JP2007059832A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 内部に処理液が貯留された処理槽11内にウェーハWを浸漬して表面処理を行う基板処理装置1において、処理槽の対向する側壁面の内側には、それぞれ上下2段に第1、第2処理液供給管16a、16b及び第3、第4処理液供給管16c、16dが設けられ、第1〜第4処理液供給管16a〜16dの側壁に設けられた噴射口17は、処理槽内に浸漬されるウェーハに向かい水平方向に対して所定角度θ1、θ2傾斜させて配設されており、対角線上に位置する第1、第4処理液供給管からの供給と、この対角線と交差する対角線上に位置する第2、第3処理液供給管からの供給とを切換え制御する切換え制御手段により、所定時間ごとに処理液を供給する処理液供給管を交互に切換えることによってウェーハの表面処理を行う。
【選択図】 図3
Description
ところが、このような基板処理装置は、被処理基板の中央部に向けて処理液が流れるように設計されているため、中央部以外の箇所、例えば被処理基板と周縁付近或いは底部付近等に処理液がスムーズに流れないよどみ領域が発生し、このようなよどみが発生すると、このよどみ領域にパーティクルや反応生成物が滞留し、処理液濃度の分布が不均一になり、被処理基板が均一に処理されない原因となる。
そこで、このようなよどみを無くす対策として、処理槽内の処理液供給管の本数を増やす方法等が採用されているが、これらの方法は、特定のよどみ領域に対しては効果があるが、代わってまた新たな箇所によどみ領域が発生してしまうことが判明した。そこで、このようなよどみの発生は、処理槽内の処理液の流れが常に一定方向であって、水流の変化が少ないために起こっているのが一因とされて、複数本の供給管からの処理液の供給を選択的に切換えて供給する方式が開発されている(例えば、下記特許文献1〜4参照)。
この基板処理装置は、純水又は薬液を貯留し、これらの処理液に被処理基板を浸漬して基板表面の処理を行なう多機能処理槽50を備え、この処理槽50には、内部壁面の左上、左下、右上及び右下に処理液を供給する供給管51a〜51dがそれぞれ配設され、各供給管はバルブ52a〜52dを介して、それぞれ処理液の供給源53a〜53dに接続され、これらのバルブ52a〜52dを操作することにより処理槽へ処理液か供給される構成となっている。
処理槽50への処理液の供給は、各バルブ52a〜52dの切換えにより行われる。その切換え動作は、図8に示すように、先ず、左上の供給管51aから処理液が被処理基板Wの中心部Cへ向けて供給され、この処理液の供給は所定時間継続される(図8(a))。所定時間経過後に、この供給管からの処理液の供給が停止され、代わって右上の供給管51cから処理理液が被処理基板Wの中心部Cをめがけて所定時間供給される(図8(b))。以後、同様の方法で所定時間毎に、右下の供給管51d、左下の供給管51bからそれぞれ処理液が供給されて(図8(c)、図8(d))、処理槽50内には時計方向の処理液の渦流が形成されてよどみの発生が抑制されるようになっている。
この基板処理装置55は、処理槽56の底部に2本の給水パイプ59、60、両側にそれぞれ2本の給水パイプ57、58及び61、62が配設され、これらの給水パイプのうち、給水パイプ58〜61の吐出口は被処理基板Wの中央部へ、他の給水パイプ57、62の吐出口は被処理基板Wの面外でかつ処理槽の槽壁との間に向けられている。
各給水パイプ57〜62への給水の切換えは、制御装置63から切換え弁を制御することにより行われる。これらの切換え弁の切換えは、先ず、複数本の給水パイプ58〜61が選択されて、これらのパイプから同時に所定時間処理液が供給される。その後、切換え弁の切換えが行われて、同様に複数本の給水パイプ57、59、60、62が選択されて所定時間処理液が供給される。以後、このような処理液の供給が繰り返されて、処理槽の側部及び底部のよどみ発生をなくするようになっている。
また、処理槽の底部に2本、両側にそれぞれ3本の給水パイプが配設され、これらのパイプから同時に処理液が供給されて槽内で乱流が形成されるようにした基板処理装置も知られている(下記特許文献4参照)。
また、近年は、被処理基板の大口径化が進み、このような大口径の被処理基板を一度に大量枚数処理することが基板処理装置に要求されている。そのため、基板処理装置の処理槽が大型化すると共に、使用される処理液の量も多くなり、これに伴って処理槽内のよどみ領域も拡大され、しかも処理時間が長く掛ってしまうという課題が発生している。また、ウェーハ表面には、複雑な回路パターンが形成されるようになってきているため、このような回路パターンが施されていないウェーハ、いわゆるベアウェーハ又は回路パターンが少ないウェーハであれば、これまで特に問題視されなかった微細なパーティクルも問題視されるようになり、基板処理装置にはより高品質の処理が要求されている。
前記処理槽の対向する一対の側壁面の内側には、それぞれ上下2段に第1、第2処理液供給管及び第3、第4処理液供給管が設けられ、前記第1〜第4処理液供給管の側壁に設けられた噴射口は、前記処理槽内に浸漬される被処理基板に向かい水平方向に対して所定角度傾斜させて配設されており、
対角線上に位置する前記第1、第4処理液供給管からの供給と、同じく前記対角線と交差する対角線上に位置する前記第2、第3処理液供給管からの供給とを切換え制御する切換え制御手段により、所定時間ごとに処理液を供給する処理液供給管を交互に切換えることによって前記被処理基板の表面処理を行うことを特徴とする。
すなわち、第1、第2水流のぶつかりあいにより大きく変化した水流が被処理基板表面を払拭しながら拡大する。このため、被処理基板表面に残っている薬液を基板表面から剥がすことができるので、反応速度が速い薬液での処理では高いユニフォミティを実現でき、また被処理基板表面に付着している異物、汚染物質等のパーティクルを除去することができる。
基板処理装置1は、例えば半導体ウェーハ、液晶表示装置用基板、記録ディスク用基板、或いはマスク用基板等の各種基板の表面処理として、薬液処理から乾燥処理に至る一連の処理を1つの槽で行うことができる処理槽を備えている。以下、各種基板を代表して、半導体ウェーハ(以下、単にウェーハという)について説明する。
また、一般に「蒸気」とは「気体」のことを示すが、基板処理の技術分野においては乾燥ガスのように「気体」以外に「微小な液体粒(ミスト)」を含むものも慣用的に「蒸気」ないしは「ベーパ」と表現されているので、本願明細書及び特許請求の範囲においても「気体」以外に「微小な液体粒(ミスト)」を含むものも「蒸気」と表すこととする。
処理液供給系30は、純水を供給する純水供給系31及び各種薬液を供給する薬液供給系33で構成されている。純水供給系31は、純水供給源32に接続された配管Lが途中で分岐され、一方の配管はバルブV1、V2、V3を介して処理装置10の純水供給管18a、18bへ接続され、他方の配管LはバルブVを介して混合器36に接続されている。各純水供給管18a、18bへの純水の供給及び停止は、バルブV1、V2、V3の切換えにより、また、混合器36への純水の供給、停止はバルブVの切換えにより行われる。
また、薬液供給系33は、薬液A、B供給源34、35と混合器36とがそれぞれバルブV4、V5を介して配管Lで接続され、混合器36への薬液A、Bの供給及び停止はバルブV4、V5の切換えにより行われる。また、混合器36から処理槽11へは、純水に薬液単体又は各薬液が混合されて、所定の濃度に調整されて供給される。薬液A、Bは、例えばHCL、H2O2、HF、NH4OH、オゾン水等である。
この処理槽11の容積は、例えば49.19リットルで供給管から毎分30リットルの処理液が供給されるように設計され、また、収容されるウェーハの大きさ及び枚数は、例えば直径300mm、50枚である。槽取付け部材15は、処理槽11を中央部3の架台に取付けるための取付け部材である。
先ず、側壁12bの上側の供給管16a及びこの供給管16aの対角線上に位置する側壁12cの下側の供給管16dから同時に所定量の処理液が所定時間、例えばt秒間供給される。これらの対角線上に位置する供給管16a、16dからの処理液の供給により、各供給管16a、16dの各噴射口17から噴射される水流で反時計方向の渦流Aが形成される(図5(a)、図6(a)参照)。
2本の供給管16a、16dからの処理液の供給を所定時間、例えばt時間継続した後に、これらの供給管16a、16dからの処理液の供給を停止し、代わって、他方の対角線上に位置する側壁12bの下側の供給管16b及び対向する側壁12cの上側の供給管16cから同時に所定量の処理液を所定時間tの間供給する。この切換えにより、処理槽11内では、図6(b)に示すように、残存する渦流Aに向かって反対方向の渦流Bを形成すべく供給管16b、16cから供給された処理液がこの渦流Aに衝突することにより一時的に処理槽11内には変化の激しい水流が発生し、その後、図6(c)に示すように、徐々に残存する渦流Aを打消して時計方向の渦流Bが形成される。
以後、この供給管16a、16dと16b、16cとの切換えを交互に行なうことにより、処理槽11内で渦流A、Bが所定時間毎に切換え形成されるようになる(図6(d)〜図6(e)参照)。
表1に示す実施例及び比較例の基板処理装置は、いずれも処理槽11の容積は49.19リットル、処理液供給量は毎分30リットル、各供給管16a〜16dの直径D1は20mm、ピッチD2は5.0mm、各噴射口17の直径φは1mm、各供給管16a、16cの角度は25度、供給管16b、16dの45度にして、直径300mmのウェーハW50枚を処理時間200秒で処理したものである。
一方、比較例1は対角線上に位置する2本の供給管(ここでは供給管16a、16d)のみを利用して切換えを行うことなく処理液を供給した例、比較例2、3は下又は上側2本の供給管のみを利用して切換えを行うことなく処理液を供給した例、比較例4は4本の供給管16a〜16dの全てを同時に用いて処理液を供給した例である。
この結果、比較例1〜4ではそのエッチングユニフォミティが最もよいもので2.1%であったのに比べて、実施例1、2による処理は、エッチングユニフォミティが1.0〜2.0%の範囲にあり、いずれも比較例1〜4の処理に比較して改善された。
乾燥室21内の各噴射ノズル22は、全体形状が円錐状をなし先細の先端に開穴が形成され、この開穴から乾燥ガスが噴射される。また、各噴射ノズル22には、ヒータ(図示省略)が付設されている。
この乾燥ガス供給系37は、不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する不活性ガス供給源38a、38bと、乾燥蒸気供給装置39と、を備え、この乾燥蒸気供給装置39からの乾燥ガスが配管LHを介して乾燥室21へ供給される。配管LH及びこの管から分岐された各分岐管には、管体の外周壁面にヒータ(図示省略)が付設されている。このヒータには、例えばベルトヒータを使用する。これらのヒータは、CPU(図示省略)に接続され、このCPUによって制御される。
また、サブミクロンサイズのミストを大量にウェーハ表面に噴射できるようになるので、噴射ノズル付近のウェーハ面に付着している洗浄液のみならず、噴射ノズルから離れた位置にあるウェーハ面に付着している洗浄液にも、この大量のサブミクロンサイズの有機溶剤ミストが届くため効率よく置換される。その結果、複数の供給ノズルと不活性ガスの量の調整、さらにウェーハと乾燥室の内部側壁面との距離が短いことも伴って多数の大口径ウェーハが処理槽内に挿入されていても、サブミクロンサイズのミストは急速に基板間に浸入できるので、乾燥処理効率が向上すると共に処理時間も短縮でき、ウェーハ表面のウォータマークの発生が極めて少なく、或いは殆ど零にできる。さらに、パーティクルの付着もなくなり、しかも、乾燥処理のスピードが速くなるのでパーティクルの再付着をも防止できる。
この排液処理系45は、使用済み純水を処理する純水排液処理部46、薬液A、B排液処理部47、48を備え、これらはバルブVを介して処理槽11の底部に接続されている。
先ず、純水供給源32から処理槽11の内槽12へ純水を供給し内槽を洗浄する。このとき蓋体20は、処理槽11の上方或いは上方側部に待機させておく。
槽内の洗浄後、純水を排出し、薬液供給源、例えば薬液A供給源34から薬液Aを内槽12内のいずれかの供給管16a〜16dへ供給する。この薬液Aが内槽12内に貯留された後に、ウェーハWを薬液Aに浸漬して処理を行う。この薬液Aの処理が終了した後、槽上部の純水供給管18a、18bから純水シャワーを行いつつ内槽12内の薬液Aを薬液A排液処理部47に排液し、次に、純水供給源32から、いずれかの供給管16a〜16dへ純水を供給し純水で槽内が満たされたら槽上部の純水供給管18a、18bから純水シャワーを終了し、対角線上に位置する供給管16a、16cを介して純水を供給し、所定時間後にこれらの供給を停止し、他の対角線上に位置する供給管16b、16cから純水を供給して、内槽12内で所定方向の水流、すなわち、上記(i)、(ii)の水流を形成して、ウェーハWの洗浄を行う。なお、この水流の形成は、パーティクルの除去や比抵抗の回復の程度を見て複数回行う。
この純水による洗浄が終了した後、薬液供給源、例えば薬液B供給源35から薬液Bをいずれかの供給管16a〜16dへ供給し、薬液Bによる処理を行い、再び上述の工程と同様の純水による洗浄工程を行う。以後、同様にして必要に応じて他の薬液を用いた処理を行う。
次いで、処理槽11の排出口(図示省略)から内槽12内の純水を急速排出する。この排出時には、マイクロミストを含むIPAの乾燥ガスを噴射ノズル22から供給し続けて、ウェーハWの乾燥を行う。
この乾燥処理が終了した後に、不活性ガス供給源38aから窒素ガス(N2)を乾燥室21に供給し、その後、ウェーハWを乾燥室から取出して処理を終了する。
10 処理装置
11 処理槽
12 内槽
12a 底部
12b〜12e 側壁部
14 外槽
16a〜16d (第1〜第4)処理液供給管
17 噴射口
20 蓋体
21 乾燥室
22 噴射ノズル
32 純水供給源
34、35 薬液供給源
36 混合器
38a、38b 不活性ガス供給源
39 乾燥蒸気供給装置
40 蒸気発生槽
46 純水排液処理部
47、48 薬液排液処理部
49 超音波発生装置
Claims (9)
- 内部に処理液が貯留された処理槽内に被処理基板を浸漬してその表面処理を行う基板処理装置において、
前記処理槽の対向する一対の側壁面の内側には、それぞれ上下2段に第1、第2処理液供給管及び第3、第4処理液供給管が設けられ、前記第1〜第4処理液供給管の側壁に設けられた噴射口は、前記処理槽内に浸漬される被処理基板に向かい水平方向に対して所定角度傾斜させて配設されており、
対角線上に位置する前記第1、第4処理液供給管からの供給と、同じく前記対角線と交差する対角線上に位置する前記第2、第3処理液供給管からの供給とを切換え制御する切換え制御手段により、所定時間ごとに処理液を供給する処理液供給管を交互に切換えることによって前記被処理基板の表面処理を行うことを特徴とする基板処理装置。 - 前記第1、第3処理液供給管の噴射口は水平方向に対して所定角度下方へ、前記第2、第4処理液供給管の噴射口は水平方向に対して所定角度上方へ向くように配設されていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第1、第3処理液供給管の噴射口の傾斜角度は水平方向に対して下方へ20度〜30度、前記第2、第4処理液供給管の噴射口の傾斜角度は水平方向に対して上方へ40〜50度の範囲にあることを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記切換え制御手段による切換えは5〜15秒ごとに行われるように制御されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記第1、第2処理液供給管及び第3、第4処理液供給管は、それぞれ上下方向に所定距離離間されて配設されており、さらに、前記処理槽内に浸漬される被処理基板の側端部に近接する位置にそれぞれ配設されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記各側壁面の内側にはそれぞれ凹み部が形成され、該各凹み部に前記第1、第2処理液供給管及び第3、第4処理液供給管がそれぞれ収容されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記処理槽は、その底壁の外壁面に超音波発生装置が取付けられていることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記処理槽の上方の開口部は、前記被処理基板とその内部側面が接近する容積を備える乾燥室を有する蓋体で覆われ、該乾燥室内には、複数個の噴射ノズルが配設され、これらの噴射ノズルは、乾燥ガスを供給するための乾燥ガス供給装置に接続されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記乾燥ガスはサブミクロンサイズの有機溶剤ミストを含む乾燥蒸気からなることを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008288442A (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Ses Co Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
US7694688B2 (en) | 2007-01-05 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Wet clean system design |
US7775219B2 (en) | 2006-12-29 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Process chamber lid and controlled exhaust |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05267263A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Sony Corp | 半導体ウェーハ洗浄装置 |
JPH062740U (ja) * | 1992-06-05 | 1994-01-14 | 株式会社フローム | プリント基板の洗浄装置 |
JPH09260334A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Kaijo Corp | 半導体部品洗浄装置 |
JPH10235300A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-09-08 | Maruyama Mfg Co Ltd | 洗浄装置 |
JP2001274133A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2005064482A (ja) * | 2004-07-15 | 2005-03-10 | Ses Co Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
-
2005
- 2005-08-26 JP JP2005246645A patent/JP2007059832A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05267263A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Sony Corp | 半導体ウェーハ洗浄装置 |
JPH062740U (ja) * | 1992-06-05 | 1994-01-14 | 株式会社フローム | プリント基板の洗浄装置 |
JPH09260334A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Kaijo Corp | 半導体部品洗浄装置 |
JPH10235300A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-09-08 | Maruyama Mfg Co Ltd | 洗浄装置 |
JP2001274133A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2005064482A (ja) * | 2004-07-15 | 2005-03-10 | Ses Co Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7775219B2 (en) | 2006-12-29 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Process chamber lid and controlled exhaust |
US7694688B2 (en) | 2007-01-05 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Wet clean system design |
JP2008288442A (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Ses Co Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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