JP2003092284A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

Info

Publication number
JP2003092284A
JP2003092284A JP2002164265A JP2002164265A JP2003092284A JP 2003092284 A JP2003092284 A JP 2003092284A JP 2002164265 A JP2002164265 A JP 2002164265A JP 2002164265 A JP2002164265 A JP 2002164265A JP 2003092284 A JP2003092284 A JP 2003092284A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
liquid
etching
dip tank
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002164265A
Other languages
English (en)
Inventor
Daisuke Suganaga
大輔 菅長
Koichi Inoue
浩一 井上
Tatsuya Hoshi
辰也 星
Tomoki Kondo
友喜 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Precision Products Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Precision Products Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Precision Products Co Ltd filed Critical Sumitomo Precision Products Co Ltd
Priority to JP2002164265A priority Critical patent/JP2003092284A/ja
Publication of JP2003092284A publication Critical patent/JP2003092284A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 エッチング液や剥離液等の薬液によって浸食
を受ける基板を使用した場合に、その基板の裏面に局部
浸食によってシミが発生するのを防止する。 【解決手段】 薬液処理部の入口部分にディップ槽37
を設ける。ディップ槽37は、基板100の搬送ライン
より下方に配置され、薬液をオーバーフローさせて基板
100の裏面全幅に接触させる。この薬液との接触によ
って一旦、基板100の裏面が均一に濡れると、その裏
面が乾燥しない限り、薬液の回り込みや搬送ローラの接
触によって薬液が基板100の裏面に局部的に付着して
も、シミは発生しない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置用ガ
ラス基板の製造等に使用される水平搬送式の基板処理装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置に使用されるガラス基板
は、素材であるガラス基板の表面にエッチング、剥離等
の化学的処理を繰り返し施すことにより製造される。そ
の処理装置はドライ式とウェット式に大別され、ウェッ
ト式は更にバッチ式と枚葉式に分けられる。更に、枚葉
式は回転式とローラ搬送等による搬送式に細分される。
【0003】これらの基板処理装置のうち、搬送式のも
のは、基板をほぼ水平方向へ搬送しながらその基板の表
面に処理液を供給する基本構成になっており、高効率な
ことから以前よりエッチング処理や剥離処理に使用され
ている。
【0004】エッチング処理に使用される搬送式基板処
理装置では、基板搬送ラインの上方にマトリックス状に
配置された多数のスプレーノズルからエッチング液を噴
出し、そのエッチング液中に基板を通過させることによ
り、基板の表面全体にエッチング液を供給する。このシ
ャワー処理により、基板の表面が、マスキング材の塗布
された部分を除いて選択的にエッチングされる。エッチ
ングが終わると、引き続きシャワーによる洗浄処理を行
う。剥離処理用のものも、基本的に同じ構成である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、液晶表示装
置用ガラス基板では、基板の大型化と共に回路の高精細
化が進んでおり、その特に高精細化に伴って、ガラス基
板として低温ポリシリコンが使用され始めた。また、絶
縁膜であるSiO2 膜にコンタクトホールを形成する操
作が、基板の主に大型化に伴って、ドライエッチングか
らバッファードフッ酸を用いたウエットエッチングへ切
り換えられている。
【0006】ところが、低温ポリシリコンからなるガラ
ス基板に、フッ酸系薬液によるエッチングを行うと、ポ
リシリコンにフッ酸が反応して、ガラス基板の裏面に、
ガラスの浸食によるシミができるという問題がある。
【0007】即ち、基板の表面にエッチング液がシャワ
ーされると、一部のエッチング液が裏面側へ回り込む。
また、裏面の幅方向複数箇所に搬送ローラが接触し、こ
の接触に伴ってエッチング液が付着する現象もある。基
板の乾いた裏面にエッチング液が局部的に付着すると、
その部分が浸食され、シミができる。このシミは液晶製
品がバックライトによって背後から照明されたときに、
ムラを発生させる。このため、表面のエッチング処理に
伴う裏面の局部浸食によるシミを極力回避する必要があ
り、この必要のために、裏面にもエッチング液をシャワ
ーすることが行なわれている。
【0008】しかしながら、このような裏面シャワーを
行なっても、裏面の局部浸食によるシミを完全に回避す
ることはできない。それは、裏面シャワーでは、搬送ロ
ーラ等が障害となってエッチング液を均一に付着させる
ことができないからである。加えて、シャワー処理の開
始時にエッチング液の細かな液滴が衝突した部分が処理
ムラになり、その後のシャワー処理でも消滅せずにエッ
チング後も細かなシミとして残る。
【0009】本発明の目的は、処理液による浸食を受け
る基板を使用した場合にも、その基板裏面の局部浸食に
よるシミの発生を防止できる基板処理装置を提供するこ
とにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の基板処理装置は、基板をほぼ水平方向へ搬
送して複数の処理部に通過させ、各処理部で基板の表面
に処理液を供給する搬送式の基板処理装置において、複
数の処理部のうちの少なくとも1の処理部の入口部分
に、基板の搬送ラインより下方に配置され、処理液をオ
ーバーフローさせて基板の裏面全幅に接触させるディッ
プ槽を設けたものである。
【0011】本発明の基板処理装置においては、処理部
に進入した基板がディップ槽上を通過することにより、
その基板の裏面が先端部から後端部へ順次、全幅にわた
って均一に処理液で濡れる。一旦、裏面が均一に濡れる
と、その裏面が乾燥しない限り、処理液の回り込みや搬
送ローラの接触によって処理液が局部的に付着しても、
シミは生じない。
【0012】ディップ槽の出側に、基板の進行方向及び
その進行方向に直角な方向に配列された多数個のスプレ
ーノズルから基板の裏面全体に処理液を供給するシャワ
ーユニットを設けるならば、ディップ槽上の通過により
濡れた裏面の乾燥を効果的に防止することができる。
【0013】本発明の基板処理装置はエッチング装置に
適用可能であるが、剥離装置にも適用可能である。エッ
チング装置では、前記ディップ槽はエッチング部及び水
洗部に有効である。剥離装置は、基板の表面に剥離液を
供給した後、その表面を水洗する構成であるが、剥離液
を供給する剥離部と水洗部との間に、置換部を挟む場合
と挟まない場合がある。置換部とは、剥離液が水と混じ
ると問題を生じる場合に、基板表面上の剥離液を一旦問
題を生じない薬液に置換する部分である。剥離装置での
ディップ槽は、剥離部及び水洗部に有効であるが、これ
らの間に置換部を挟む場合は、この置換部にも有効であ
る。
【0014】水と混じって問題を生じる剥離液として
は、例えばMEA(モノエタノールアミン)、若しくは
MEAとDMSO(ジメチルスルホキシド)との混合液
などがある。MEAは水と混じると強アルカリになり、
設備等にダメージを与える。これらに対し、水系剥離液
は問題を生じず、置換を必要としない。置換液として
は、上述した2 種類の剥離液に対しては通常DMSOが
使用される。他の剥離液に対してはIPA(イソプレン
アルコール)などが使用されることもある。
【0015】剥離装置における剥離部や置換部の入口部
分にディップ槽を設けることにより、エッチング部の入
口部分にディップ槽を設け場合と同様に裏面シミの発生
を防止することができる。むしろ、剥離処理では、剥離
液や置換液の薬液温度が80〜90℃とエッチング液よ
り高温であり、基板の裏面が乾燥しやすい点から、裏面
シミが発生しやすい傾向がある。この点において、ディ
ップ槽は剥離装置の方が効果的であるということもでき
る。ちなみにエッチング液の温度は40℃程度である。
【0016】一方、エッチング処理や剥離処理、置換処
理に続く水洗処理では、ディップ槽を設けることによ
り、裏面での迅速な液置換が行なわれる。
【0017】これらに加えて、ディップ槽上の通過・液
接触による液供給は、処理液の飛散を伴わない。このた
め、エッチング液や剥離液、置換液といった処理液(薬
液)が上流側の処理部に侵入しない。これらの薬液が上
流側の処理部に侵入すると、腐食等の問題が発生すると
共に、薬液の損失が増え、液コストが増大する。また、
洗浄水が上流側の薬液処理部、即ちエッチング部や剥離
部、置換部等に侵入しないことにより、薬液処理部での
薬液コストが節減される。洗浄水がこれらの薬液処理部
に侵入すると、薬液が希釈され、その循環使用が不可能
になるため、この場合も液コストが増大するのである。
【0018】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図1は本発明の1実施形態を示す基
板処理装置の平面図、図2は同基板処理装置の主要部の
側面図、図3は同主要部に配置されたディップ槽及びそ
の近傍の縦断側面図、図4は図3中のA−A線矢示図で
ある。
【0019】本実施形態の基板処理装置は、低温ポリシ
リコンからなる液晶表示装置用ガラス基板(以下単に基
板100と言う)にコンタクトホールを形成するため
の、フッ酸系エッチング液を用いたウェット処理に使用
される。この基板処理装置は、図1に示すように、直線
状の第1ラインA、第1ラインAに直角に接続された第
2ラインB、第2ラインBに直角に接続されて第1ライ
ンAに並列する第3ラインCとを組み合わせたUターン
形式のレイアウトを採用している。
【0020】第1ラインAは、受け入れ部10、液よけ
部20及びエッチング部30を直線状に連結して構成さ
れている。第2ラインBは水洗部40である。第3ライ
ンCは、移載装置50、スピンドライヤ60、移載装置
70及び取り出し部80を直線状に連結して構成されて
いる。
【0021】第1ラインA及び第2ラインBは、基板1
00をライン長手方向に搬送するために、搬送方向に所
定間隔で並列された多数の搬送ローラを備えている。各
搬送ローラは、搬送方向に直角な水平ロールである。第
2ラインB、即ち水洗部40の入口部には、基板100
の進行方向を90度変更する転向機構41が設けられて
いる。
【0022】Alエッチング処理を受ける基板100
は、搬送装置90により受け入れ部10に搬入される。
その基板100は、ローラ搬送により、液よけ部20か
らエッチング30部に進入し、ここを通過する間にエッ
チング処理を受ける。エッチング部30を通過した基板
100は、引き続きローラ搬送により、水洗部40に進
入し、進行方向を90度変更して水洗部40を移動し、
その移動の間に水洗処理を受ける。
【0023】水洗部40の出口部まで移動した基板10
0は、移載装置50により水洗部40からスピンドライ
ヤ60へ搬送される。スピンドライヤ60で乾燥を終え
た基板100は、移載装置70によりスピンドライヤ6
0から取り出し部80へ搬送され、更に搬送装置90に
より装置外へ搬出される。
【0024】本実施形態の基板処理装置では、エッチン
グ部30及び水洗部40に特に大きな特徴点がある。
【0025】エッチング部30は、図2に示すように、
基板100を水平方向に搬送する多数の搬送ローラ31
を備えており、基板100の搬送ラインの上方には、基
板100の表面にエッチング液を供給するために、スリ
ットノズル33が入口部に位置して設けられ、その下流
側にはシャワーユニット34が設けられている。また、
基板100の表面からエッチング液を除去するために、
スリット形式のエアノズル36が、シャワーユニット3
4の後方に位置して設けられている。
【0026】一方、基板100の搬送ラインの下方に
は、基板100の裏面にエッチング液を接触させるディ
ップ槽37が、エッチング部30の入口部分に位置して
設けられ、その下流側にはシャワーユニット38が設け
られている。
【0027】搬送ローラ31は、図3及び図4に示すよ
うに、水平な駆動軸31aと、その軸方向複数箇所に設
けられた大径の支持ローラ31bとを有している。支持
ローラ31bは、ここでは基板100の両側縁部、中央
部の3箇所に配置され、その3箇所で基板100を水平
に支持して縦方向に駆動する。
【0028】スリットノズル33は、基板100の進行
方向に直角な横向きの水平ノズルであり、エッチング部
30の入口部分に、シャワーユニット34の直前に位置
して配置されている。このスリットノズル33は、供給
管33aから供給されるエッチング液をスリット33b
から基板100の表面の進行方向一部に全幅にわたって
直線状に供給する。
【0029】上側のシャワーユニット34は、基板10
0の進行方向に平行な水平方向及びその進行方向に直角
な水平方向に所定間隔でマトリックス状(千鳥状を含
む)に配列された多数のスプレーノズル34aを備えて
おり、基板10の表面より広い範囲にフッ酸系のエッチ
ング液をスプレーする。
【0030】多数のスプレーノズル34aは、基板10
0の進行方向に直角な方向に並列しそれぞれが基板10
0の進行方向に延びる複数本のヘッダ管34bに下方を
向けて取付けられている。各スプレーノズル34aは、
エッチング液を細かな液滴にして円錐形状に噴射し、隣
接するノズル間では、各ノズルの噴射範囲がオーバーラ
ップするようになっている。ここにおけるエッチング液
の供給量は、基板100の表面上で十分な液置換が行わ
れるように設定される。
【0031】スリット形式のエアノズル36は、エッチ
ング部30の出口部分に配置されており、基板10の表
面の進行方向一部に全幅にわたって直線状にエアを吹き
付けることにより、その表面からエッチング液を除去す
る。
【0032】ディップ槽37は、基板100の横幅より
広い横長の液槽であり、スリットノズル33より更に入
側に、基板100の搬送ラインより下方に位置して設置
されている。このディップ槽37は、供給管37aより
供給されるフッ酸系のエッチング液を上面開口部からオ
ーバーフローさせるオーバーフロー槽であり、その上面
開口部が基板100の搬送ラインより僅か下方に位置す
ることにより、オーバーフローするエッチング液を、基
板100の裏面の進行方向一部に全幅にわたって接触さ
せる構成になっている。
【0033】ディップ槽37の内部には、エッチング部
30における1段目の搬送ローラ31が配置されてい
る。従って、エッチング部30においては、ディップ槽
37より入側に搬送ローラ31は存在しない。ディップ
槽37を1段目の搬送ローラ31の出側に配置せず、1
段目の搬送ローラ31の入側乃至は同一箇所に配置した
のは、シャワーユニット34からの吐出により発生した
ミストが1段目の搬送ローラ31に付着し、それが最初
に基板100に接触することによるエッチングムラ及び
シミを防ぐためである。
【0034】下側のシャワーユニット38も上側のシャ
ワーユニット34と同様、マトリックス状に配列された
多数のスプレーノズル38aから上方へフッ酸系のエッ
チングを噴出して、上方を通過する基板100の裏面に
エッチング液を散布する。多数のスプレーノズル38a
は、基板100の進行方向に直角な方向に並列しそれぞ
れが基板100の進行方向に延びる複数本のヘッダ管3
8bに上方を向けて取付けられ、フッ酸系のエッチング
液を細かな液滴にして円錐形状に噴射する。ここにおけ
るエッチング液の供給量は、基板100の裏面の乾燥が
防止される程度に設定される。
【0035】水洗部40は、基板100の進行方向を9
0度変更する転向機構41と、これに続く多数の搬送ロ
ーラとを備えており、それらの上方には、基板100の
表面洗浄水を吹き付けるために、スリットノズル42及
びシャワーユニット43が設けられている。また、下方
にはディップ槽44及びシャワーユニットが設けられて
いる。
【0036】スリットノズル42は、水洗部40の入口
部分、特にエッチング部30との接続部近傍に配置され
ている。このスリットノズル42は、エッチング30の
入口部分に配置されたスリットノズル33と同様、洗浄
水を膜状にして噴出するノズル本体に液ガイドを取り付
けた構造になっている。
【0037】上側のシャワーユニット43は、基板10
0の進行方向に沿って複数配置されている。各シャワー
ユニット43は、エッチング部30に設けられたシャワ
ーユニット34と同様、基板100の進行方向に平行な
水平方向及びその進行方向に直角な水平方向に所定間隔
でマトリックス状(千鳥状を含む)に配列された多数の
スプレーノズルから洗浄水を噴出し、下方を通過する基
板100の表面に上方から洗浄水を散布する。
【0038】下側のシャワーユニットも上側のシャワー
ユニット43と同様、マトリックス状に配列された多数
のスプレーノズルから上方へ洗浄水を噴出して、上方を
通過する基板100の裏面に洗浄水を散布する。
【0039】ディップ槽44は、スリットノズル42よ
り更に入側の1段目の搬送ローラのところに配置されて
おり、エッチング部30に設けられたディップ槽37と
同様、洗浄水をオーバーフローさせて基板100の裏面
の進行方向一部に全幅にわたって接触させる。
【0040】このような構成になる本実施形態の基板処
理装置では、液よけ部20からエッチング部30に進入
した基板100は、まず、ディップ槽37の上を通過
し、その裏面が全幅にわたってフッ酸系のエッチング液
と接触する。その直後、スリットノズル33のノズル本
体33aから噴出されるフッ酸系のエッチング液の膜中
を通過し、その表面上に先端部から順次エッチング液が
供給される。次いで、シャワーユニット34から噴出さ
れるフッ酸系のエッチング液の中を通過し、基板100
の表面全体にエッチング液が供給され、所定のエッチン
グが行われる。
【0041】基板100の表面にいきなりフッ酸系のエ
ッチング液をシャワーすると、最初に液滴を受けた部分
が処理ムラとなって残るが、事前にエッチング液の膜中
を通過することにより、その表面上にエッチング液がム
ラなく供給されるので、エッチング液のシャワー処理に
伴う処理ムラが防止される。
【0042】また、基板100の裏面についても、フッ
酸系のエッチング液の回り込みや、搬送ローラ31との
接触によるエッチング液の部分的な付着があり、乾燥し
た裏面に対してこの部分的な付着が生じると、その付着
部分がシミとなって残るが、基板100がエッチング部
30に進入すると、直ちにディップ槽37の上を通過
し、裏面が全幅にわたってエッチング液と接触して濡
れ、引き続きシャワーユニット38によるエッチング液
の散布により、その裏面の乾燥が防止される。このた
め、エッチング部30の通過中にエッチング液の吹き付
けに伴う回り込みや、搬送ローラ31との接触によるエ
ッチング液の部分的な付着があっても、シミは生じな
い。
【0043】シャワーユニット34の下方を通過した基
板100は、エアノズル36の下方を通過し、その表面
からエッチング液を除去された後、水洗部40に進入す
る。水洗部40に進入するとき、基板100はディップ
槽44の上方を通過し、引き続きスリットノズル42の
下方を通過する。ディップ槽44の上方を通過すること
により、裏面が薬液から洗浄水へ瞬時に置換され、エッ
チングが停止する。スリットノズル42の下方を通過す
ることにより、表面が薬液から洗浄水へ瞬時に置換さ
れ、エッチングが停止する。
【0044】ディップ槽44の上方及びスリットノズル
42の下方を通過して水洗部40内に進入した基板10
0は、方向転換後、上側のシャワーユニット43及び下
側のシャワーノズルから噴出される洗浄水の中を通過し
所定の洗浄処理を受ける。
【0045】上記実施形態の基板処理装置はフッ酸系エ
ッチング液を用いたコンタクトホール形成用エッチング
装置であるが、他のエッチング装置に適用することが可
能であり、更にはエッチング装置に限らず剥離装置等へ
の適用も可能である。剥離装置に適用する場合、剥離部
及び水洗部にディップ槽を設けるのが有効であり、両者
間に置換部を挟む場合はこの置換部にもディップ槽を設
けるのが有効である。剥離装置でも裏面シミは発生す
る。むしろ、剥離処理ではエッチング処理より薬液温度
が高く、基板の裏面が乾燥しやくシミができやすい。
【0046】剥離部の入口部分にディップ槽を設けるこ
とにより、裏面シミが防止されるだけでなく、上流側へ
の剥離液の飛散が防止され、上流側の設備での剥離液に
よる腐食等が防止されると共に、剥離液の損失が回避さ
れる。また、置換部の入口部分にディップ槽を設けるこ
とにより、裏面シミが防止されるだけでなく、上流側の
剥離部への置換液の飛散が防止され、剥離部では剥離液
への置換水の混入が防止され、置換部では置換液の無駄
な消費が防止される。更に、水洗部の入口部分にディッ
プ槽を設けることにより、基板裏面での迅速な液置換が
行われると同時に、剥離部或いは置換部へ洗浄水の混入
が防止され、剥離液或いは置換液の希釈による損失が回
避される。
【0047】
【発明の効果】以上に説明したとおり、本発明の基板処
理装置は、処理部の入口部分に、基板の搬送ラインより
下方に配置され、処理液をオーバーフローさせて基板の
裏面全幅に接触させるディップ槽を設けたことにより、
薬液による浸食を受ける基板を使用した場合にも、その
薬液の回り込みや搬送ローラの接触に伴う局部的な付着
による裏面のシミを防止できる。薬液処理に続く水洗処
理では、裏面での迅速な液置換を可能にする。また、薬
液処理でも水洗処理でも、処理液の飛散を伴わないた
め、上流側への液飛散を防止でき、薬液による設備腐食
の問題や薬液に洗浄水が混入することによる液コスト増
大の問題を解決できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施形態を示す搬送式基板処理装置
の平面図である。
【図2】同基板処理装置の主要部の側面図である。
【図3】同主要部に設けられたディップ槽及びその近傍
の縦断側面図である。
【図4】図3のA−A線矢示図である。
【符号の説明】
10 受け入れ部 20 液よけ部 30 エッチング部 31 搬送ローラ 33 スリットノズル 34,38 シャワーユニット 36 エアノズル 37 ディップ槽 40 水洗部 41 転向機構 42 スリットノズル 43 シャワーユニット 44 ディップ槽 50,70 移載装置 60 スピンドライヤ 80 取り出し部 90 搬送装置 100 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 星 辰也 兵庫県尼崎市扶桑町1番10号 住友精密工 業株式会社内 (72)発明者 近藤 友喜 兵庫県尼崎市扶桑町1番10号 住友精密工 業株式会社内 Fターム(参考) 5F043 DD13 DD30 EE07 EE36 5F046 MA02 MA03 MA10

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板をほぼ水平方向へ搬送して複数の処
    理部に通過させ、各処理部で基板の表面に処理液を供給
    する搬送式の基板処理装置において、複数の処理部のう
    ちの少なくとも1の処理部の入口部分に、基板の搬送ラ
    インより下方に配置され、処理液をオーバーフローさせ
    て基板の裏面全幅に接触させるディップ槽を設けたこと
    を特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 前記ディップ槽の出側に、基板の進行方
    向及びその進行方向に直角な方向に配列された多数個の
    スプレーノズルから基板の裏面全体に処理液を供給する
    シャワーユニットを設けたことを特徴とする請求項1に
    記載の基板処理装置。
  3. 【請求項3】 複数の処理部はエッチング部及び水洗部
    を含み、エッチング部及び水洗部は、入口部分に前記デ
    ィップ槽を装備することを特徴とする請求項1又は2に
    記載の基板処理装置。
  4. 【請求項4】 複数の処理部は剥離部及び水洗部を含
    み、剥離部及び水洗部は、入口部分に前記ディップ槽を
    装備することを特徴とする請求項1又は2に記載の基板
    処理装置。
  5. 【請求項5】 複数の処理部は剥離部、置換部及び水洗
    部を含み、剥離部、置換部及び水洗部は、入口部分に前
    記ディップ槽を装備することを特徴とする請求項1又は
    2に記載の基板処理装置。
JP2002164265A 2001-06-08 2002-06-05 基板処理装置 Pending JP2003092284A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002164265A JP2003092284A (ja) 2001-06-08 2002-06-05 基板処理装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001-173702 2001-06-08
JP2001173702 2001-06-08
JP2002164265A JP2003092284A (ja) 2001-06-08 2002-06-05 基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003092284A true JP2003092284A (ja) 2003-03-28

Family

ID=26616591

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002164265A Pending JP2003092284A (ja) 2001-06-08 2002-06-05 基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003092284A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7119027B2 (en) 2003-08-12 2006-10-10 Hitachi Displays Ltd. Method for manufacturing display device that includes supplying solution to the underside of a glass substrate
JP2011071385A (ja) * 2009-09-28 2011-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2013027831A (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2014069127A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7119027B2 (en) 2003-08-12 2006-10-10 Hitachi Displays Ltd. Method for manufacturing display device that includes supplying solution to the underside of a glass substrate
JP2011071385A (ja) * 2009-09-28 2011-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2013027831A (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2014069127A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100253834B1 (ko) 기판처리장치
JP3070511B2 (ja) 基板乾燥装置
TWI546131B (zh) 基板處理裝置、噴嘴以及基板處理方法
TW548697B (en) Substrate processing device
JP4675113B2 (ja) 基板洗浄装置
TWI227035B (en) Substrate processing device of transporting type
TW554391B (en) Device for processing substrate
JP4352194B2 (ja) 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
JP4064729B2 (ja) 基板処理装置
JP2003092284A (ja) 基板処理装置
JP3622842B2 (ja) 搬送式基板処理装置
JP3881169B2 (ja) 基板処理装置
JP3579348B2 (ja) 傾斜式液切り装置
JP3452895B2 (ja) 基板処理装置
JP2003309104A (ja) 基板処理装置
WO2004112106A1 (ja) レジスト剥離装置
JP3489992B2 (ja) 基板処理装置
JP2007073649A (ja) レジスト剥離洗浄装置、レジスト剥離洗浄方法および基板製造方法
JPH09225420A (ja) 基板処理装置
JP3165883B2 (ja) フォトレジスト除去方法および装置
KR20030004511A (ko) 엘시디 제조용 포토레지스트 제거장비의 에어커튼 발생장치
JP4005462B2 (ja) 搬送式基板処理装置
JP2003124182A (ja) 基板処理装置
WO2003050860A1 (fr) Dispositif de traitement de substrat
JP5878787B2 (ja) 薬液処理装置及び薬液処理方法