CN100437218C - 基底处理装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种在水平方向传送基底并在该基底表面上供给处理溶液的基底处理装置，它包括：保持位于其下的基底的基底支持部件；用于供给处理溶液的喷射部件，该喷射部件位于基底的下面并与基底间隔分开；以及用于在水平方向上传送基底支持部件的传送部件。

Description

基底处理装置
技术领域
本发明涉及一种基底处理装置，尤其是一种用于液晶显示装置的传送型的基底处理装置。
背景技术
液晶显示装置(‘LCD’)是通过在一个玻璃基底表面上进行重复的化学处理例如显影、蚀刻、清洁等制成的。该制造装置分为干型和湿型，而湿型装置分为批量型和单一型。单一型装置分为旋转型和传送型例如滚筒传送。
在上述的处理装置中，传送型装置在一个基本水平的方向上传送基底并供给处理溶液，它对于蚀刻是高效和常用的。
在传送型基底处理装置中，把蚀刻溶液从许多在基底传送线上排列成矩阵的喷嘴喷射到整个基底表面上，该基底是在蚀刻溶液的喷射过程中传送的。接着，把基底表面除了其上施加了掩模材料以外的区域通过喷射处理选择性的蚀刻。在蚀刻完成时，随后进行喷射清洁处理。
总体上，当喷射处理溶液或者在LCD的蚀刻和清洁处理中清洗基底时，在水平状态上传送基底。随着基底的尺寸的变大，有时采用基底倾斜传送以补偿该大尺寸。
近来的趋势是基底的尺寸快速增加，但是水平型或者倾斜型对于防止诸如均一性差，色斑，外部材料的粘附等方面的问题是不够的。
换言之，在传统的大尺寸基底的水平或者倾斜状态下执行蚀刻和/或清洁处理，即，湿处理时，需要提供大量的处理溶液或清洁溶液，但是，从上面喷射的处理溶液或清洁溶液并不能有效的到达基底的各个部分，由此引起不良的处理性能。
在基底的几个部分产生的处理溶液涡流现象和流向一个特定方向能引起色斑。
在湿处理过程中，由其它处理产生的残留物或者外来材料会再次剩余在基底上并被基底吸附。
当在基底变大时，用来阻止处理溶液流向基底边缘的流体传送阻止装置诸如气刀等，并不是对基底的每个部分都有效的，并产生另一个问题，即需要大量的空气或复杂的工具的问题。
发明内容
提供一种在水平方向传送基底并在待要处理的基底表面上供给处理溶液的基底处理装置，它包括：一基底支持部件，用于保持位于该基底支持部件下的所述基底；用于供给处理溶液的喷射部件，该喷射部件位于基底的下面并与基底间隔分开，该喷射部件在垂直方向喷射处理溶液；以及用于在水平方向上传送基底支持部件的传送部件。
喷射部件能在垂直方向喷射处理溶液。
基底支持部件使用静电力、真空压力、或箝位(clamping)支持基底。
附图说明
通过参照附图详细描述实施例，本发明将变得更清楚，其中：
图1是依据本发明第一实施例的基底处理装置的侧视图；
图2是依据本发明第一实施例的基底处理装置的布局图；
图3是依据本发明第二实施例的基底处理装置的侧视图；和
图4是依据本发明第三实施例的基底处理装置的侧视图。
具体实施方式
本发明的目的是提供一种基底处理装置，它改善了因为大量的处理溶液或清洁溶液而造成的不良处理性能和均匀性。
以下将参照示出本发明优选的实施例的附图对本发明进行更全面的描述。但是，本发明也可以许多不同的形式体现，并不局限于这里提出的实施例。
在图中，为了清楚将层和区域的厚度扩大了。相同标记表示同一元件。可以理解，当把一元件例如层，区域或基底称为“位于”另一个元件上时，它可以是直接位于另一个元件上或者也可以是插入元件。相反，当称一个元件“直接位于”另一个元件上时，则表示没有插入元件。
现在将参考附图对本发明的优选实施例进行描述。
参考图1和2，依据本发明第一优选实施例的基底处理装置包括：在其下面连接了基底1的基底支持部件10，在基底1下以特定的距离间隔设置的喷射部件30，和用于在水平方向传送基底支持部件10的传送部件20。
基底支持部件10通过箝位保持基底1在基底支持部件10下面。如图1所示，基底支持部件10包括一用于支持基底1的支架11、和一排列在支架11底面下并连接在基底1的一侧的用于固定基底1的箝位器(clamper)12。
如图2所示，传送基底支持部件10的传送部件20包括一对导轨20和一对臂22。把每对臂22的末端连接在基底支持部件10的支架11的一侧，并且把另一末端与导轨21连接。臂沿导轨21移动，由此移动与臂22连接的基底支持部件10。由此移动通过箝位器12与基底支持部件10的底面连接的基底1。
把喷射部件30以特定的距离间隔设置在基底1的下部。喷射部件30的许多喷嘴31向基底1喷射处理溶液。即，喷嘴31的喷射孔31a朝上并向放置在喷嘴21上方的基底1喷射处理溶液2。
依据本发明第一优选实施例的基底处理装置在水平方向传送基底1，并向基底1的表面提供处理溶液2。
换言之，传送与传送部件20相连的基底支持部件10，且位于其下的喷射部件30喷射处理溶液2，以对基底1进行湿处理。
由于处理溶液2是向上喷射的，即使喷射大量的处理或清洁溶液，处理溶液或清洁溶液也不会残留在基底1上。因此使用相对少量的处理或清洁溶液和较低的流体压力就能进行湿处理，所以提高了蚀刻等的处理性能和清洁性能。
此外，由于在整个基底1上方进行均匀的湿处理，蚀刻或清洁的均匀性也得以提高。
由于处理溶液2的垂直喷射，没有处理或清洁溶液存留在基底1上，可将基底1传送到下一个下处理步骤而没有任何的残渣或在整个基底处理或清洁过程中产生的外部材料。因此，基底1的清洁度得以提高。
由于处理溶液2的垂直喷射，没有处理或清洁溶液存留在基底1上，所以不需要用于阻止处理溶液流向基底边缘的液体传送阻止装置例如气刀等，或者可用简单的装置来代替。
图3表示本发明第二实施例的基底处理装置。上面附图提到的相同标记表示执行相同功能的同一部件。
如图3所示，依据本发明第二优选实施例的基底处理装置包括：一在其下面连接了基底1的基底支持部件10，在基底1下以一个特定的距离间隔设置的喷射部件30，和用于在水平方向上传送基底支持部件10的传送部件20。
基底支持部件10通过真空压力支持基底1。基底支持部件10包括一用于支持基底1的具有真空孔11a的支架11，和一与支架11相连的真空发生器13。把真空发生器13产生的真空压力通过真空孔11a作用在基底1的一表面上，由此，通过真空压力吸附基底1。
依据本发明第二优选实施例的基底处理装置，除支持基底的方法外与第一实施例具有基本相同的结构和效果。即，依据本发明第二实施例的基底处理装置，在水平方向上传送基底1并向基底1的表面供给处理溶液2。传送与传送部件20相连且在其上用真空压力连接了基底1的基底支持部件10，位于其下的喷射部件30喷射处理溶液2，以对基底1进行湿处理。
附图4表示本发明第三实施例的一基底处理装置。上面附图中提到的相同的附图标记表示执行同样功能的相同部件。
如图4所示，本发明第三实施例的基底处理装置包括：一在其下面连接了基底1的基底支持部件10，在基底1下以一特定的距离间隔设置的喷射部件30，和一用于在水平方向上传送基底支持部件10的传送部件20。
基底支持部件10采用静电力支持基底1。基底支持部件10包括一用于支持基底1的支架11和一与支架11相连的静电力发生器14。由于静电力发生器14产生的静电力，把基底1(玻璃基底)连接在支架11上。由于基底的表面区域较大且基底是玻璃基底，其中静电力能够容易产生，基底可通过静电力很好地连接在支架11上。
依据本发明第三优选实施例的基底处理装置，除支持基底的方法外与第一实施例具有基本相同结构和效果。即，依据本发明第三实施例的基底处理装置，在水平方向上传送基底1并向基底1的表面供给处理溶液2。传送与传送部件20相连且在其上用静电力连接了基底1的基底支持部件10，位于其下的喷射部件30喷射处理溶液2，以对基底1进行湿处理。
另一方面，依据本发明的第一至第三实施例，在湿处理或在湿预处理(UV，AP等离子体，空气清洁，等)之前或之后，可适用干处理。即，把基底1颠倒悬挂传送，能够避免在传统处理中产生的粒子的吸附和下落到基底1。
此外，依据本发明第一至第三优选实施例的基底处理装置可适用干蚀刻处理，用于阻上在干蚀刻处理中产生的和从基底1的表面上吸附的落下的粒子。
依据本发明，由于处理溶液的喷射方向是垂直的，即使喷射大量的处理溶液或清洁溶液，处理溶液或清洁溶液也不能存留在基底上，因此，使用相对少量的处理或清洁溶液和较低的流体压力就可以执行湿处理。
此外，由于在整个基底上作用均衡的湿处理，蚀刻或清洁的均匀性得以提高。
由于处理溶液垂直向上的喷射，没有处理或清洁溶液存留在基底上，因此可将基底传送到下一个处理步骤，而没有在整个基底处理或清洁过程中产生的任何残渣或外部材料。因此，基底的清洁度得以提高。
由于处理溶液的垂直喷射，没有处理或清洁溶液存留在基底上，所以不需要用于阻止处理溶液流向基底边缘的液体传送阻止装置例如气刀等，或者可用简单的装置来代替。
尽管在前面已经对本发明的优选实施例作了详细的描述，应该清楚的理解，对于本领域的技术人员基于此发明概念的许多变化和/或改进，仍将落入如附加权利要求所定义的本发明的实质和范围之内。

Claims (5)

1.一种用于在水平方向传送基底并向待要处理的基底表面供给处理溶液的基底处理装置，包括：
一基底支持部件，用于保持位于该基底支持部件下的所述基底；
一用于供给处理溶液的喷射部件，喷射部件设置在基底下并与基底间隔开，该喷射部件在垂直方向喷射处理溶液；和
一用于在水平方向上传送基底支持部件的传送部件。
2.如权利要求1所述的基底处理装置，其中喷射部件在垂直方向上喷射处理溶液。
3.如权利要求1所述的基底处理装置，其中基底支持部件采用静电力支持基底。
4.如权利要求1所述的基底处理装置，其中基底支持部件采用真空压力支持基底。
5.如权利要求1所述的基底处理装置，其中基底支持部件采用箝位支持基底。
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