR20060106714A (ko) | 2006-10-12 |
TW200701357A (en) | 2007-01-01 |
US20060218815A1 (en) | 2006-10-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4641964B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR100787067B1 (ko) | 처리 장치, 처리 시스템 및 처리 방법 | |
JP2008198958A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5331865B2 (ja) | 基板処理においてメニスカスを用いるための装置および方法 | |
JP4474438B2 (ja) | 基板処理装置及び方法、そしてこれに用いられる噴射ヘッド | |
JP2006310756A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4889331B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4812563B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2007081311A (ja) | 枚葉型ウェハ洗浄装置及び半導体装置の製造方法 | |
US10684548B2 (en) | Developing method | |
JP4455228B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2008016781A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2002045757A (ja) | 塗布膜形成装置 | |
TW201005854A (en) | Device and method for treating substrate | |
JP6814847B2 (ja) | 現像方法 | |
CN100362625C (zh) | 基板处理装置以及基板处理方法 | |
JP5202400B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2007266336A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6211910B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2007096156A (ja) | カバー膜除去装置 | |
JP6376863B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008288343A (ja) | 基板処理装置及びノズルユニット | |
TW202226342A (zh) | 噴嘴待機裝置、液處理裝置及液處理裝置之運轉方法 | |
KR20070069472A (ko) | 디벨로퍼의 케미컬 공급장치 | |
JP2007266363A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100817 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101005 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110412 |