JP4641964B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4641964B2 JP4641964B2 JP2006095041A JP2006095041A JP4641964B2 JP 4641964 B2 JP4641964 B2 JP 4641964B2 JP 2006095041 A JP2006095041 A JP 2006095041A JP 2006095041 A JP2006095041 A JP 2006095041A JP 4641964 B2 JP4641964 B2 JP 4641964B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- processing apparatus
- upstream
- substrate processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
Description
図1は、この発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を示す図である。また、図2は図1の基板処理装置の部分拡大図である。詳しくは、図2(a)は基板処理装置の部分側面図であり、同図(b)はその平面図である。この基板処理装置は半導体ウエハ等の基板Wの表面Wfに付着した汚染物質を除去するための洗浄処理に用いられる枚葉式の基板処理装置である。より具体的には、パターンが形成された基板表面Wfに対して薬液による薬液処理および純水やDIW(=deionized water)などのリンス液によるリンス処理を施した後、リンス処理を受けた基板Wに対して乾燥処理を行う装置である。この基板処理装置では、最終的にリンス処理を受けた基板Wには、リンス液が基板表面Wfの全体に付着した、いわゆるパドル状のリンス層21が形成されており、この状態で乾燥処理を実行する。
図7は、この発明にかかる基板処理装置の第2実施形態を示す図である。具体的には、同図(a)は基板処理装置の部分側面図であり、同図(b)はその平面図である。この第2実施形態にかかる基板処理装置が第1実施形態と大きく相違する点は、近接ブロック3にカバー部材58が装着されている点である。なお、その他の構成および動作は基本的に第1実施形態と同様であるため、ここでは同一符号を付して説明を省略する。
図8は、この発明にかかる基板処理装置の第3実施形態を示す図である。また、図9は図8の基板処理装置の部分拡大図である。詳しくは、図9(a)は基板処理装置の部分側面図であり、同図(b)はその平面図である。この第3実施形態にかかる基板処理装置が第1実施形態と大きく相違する点は、近接ブロック3の相対移動中に、移動方向において近接ブロック3の下流側の基板表面Wfのリンス層21に向けて液体を追加供給している点である。なお、その他の構成および動作は第1実施形態と同様であるため、ここでは同一符号を付して説明を省略する。
図10は、この発明にかかる基板処理装置の第4実施形態を示す図である。この第4実施形態にかかる基板処理装置が第2実施形態と大きく相違する点は、近接ブロック3の相対移動中に近接ブロック3の上面34に液体を追加供給している点である。すなわち、この第4実施形態は、第3実施形態に対して、近接ブロック3にカバー部材58を装着するとともに、基板表面Wfに接液するリンス層21に直接に液体を追加供給するのに替えて、近接ブロック3の上面34に液体を追加供給する点で相違している。なお、その他の構成および動作は第2、第3実施形態と同様であるため、ここでは同一符号を付して説明を省略する。
図11は、この発明にかかる基板処理装置の第5実施形態を示す図である。この第5実施形態にかかる基板処理装置が第4実施形態と大きく相違する点は、液体ノズル71から吐出された液体を側面32との間で液密状態に満たしながら上流辺部33に向けて導くための構成を追加している点と、溶剤ガスの滞留を防止するための構成を追加している点である。なお、その他の構成および動作は基本的に第4実施形態と同様であるため、ここでは同一符号を付して説明を省略する。
図12は、この発明にかかる基板処理装置の第6実施形態を示す図である。この第6実施形態にかかる基板処理装置が第5実施形態と大きく相違する点は、近接ブロック3を移動させながら液体ノズル71から近接ブロック3に液体を供給するのに替えて、近接ブロック3への液体の供給を近接ブロック3による基板表面Wfに対するスキャン実行前に行っている点である。なお、その他の構成および動作は第5実施形態と同様である。
図13は、この発明にかかる基板処理装置の第7実施形態である乾燥処理装置を備えた基板処理システムを示す図である。また、図14は、図13の乾燥処理装置を示す図である。これまでの実施形態では、スピンチャック1に保持された基板Wに対して薬液処理およびリンス処理などの湿式処理を施した後に、そのまま同一装置内でリンス処理済の基板に対して近接ブロック3を移動方向にスキャンさせて乾燥処理を実行するように構成していたのに対して、この実施形態では、湿式処理と乾燥処理とを分離して行うようにしている。すなわち、図13に示す基板処理システムでは、基板Wに対して薬液処理およびリンス処理を施す湿式処理装置100と、近接ブロック3が組み込まれ、基板Wを乾燥する乾燥処理装置200とを一定距離だけ離間して配置するとともに、湿式処理装置100で最終的にリンス処理を受けた基板を基板搬送装置300により乾燥処理装置200に搬送して乾燥処理を実行する。なお、第1実施形態と同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、近接ブロック3は幅方向の長さが基板Wと同一あるいはそれよりも長く延びる棒状形状を有しているが、近接ブロック3の外形形状はこれに限定されるものではなく、例えば基板Wの外周形状に対応した半リング形状を有するものを用いてもよい。また、上記実施形態では、基板Wを固定配置した状態で近接ブロック3を移動させて乾燥処理を実行しているが、基板側も同時に相対移動させるように構成してもよい。また、近接ブロック3を固定配置する一方、基板Wのみを移動させてもよい。要は、基板表面Wfから離間配置された対向面31と基板表面Wfとに挟まれた間隙空間SPにリンス液を満たして液密層23を形成した状態で、基板Wに対して近接ブロック3を移動方向に相対移動させるように構成すればよい。
Claims (15)
- 液体で濡れた基板表面を上方に向けて水平に保持された基板を乾燥させる基板処理装置において、
前記基板表面に対向する対向面を有し、該対向面が前記基板表面から離間配置されるとともに該対向面と前記基板表面とに挟まれた間隙空間に前記液体が満たされて液密層が形成された状態で、前記基板に対して所定の移動方向に相対移動自在な近接部材と、
前記近接部材を前記基板に対して前記移動方向に相対移動させる駆動手段と、
前記液体に溶解して表面張力を低下させる溶剤成分を必須的に含む溶剤ガスを前記移動方向における前記液密層の上流側端部に向けて供給する溶剤ガス供給手段と、
前記基板表面全体にパドル状の液体層を形成する液体層形成手段とを備え、
前記近接部材は、前記対向面を規定する辺部のうち前記移動方向の上流側に位置する上流辺部と接続されるとともに該接続位置から前記移動方向の上流側を臨みながら前記基板表面から離れる方向に傾斜して設けられた延設面を有し、
前記溶剤ガス供給手段は、前記近接部材の上流側端部の上方に配置されて前記液密層の上流側端部に向けて前記溶剤ガスを吐出するガスノズルを有し、
前記駆動手段は、前記液体層形成手段により形成された前記液体層に前記近接部材を相対移動させて前記液密層を形成する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 前記液体層形成手段は、前記基板表面に対して前記液体を用いた所定の湿式処理を実行するとともに、該湿式処理の実行後に前記基板表面の全面に前記パドル状の液体層を形成する湿式処理手段を有する請求項1記載の基板処理装置。
- 前記液体がリンス液であり、前記湿式処理手段は、前記湿式処理としてリンス処理を実行する請求項2記載の基板処理装置。
- 前記液体層形成手段は、前記近接部材の前記対向面が前記基板表面から離間配置されて前記間隙空間に前記液密層が形成される前に、前記基板表面に向けて前記液体を供給して前記基板表面の全面に前記パドル状の液体層を形成する第1液体供給手段を有する請求項1記載の基板処理装置。
- 前記第1液体供給手段は、前記基板表面に向けて前記液体を吐出する第1ノズルを有する請求項4記載の基板処理装置。
- 前記近接部材の相対移動中に前記移動方向における前記液密層の上流側端部より下流側の前記基板表面に向けて前記液体を供給する第2液体供給手段をさらに備えた請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記第2液体供給手段は、前記近接部材の対向面を除く非対向面に向けて前記液体を吐出する第2ノズルを有し、
前記近接部材は、前記第2ノズルから前記非対向面に吐出された前記液体を前記非対向面に沿って、前記上流辺部に向けて導く請求項6記載の基板処理装置。 - 前記近接部材は、前記第2ノズルから前記非対向面に吐出された前記液体を前記非対向面に沿って、前記対向面を規定する辺部のうち前記上流辺部とともに前記移動方向の下流側に位置する下流辺部に向けて導く請求項7記載の基板処理装置。
- 前記近接部材は、前記第2ノズルから吐出された前記液体を前記延設面を介して前記上流辺部に向けて導く請求項7または8記載の基板処理装置。
- 前記近接部材の上流側端部では、前記対向面と前記延設面とが鋭角をなしている請求項9記載の基板処理装置。
- 前記近接部材は、前記延設面と対向して前記液体を前記上流辺部に向けて導く案内面をさらに有し、前記第2ノズルから吐出された前記液体で前記延設面と前記案内面との間を液密状態に満たしながら前記上流辺部に向けて前記液体を導く請求項9または10記載の基板処理装置。
- 前記溶剤ガス供給手段は、前記移動方向において前記液密層の上流側に位置する上流側雰囲気を取り囲むカバー部材を有し、前記上流側雰囲気に前記溶剤ガスを供給する請求項1ないし11のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記近接部材は、前記対向面の前記移動方向の上流側に前記基板表面に対向しながら離間配置されるとともに、ガス吐出口が開口された上流側対向部位をさらに有し、
前記溶剤ガス供給手段は、前記ガス吐出口から前記溶剤ガスを前記液密層の前記移動方向の上流側に向けて吐出する請求項1ないし11のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記近接部材が石英で形成されている請求項1ないし13のいずれかに記載の基板処理装置。
- 液体で濡れた基板表面を上方に向けて水平に保持された基板を乾燥させる基板処理方法において、
前記基板表面全体にパドル状の液体層を形成する工程と、
前記基板表面に対向する対向面と、前記対向面を規定する辺部のうち所定の移動方向の上流側に位置する上流辺部と接続されるとともに該接続位置から前記移動方向の上流側を臨みながら前記基板表面から離れる方向に傾斜して設けられた延設面とを有する近接部材を、前記液体層中でかつ前記基板表面から前記対向面が離間するように配置することによって、前記対向面と前記基板表面とに挟まれた間隙空間に前記液体を満たして液密層を形成する工程と、
前記液密層が形成された状態を維持しつつ前記近接部材を前記基板に対して前記移動方向に相対移動させる工程と、
前記近接部材の上流側端部の上方に配置されるノズルから前記液体に溶解して表面張力を低下させる溶剤成分を必須的に含む溶剤ガスを前記移動方向における前記液密層の上流側端部に向けて供給する工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006095041A JP4641964B2 (ja) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | 基板処理装置および基板処理方法 |
TW096105187A TW200737321A (en) | 2006-03-30 | 2007-02-13 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR1020070022071A KR100858578B1 (ko) | 2006-03-30 | 2007-03-06 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
CNB2007100878482A CN100505156C (zh) | 2006-03-30 | 2007-03-21 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
US11/689,073 US8857449B2 (en) | 2006-03-30 | 2007-03-21 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006095041A JP4641964B2 (ja) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007273575A JP2007273575A (ja) | 2007-10-18 |
JP4641964B2 true JP4641964B2 (ja) | 2011-03-02 |
Family
ID=38557067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006095041A Expired - Fee Related JP4641964B2 (ja) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8857449B2 (ja) |
JP (1) | JP4641964B2 (ja) |
KR (1) | KR100858578B1 (ja) |
CN (1) | CN100505156C (ja) |
TW (1) | TW200737321A (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5333732B2 (ja) | 2005-04-01 | 2013-11-06 | テル エフエスアイ インコーポレイテッド | マイクロエレクトロニクス用の加工物をプロセス処理するための装置 |
JP4889331B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2012-03-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2009543338A (ja) | 2006-07-07 | 2009-12-03 | エフエスアイ インターナショナル インコーポレーテッド | 1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理するために用いられる道具において使われる隔壁構造およびノズル装置 |
KR100829376B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2008-05-13 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 세정방법 |
JP5084656B2 (ja) * | 2008-07-29 | 2012-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法及び現像処理装置 |
JP5270263B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-08-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN101526760B (zh) * | 2009-04-10 | 2011-09-07 | 友达光电股份有限公司 | 基板处理系统及显影方法 |
US20110130009A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-02 | Lam Research Ag | Method and apparatus for surface treatment using a mixture of acid and oxidizing gas |
CN102062524B (zh) * | 2010-11-22 | 2012-11-21 | 烟台睿创微纳技术有限公司 | 一种用于mems器件圆片的自动干燥设备 |
JP5584653B2 (ja) * | 2010-11-25 | 2014-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN102028357B (zh) * | 2010-11-30 | 2012-08-15 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 毛刷清洗装置及其使用方法 |
SG192847A1 (en) * | 2011-03-18 | 2013-09-30 | Basf Se | Method for manufacturing integrated circuit devices, optical devices, micromachines and mechanical precision devices having patterned material layers with line-space dimensions of 50 nm and less |
JP6916003B2 (ja) * | 2017-02-24 | 2021-08-11 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
US11728185B2 (en) | 2021-01-05 | 2023-08-15 | Applied Materials, Inc. | Steam-assisted single substrate cleaning process and apparatus |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10321587A (ja) * | 1997-05-20 | 1998-12-04 | Kaijo Corp | 基板の乾燥方法 |
JP2003068702A (ja) * | 2001-06-08 | 2003-03-07 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2003109929A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Alps Electric Co Ltd | ウエット処理用ノズルおよびウエット処理装置 |
JP2003151947A (ja) * | 2001-11-08 | 2003-05-23 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置および表面処理方法 |
JP2004014869A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置 |
JP2005131602A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Sharp Corp | 洗浄装置 |
JP2006066579A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3928125A (en) * | 1972-12-18 | 1975-12-23 | Feldmuehle Anlagen Prod | Water extraction apparatus for papermaking machine |
JP3653198B2 (ja) | 1999-07-16 | 2005-05-25 | アルプス電気株式会社 | 乾燥用ノズルおよびこれを用いた乾燥装置ならびに洗浄装置 |
AT411335B (de) * | 2002-03-06 | 2003-12-29 | Sez Ag | Verfahren zum nassbehandeln von scheibenförmigen gegenständen |
KR100959740B1 (ko) | 2002-06-07 | 2010-05-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판처리장치 |
US7383843B2 (en) * | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
JP4589866B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2010-12-01 | ラム リサーチ コーポレーション | メニスカス、真空、ipa蒸気、乾燥マニホルドを用いた基板処理システム |
JP2004335840A (ja) | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Personal Creation Ltd | 基板からの水分除去装置及び水分除去方法 |
-
2006
- 2006-03-30 JP JP2006095041A patent/JP4641964B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-02-13 TW TW096105187A patent/TW200737321A/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-03-06 KR KR1020070022071A patent/KR100858578B1/ko active IP Right Grant
- 2007-03-21 CN CNB2007100878482A patent/CN100505156C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-21 US US11/689,073 patent/US8857449B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10321587A (ja) * | 1997-05-20 | 1998-12-04 | Kaijo Corp | 基板の乾燥方法 |
JP2003068702A (ja) * | 2001-06-08 | 2003-03-07 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2003109929A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Alps Electric Co Ltd | ウエット処理用ノズルおよびウエット処理装置 |
JP2003151947A (ja) * | 2001-11-08 | 2003-05-23 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置および表面処理方法 |
JP2004014869A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置 |
JP2005131602A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Sharp Corp | 洗浄装置 |
JP2006066579A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100505156C (zh) | 2009-06-24 |
KR20070098509A (ko) | 2007-10-05 |
KR100858578B1 (ko) | 2008-09-17 |
CN101047110A (zh) | 2007-10-03 |
US20070227566A1 (en) | 2007-10-04 |
US8857449B2 (en) | 2014-10-14 |
JP2007273575A (ja) | 2007-10-18 |
TWI346976B (ja) | 2011-08-11 |
TW200737321A (en) | 2007-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4641964B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4889331B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2008198958A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4758694B2 (ja) | 近接型プロキシミティプロセスヘッド | |
JP5331865B2 (ja) | 基板処理においてメニスカスを用いるための装置および方法 | |
US20070295365A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
KR20070072385A (ko) | 기판의 세척 장치 및 방법 | |
JP2006041504A (ja) | 非親和性の障壁によるメニスカスの分離および閉じ込め | |
JP2006148069A (ja) | 基板を処理するための装置および方法 | |
JP4812563B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2008071875A (ja) | 基板処理装置、液膜凍結方法および基板処理方法 | |
JP7197376B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2008177495A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
US10684548B2 (en) | Developing method | |
JP2008034428A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
US7373736B2 (en) | Substrate processing apparatus and method with proximity guide and liquid-tight layer | |
KR100766343B1 (ko) | 기판 세정 건조 방법 | |
JP2008243935A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4936878B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2007266336A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2007266363A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2009026911A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2008028068A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100908 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101111 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101130 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4641964 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |