JP3579348B2 - 傾斜式液切り装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置用ガラス基板の製造等に使用される搬送式の基板処理装置に係り、特に、その基板処理装置において、基板を傾斜させることにより、基板の表面上から処理液を排除する傾斜式液切り装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置に使用されるガラス基板は、素材であるガラス基板の表面にエッチング、剥離等の化学的処理を繰り返し施すことにより製造される。その処理装置はドライ式とウェット式に大別され、ウェット式は更にバッチ式と枚葉式に分けられる。更に、枚葉式は回転式とローラ搬送等による搬送式に細分される。
【0003】
これらの基板処理装置のうち、搬送式のものは、基板を水平方向へ搬送しながらその基板の表面に処理液を供給する基本構成になっており、高効率なことからエッチング処理や剥離処理等に使用されている。
【0004】
エッチング処理に使用される搬送式の基板処理装置では、基板搬送ラインの上方にマトリックス状に配置された多数のスプレーノズルからエッチング液を噴射し、そのエッチング液中に基板を通過させることにより、基板の表面全体にエッチング液を供給する。このシャワー処理により、基板の表面が、マスキング材の塗布された部分を除いて選択的にエッチングされる。
【0005】
エッチング後、同様のスプレーノズルから噴射される洗浄水により基板表面が洗浄されるが、エッチング処理の迅速な停止、初期洗浄での洗浄水の汚れを抑え、その初期洗浄水の廃棄量を低減することをなどを目的として、洗浄前に基板の表面上に残るエッチング液が物理的に除去される。この液切り装置の一つとして、基板を搬送途中に一時的に停止させ、側方へ傾斜させて、エッチング液を表面上から側方へ排除する傾斜式のものがある。剥離処理用の基板処理装置でも、同様に薬液処理、液切り、水洗が行われる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、液晶表示装置用ガラス基板では、基板の大型化と共に回路の高精細化が進んでいる。その基板に使用される配線材料として、以前はCrが多用されていたが、最近の高精細化に伴ってより比抵抗値の小さいAl又はAl/Moへの転換が図られている。このため、エッチング用の搬送式基板処理装置でも、Al用エッチング液が使用され始めたが、このエッチング液の使用に伴って以下のような問題を生じることが判明した。
【0007】
Al用エッチング液は、Cr用エッチングと比べで高粘度である。このため、エッチング後に傾斜式液切り装置で基板を傾斜させたときに、液切り性が悪化する。即ち、Al用エッチング液の表面張力が大きいため、基板の傾斜によっても表面上のエッチング液が側縁部に多量に溜まり、基板を水平姿勢に戻したときに、そのエッチング液が再び表面上に広がるのである。
【0008】
基板の傾斜角度を大きくすればこの問題は解決の方向に向かうが、基板が大型化している現状では、設備との干渉のために基板の傾斜角度を大きくすることが困難であり、また、傾斜角度を大きくすることにより、その傾斜に時間がかかり、液切りのための基板停止時間が長くなるため、基板の傾斜角度を大きくできない制約がある。この制約のため、Al用エッチング液を用いた場合の液切り性の悪化が避けられず、その結果、エッチング液から洗浄水への迅速な液置換が行われないとか、初期洗浄水の廃棄量が増大するといった問題が生じる。
【0009】
本発明の目的は、処理液の粘度が高い場合にも、基板の傾斜角度を大きくすることなく、その表面上から処理液を効率的に排除できる傾斜式液切り装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の傾斜式液切り装置は、基板を水平方向へ搬送しながらその基板の表面に処理液を供給して、その表面を処理する搬送式の基板処理ライン内に配置され、前記基板を所定角度で傾斜させることにより、基板上から処理液を排除する液切り装置本体と、基板の傾斜方向下流側に配置され、基板が前記所定角度で傾斜したときにその傾斜に伴って傾斜方向下流側へ流動して滞留した基板上の処理液に接触するように、基板の側縁部に全長にわたって所定間隔で接近し、且つ前記側縁部に僅かの隙間をあけて対向する多数の非接触式の液接触部材により、基板上からの処理液の排除を促進する液切り促進手段とを具備している。
【0011】
本発明の傾斜式液切り装置では、基板の傾斜によって側縁部に溜まる処理液が、その側縁部に全長にわたって所定間隔で接近する多数の液接触部材を伝って、その側縁部から効率的に排除される。
【0012】
前記液接触部材は、傾斜した基板の側縁部に滞留する処理液に線接触又は点接触するものが排液性の点から好ましく、具体的にはほぼ垂直なピン状部材が好ましい。液接触部材は又、傾斜した基板の側縁部に当接すると、側縁部を削って異物を生じるおそれがあるため、傾斜した基板の側縁部に接近し、前記側縁部に僅かの隙間をあけて対向する非接触式とした
【0013】
本発明の傾斜式液切り装置は、粘性の高いAl用エッチング液に特に好適であるが、効果上の程度の差はあるものの、他のエッチング液、更にはエッチング以外の処理液にも有効である。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図1は本発明の1実施形態に係る傾斜式液切り装置を用いた搬送式基板処理装置の平面図、図2は同傾斜式液切り装置の平面図、図3は図2中のX−X線矢示図である。
【0015】
搬送式基板処理装置は、液晶表示装置用ガラス基板10(以下単に基板10と言う)のAlエッチング処理を行うものである。この基板処理装置は、図1に示すように、直線状の第1ラインA、第1ラインAに直角に接続された第2ラインB、第2ラインBに直角に接続されて第1ラインAに並列する第3ラインCとを組み合わせたUターン形式のレイアウトを採用している。
【0016】
第1ラインAは、受け入れ部1、液よけ部2、エッチング部3及び液切り部4を直線状に連結して構成されている。エッチング部3は、基板10の表面に上方からAl用エッチング水を散布するシャワーユニット31を装備している。また、液切り部4は、本実施形態に係る傾斜式液切り装置40を装備しており、その構成については後で詳細に説明する。
【0017】
第2ラインBは水洗部5であり、基板10の表面に上方から洗浄水を散布するシャワーユニット51を装備している。第3ラインCは、移載装置6、スピンドライヤ7、移載装置8及び取り出し部9を直線状に連結して構成されている。
【0018】
第1ラインA及び第2ラインBは、基板10をライン長手方向に搬送するために、搬送方向に所定間隔で並列された多数の搬送ローラを備えている。各搬送ローラは、搬送方向に直角な水平ロールである。第2ラインB、即ち水洗部5の入口部には、基板10の進行方向を90度変更する転向機構52が設けられている。
【0019】
Alエッチング処理を受ける基板10は、搬送装置11により受け入れ部1に搬入される。その基板10は、ローラ搬送により、液よけ部2からエッチング3部へ移動し、ここを通過する間にエッチング処理を受ける。エッチング部3を通過した基板10は、引き続きローラ搬送により、液切り部4内の傾斜式液切り装置40を経て水洗部5へ移動し、進行方向を90度変更する。そして、水洗部5内を移動する間に水洗処理を受ける。
【0020】
水洗部5の出口部まで移動した基板10は、移載装置6により水洗部5からスピンドライヤ7へ搬送される。スピンドライヤ7で乾燥を終えた基板10は、移載装置8によりスピンドライヤ7から取り出し部9へ搬送され、更に搬送装置11により装置外へ搬出される。
【0021】
本実施形態に係る傾斜式液切り装置40は、図2及び図3に示すように、基板10を水平方向に搬送する複数本の搬送ローラ41と、搬送ローラ41上の基板10を搬送方向側方へ傾斜させる液切り装置本体42と、液切り装置本体42の一側部上に設けられた液切り促進手段43とを備えている。
【0022】
搬送ローラ41は、搬送方向に所定間隔で配列された水平な駆動ローラであり、駆動軸41aの複数位置に設けられた大径部41bで基板10を点支持し、両側の鍔部41cで基板10の幅方向の位置決めを行う。そして、複数の搬送ローラ41が同期駆動されることにより、基板10は所定速度で進行し、また任意位置に停止する。
【0023】
液切り装置本体42は、基板10を搬送方向の複数位置で支持する複数本の基板支持ビーム42aと、複数本の基板支持ビーム42aを基板10の搬送方向側方へ傾斜させる両側一対の昇降装置42b,42cとを有している。複数本の基板支持ビーム42aは、搬送ローラ41の間に平行に配置された搬送方向に直角なビームで、基板10の搬送方向に平行な複数の連結部材42dにより一体化されている。そして、傾斜しない水平状態では、複数本の基板支持ビーム42aは基板搬送面より僅か下方に位置する。
【0024】
両側一対の昇降装置42b,42cは、ここではモータ式ジャッキであり、中央の基板支持ビーム42aを傾斜させることにより、複数本の基板支持ビーム42aを同期して傾斜させる。即ち、傾斜方向下流側に位置する昇降装置42aは、複数本の基板支持ビーム42aの一端部を回動自在に支持する支持部材42eを昇降させ、その上昇により、複数本の基板支持ビーム42aの一端部上面を基板搬送面の僅か上方に位置させる。傾斜方向上流側に位置する昇降装置42cは、複数本の基板支持ビーム42aの他端部を、レバー42fを介して他端部上面が基板搬送面の僅か上方に位置するまで上昇させ、引き続き所定ストロークの上昇を行うことにより、複数本の基板支持ビーム42aを一端部の回動支点を中心にして一端側へ傾斜させる。
【0025】
これにより、搬送ローラ42a上の基板10は、基板支持ビーム42a上に移載され、且つ、搬送方向側方へ所定角度で傾斜する。基板支持ビーム42aの傾斜による搬送ローラ41と連結部材42cの干渉が生じないように、連結部材42cは搬送ローラ41の十分に下方で基板支持ビーム42aを連結している。基板支持ビーム42aの一端部には、基板10の傾斜による横ズレを防止するためにストッパー42gが設けられている。
【0026】
液切り促進手段43は、基板10の搬送方向に所定間隔で配列された多数本の接触部材43aを有している。多数本の接触部材43aは、垂直な丸棒状の細い金属ピンであり、各上端部が上方の水平な支持部材43bに固定され、各下端部が自由端として開放されている。そして、基板10が側方へ所定角度で傾斜したときに、基板10の傾斜方向下流側の側縁部が多数本の接触部材43aに僅かの隙間をあけて対向する位置に、この液切り促進手段43は設置されている。
【0027】
なお、接触部材43aは基本に等ピッチで配列され、そのピッチについては後で詳しく述べるが、基板支持ビーム42aに設けたストッパー42gと干渉する位置では、接触部材43aが省略されている。
【0028】
次に、本実施形態に係る傾斜式液切り装置40の機能について説明する。
【0029】
エッチング部3でのエッチング処理を終えた基板10は、液切り部4に進入し、液切り装置本体42上の所定位置に停止する。このとき、液切り装置本体42の基板支持ビーム42aは、基板搬送面の下方に水平姿勢で待機している。液切り装置本体42上の所定位置に基板10が停止すると、基板支持ビーム42aの一端部が若干上昇し、他端部が大きく上昇する。これにより、基板10は搬送ローラ41上から基板支持ビーム42a上へ移載され、更に側方へ所定角度で傾斜する。
【0030】
基板10の傾斜により、基板10の表面上に残るエッチング液が側方へ流動し、基板10の表面上から排除されるが、エッチング液がAl用の高粘性のものであるため、所定角度の傾斜だけでは、表面張力によって比較的多くのエッチング液が傾斜方向下流側の側縁部に残留する。しかるに、本実施形態に係る傾斜式液切り装置40では、基板10の傾斜方向下流側の側縁部が液切り促進手段43の多数本の接触部材43aに接近し、側縁部に滞留するエッチング液が多数本の接触部材43aに接触する。その結果、各接触部材43aを伝って傾斜方向下流側の側縁部からエッチング液が効率的に排除される。従って、側縁部に残留するエッチング液は僅かとなる。
【0031】
傾斜による液切りが終わると、基板支持ビーム42aは元の水平状態に戻る。これにより、基板10は基板支持ビーム42a上から搬送ローラ41上へ移載され、搬送ローラ41が再駆動されることにより液切り部4から水洗部5へ搬送される。
【0032】
液切り部4では、傾斜式液切り装置40により基板10の傾斜角度を増大せずに効率的な液切りが行われるため、液切り所要時間の延長が回避される。また、設備の大型化が回避される。水洗部5では、基板10に対して初期洗浄を行い、その初期洗浄水は汚れが顕著なため廃棄されるが、水洗部5へ持ち込まれるエッチング液が減少するため、廃棄される初期洗浄水が減少する。
【0033】
傾斜式液切り装置40による基板10の傾斜角度は5〜20度が好ましく、8〜15度が特に好ましい。この傾斜角度が小さすぎると、液切りが十分に行われず、大きすぎる場合は設備上の干渉や傾斜所要時間の増大が問題になる。接触部材43aの配列ピッチは2〜15mmが好ましく、3〜8mmが特に好ましい。このピッチが小さすぎると液溜まりの原因になり、大きすぎる場合は隣接する接触部材間で液が切れにくくなり、いずれも排液性が低下する。接触部材43aの寸法は、丸棒の外径で1〜8mmが好ましく、2〜4mmが特に好ましい。この外径が小さすぎると加工が困難になり、大きすぎる場合は配列ピッチの増大により排液性が低下する。
【0034】
【発明の効果】
以上に説明したとおり、本発明の傾斜式液切り装置は、傾斜した基板の傾斜方向下流側の側縁部を、その側縁部に沿って配列された多数の非接触式の液接触部材に接近させることにより、処理液の粘性が高い場合にも、基板の傾斜角度を大きくせずに、その表面上から処理液を効率的に排除できる。これにより、液切りに続く水洗での負荷が低減され、水コストが低減される。また、液切り所要時間の延長が回避され、設備長の増大等が避けられる。更に、液接触部材が基板の側縁部に接触しないことにより、その側縁部を削って異物を生じるおそれがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施形態に係る傾斜式液切り装置を用いた搬送式基板処理装置の平面図である。
【図2】同傾斜式液切り装置の平面図である。
【図3】図2中のX−X線矢示図である。
【符号の説明】
1 受け入れ部
2 液よけ部
3 エッチング部
4 液切り部
40 傾斜式液切り装置
41 搬送ローラ
42 液切り装置本体
42a 基板支持ビーム
42b,42c 昇降装置
43 液切り促進手段
43a 接触部材
43b 支持部材
5 水洗部
6,8 移載装置
7 スピンドライヤ
9 取り出し部
10 基板
11 搬送装置

Claims (3)

  1. 基板を水平方向へ搬送しながらその基板の表面に処理液を供給して、その表面を処理する搬送式の基板処理ライン内に配置されて、基板を所定角度で傾斜させることにより、基板上から処理液を排除する液切り装置本体と、基板の傾斜方向下流側に配置され、基板が前記所定角度で傾斜したときにその傾斜に伴って傾斜方向下流側へ流動して滞留した基板上の処理液に接触するように、基板の側縁部に全長にわたって所定間隔で接近し、且つ前記側縁部に僅かの隙間をあけて対向する多数の非接触式の液接触部材により、基板上からの処理液の排除を促進する液切り促進手段とを具備することを特徴とする傾斜式液切り装置。
  2. 前記液接触部材はほぼ垂直なピン状部材である請求項1に記載の傾斜式液切り装置。
  3. 前記処理液はAl用エッチング液である請求項1に記載の傾斜式液切り装置。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100687499B1 (ko) * 2004-08-23 2007-02-27 세메스 주식회사 기판 이송 장치
CN101648649B (zh) * 2009-09-03 2012-10-10 东莞宏威数码机械有限公司 真空基片传送系统
JP5842484B2 (ja) * 2011-09-07 2016-01-13 日本電気硝子株式会社 板ガラスの位置決め装置及びその位置決め方法
JP2013219200A (ja) * 2012-04-09 2013-10-24 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
CN104923535A (zh) * 2015-06-17 2015-09-23 高金建 一种玻璃清洗装置
CN107262437B (zh) * 2017-07-31 2019-12-06 京东方科技集团股份有限公司 一种清洗装置
CN109733885A (zh) * 2019-01-21 2019-05-10 彩虹(合肥)液晶玻璃有限公司 输送设备
CN112657921B (zh) * 2020-12-23 2023-01-31 上海集成电路研发中心有限公司 深孔和深沟槽的清洗装置及清洗方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3766193B2 (ja) * 1997-11-27 2006-04-12 芝浦メカトロニクス株式会社 エッチング装置
JP2000031111A (ja) * 1998-07-13 2000-01-28 Toshiba Corp ウェットエッチング方法
JP3638456B2 (ja) * 1998-12-22 2005-04-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板姿勢変更装置

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