JP3881169B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置、特に、基板に付着する不要物を液体の噴射によって除去する基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置またはプラズマ表示装置用のガラス基板(FPD基板)や半導体ウエハ、プリント基板等の製造プロセスにおいては、種々の基板処理が必要となる。これらの基板処理の中には、基板に付着する不要物を液体の噴射によって除去する各種のウェット処理も含まれる。ウェット処理の具体例としては、洗浄処理、現像処理、レジスト剥離処理などが挙げられる。
【0003】
このようなウェット処理を行う基板処理装置では、ノズルから液体をスプレー(噴射)することが多い。スプレーされた液体は、基板に付着している不要物に衝突し、基板から不要物を除去する。不要物とは、洗浄処理におけるパーティクル、カラーフィルタの現像処理におけるカラーレジスト、剥離処理におけるパーティクルやレジスト等である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ウェット処理を行う従来の基板処理装置の中には、処理効率を向上させるために、スプレー以外のブラシや超音波といった手段を組み合わせているものがある。
【0005】
しかし、精密なパターンが形成されているプリント基板に対してブラシを用いる場合にはパターンへのダメージが懸念され、超音波を用いる場合にはコストアップを強いられることになる。
【0006】
また、処理効率の向上を狙って、各チャンバーのスプレー圧を変える方法を採る装置もある。例えば、洗浄処理を行う装置においては、薬液スプレーチャンバー、低圧リンスチャンバー、高圧リンスチャンバー、超純水リンスチャンバー等が並べられるが、それぞれのチャンバーにおけるスプレー圧を変えているものがある。ここでは、低圧のスプレーによって比較的大きな不要物を除去し、高圧のスプレーによって比較的小さな不要物を除去することができる。
【0007】
しかし、スプレー圧を変えるだけでは不要物を最適な方法で効率的に除去しているとは言えず、飛躍的な処理時間の短縮は困難である。
【0008】
本発明の課題は、基板に付着する不要物を液体の噴射によって除去する基板処理装置において、不要物の除去処理の効率を向上させることにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る基板処理装置は、基板に付着する不要物を液体の噴射によって除去する装置であって、複数のノズルと、基板を搬送する搬送機構と、を備えている。複数のノズルは、それぞれ、液体を粒状に噴射するとともに、噴射する液体の粒径が異なる。そして、複数のノズルは、基板の搬送に従って基板に噴射される液体の粒径が次第に小さくなるように配置されている。
【0010】
ここでは、複数のノズルが、それぞれ粒径の異なる液体を噴射して、基板から不要物を除去する。したがって、基板に付着している不要物の構成や種類に合わせて適切な粒径を設定すれば、基板から不要物を効率的に除去することができる。
【0011】
例えば、不要物のうち比較的大きなものに対しては、それを除去するのに適した大きな粒径の液体をあるノズルから噴射させ、不要物のうち比較的小さなものやパターン間の小さな隙間にある不要物に対しては、それを除去するのに適した小さな粒径の液体を違うノズルから噴射させることが考えられる
【0012】
また、ここでは、複数のノズルは、搬送されている基板に対して液体を噴射する。したがって、搬送されている基板から見れば、相対的に、各ノズルが順番に異なる粒径の液体を噴射してくる状態となる。そして、上記の構成により、基板は、最初に粒径の大きな液体の噴射を受け、次第に粒径の小さな液体の噴射を受けるようになる。このため、基板に付着している不要物のうち比較的大きなものが先に除去され、比較的小さなものは後に除去される。これにより、大きな不要物が障害となって小さな不要物が除去されないという不具合が抑えられるようになる。
【0013】
請求項に係る基板処理装置は、請求項1に記載の装置であって、複数のノズルは、基板が絶え間なく液体の噴射を受けるように配置されている。
【0014】
スプレー圧を変える従来の装置では、各ノズル間の距離が大きく、特にチャンバー間ではスプレーが途切れるため、せっかく除去した比較的大きな不要物が基板に再付着してしまい、大きな不要物の再付着に阻害されて小さな不要物まで除去できなくなるといった不具合が生じる場合がある。このような現象が起こる場合には、処理の質を低下させないために、処理時間を長くしなければならない。
【0015】
特に、パターンが形成されているプリント基板では、大きな不要物がパターンの凸部とともに小さな不要物を隠すような状態となり、大きな不要物が再付着すると小さな不要物が除去されにくい傾向がある。
【0016】
これに対し、請求項に係る装置では、異なる粒径の液体を噴射する複数のノズルを使用して処理効率を上げるとともに、基板が絶え間なく液体の噴射を受け続けるように各ノズルを配置している。このため、いったん除去した不要物が基板に再付着することが少なくなる。したがって、小さな不要物を除去するための液体の噴射前において除去した大きな不要物が再付着し、小さな不要物の除去を阻害する現象が抑えられる。これにより、処理効率がより向上し、処理時間を短縮することも可能となる。
【0017】
請求項に係る基板処理装置は、請求項1又は2に記載の装置であって、複数のノズルは、互いの間隔が、300mm以下である。
【0018】
ここでは、隣接するノズルの間隔を300mm以下としているため、基板がほぼ絶え間なく液体の噴射を受け続けるようになり、いったん除去した不要物の再付着が抑えられる。
【0019】
請求項に係る基板処理装置は、請求項1からのいずれかに記載の装置であって、複数のノズルには、少なくとも、第1ノズル及び第2ノズルが含まれている。第2ノズルが噴射する液体の粒径は、第1ノズルが噴射する液体の粒径よりも小さい。第1ノズルから噴射される液体の粒径は、第2ノズルから噴射される液体の粒径の2倍以上である。
【0020】
基板処理において除去すべき不要物を効率的に除去するために試験を繰り返した結果、大きな不要物及び小さな不要物の両方を効率的に除去するためには、噴射する液体の粒径に2倍以上(より望ましくは8倍以上)の開きがある第1及び第2ノズルを設置することが望ましいことが本願の発明者によって判明した。これに基づき、本請求項の装置では、第1ノズルから噴射される液体の粒径を、第2ノズルから噴射される液体の粒径の2倍以上としている。
【0021】
請求項に係る基板処理装置は、請求項1からのいずれかに記載の装置であって、複数のノズルは、形状及び液体の供給圧力の違いにより、それぞれ噴射する液体の粒径が異なる。
【0022】
請求項に係る基板処理装置は、請求項に記載の装置であって、複数のノズルには、一流体ノズルと二流体ノズルとが含まれている。一流体ノズルは、液体を単独で噴射する。二流体ノズルは、液体に気体を混合させて噴射する。
【0023】
ここでは、比較的大きな粒径の液体の噴射に適している一流体ノズルと比較的小さな粒径の液体の噴射に適している二流体ノズルとの両方を用いるため、噴射する液体の最大粒径と最小粒径との寸法の開きを大きく設定することが容易となる。
【0024】
請求項に係る基板処理装置は、請求項1からのいずれかに記載の装置であって、それぞれ噴射する液体の粒径が異なる複数のノズルは、同じチャンバー内に配置されている。
【0025】
請求項に係る基板処理装置は、請求項に記載の装置であって、搬送機構は、水平面に対して基板を傾斜させた状態で、基板を搬送する。
【0026】
請求項9に係る基板処理装置は、請求項1から7のいずれかに記載の装置であって、複数のノズルから噴射された液体のミストの拡散を防止するために、基板側が開口するとともに複数のノズルのそれぞれを覆うミストカバーをさらに備えている。
【0027】
請求項10に係る基板処理装置は、請求項1から7のいずれかに記載の装置であって、複数のノズルから噴射された液体のミストの拡散を防止するために、複数のノズルの間に設けられた仕切板をさらに備えている。
【0028】
請求項11に係る基板処理装置は、請求項1から10のいずれかに記載の装置であって、複数のノズルには、基板の搬送方向上流側に配置された上流ノズルと、上流ノズルの基板搬送方向下流側に配置された中流ノズルと、中流ノズルの基板搬送方向下流側に配置された下流ノズルと、が含まれている。
【0029】
請求項12に係る基板処理装置は、請求項1から11のいずれかに記載の装置であって、複数のノズルは、基板の搬送方向上流側に向かって液体が噴射されるように傾斜して配置されている。
【0030】
【発明の実施の形態】
<全体構成>
図1に、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の一部を示す。この基板処理装置は、表面に配線パターンPT(図2参照)が施された基板Wを搬送しながら洗浄する装置である。この装置は、主として、一連のチャンバー(導入チャンバー80、水洗チャンバー10,乾燥搬出チャンバー90)と、各チャンバーを貫通して搬送路を形成する搬送ローラ16とから構成されている。
【0031】
基板Wが基板処理装置に運ばれてくると、まず基板Wは導入チャンバー80に搬入される。その後、基板Wは、水洗チャンバー10に送られて、表面に付着しているパーティクル等の異物(不要物)が洗い流される。そして、水洗処理を終えた基板Wは、水洗チャンバー10に隣接する乾燥搬出チャンバー90でエアーの吹き付けによる乾燥処理が行われた後、装置外に搬出される。
【0032】
なお、基板Wは図1の左方から右方に向かう搬送方向Dの向きに搬送されるが、以下、図1左側を上流側、図1右側を下流側という。すなわち、水洗チャンバー10に関しては、導入チャンバー80が存在する側が上流側、乾燥搬出チャンバー90が存在する側が下流側となる。
【0033】
<水洗チャンバーの構成>
水洗チャンバー10は、主として、ケーシング19と、上流スプレーノズル21a,21bと、中流スプレーノズル22a,22bと、下流スプレーノズル23a,23bとを備えている。
【0034】
ケーシング19は、導入チャンバー80と乾燥搬出チャンバー90との間の空間を囲う枠体であり、上流側及び下流側の側面に基板Wを通すための開口が設けられている。
【0035】
上流スプレーノズル21a,21bは、ケーシング19内において上流側部分に配置されている。上流スプレーノズル21aは搬送ローラ16により搬送される基板Wの上方に配置され、上流スプレーノズル21bは基板Wの下方に配置される。これらの上流スプレーノズル21a,21bは、搬送方向Dと直交する方向に延びる純水供給パイプ11a,11bに装着されており、純水L1を基板Wに向けて噴射する。
【0036】
また、複数の上流スプレーノズル21a,21bが装着されている純水供給パイプ11a,11bは、噴射した純水L1のミストの拡散を防ぐ目的で、図1に示すような基板W側が開口したミストカバー31a,31bによって覆われている。
【0037】
中流スプレーノズル22a,22bは、ケーシング19内において上流スプレーノズル21a,21bの下流側に配置されている。中流スプレーノズル22aは搬送ローラ16により搬送される基板Wの上方に配置され、中流スプレーノズル22bは基板Wの下方に配置される。これらの中流スプレーノズル22a,22bは、搬送方向Dと直交する方向に延びる純水供給パイプ12a,12bに装着されており、純水L2を基板Wに向けて噴射する。
【0038】
また、複数の中流スプレーノズル22a,22bが装着されている純水供給パイプ12a,12bは、噴射した純水L2のミストの拡散を防ぐ目的で、図1に示すような基板W側が開口したミストカバー32a,32bによって覆われている。
【0039】
下流スプレーノズル23a,23bは、ケーシング19内において中流スプレーノズル22a,22bの下流側に配置されている。下流スプレーノズル23aは搬送ローラ16により搬送される基板Wの上方に配置され、下流スプレーノズル23bは基板Wの下方に配置される。これらの下流スプレーノズル23a,23bは、搬送方向Dと直交する方向に延びる純水供給パイプ13a,13bに装着されており、純水L3を基板Wに向けて噴射する。
【0040】
また、複数の下流スプレーノズル23a,23bが装着されている純水供給パイプ13a,13bは、噴射した純水L3のミストの拡散を防ぐ目的で、図1に示すような基板W側が開口したミストカバー33a,33bによって覆われている。
【0041】
<各スプレーノズルから噴射される純水の粒径>
この基板処理装置の水洗チャンバー10では、上流スプレーノズル21a,21bから噴射される純水L1の粒径、中流スプレーノズル22a,22bから噴射される純水L2の粒径、及び下流スプレーノズル23a,23bから噴射される純水L3の粒径を、段階的に変えている。装置上流側から下流側に向かって純水の粒径が段々と小さくなっていくように構成されており、中流スプレーノズル22a,22bから噴射される純水L2の粒径は上流スプレーノズル21a,21bから噴射される純水L1の粒径よりも小さく、下流スプレーノズル23a,23bから噴射される純水L3の粒径は中流スプレーノズル22a,22bから噴射される純水L2の粒径よりもさらに小さい。
【0042】
この基板処理装置における具体的な噴射純水の設定粒径は、上流スプレーノズル21a,21bで約300μm、中流スプレーノズル22a,22bで約100μm、下流スプレーノズル23a,23bで約30μmである。
【0043】
なお、各スプレーノズルから設定粒径の純水を噴射させるために、各スプレーノズルの先端噴射口の大きさを変えるとともに、下流スプレーノズル23a,23bでは、図示しないエアー配管から供給されるエアーをノズル内に引き込み、純水とエアーとを混合させることによって噴射する純水L3の粒径を小さくしている。すなわち、ここでは、下流スプレーノズル23a,23bとして、単独で純水の噴射する一流体ノズルではなく、純水にエアーを混合させて噴射する二流体ノズルを採用している。
【0044】
また、上記のように各スプレーノズルの構造を異ならせるとともに、各スプレーノズルに純水を供給する純水供給ラインをスプレーノズル毎に設けて、各ノズル構造に適した圧力で純水が各スプレーノズルに供給されるように構成している。
【0045】
<水洗チャンバーでの基板洗浄動作>
基板Wが導入チャンバー80から水洗チャンバー10に搬送されてくると、基板Wは、まず、上流スプレーノズル21a,21bから、約300μmの粒径の純水L1の噴射を受ける。この約300μmの粒径の純水L1の噴射は、主として、基板Wの表面に付着している大きな異物を取り除く。
【0046】
基板Wが下流側に搬送されていくと、次に、中流スプレーノズル22a,22bから、約100μmの粒径の純水L2が基板Wに噴射される(図2(a)参照)。ここでは、上流スプレーノズル21a,21bによる噴射で取り除けなかった異物のうち比較的大きな異物P1が取り除かれる(図2(b)参照)。
【0047】
さらに下流側に搬送されていくと、基板Wは、図2(c)に示すように、下流スプレーノズル23a,23bから約30μmの粒径の純水L3の噴射を受ける。これにより、基板Wの表面に形成されているパターンPTの間に入り込んだ小さな異物P2や滞留水が除去される。
【0048】
なお、図2においては、理解の容易のために、基板Wの下面の洗浄については図示を省略している。
【0049】
<装置の特徴>
(1)
本実施形態の基板処理装置では、上流スプレーノズル21a,21b、中流スプレーノズル22a,22b、下流スプレーノズル23a,23bが、それぞれ粒径の異なる純水L1,L2,L3を噴射して、基板Wから異物を除去する。そして、基板Wに付着している異物に合わせて各スプレーノズルが噴射する純水の粒径を設定しているため、基板Wから効率的に異物が除去される。
【0050】
(2)
本実施形態の基板処理装置では、上流スプレーノズル21a,21b、中流スプレーノズル22a,22b、下流スプレーノズル23a,23bが、基板Wの搬送に従って基板Wに噴射される純水の粒径が次第に小さくなるように配置されている。このため、図2(a)に示すように基板W上のパターンPT及び大きな異物P1に囲まれる空間に小さな異物P2が付着している場合においても、基板Wに付着している大きな異物P1が先に除去され、小さな異物P2は下流スプレーノズル23a,23bからの純水L3の噴射によって後から除去される。すなわち、大きな異物P1が障害となって小さな異物P2が除去されないという不具合が少なくなっている。
【0051】
(3)
本実施形態の基板処理装置では、上流スプレーノズル21a,21bが約300μmの粒径の純水L1を噴射し、下流スプレーノズル23a,23bが約30μmの粒径の純水L3を噴射する。すなわち、上流スプレーノズル21a,21bから噴射される純水L1の粒径は、下流スプレーノズル23a,23bから噴射される純水L3の粒径の約10倍である。このような粒径の設定は、洗浄処理において除去すべき一般的な異物(パーティクル等)を効率的に除去するために試験を繰り返した結果得られたものである。試験の結果、大きな異物及び小さな異物の両方を効率的に除去するためには、噴射する純水の粒径に2倍以上(より望ましくは8倍以上)の開きがある2種以上のスプレーノズルを設置することが望ましいことが本願の発明者によって判明している。
【0052】
特に、この実施形態では、上流スプレーノズル21a,21bの粒径が、約300μmであって、中流スプレーノズル22a,22bの粒径(約100μm)の約3倍となっている。さらに、中流スプレーノズル22a,22bの粒径が、約100μmであって、下流スプレーノズル23a,23bの粒径(約30μm)の約3倍となっている。すなわち、この実施形態では、上流スプレーノズル21a,21bと中流スプレーノズル22a,22b、中流スプレーノズル22aと下流スプレーノズル23a,23bのそれぞれで、約3倍の粒径差がある。したがって、それぞれのスプレーノズルが異なった大きさの異物を有効に除去することになり、幅広く種々の大きさの異物が有効に除去される。
【0053】
また、ここでは、装置上流側から下流側に向かって噴射する純水の粒径を段階的に大きなものから小さなものへと変化させているため、大きな異物から小さな異物までが段階的に除去されるようになり、除去効率が向上している。
【0054】
<第1変形例>
図3に、上記実施形態の第1変形例を示す。ここでは、上流スプレーノズル21a,21bと中流スプレーノズル22a,22b、及び中流スプレーノズル22a,22bと下流スプレーノズル23a,23bの間隔を詰めて、基板Wが確実に絶え間なく純水の噴射を受けるように構成している。
【0055】
具体的には、搬送方向Dに隣接するスプレーノズル間の間隔Sを300mm以下にして、基板Wへの純水の噴射が切れ目無く為されるようにしている。
【0056】
このように、基板Wが絶え間なく純水の噴射を受け続けるように各スプレーノズルを配置しているため、いったん除去した大きな異物が基板に再付着することが少なくなる。したがって、小さな異物を除去するための純水の噴射前において除去した大きな異物が再付着し、小さな異物の除去を阻害する現象が抑えられる。これにより、処理効率がより向上し、処理時間も短縮される。
【0057】
また、図3に示すように各スプレーノズル間の間隔Sを小さくすることによって、水洗チャンバー10の長さも短くなり、装置のコンパクト化も図られる。
【0058】
<第2変形例>
図4に、上記実施形態の第2変形例を示す。ここでは、ケーシング19の内部空間を仕切板41により区切っている。仕切板41は、上流スプレーノズル21a,21bと中流スプレーノズル22a,22bとの間、及び中流スプレーノズル22a,22bと下流スプレーノズル23a,23bとの間に設けられており、ケーシング19の内部空間を3分割している。
【0059】
これにより、上流スプレーノズル21a,21bの純水L1の噴射に起因するミストは概ね上流スプレーノズル21a,21bのある空間51だけに拡散し、下流側には殆ど拡散しなくなる。また、中流スプレーノズル22a,22bの純水L2の噴射に起因するミストについても、概ね中流スプレーノズル22a,22bのある空間52だけに拡散し、下流側の下流スプレーノズル23a,23bのある空間53には殆ど拡散しなくなる。
【0060】
したがって、いったん除去された大きな異物が下流側に流れて基板Wに再付着するという現象が抑えられ、異物の除去効率が向上する。
【0061】
なお、図4では、仕切板41の位置において基板Wに対する純水噴射が途切れているが、基板Wへの純水噴射が途切れないように、各スプレーノズル間の間隔を詰めたり噴射角度を拡げたりすることがより望ましい。
【0062】
<第3変形例>
図5に、上記実施形態の第3変形例を示す。ここでは、各スプレーノズルを上流側に傾斜させて、噴射された純水が下流側に流れることを抑えている。これにより、いったん除去した異物が下流側に流れて基板Wに再付着するという現象が少なくなり、除去効率が向上する。
【0063】
<第4変形例>
図6に、上記実施形態の第4変形例を示す。図6は、水洗チャンバー10の横断面図である。
【0064】
ここでは、搬送ローラ16は、基板Wを水平面に対して傾斜させた状態で搬送する。これに合わせて、各スプレーノズルも傾斜した状態で配置されている。
【0065】
この場合には、基板Wに噴射された純水が傾斜に沿って側方に流れるため基板Wの上面に純水が滞留することが抑えられる。これにより、基板Wに噴射する純水の粒径を段階的に変えてきめ細かく異物を除去する本発明の適用の効果が、より明瞭に現れるようになる。
【0066】
一方、傾斜搬送で基板Wの上面に純水が溜まりにくくなるため異物が再付着する恐れがあるが、下流スプレーノズル23a,23bによる小さな異物の除去まで基板Wに絶え間なく純水の噴射を続けてやることによって、再付着を最小限に抑えることができる。
【0067】
[他の実施形態]
(A)
上記実施形態の基板処理装置は基板洗浄のための装置であるが、本発明を適用することのできる基板処理装置はこれに限定されるものではない。薬液工程の後に水洗を行う基板処理装置、レジストやパーティクルを除去するレジスト剥離装置、カラーレジストの除去処理を含む現像装置、あるいはこれらの複数の処理を連続的に行う基板処理装置にも本発明を適用することができる。
【0068】
(B)
上記実施形態の基板処理装置は表面に配線パターンが施された基板を処理対象としているが、表面に凹凸のない基板を処理する基板処理装置に対しても本発明の適用は有効である。さらに、処理対象となる基板は、半導体基板用のシリコンウエハ、液晶表示器用のガラス基板、プリント基板等、種々の基板が想定される。
【0069】
(C)
上記実施形態の基板処理装置では純水を基板Wに噴射する方法で基板洗浄を行っているが、必要がある場合には、これにブラシや超音波による洗浄を組み合わせることも可能である。但し、本発明が適用された上記実施形態の基板処理装置は、従来よりも高い洗浄能力を備えており、従来ブラシや超音波を必要としていたような場合においてもブラシや超音波による洗浄を省略することができる。
【0070】
【発明の効果】
本発明では、複数のノズルがそれぞれ粒径の異なる液体を噴射するように構成しているため、基板に付着している不要物の構成や種類に合わせて適切な粒径を設定することにより、基板から不要物を効率的に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略側面図。
【図2】 基板から異物が除去される状態を表す図。
【図3】 基板処理装置の第1変形例に係る概略側面図。
【図4】 基板処理装置の第2変形例に係る概略側面図。
【図5】 基板処理装置の第3変形例に係る概略側面図。
【図6】 基板処理装置の第4変形例に係る横断面図。
【符号の説明】
10 水洗チャンバー
16 搬送ローラ(搬送手段)
19 ケーシング
21a,21b 上流スプレーノズル(第1ノズル)
22a,22b 中流スプレーノズル
23a,23b 下流スプレーノズル(第2ノズル)
L1 上流スプレーノズルから噴射される純水
L2 中流スプレーノズルから噴射される純水
L3 下流スプレーノズルから噴射される純水
P1 比較的大きな異物
P2 小さな異物
PT パターン
W 基板

Claims (12)

  1. 基板に付着する不要物を液体の噴射によって除去する基板処理装置であって、
    それぞれ、液体を粒状に噴射するとともに、噴射する液体の粒径が異なる複数のノズルと、
    基板を搬送する搬送機構と、を備え、
    前記複数のノズルは、基板の搬送に従って基板に噴射される液体の粒径が次第に小さくなるように配置されている、
    基板処理装置。
  2. 前記複数のノズルは、基板が絶え間なく液体の噴射を受けるように配置されている、
    請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 前記複数のノズルは、互いの間隔が、300mm以下である、
    請求項1又は2に記載の基板処理装置。
  4. 前記複数のノズルには、少なくとも、第1ノズルと、前記第1ノズルよりも噴射する液体の粒径が小さい第2ノズルとが含まれており、
    前記第1ノズルから噴射される液体の粒径が、前記第2ノズルから噴射される液体の粒径の2倍以上である、
    請求項1からのいずれかに記載の基板処理装置。
  5. 前記複数のノズルは、形状及び液体の供給圧力の違いにより、それぞれ噴射する液体の粒径が異なる、
    請求項1からのいずれかに記載の基板処理装置。
  6. 前記複数のノズルには、液体を単独で噴射する一流体ノズルと、液体に気体を混合させて噴射する二流体ノズルとが含まれている、
    請求項に記載の基板処理装置。
  7. それぞれ噴射する液体の粒径が異なる前記複数のノズルは、同じチャンバー内に配置されている、
    請求項1からのいずれかに記載の基板処理装置。
  8. 前記搬送機構は、水平面に対して基板を傾斜させた状態で、基板を搬送する、
    請求項に記載の基板処理装置。
  9. 前記複数のノズルから噴射された液体のミストの拡散を防止するために、基板側が開口するとともに前記複数のノズルのそれぞれを覆うミストカバーをさらに備えた、請求項1から7のいずれかに記載の基板処理装置。
  10. 前記複数のノズルから噴射された液体のミストの拡散を防止するために、前記複数のノズルの間に設けられた仕切板をさらに備えた、請求項1から7のいずれかに記載の基板処理装置。
  11. 前記複数のノズルには、基板の搬送方向上流側に配置された上流ノズルと、前記上流ノズルの基板搬送方向下流側に配置された中流ノズルと、前記中流ノズルの基板搬送方向下流側に配置された下流ノズルと、が含まれている、請求項1から10のいずれかに記載の 基板処理装置。
  12. 前記複数のノズルは、基板の搬送方向上流側に向かって液体が噴射されるように傾斜して配置されている、請求項1から11のいずれかに記載の基板処理装置。
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