JP4889331B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4889331B2 JP4889331B2 JP2006078228A JP2006078228A JP4889331B2 JP 4889331 B2 JP4889331 B2 JP 4889331B2 JP 2006078228 A JP2006078228 A JP 2006078228A JP 2006078228 A JP2006078228 A JP 2006078228A JP 4889331 B2 JP4889331 B2 JP 4889331B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- upstream
- proximity member
- substrate surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 383
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 60
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 306
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 162
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 115
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 76
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 90
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 10
- 230000003405 preventing effect Effects 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Description
液体に溶解して表面張力を低下させる溶剤成分を必須的に含む溶剤ガスを移動方向の上流側における液密層の端部に向けて供給する工程と、近接部材の移動方向の下流側において基板表面に向けて液体を供給して、あるいは近接部材の上方より近接部材の側面を介して基板表面に向けて液体を供給して基板表面に接液している液体を供給した液体に置換する工程とを備えたことを特徴としている。
図1は、この発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を示す図である。また、図2は図1の基板処理装置の部分拡大図である。詳しくは、図2(a)は基板処理装置の部分側面図であり、同図(b)はその平面図である。この基板処理装置は半導体ウエハ等の基板Wの表面Wfに付着した汚染物質を除去するための洗浄処理に用いられる枚葉式の基板処理装置である。より具体的には、パターンが形成された基板表面Wfに対して薬液による薬液処理および純水やDIW(=deionized water)などのリンス液によるリンス処理を施した後、リンス処理を受けた基板Wに対して乾燥処理を行う装置である。この基板処理装置では、最終的にリンス処理を受けた基板Wには、リンス液が基板表面Wfの全体に付着した、いわゆるパドル状のリンス層が形成されており、この状態で乾燥処理を実行する。
図7は、この発明にかかる基板処理装置の第2実施形態を示す図である。具体的には、同図(a)は基板処理装置の部分側面図であり、同図(b)はその平面図である。この第2実施形態にかかる基板処理装置が第1実施形態と大きく相違する点は、近接ブロック3にカバー部材58が装着されている点である。なお、その他の構成および動作は基本的に第1実施形態と同様であるため、ここでは同一符号を付して説明を省略する。
図8は、この発明にかかる基板処理装置の第3実施形態を示す図である。この第3実施形態にかかる基板処理装置が第2実施形態と大きく相違する点は、基板表面Wfに接液するリンス層21に直接に液体を供給するのに替えて、近接ブロック3の上面34に液体を供給している点である。具体的には、近接ブロック3の上方位置に本発明の「第2ノズル」として機能する液体供給用の液体ノズル71が1本または幅方向に沿って複数本設けられている。この液体ノズル71には液体供給ユニット45が接続されており、近接ブロック3の移動とともに、液体供給ユニット45から基板Wに付着するリンス液と同一成分の液体が液体ノズル71に圧送され、該液体ノズル71から近接ブロック3の上面34に向けて吐出される。これにより、液密層23の上流側界面231aの移動とともに近接ブロック3の上面34に液体が供給される。なお、その他の構成および動作は第2実施形態と同様であるため、ここでは同一符号を付して説明を省略する。
図9は、この発明にかかる基板処理装置の第4実施形態を示す図である。この第4実施形態にかかる基板処理装置が第3実施形態と大きく相違する点は、液体ノズル71から吐出された液体を側面32との間で液密状態に満たしながら上流辺部33に向けて導くための構成を追加している点と、溶剤ガスの滞留を防止するための構成を追加している点である。なお、その他の構成および動作は基本的に第3実施形態と同様であるため、ここでは同一符号を付して説明を省略する。
図10は、この発明にかかる基板処理装置の第5実施形態を示す図である。この第5実施形態にかかる基板処理装置が第4実施形態と大きく相違する点は、近接ブロック3を移動させながら液体ノズル71から近接ブロック3に液体を供給するのに替えて、近接ブロック3への液体の供給を近接ブロック3による基板表面Wfに対するスキャン実行前に行っている点である。なお、その他の構成および動作は第4実施形態と同様である。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、近接ブロック3は幅方向の長さが基板Wと同一あるいはそれよりも長く延びる棒状形状を有しているが、近接ブロック3の外形形状はこれに限定されるものではなく、例えば基板Wの外周形状に対応した半円環形状を有するものを用いてもよい。また、上記実施形態では、基板Wを固定配置した状態で近接ブロック3を移動させて乾燥処理を実行しているが、基板側も同時に相対移動させるように構成してもよい。また、近接ブロック3を固定配置する一方、基板Wのみを移動させてもよい。要は、基板表面Wfから離間配置された対向面31と基板表面Wfとに挟まれた間隙空間SPにリンス液を満たして液密層23を形成した状態で、基板Wに対して近接ブロック3を移動方向に相対移動させるように構成すればよい。
7…液体ノズル(第1ノズル、液体供給手段)
31…対向面
32…側面(非対向面、延設面)
33…上流辺部
34、35…側面(非対向面)
36…下流辺部
37…案内面
38…下面(上流側対向部位)
39…ガス吐出口
41…ブロック駆動機構(駆動手段)
45…液体供給ユニット(液体供給手段)
58…カバー部材
71…液体ノズル(第2ノズル、液体供給手段)
231…(液密層の)上流側端部(移動方向の上流側における液密層の端部)
231a…(液密層の)上流側界面
SP…間隙空間
UA…(液密層の)上流側雰囲気
W…基板
Wf…基板表面
X…移動方向
θ…鋭角
Claims (10)
- 液体で濡れた基板の表面を乾燥させる基板処理装置において、
所定の幅方向で前記基板の径と同等あるいはそれ以上の長さにわたって前記基板表面に対向する対向面を有し、該対向面が前記基板表面から離間配置されるとともに該対向面と前記基板表面とに挟まれた間隙空間に前記液体が満たされて液密層が形成された状態で、前記基板に対して前記幅方向と直交する移動方向に相対移動自在な近接部材と、
前記近接部材を前記基板に対して前記移動方向に相対移動させる駆動手段と、
前記液体に溶解して表面張力を低下させる溶剤成分を必須的に含む溶剤ガスを前記移動方向の上流側における前記液密層の端部に向けて供給する溶剤ガス供給手段と、
前記近接部材の前記移動方向の下流側において前記基板表面に向けて前記液体を供給して、あるいは前記近接部材の上方より前記近接部材の側面を介して前記基板表面に向けて前記液体を供給して前記基板表面に接液している液体を供給した液体に置換する液体供給手段と
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記近接部材は、前記近接部材の上方より前記近接部材の側面を介して前記対向面を規定する辺部のうち前記移動方向の上流側に位置する上流辺部に向けて導く請求項1記載の基板処理装置。
- 前記近接部材は、前記近接部材の上方より前記近接部材の側面を介して前記対向面を規定する辺部のうち前記上流辺部とともに前記移動方向の下流側に位置する下流辺部に向けて導く請求項2記載の基板処理装置。
- 前記近接部材は、前記側面として前記上流辺部と接続されるとともに接続位置から前記移動方向の上流側を臨みながら前記基板表面から離れる方向に延設された延設面をさらに有し、前記近接部材の上方より供給された前記液体を前記延設面を介して前記上流辺部に向けて導く請求項2または3記載の基板処理装置。
- 前記近接部材の上流側端部では、前記対向面と前記延設面とが鋭角をなしている請求項4記載の基板処理装置。
- 前記近接部材は、前記延設面と対向して前記液体を前記上流辺部に向けて導く案内面をさらに有し、前記近接部材の上方より供給された前記液体で前記延設面と前記案内面との間を液密状態に満たしながら前記上流辺部に向けて前記液体を導く請求項4または5記載の基板処理装置。
- 前記溶剤ガス供給手段は、前記移動方向において前記液密層の上流側に位置する上流側雰囲気を取り囲むカバー部材を有し、前記上流側雰囲気に前記溶剤ガスを供給する請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記近接部材は、前記対向面の前記移動方向の上流側に前記基板表面に対向しながら離間配置されるとともに、ガス吐出口が開口された上流側対向部位をさらに有し、
前記溶剤ガス供給手段は、前記ガス吐出口から前記溶剤ガスを前記液密層の前記移動方向の上流側に向けて吐出する請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記近接部材が石英で形成されている請求項1ないし8のいずれかに記載の基板処理装置。
- 液体で濡れた基板の表面を乾燥させる基板処理方法において、
所定の幅方向で前記基板の径と同等あるいはそれ以上の長さにわたって前記基板表面に対向する対向面を有する近接部材を、前記対向面が前記基板表面から離間するように配置することによって前記対向面と前記基板表面とに挟まれた間隙空間に前記液体を満たして液密層を形成する工程と、
前記液密層が形成された状態を維持しつつ前記近接部材を前記基板に対して前記幅方向と直交する移動方向に相対移動させる工程と、
前記液体に溶解して表面張力を低下させる溶剤成分を必須的に含む溶剤ガスを前記移動方向の上流側における前記液密層の端部に向けて供給する工程と、
前記近接部材の前記移動方向の下流側において前記基板表面に向けて前記液体を供給して、あるいは前記近接部材の上方より前記近接部材の側面を介して前記基板表面に向けて前記液体を供給して前記基板表面に接液している液体を供給した液体に置換する工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006078228A JP4889331B2 (ja) | 2006-03-22 | 2006-03-22 | 基板処理装置および基板処理方法 |
TW095142530A TWI327341B (en) | 2006-03-22 | 2006-11-17 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
CNB2006101712418A CN100521076C (zh) | 2006-03-22 | 2006-12-21 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
KR1020070008226A KR100822511B1 (ko) | 2006-03-22 | 2007-01-26 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
US11/687,381 US20070220775A1 (en) | 2006-03-22 | 2007-03-16 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006078228A JP4889331B2 (ja) | 2006-03-22 | 2006-03-22 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007255752A JP2007255752A (ja) | 2007-10-04 |
JP4889331B2 true JP4889331B2 (ja) | 2012-03-07 |
Family
ID=38531832
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006078228A Expired - Fee Related JP4889331B2 (ja) | 2006-03-22 | 2006-03-22 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070220775A1 (ja) |
JP (1) | JP4889331B2 (ja) |
KR (1) | KR100822511B1 (ja) |
CN (1) | CN100521076C (ja) |
TW (1) | TWI327341B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10216786C5 (de) * | 2002-04-15 | 2009-10-15 | Ers Electronic Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden |
JP5043021B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2012-10-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板を乾燥するための方法及び装置 |
JP4903669B2 (ja) * | 2007-10-30 | 2012-03-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP5270263B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-08-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6649837B2 (ja) * | 2016-04-13 | 2020-02-19 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6916003B2 (ja) * | 2017-02-24 | 2021-08-11 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN111804543A (zh) * | 2020-07-19 | 2020-10-23 | 杭州夏尔电子科技有限公司 | 一种大型喷漆烘干设备 |
US11728185B2 (en) | 2021-01-05 | 2023-08-15 | Applied Materials, Inc. | Steam-assisted single substrate cleaning process and apparatus |
CN113471123B (zh) * | 2021-07-06 | 2023-08-25 | 华海清科股份有限公司 | 晶圆竖直旋转处理设备及其应用的通风系统 |
Family Cites Families (74)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5660642A (en) * | 1995-05-26 | 1997-08-26 | The Regents Of The University Of California | Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor |
US5983906A (en) * | 1997-01-24 | 1999-11-16 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for a cleaning process in a high temperature, corrosive, plasma environment |
US6354311B1 (en) * | 1997-09-10 | 2002-03-12 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate drying apparatus and substrate processing apparatus |
KR19990075167A (ko) * | 1998-03-18 | 1999-10-15 | 윤종용 | 웨이퍼 건조장치 및 이를 이용한 웨이퍼 건조방법 |
US6948873B2 (en) * | 1998-11-09 | 2005-09-27 | The Procter & Gamble Company | Cleaning composition, pad, wipe implement, and system and method of use thereof |
US6814519B2 (en) * | 1998-11-09 | 2004-11-09 | The Procter & Gamble Company | Cleaning composition, pad, wipe, implement, and system and method of use thereof |
US6910823B2 (en) * | 1998-11-09 | 2005-06-28 | The Procter & Gamble Company | Cleaning composition, pad, wipe, implement, and system and method of use thereof |
JP3653198B2 (ja) * | 1999-07-16 | 2005-05-25 | アルプス電気株式会社 | 乾燥用ノズルおよびこれを用いた乾燥装置ならびに洗浄装置 |
US6402401B1 (en) * | 1999-10-19 | 2002-06-11 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2001176833A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP2001334218A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-04 | Toshiba Corp | 基板の洗浄方法 |
US7000622B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-02-21 | Lam Research Corporation | Methods and systems for processing a bevel edge of a substrate using a dynamic liquid meniscus |
US7423003B2 (en) * | 2000-08-18 | 2008-09-09 | The Procter & Gamble Company | Fold-resistant cleaning sheet |
US6555017B1 (en) * | 2000-10-13 | 2003-04-29 | The Regents Of The University Of Caliofornia | Surface contouring by controlled application of processing fluid using Marangoni effect |
TW563196B (en) * | 2000-10-30 | 2003-11-21 | Dainippon Screen Mfg | Substrate processing apparatus |
US6899111B2 (en) * | 2001-06-15 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Configurable single substrate wet-dry integrated cluster cleaner |
US6730176B2 (en) * | 2001-07-09 | 2004-05-04 | Birol Kuyel | Single wafer megasonic cleaner method, system, and apparatus |
KR20030020059A (ko) * | 2001-08-29 | 2003-03-08 | 삼성전자주식회사 | 세정건조방법 및 장치 |
JP4003441B2 (ja) * | 2001-11-08 | 2007-11-07 | セイコーエプソン株式会社 | 表面処理装置および表面処理方法 |
US7073442B2 (en) * | 2002-07-03 | 2006-07-11 | Afbs, Inc. | Apparatus, systems and methods for use in three-dimensional printing |
US7297286B2 (en) * | 2002-07-29 | 2007-11-20 | Nanoclean Technologies, Inc. | Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants |
US7101260B2 (en) * | 2002-07-29 | 2006-09-05 | Nanoclean Technologies, Inc. | Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants |
US7066789B2 (en) * | 2002-07-29 | 2006-06-27 | Manoclean Technologies, Inc. | Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants |
KR100493849B1 (ko) * | 2002-09-30 | 2005-06-08 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 건조 장치 |
US6988326B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
JP2004134674A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Toshiba Corp | 基板処理方法、加熱処理装置、パターン形成方法 |
US7372541B2 (en) * | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3977324B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2007-09-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
KR20130010039A (ko) * | 2002-12-10 | 2013-01-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP4352874B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7242455B2 (en) * | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
KR101036114B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2011-05-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법 |
KR101875296B1 (ko) * | 2003-02-26 | 2018-07-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
KR101181688B1 (ko) * | 2003-03-25 | 2012-09-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
ATE426914T1 (de) * | 2003-04-07 | 2009-04-15 | Nikon Corp | Belichtungsgerat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung |
WO2004093159A2 (en) * | 2003-04-09 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Immersion lithography fluid control system |
KR101497289B1 (ko) * | 2003-04-10 | 2015-02-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
EP2717098B1 (en) * | 2003-04-10 | 2015-05-13 | Nikon Corporation | Environmental system including vaccum scavange for an immersion lithography apparatus |
KR101129213B1 (ko) * | 2003-04-10 | 2012-03-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 액체를 수집하는 런-오프 경로 |
KR101697896B1 (ko) * | 2003-04-11 | 2017-01-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
JP4582089B2 (ja) * | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
EP1614000B1 (en) * | 2003-04-17 | 2012-01-18 | Nikon Corporation | Immersion lithographic apparatus |
TWI295414B (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100437358C (zh) * | 2003-05-15 | 2008-11-26 | 株式会社尼康 | 曝光装置及器件制造方法 |
TWI424470B (zh) * | 2003-05-23 | 2014-01-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
TW201515064A (zh) * | 2003-05-23 | 2015-04-16 | 尼康股份有限公司 | 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法 |
KR20150036794A (ko) * | 2003-05-28 | 2015-04-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
US7317504B2 (en) * | 2004-04-08 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101421866B1 (ko) * | 2003-06-13 | 2014-07-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
TWI564933B (zh) * | 2003-06-19 | 2017-01-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method |
US8522801B2 (en) * | 2003-06-27 | 2013-09-03 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate |
EP1639391A4 (en) * | 2003-07-01 | 2009-04-29 | Nikon Corp | USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS |
EP2853943B1 (en) * | 2003-07-08 | 2016-11-16 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
KR101296501B1 (ko) * | 2003-07-09 | 2013-08-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7326522B2 (en) * | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
EP1503244A1 (en) * | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
KR101748923B1 (ko) * | 2003-09-03 | 2017-06-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
US7411653B2 (en) * | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7352433B2 (en) * | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7394521B2 (en) * | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050252522A1 (en) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Struven Kenneth C | Megasonic cleaning with obliquely aligned transducer |
US7486381B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7463330B2 (en) * | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060021642A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-02 | Sliwa John W Jr | Apparatus and method for delivering acoustic energy through a liquid stream to a target object for disruptive surface cleaning or treating effects |
US20070175502A1 (en) * | 2004-07-30 | 2007-08-02 | I.P. Foundry, Inc. | Apparatus and method for delivering acoustic energy through a liquid stream to a target object for disruptive surface cleaning or treating effects |
US7397533B2 (en) * | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7282701B2 (en) * | 2005-02-28 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Sensor for use in a lithographic apparatus |
US7553440B2 (en) * | 2005-05-12 | 2009-06-30 | Leonard William K | Method and apparatus for electric treatment of substrates |
JP4841376B2 (ja) * | 2006-02-07 | 2011-12-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4641964B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-03-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
TW200739710A (en) * | 2006-04-11 | 2007-10-16 | Dainippon Screen Mfg | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
US8261758B2 (en) * | 2006-08-17 | 2012-09-11 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for cleaning and removing liquids from front and back sides of a rotating workpiece |
JP4763563B2 (ja) * | 2006-09-20 | 2011-08-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法 |
JP4886544B2 (ja) * | 2007-02-09 | 2012-02-29 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
2006
- 2006-03-22 JP JP2006078228A patent/JP4889331B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-17 TW TW095142530A patent/TWI327341B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-12-21 CN CNB2006101712418A patent/CN100521076C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-01-26 KR KR1020070008226A patent/KR100822511B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-03-16 US US11/687,381 patent/US20070220775A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070095759A (ko) | 2007-10-01 |
CN100521076C (zh) | 2009-07-29 |
US20070220775A1 (en) | 2007-09-27 |
KR100822511B1 (ko) | 2008-04-16 |
JP2007255752A (ja) | 2007-10-04 |
TWI327341B (en) | 2010-07-11 |
TW200746281A (en) | 2007-12-16 |
CN101042983A (zh) | 2007-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4641964B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4889331B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2008198958A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4758694B2 (ja) | 近接型プロキシミティプロセスヘッド | |
EP1583136B1 (en) | Control of ambient environment during wafer drying using proximity head | |
CN106796876B (zh) | 基板液体处理方法、基板液体处理装置以及存储有基板液体处理程序的计算机可读存储介质 | |
US8607807B2 (en) | Liquid treatment apparatus and method | |
JP6118758B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
KR20070072385A (ko) | 기판의 세척 장치 및 방법 | |
JP4812563B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6224515B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP2008177495A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2008034428A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
US7373736B2 (en) | Substrate processing apparatus and method with proximity guide and liquid-tight layer | |
KR20100019441A (ko) | 조기 건조를 방지하는 장치, 시스템, 및 방법 | |
JP6983571B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2009117826A (ja) | 基板処理装置及び方法 | |
JP2008243935A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6411571B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP2007266336A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2003151947A (ja) | 表面処理装置および表面処理方法 | |
JP2007266363A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
TW202220027A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP2009026911A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2003142450A (ja) | 表面処理装置および表面処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110331 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110517 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110714 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111213 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141222 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |