JP2005019991A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 基板上の多量の処理液や洗浄水による工程能力の低下現象、及び工程の均一性の低下現象を改善する基板処理装置を提供することに目的がある。
【解決手段】 基板を水平方向に搬送して基板の表面に処理液を供給する基板処理装置において、基板を底面に付着する基板支持ユニット、基板と所定の間隔で離隔して下部に位置し、処理液を供給するシャワーユニット、基板支持ユニットを水平方向に搬送する搬送ユニットを含む基板処理装置。
【選択図】 図1
Description
本発明は基板処理装置に関し、より詳しくは、液晶表示装置用基板の搬送式基板処理装置に関する。
液晶表示装置は、ガラス基板の表面に、現像、エッチング、洗浄などの化学的処理を繰り返し実施することによって製造される。その処理装置は、乾式及び湿式に分けられ、湿式処理装置は、配置式(bacth type)とシングルタイプ式(single type)とがある。そして、シングルタイプ式は、回転式及びローラ搬送などによる搬送式に細分される。
これら基板処理装置のうちの搬送式のものは、基板をほぼ水平方向に搬送しながら、その基板の表面に処理液を供給する基本構成からなっており、高効率であるためエッチング処理に多く用いられている。
エッチング処理に用いられる搬送式基板処理装置では、基板搬送ラインの上方にマトリックス状に配置された複数のスプレーノズルからエッチング液を噴射し、エッチング液が噴射される間に基板を通過させることにより、基板の表面全体にエッチング液を供給する。これにより、基板の表面が、マスキング剤が塗布された部分を除いて、選択的にエッチング処理される。エッチング処理が終了すれば、引続きシャワーによる洗浄処理が行われる。
このような液晶表示装置のエッチング及び洗浄処理工程は、基板を水平方向に搬送して、処理液を噴射したり水洗工程を進める。そして、基板のサイズの大型化に対する補完方法として基板の傾斜搬送などが一部採択されて用いられている。
しかし、最近、基板の大型化が急速に進められるのにつれて、このような水平搬送または傾斜搬送方式は、基板内の均一度の不良、むらの発生、異物の付着などの問題を解決できる充分な対策にはならなかった。
つまり、基板の大型化につれて、従来の水平搬送または傾斜搬送方式でエッチング及び洗浄工程を進める時、つまりWET処理工程を進める時に、基板上に多量の処理液または洗浄水が存在して、上部から噴射される処理液または洗浄水が対象基板内全体に均等に効果的に到達できず、工程能力が低下する現象が現れる。
そして、処理液の回転現象及び処理液が特定の方向に流れることによる不均一化が基板内の多くの部分で発生し、基板内にむらが発生するなど、無視することができない影響を与えるようになった。
また、他の工程を進める間に発生した副産物及び異物などが基板上に残留して、WET処理工程中に再吸着され異物が付着する現象が発生した。
また、処理液が基板内で基板の角部に流れるのを防止するために用いられている液移送防止器具(AIR KNIFEなど)も、基板が大型化したために基板内の全ての部分で均一な効果を得るのが難しく、大量の空気や複雑な器具を備えなければならない問題がある。
本発明は、前記問題点を解決するためのものであって、基板上の多量の処理液や洗浄水による工程能力の低下現象及び工程の均一性の低下現象を改善することができる基板処理装置を提供することに目的がある。
前記目的を達成するための本発明の基板処理装置は、基板を水平方向に搬送して基板の表面に処理液を供給する基板処理装置において、前記基板を底面に付着する基板支持ユニット、前記基板と所定の間隔で離間して下部に位置し、処理液を供給するシャワーユニット、前記基板支持ユニットを水平方向に搬送する搬送ユニットを含むのが好ましい。
また、前記シャワーユニットは、処理液を垂直上方に噴射するのが好ましい。
また、前記基板支持ユニットは、静電気力により基板を支持したり、真空圧により基板を支持したり、クランピングにより基板を支持するのが好ましい。
本発明による基板処理装置は、基板に処理液や洗浄水が噴射される方向を垂直上方にすることにより、多量の処理液や洗浄水を噴射しても基板上に処理液や洗浄水が残留しないようにして、少量の処理液や洗浄水及び少ない油圧でもWET処理が可能である。
また、基板内全体に均一にWET処理が可能であるので、エッチングや水洗の均一性も向上する。
そして、処理液の噴射方向が垂直上方であるので、基板上に処理液や洗浄水が残留せず、基板の処理または洗浄時に発生する副産物または異物がない状態で次の段階の工程に基板を搬送することができる。したがって、基板の清浄度が向上する。
また、基板上に処理液または洗浄水が残留しないので、基板の処理または洗浄後に処理液及び洗浄水が基板内で基板の角部に流れるのを防止するために用いられている液移送防止器具も不要であり、簡単な器具の適用が可能である。
以下、添付した図面を参照して本発明による好ましい一実施例を詳細に説明する。
図1には、本発明の第1実施例による基板処理装置の側面図が示されており、図2には、本発明の第1実施例による基板処理装置の平面図が示されている。
図1及び図2を参照すれば、本発明の第1実施例による基板処理装置は、基板1をその底面に付着する基板支持ユニット10、基板1と所定の間隔で離間して下部に位置するシャワーユニット30、及び基板支持ユニット10を水平方向に搬送する搬送ユニット20を含む。
基板支持ユニット10は、クランピングによって底面に基板1を付着する。図1のように、基板支持ユニット10は、基板1を支持する支持部11、及び支持部11の底面に設置され、基板1の側面に付着されて基板1を固定するクランパー(clamper)12を含む。
図2のように、基板支持ユニット10を搬送する搬送ユニット20は、一対のガイドレール21及び一対のアーム22を含む。一対のアーム22は、その一端部が基板支持ユニット10の支持部11の側面に付着されており、他端部がガイドレール21に連結されている。ガイドレール21に沿ってアーム22が移動し、アーム22に連結された基板支持ユニット10が移動する。したがって、基板支持ユニット10の底面にクランパー12によって付着された基板1が移動する。
基板1と所定の間隔で離間した下部には、シャワーユニット30が位置している。シャワーユニット30は、複数個のスプレーノズル31が処理液2を基板1に噴射する。つまり、複数個のスプレーノズル31の噴射口31aは上を向いており、スプレーノズル31の上方に位置している基板1に処理液2を噴射する。
本発明の第1実施例による基板処理装置は、基板1を水平方向に搬送して基板1の表面に処理液2を供給する装置である。
つまり、搬送ユニット20に連結された基板支持ユニット10を搬送し、その下部に位置したシャワーユニット30で処理液2を噴射して、基板1をWET処理する。
この場合、処理液2の噴射方向が垂直上方であるので、多量の処理液や洗浄水を噴射しても、基板1上に処理液や洗浄水が残留することがない。したがって、少量の処理液や洗浄水及び少ない油圧でもWET処理が可能であるので、エッチング処理の効果や水洗効果が向上する。
また、基板1内の全体に均一にWET処理が可能になるので、エッチングや水洗の均一性も向上する。
そして、処理液2の噴射方向が垂直上方であるので、基板1上に処理液や洗浄水が残留せず、基板1の処理または洗浄時に発生する副産物または異物がない状態で次の段階の工程に基板1を搬送することができる。したがって、基板1の清浄度が向上する。
また、基板上に処理液または洗浄水が残留しないので、基板の処理または洗浄後に処理液及び洗浄水が基板内で基板の角部に流れるのを防止するために用いられている液移送防止器具なども不要であり、簡単な器具の適用が可能になる。
本発明の第2実施例による基板処理装置が図3に示されている。ここで、先に示された図面と同一の符号は、同一の機能をする同一の部材を示す。
図3のように、本発明の第2実施例による基板処理装置は、基板1をその底面に付着する基板支持ユニット10、基板1と所定の間隔で離間して下部に位置するシャワーユニット30、及び基板支持ユニット10を水平方向に搬送する搬送ユニット20を含む。
基板支持ユニット10は、真空圧によって基板1を支持する。基板支持ユニット10は、基板1を支持し、真空溝11aが形成されている支持部11、支持部11に連結されている真空発生部13を含む。真空発生部13によって発生した真空圧が真空溝11aを通じて基板1の一面に伝達される。したがって、基板1は真空圧によって支持部11に吸着される。
本発明の第2実施例による基板処理装置は、第1実施例と比べて、基板支持方式だけが異なり、その他の構成及び効果は同一である。つまり、本発明の第2実施例による基板処理装置は、基板1を水平方向に搬送して基板1の表面に処理液を供給する装置であり、搬送ユニット20に連結され、真空圧方式によって基板1を付着した基板支持ユニット10を搬送し、その下部に位置したシャワーユニット30で処理液を噴射して、基板1をWET処理する。
本発明の第3実施例による基板処理装置が図4に示されている。ここで、先に示された図面と同一の符号は、同一の機能をする同一の部材を示す。
図4のように、本発明の第3実施例による基板処理装置は、基板1をその底面に付着する基板支持ユニット10、基板1と所定の間隔で離間して下部に位置するシャワーユニット30、及び基板支持ユニット10を水平方向に搬送する搬送ユニット20を含む。
基板支持ユニット10は、静電気力により基板1を支持する。基板支持ユニット10は、基板1を支持する支持部11、支持部11に連結されている静電気力発生部14を含む。静電気力発生部14によって発生した静電気力により、基板1(ガラス基板)が支持部1に付着される。基板1は、表面積が広く、一般に静電気力が発生しやすいガラス基板であるので、静電気力により基板1は支持部11に簡単に付着する。
本発明の第3実施例による基板処理装置は、第1実施例と比べて、基板支持方式だけが異なり、その他の構成及び効果は同一である。つまり、本発明の第3実施例による基板処理装置は、基板1を水平方向に搬送して基板1の表面に処理液を供給する装置であり、搬送ユニット20に連結され、静電気力方式によって基板1を付着した基板支持ユニット10を搬送し、その下部に位置したシャワーユニット30で処理液を噴射して、基板1をWET処理する。
一方、本発明の第1実施例乃至第3実施例による基板処理装置は、WET処理工程だけでなくWET処理工程の前後の乾燥工程やWET処理の前処理(UV、AP Plasma、Air Cleaningなど)工程にも拡大して適用が可能である。つまり、基板1が逆さまに吊るされて搬送されるので、従来の工程が進められる間に発生していたパーティクル(particle)が下方に落ちて、基板1の表面にパーティクルが吸着されるのを防止することができる。
また、乾式エッチング処理工程を進める間に発生するパーティクルが下方に落ちて、基板1の表面にパーティクルが吸着されるのを防止することができるように、本発明の第1実施例乃至第3実施例による基板処理装置は、乾式エッチング処理工程にも拡大して適用が可能である。
本発明は、添付した図面に示された一実施例を参考にして説明したが、これは例示的なものに過ぎず、該当技術分野における通常の知識を有する者であれば、本発明に基づいて様々な変形及び均等な他の実施例が可能であることが理解できる。したがって、本発明の真の保護範囲は添付された請求の範囲によって決められなければならない。
10 基板支持ユニット
11 支持部
12 クランパー
13 真空圧発生部
14 静電気力発生部
20 搬送ユニット
30 シャワーユニット
11 支持部
12 クランパー
13 真空圧発生部
14 静電気力発生部
20 搬送ユニット
30 シャワーユニット
Claims (5)
- 基板を水平方向に搬送して基板の表面に処理液を供給する基板処理装置において、
前記基板を底面に付着する基板支持ユニットと、
前記基板と所定の間隔で離間して下部に位置し、処理液を供給するシャワーユニットと、
前記基板支持ユニットを水平方向に搬送する搬送ユニットとを含む、
基板処理装置。 - 前記シャワーユニットは、処理液を垂直上方に噴射する、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記基板支持ユニットは、静電気力により基板を支持する、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記基板支持ユニットは、真空圧により基板を支持する、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記基板支持ユニットは、クランピングにより基板を支持する、請求項1に記載の基板処理装置。
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