CN101526760B - 基板处理系统及显影方法 - Google Patents

基板处理系统及显影方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101526760B
CN101526760B CN2009101312391A CN200910131239A CN101526760B CN 101526760 B CN101526760 B CN 101526760B CN 2009101312391 A CN2009101312391 A CN 2009101312391A CN 200910131239 A CN200910131239 A CN 200910131239A CN 101526760 B CN101526760 B CN 101526760B
Authority
CN
China
Prior art keywords
flusher
substrate
base plate
processing system
plate processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2009101312391A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101526760A (zh
Inventor
曾振助
徐士超
林欣洵
刘孟容
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AU Optronics Corp
Original Assignee
AU Optronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AU Optronics Corp filed Critical AU Optronics Corp
Priority to CN2009101312391A priority Critical patent/CN101526760B/zh
Publication of CN101526760A publication Critical patent/CN101526760A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101526760B publication Critical patent/CN101526760B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基板处理系统及显影方法,包含水洗管路装置、喷洒装置及气体管路装置。水洗管路装置用以控制水的通入。喷洒装置经由输送管路连接水洗管路装置,并用以对基板喷洒液态物质。气体管路装置与水洗管路装置并联相接,且经由输送管路连接喷洒装置,并用以控制气体的通入,将输送管路以及喷洒装置中残余的物体喷出。

Description

基板处理系统及显影方法
技术领域
本发明涉及一种基板处理系统,且尤其涉及一种应用于微影工艺中的基板处理系统。
背景技术
一般在半导体或液晶显示器的基板进行微影工艺时,现有技术的作法是将基板上先显影的部分,对其先进行水洗的步骤,如此即可平衡基板上左右部分具有显影时间差的问题。
然而,由于机台是处于连续运作的状态,亦即,在生产的过程中,对基板的处理是一片接着一片的连续动作。因此,当以上述方法(即对先显影的部分先进行水洗)处理基板时,在基板进行显影步骤的过程中,水洗喷头中残余的水汽,可能会因为机台的运作而产生震动,造成漏出的情况,进而导致基板上有显影不良的问题发生。
发明内容
本发明的目的是在提供一种基板处理系统,借以解决基板上显影不良的问题。
本发明的另一目的是在提供一种显影方法,借以改善基板的显影工艺及其显影品质。
为实现上述目的,本发明的一技术样态是关于一种基板处理系统,其包含一水洗管路装置、一喷洒装置以及一气体管路装置。水洗管路装置用以控制水的通入。喷洒装置经由一输送管路连接水洗管路装置,并用以对基板喷洒液态物质。气体管路装置与水洗管路装置并联相接,且经由输送管路连接喷洒装置,并用以控制气体的通入,将输送管路以及喷洒装置中残余的物体喷出。
而且,为实现上述目的,本发明的另一技术样态是关于一种显影方法,其包含:通过一喷洒装置对一基板喷洒显影剂;通过一输送管路通入水至喷洒装置;通过喷洒装置对基板喷洒水;在喷洒装置对基板喷洒水之后,通过输送管路通入气体至喷洒装置;以及通过通入的气体将输送管路以及喷洒装置中残余的物体喷出。
根据本发明的技术内容,应用前述基板处理系统或显影方法,可解决产品在黄光工艺中因漏水所造成显影不良的问题,改善显影的质量,以提升产品的特性。
附图说明
图1为依照本发明的实施例绘示一种基板处理系统的示意图;
图2和图3为依照本发明的实施例绘示一种显影工艺中基板处理系统作动的示意图;
图4为依照本发明的实施例绘示一种显影方法的流程图。
其中,附图标记:
100:基板处理系统            102:水洗管路装置
104:气体管路装置            106:喷洒装置
108:输送管路                110:基板
112:控制阀                  116:水喷洒器
120:检测装置                126:显影剂喷洒器
402~412:步骤
具体实施方式
图1为依照本发明的实施例绘示一种基板处理系统的示意图。基板处理系统100包括水洗管路装置102、气体管路装置104、喷洒装置106以及输送管路108。其中,水洗管路装置102用以控制水(如:纯水或去离子水)的通入与否,喷洒装置106经由输送管路108与水洗管路装置102连接,并经由喷嘴对基板110喷洒液态物质(例如:去离子水或显影剂等),而气体管路装置104则是与水洗管路装置102并联相接,且经由输送管路108与喷洒装置106连接,并用以控制气体(例如:干空气)的通入与否,通过通入的气体将输送管路108以及喷洒装置106中残余的物体(例如:残余水汽)喷出。在本实施例中,气体管路装置104可通过交换阀或控制阀112与水洗管路装置102并联相接,且气体管路装置104和水洗管路装置102均与输送管路108连接,而喷洒装置106为自基板110的一侧朝基板110相对的另一侧移动,而对基板110喷洒经水洗管路装置102通入的去离子水,或者对基板110喷洒显影剂。
此外,喷洒装置106可包含水喷洒器116,其用以自基板110的一侧朝基板110相对的另一侧移动,对基板110喷洒水洗管路装置102所控制而通入的纯水或去离子水(DI water)。另外,喷洒装置106中也可包括显影剂喷洒器126,其用以自基板110的一侧朝基板110相对的另一侧移动,对基板110喷洒显影剂。
再者,基板处理系统100还可包括检测装置120,其直接或间接地与气体管路装置104电性连接。在一实施例中,检测装置120可用以检测喷洒装置106对基板110喷洒去离子水之后所在的位置,并在检测喷洒装置106所在位置之后,驱动气体管路装置104,以通过干空气将输送管路108以及喷洒装置106中残余的去离子水喷出。在另一实施例中,检测装置120则是可用以检测喷洒装置106是否完成对基板110喷洒去离子水的动作,并在喷洒装置106完成对基板110喷洒去离子水的动作后,控制气体管路装置104,以通过干空气将输送管路108和喷洒装置106中残余的去离子水喷出。
图2和图3为依照本发明的实施例绘示一种显影工艺中基板处理系统作动的示意图。在本实施例中,在喷洒装置106自基板110的一侧朝基板110相对的另一侧移动,而对基板110喷洒显影剂之后,喷洒装置106会回到基板110原先的一侧,接续对先显影的部分进行水洗。此时,水洗管路装置102控制去离子水的通入,使其经由输送管路108传输至喷洒装置106中,然后喷洒装置106再自基板110的一侧朝基板110相对的另一侧移动,对基板110进行水洗的动作(如图2所示)。
接着,当喷洒装置106移动至基板110相对的另一侧时,水洗管路装置102会关闭去离子水的通入。此时,检测装置120会检测喷洒装置106所在的位置或是其所完成的喷洒动作,然后直接或间接地将检测信号传送至气体管路装置104,驱动气体管路装置104而使干空气通入,借以将输送管路108和喷洒装置106中残余的去离子水喷出。
图4为依照本发明的实施例绘示一种显影方法的流程图。请同时参照图1和图4。首先,自基板110的一侧朝基板110相对的另一侧移动喷洒装置106,通过喷洒装置106对基板110喷洒显影剂,以进行显影步骤(步骤402)。接着,通过输送管路108通入纯水或去离子水至喷洒装置106中(步骤404)。再者,自基板110的一侧朝基板110相对的另一侧移动喷洒装置106,通过喷洒装置106对基板110喷洒纯水或去离子水,以进行水洗步骤(步骤406)。
然后,当喷洒装置106移动至基板110相对的另一侧,且完成对基板110喷洒纯水或去离子水的动作后,对喷洒装置106所在的位置进行检测(步骤408)。接着,根据检测的结果通过输送管路108通入气体(如:干空气)至喷洒装置106中(步骤410)。之后,再通过通入的气体将输送管路108和喷洒装置106中残余的纯水或去离子水喷出(步骤412),以防止喷洒装置106对下一片基板喷洒显影剂而进行显影步骤时,喷洒装置106因机构作动的震动造成漏水,而造成显影不良。在另一实施例中,更可检测喷洒装置106是否完成对基板水洗的步骤,若喷洒装置106完成对基板水洗的步骤,则通过输送管路108通入气体至喷洒装置106中。
由上述本发明的实施例可知,应用前述的基板处理系统或显影方法,可解决产品在黄光工艺中因漏水所造成显影不良的问题,改善显影的质量,以提升产品的特性。。
当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (15)

1.一种基板处理系统,其特征在于,包含:
一水洗管路装置,用以控制水的通入;
一喷洒装置,经由一输送管路连接该水洗管路装置,并用以对该基板喷洒液态物质;以及
一气体管路装置,与该水洗管路装置并联相接,且经由该输送管路连接该喷洒装置,并用以控制气体的通入,将该输送管路以及该喷洒装置中残余的物体喷出。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统,其特征在于,还包含:一检测装置,直接或间接地电性连接于该气体管路装置。
3.根据权利要求2所述的基板处理系统,其特征在于,该检测装置用以检测该喷洒装置对该基板喷洒液态物质之后所在位置。
4.根据权利要求3所述的基板处理系统,其特征在于,该检测装置在检测该喷洒装置所在位置之后,驱动该气体管路装置将该输送管路以及该喷洒装置中残余的物体喷出。
5.根据权利要求2所述的基板处理系统,其特征在于,该检测装置用以检测该喷洒装置是否完成对该基板喷洒液态物质的动作。
6.根据权利要求5所述的基板处理系统,其特征在于,当该喷洒装置完成对该基板喷洒液态物质的动作后,该检测装置控制该气体管路装置将该输送管路以及该喷洒装置中残余的物体喷出。
7.根据权利要求1所述的基板处理系统,其特征在于,该喷洒装置还包含:一水喷洒器,用以对该基板喷洒水。
8.根据权利要求1所述的基板处理系统,其特征在于,该喷洒装置还包含:一水喷洒器,用以自该基板的一侧朝该基板相对的另一侧移动以对该基板喷洒该水洗管路装置所控制而通入的水。
9.根据权利要求1所述的基板处理系统,其特征在于,该喷洒装置还包含:一显影剂喷洒器,用以对该基板喷洒显影剂。
10.根据权利要求1所述的基板处理系统,其特征在于,该喷洒装置还包含:一显影剂喷洒器,用以自该基板的一侧朝该基板相对的另一侧移动以对该基板喷洒显影剂。
11.一种显影方法,其特征在于,包含:
通过一喷洒装置对一基板喷洒显影剂;
通过一输送管路通入水至该喷洒装置;
通过该喷洒装置对该基板喷洒水;
在该喷洒装置对该基板喷洒水之后,通过该输送管路通入气体至该喷洒装置;以及
通过通入的气体将该输送管路以及该喷洒装置中残余的物体喷出。
12.根据权利要求11所述的显影方法,其特征在于,还包含:
检测该喷洒装置对该基板喷洒水之后所在位置;以及
根据检测结果通入气体至该喷洒装置。
13.根据权利要求11所述的显影方法,其特征在于,还包含:
检测该喷洒装置是否完成对该基板喷洒水的动作;以及
当该喷洒装置完成对该基板喷洒水的动作后,通入气体至该喷洒装置。
14.根据权利要求11所述的显影方法,其特征在于,对该基板喷洒显影剂的步骤还包含:
自该基板的一侧朝该基板相对的另一侧移动该喷洒装置以对该基板喷洒显影剂。
15.根据权利要求11所述的显影方法,其特征在于,对该基板喷洒水的步骤还包含:
自该基板的一侧朝该基板相对的另一侧移动该喷洒装置以对该基板喷洒水。
CN2009101312391A 2009-04-10 2009-04-10 基板处理系统及显影方法 Expired - Fee Related CN101526760B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009101312391A CN101526760B (zh) 2009-04-10 2009-04-10 基板处理系统及显影方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009101312391A CN101526760B (zh) 2009-04-10 2009-04-10 基板处理系统及显影方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101526760A CN101526760A (zh) 2009-09-09
CN101526760B true CN101526760B (zh) 2011-09-07

Family

ID=41094671

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009101312391A Expired - Fee Related CN101526760B (zh) 2009-04-10 2009-04-10 基板处理系统及显影方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101526760B (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1442758A (zh) * 2002-03-04 2003-09-17 东京毅力科创株式会社 液体处理方法和液体处理装置
CN1448799A (zh) * 2002-03-08 2003-10-15 东京毅力科创株式会社 衬底处理装置和衬底处理方法
JP2004022857A (ja) * 2002-06-18 2004-01-22 Fujitsu Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
CN1499299A (zh) * 2002-10-25 2004-05-26 东京毅力科创株式会社 基板校准装置,基板处理装置及基板搬运装置
CN1503928A (zh) * 2001-02-28 2004-06-09 �ź㴫 均匀涂布基片的方法
TW200737321A (en) * 2006-03-30 2007-10-01 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus and substrate processing method
US7399578B2 (en) * 2001-05-14 2008-07-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Alkaline solution and manufacturing method, and alkaline solution applied to pattern forming method, resist film removing method, solution application method, substrate treatment method, solution supply method, and semiconductor device manufacturing method

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1503928A (zh) * 2001-02-28 2004-06-09 �ź㴫 均匀涂布基片的方法
US7399578B2 (en) * 2001-05-14 2008-07-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Alkaline solution and manufacturing method, and alkaline solution applied to pattern forming method, resist film removing method, solution application method, substrate treatment method, solution supply method, and semiconductor device manufacturing method
CN1442758A (zh) * 2002-03-04 2003-09-17 东京毅力科创株式会社 液体处理方法和液体处理装置
CN1448799A (zh) * 2002-03-08 2003-10-15 东京毅力科创株式会社 衬底处理装置和衬底处理方法
JP2004022857A (ja) * 2002-06-18 2004-01-22 Fujitsu Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
CN1499299A (zh) * 2002-10-25 2004-05-26 东京毅力科创株式会社 基板校准装置,基板处理装置及基板搬运装置
TW200737321A (en) * 2006-03-30 2007-10-01 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus and substrate processing method

Also Published As

Publication number Publication date
CN101526760A (zh) 2009-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2011149508A3 (en) Apparatus and method for temperature control of a semiconductor substrate support
SG126044A1 (en) Coating and developing system
TW200737321A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI820065B (zh) 液供給裝置及液供給方法
CN102468138B (zh) 基板处理方法、程序、计算机存储介质和基板处理装置
JP2006286665A (ja) 電子デバイス洗浄方法及び電子デバイス洗浄装置
KR20100110726A (ko) 기판 처리 장치
TW200743913A (en) Apparatus and method for particle monitoring in immersion lithography
CN105321852A (zh) 用于晶片形物品的液体处理的方法和装置
US20170087507A1 (en) Tail gas treatment device and tail gas treatment method
US7635417B2 (en) Semiconductor apparatus and cleaning unit thereof
CN102540769A (zh) 显影方法
CN101526760B (zh) 基板处理系统及显影方法
CN108568419B (zh) 基板清洗系统及清洗方法
CN207502908U (zh) 一种光阻供应系统
KR100940405B1 (ko) 포토레지스트 노즐팁 세정장치
JP2009081224A (ja) 枚葉式洗浄装置
JP2005019991A (ja) 基板処理装置
TWI381475B (zh) 基板處理系統及顯影方法
CN110106504B (zh) 一种蚀刻设备
JP6984431B2 (ja) 流路洗浄方法及び流路洗浄装置
JP2015191897A5 (zh)
KR20030021691A (ko) 화학용액 내에 포함된 기포를 제거하기 위한 기포제거장치및 이를 이용한 기포제거방법
US20140158164A1 (en) Cleaning machine, and cleaning method and cleaning system thereof
CN201765433U (zh) 一种涂胶显影机台

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110907

Termination date: 20210410

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee