JPH02252238A - 基板の洗浄装置 - Google Patents
基板の洗浄装置Info
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- JPH02252238A JPH02252238A JP7264189A JP7264189A JPH02252238A JP H02252238 A JPH02252238 A JP H02252238A JP 7264189 A JP7264189 A JP 7264189A JP 7264189 A JP7264189 A JP 7264189A JP H02252238 A JPH02252238 A JP H02252238A
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 54
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、基板の洗浄装置に関する。
（従来の技術）
近年、半導体装置は１６Ｍ 、３２Ｍ 、６４Ｍと高集
積化される傾向にあり、このためその回路パターン等も
例えば線幅ｌｕｍ以下以下用微細化が要求されている。
積化される傾向にあり、このためその回路パターン等も
例えば線幅ｌｕｍ以下以下用微細化が要求されている。
このような半導体装置を製造する工程においては、微小
な塵埃の存在が大きな障害となるので、半導体の製造を
行うクリーンルームは、例えばクラス１０級の超クリー
ン化が進められている。
な塵埃の存在が大きな障害となるので、半導体の製造を
行うクリーンルームは、例えばクラス１０級の超クリー
ン化が進められている。
ところで、上述のような半導体製造工程においては、基
板に各種処理を施す前処理として、従来から基板例えば
半導体ウェハの洗浄を行い、半導体ウェハ面に付着した
塵埃の除去を行っている。
板に各種処理を施す前処理として、従来から基板例えば
半導体ウェハの洗浄を行い、半導体ウェハ面に付着した
塵埃の除去を行っている。
このような基板の洗浄装置としては、従来、ブラシによ
り基板表面を擦ることにより洗浄を行う装置、圧力例え
ば１００Ｋｇ程度の高圧ジェット噴流を基板表面に当て
ることにより洗浄を行う装置、超音波振動子を備えたノ
ズルから高周波振動を与えた洗浄液を基板表面に供給し
洗浄を行う装置等が例えば特開昭（ｉｆ−２２０４３４
、特開昭６０−２４９３３１．特開昭５０−７８９８６
、特開昭００−１９３５７７号公報等で知られている。
り基板表面を擦ることにより洗浄を行う装置、圧力例え
ば１００Ｋｇ程度の高圧ジェット噴流を基板表面に当て
ることにより洗浄を行う装置、超音波振動子を備えたノ
ズルから高周波振動を与えた洗浄液を基板表面に供給し
洗浄を行う装置等が例えば特開昭（ｉｆ−２２０４３４
、特開昭６０−２４９３３１．特開昭５０−７８９８６
、特開昭００−１９３５７７号公報等で知られている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記説明の従来の基板の洗浄装置では、
次のような問題がある。
次のような問題がある。
すなわち、一般に半導体ウェハ等の基板表面には例えば
１μｍ程度の微小な凹凸が有り、このような凹凸リコー
ナ部に入り込んだ微小な塵埃は、ブラシにより基板表面
を擦る装置では除去することが困難である。
１μｍ程度の微小な凹凸が有り、このような凹凸リコー
ナ部に入り込んだ微小な塵埃は、ブラシにより基板表面
を擦る装置では除去することが困難である。
また、高圧ジェット噴流を用いた装置、超音波振動子を
備えたノズルを用いる装置では、上述したような微小な
塵埃でも除去することができるが、高圧ジェット噴流を
用いた装置では基板に損傷を与えるという問題があり、
超音波振動子を備えたノズルを用いる装置では、ノズル
を基板全面にスキャンニングする必要があり、洗浄に時
間を要するという問題がある。
備えたノズルを用いる装置では、上述したような微小な
塵埃でも除去することができるが、高圧ジェット噴流を
用いた装置では基板に損傷を与えるという問題があり、
超音波振動子を備えたノズルを用いる装置では、ノズル
を基板全面にスキャンニングする必要があり、洗浄に時
間を要するという問題がある。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、従来に較べて基板面に付着した微小な塵埃を効率良く
短時間で除去することができ、かつ、基板に損傷を与え
ることのない基板の洗浄装置を提供しようとするもので
ある。
、従来に較べて基板面に付着した微小な塵埃を効率良く
短時間で除去することができ、かつ、基板に損傷を与え
ることのない基板の洗浄装置を提供しようとするもので
ある。
［発明の構成〕
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明の基板の洗浄装置は、基板を保持し、該
基板を回転可能に構成された基板保持機構と、この基板
保持機構上に設けられた前記基板を浸漬する如く、洗浄
液槽を形成する洗浄液槽形成機構と、この洗浄液槽形成
機構に設けられ、前記洗浄液槽に超音波振動を与える超
音波振動子と、前記洗浄液槽形成機構と前記基板保持機
構とを相対的に上下動させ前記洗浄液槽を形成、破壊す
る昇降機構とを備えたことを特徴とする。
基板を回転可能に構成された基板保持機構と、この基板
保持機構上に設けられた前記基板を浸漬する如く、洗浄
液槽を形成する洗浄液槽形成機構と、この洗浄液槽形成
機構に設けられ、前記洗浄液槽に超音波振動を与える超
音波振動子と、前記洗浄液槽形成機構と前記基板保持機
構とを相対的に上下動させ前記洗浄液槽を形成、破壊す
る昇降機構とを備えたことを特徴とする。
（作 用）
本発明の基板の洗浄装置では、基板保持機構上に基板を
設け、洗浄液槽形成機構によりこの基板を浸漬する如く
洗浄液槽を形成し、この洗浄液槽形成機構に設けられた
超音波振動子により洗浄液に超音波振動を与え基板の洗
浄を行う。
設け、洗浄液槽形成機構によりこの基板を浸漬する如く
洗浄液槽を形成し、この洗浄液槽形成機構に設けられた
超音波振動子により洗浄液に超音波振動を与え基板の洗
浄を行う。
したがって、基板に損傷を与えることがなく、かつ、基
板全面を同時に超音波振動を用いて洗浄することができ
、従来に較べて基板面に付着した微小な塵埃を効率良く
短時間で除去することができる。
板全面を同時に超音波振動を用いて洗浄することができ
、従来に較べて基板面に付着した微小な塵埃を効率良く
短時間で除去することができる。
（実施例）
以下、本発明を半導体ウェハの洗浄を行う基板の洗浄装
置に適用した実施例を図面を参照して説明する。
置に適用した実施例を図面を参照して説明する。
基板の洗浄装置１には、例えば円板状に構成され、その
上面に例えば真空チャック等により半導体ウェハ２を吸
着保持する基板保持部３が設けられている。また、この
基板保持部３の下側には、シャフト４を介して回転駆動
機構５および基板昇降機構６が接続されており、半導体
ウェハ２を上下動および高速回転可能とする基板保持機
構が構成されている。
上面に例えば真空チャック等により半導体ウェハ２を吸
着保持する基板保持部３が設けられている。また、この
基板保持部３の下側には、シャフト４を介して回転駆動
機構５および基板昇降機構６が接続されており、半導体
ウェハ２を上下動および高速回転可能とする基板保持機
構が構成されている。
上記基板保持部３の周囲には、例えば樹脂等から円筒環
器状に形成され、その中央部にシャフト４が貫通して設
けられる如く構成された下カップ７が設けられている。
器状に形成され、その中央部にシャフト４が貫通して設
けられる如く構成された下カップ７が設けられている。
この下カップ７の底部は、周辺に環状の低部７ａが形成
され、中央に円形の高部７ｂが形成される如く段差状に
構成されており、低部７ａには後述する洗浄液を排出す
るための液体排出配管８、高部７ｂには下カツプ７内か
ら排気を行うための排気配管９が接続されている。
され、中央に円形の高部７ｂが形成される如く段差状に
構成されており、低部７ａには後述する洗浄液を排出す
るための液体排出配管８、高部７ｂには下カツプ７内か
ら排気を行うための排気配管９が接続されている。
また、この下カップ７には、下カツプ昇降機構１０が接
続されている。
続されている。
また、上記下カツプ７内の底部には、上述した高部７ｂ
上に載置される知＜、内カップ１１が設けられている。
上に載置される知＜、内カップ１１が設けられている。
この内カップ１１は、例えば樹脂等から円板状に構成さ
れており、その中央部にはシャフト４が貫通して設けら
れる円孔ｔｌａが穿設され、上面周縁部には、下方に傾
斜する傾斜部１１ｂが形成されている。
れており、その中央部にはシャフト４が貫通して設けら
れる円孔ｔｌａが穿設され、上面周縁部には、下方に傾
斜する傾斜部１１ｂが形成されている。
さらに、上記内カップ１１の上方には、例えば樹脂等か
ら環状に構成され、外カツプ昇降機構１２により、上下
動自在とされた外カップ１３が設けられている。また、
この外カツプ１３内には、超音波振動子１４が−または
複数設けられており、外カップ１３の下面には、上述し
た内カップ１１上面の傾斜部１１ｂと同様な傾斜面１３
ａが形成されている。
ら環状に構成され、外カツプ昇降機構１２により、上下
動自在とされた外カップ１３が設けられている。また、
この外カツプ１３内には、超音波振動子１４が−または
複数設けられており、外カップ１３の下面には、上述し
た内カップ１１上面の傾斜部１１ｂと同様な傾斜面１３
ａが形成されている。
すなわち、第２図に示すように、基板保持部３の下側に
設けられたＯリング１５と内カップ１１上面を当接する
とともに、内カップ１１上面の傾斜部１１ｂと、外カッ
プ１３下面の傾斜面１３ａとを当接させ、これらの当接
部位を水密的に保持することにより、半導体ウェハ２を
浸漬可能とする洗浄液槽１６を形成可能に構成されてい
る。
設けられたＯリング１５と内カップ１１上面を当接する
とともに、内カップ１１上面の傾斜部１１ｂと、外カッ
プ１３下面の傾斜面１３ａとを当接させ、これらの当接
部位を水密的に保持することにより、半導体ウェハ２を
浸漬可能とする洗浄液槽１６を形成可能に構成されてい
る。
上記構成のこの実施例の基板の洗浄装置１では、次のよ
うにして半導体ウェハ２の洗浄を行う。
うにして半導体ウェハ２の洗浄を行う。
すなわち、まず第１図に示すように、基板保持部３が下
カップ７および外カップ１３の上部に突出するよう予め
基板昇降機構６によって基板保持部３を上昇させておき
、この状態で例えば図示しない搬送装置等により半導体
ウェハ２を基板保持部３上に設け、吸着保持する。
カップ７および外カップ１３の上部に突出するよう予め
基板昇降機構６によって基板保持部３を上昇させておき
、この状態で例えば図示しない搬送装置等により半導体
ウェハ２を基板保持部３上に設け、吸着保持する。
この後、第２図に示すように、基板昇降機構６によって
基板保持部３を下降させるとともに、下カツプ昇降機構
１０により下カップ７を上昇させ、基板保持部３の下側
に設けられたＯリング］５と内カップ１１上面、内カッ
プ１１」二面の傾斜部１１ｂと、外カップ１３下面の傾
斜面１３ａとをそれぞれ当接させ、これらの当接部位を
水密的に保持する。しかる後、例えば図示しない洗浄液
供給ノズルにより、半導体ウェハ２の上部から洗浄液例
えば純水を供給し、半導体ウェハ２が浸漬される如く、
内カップ１１と外カップ１３との間に洗浄液槽１６を形
成する。そして、外カップ１３に設けられた超音波振動
子１４によってこの洗浄液槽１６に超音波振動を与え、
半導体ウェハ２の洗浄を行う。
基板保持部３を下降させるとともに、下カツプ昇降機構
１０により下カップ７を上昇させ、基板保持部３の下側
に設けられたＯリング］５と内カップ１１上面、内カッ
プ１１」二面の傾斜部１１ｂと、外カップ１３下面の傾
斜面１３ａとをそれぞれ当接させ、これらの当接部位を
水密的に保持する。しかる後、例えば図示しない洗浄液
供給ノズルにより、半導体ウェハ２の上部から洗浄液例
えば純水を供給し、半導体ウェハ２が浸漬される如く、
内カップ１１と外カップ１３との間に洗浄液槽１６を形
成する。そして、外カップ１３に設けられた超音波振動
子１４によってこの洗浄液槽１６に超音波振動を与え、
半導体ウェハ２の洗浄を行う。
上記洗浄が終了すると、ＴＳ３図に示すように、外カツ
プ昇降機構１２により外カップ１３を上昇させるととも
に、下カツプ昇降機ＩＩが１０により下カップ７を下降
させ、洗浄液槽１６を破壊して貯留された洗浄液を下カ
ツプ７内に落下させ液体排出配管８から排出する。この
後、回転駆動機構５により半導体ウェハ２を低速で回転
させながら、例えば内カップ１１に設けたリンス液供給
ノズルおよび半導体ウェハ２の上部に設けたリンス液供
給ノズル（ともに図示せず）から半導体ウェハ２の上面
および下面にリンス液例えば純水を供給してリンスを行
う。そして、この後、リンス液の供給を停止し、半導体
ウェハ２を高速回転させて半導体ウェハ２の乾燥を行う
。なお、この時半導体ウェハ２から飛散したリンス液は
、外カップ１３の傾斜面１３ａに衝突して下カツプ７内
に落下し、液体排出配管８から排出される。また、この
時排気配管９により排気を行い、ミスト状になったリン
ス液を、排気配管９から排気する。
プ昇降機構１２により外カップ１３を上昇させるととも
に、下カツプ昇降機ＩＩが１０により下カップ７を下降
させ、洗浄液槽１６を破壊して貯留された洗浄液を下カ
ツプ７内に落下させ液体排出配管８から排出する。この
後、回転駆動機構５により半導体ウェハ２を低速で回転
させながら、例えば内カップ１１に設けたリンス液供給
ノズルおよび半導体ウェハ２の上部に設けたリンス液供
給ノズル（ともに図示せず）から半導体ウェハ２の上面
および下面にリンス液例えば純水を供給してリンスを行
う。そして、この後、リンス液の供給を停止し、半導体
ウェハ２を高速回転させて半導体ウェハ２の乾燥を行う
。なお、この時半導体ウェハ２から飛散したリンス液は
、外カップ１３の傾斜面１３ａに衝突して下カツプ７内
に落下し、液体排出配管８から排出される。また、この
時排気配管９により排気を行い、ミスト状になったリン
ス液を、排気配管９から排気する。
すなわち、この実施例の基板の洗浄装置１では、高圧ジ
ェット噴流を用いる従来の方法のように半導体ウェハ２
に損傷を与えることがなく、かつ、半導体ウェハ２全而
（裏面も）を同時に超音波振動を用いて洗浄することが
でき、従来に較べて半導体ウェハ２にに付むした微小な
塵埃を効率良く短時間で除去することができる。また、
同一装置でリンスおよび乾燥を行うことができ、効率良
く洗浄処理を行うことができる。
ェット噴流を用いる従来の方法のように半導体ウェハ２
に損傷を与えることがなく、かつ、半導体ウェハ２全而
（裏面も）を同時に超音波振動を用いて洗浄することが
でき、従来に較べて半導体ウェハ２にに付むした微小な
塵埃を効率良く短時間で除去することができる。また、
同一装置でリンスおよび乾燥を行うことができ、効率良
く洗浄処理を行うことができる。
なお、上記実施例では、超音波振動子１４を外カップ１
３に設けた例について説明したが、超音波振動子１４は
内カップ１１に設けてもよく、また外カップ１３と内カ
ップ１１の両方に設けてもよい。
３に設けた例について説明したが、超音波振動子１４は
内カップ１１に設けてもよく、また外カップ１３と内カ
ップ１１の両方に設けてもよい。
［発明の効果］
上述のように、本発明の基板の洗浄装置によれば、従来
に較べて基板面に付着した微小な塵埃を効率良く短時間
で除去することができ、かっ、基板に損傷を与えること
がない。したがって、半導体製造工程における生産性の
向上を図ることができる。
に較べて基板面に付着した微小な塵埃を効率良く短時間
で除去することができ、かっ、基板に損傷を与えること
がない。したがって、半導体製造工程における生産性の
向上を図ることができる。
第１図ないし第３図は本発明の一実施例の２１（板の洗
浄装置の構成を示す図である。 １・・・・・・基板の洗浄装置、２・・・・・・半導体
ウェハ、３・・・・・・基板保持部、４・・・・・・シ
ャフト、５・・・・・・回転駆動機構、６・・・・・・
基板昇降機（ｔ、７・・・山王カップ、８・・・・・・
液体排出配管、９・・・・・・排気配管、１ｏ・・・・
・・下カッ、ブ昇降機構、１１・・・・・・内カップ、
１２・・・１．。 外カツプ昇降機構、 ３・・・・・・外カップ、 ４ ・・・・・・ 超音波振動子、 ５ ・・・・・・０ リング、 ６・・・・・・洗浄 液槽。
浄装置の構成を示す図である。 １・・・・・・基板の洗浄装置、２・・・・・・半導体
ウェハ、３・・・・・・基板保持部、４・・・・・・シ
ャフト、５・・・・・・回転駆動機構、６・・・・・・
基板昇降機（ｔ、７・・・山王カップ、８・・・・・・
液体排出配管、９・・・・・・排気配管、１ｏ・・・・
・・下カッ、ブ昇降機構、１１・・・・・・内カップ、
１２・・・１．。 外カツプ昇降機構、 ３・・・・・・外カップ、 ４ ・・・・・・ 超音波振動子、 ５ ・・・・・・０ リング、 ６・・・・・・洗浄 液槽。
Claims (1)
- （１）基板を保持し、該基板を回転可能に構成された基
板保持機構と、 この基板保持機構上に設けられた前記基板を浸漬する如
く、洗浄液槽を形成する洗浄液槽形成機構と、 この洗浄液槽形成機構に設けられ、前記洗浄液槽に超音
波振動を与える超音波振動子と、 前記洗浄液槽形成機構と前記基板保持機構とを相対的に
上下動させ前記洗浄液槽を形成、破壊する昇降機構とを
備えたことを特徴とする基板の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1072641A JP2719618B2 (ja) | 1989-03-25 | 1989-03-25 | 基板の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1072641A JP2719618B2 (ja) | 1989-03-25 | 1989-03-25 | 基板の洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02252238A true JPH02252238A (ja) | 1990-10-11 |
| JP2719618B2 JP2719618B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=13495213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1072641A Expired - Fee Related JP2719618B2 (ja) | 1989-03-25 | 1989-03-25 | 基板の洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2719618B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012170953A (ja) * | 2011-09-29 | 2012-09-10 | Shimada Kasei Kk | ワーク洗浄方法及びそのシステム並びにその洗浄装置 |
| JP2013093381A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
| JP2013239491A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2013239493A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
| JP2014501043A (ja) * | 2010-11-30 | 2014-01-16 | シン マテリアルズ アクチェンゲゼルシャフト | ウェーハ又はダイの処理方法 |
| US9266153B2 (en) | 2011-10-24 | 2016-02-23 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57178327A (en) * | 1981-04-27 | 1982-11-02 | Hitachi Ltd | Washer |
| JPS61181134A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-13 | Hitachi Ltd | 洗浄装置 |
| JPS63152123A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-24 | Tokyo Electron Ltd | 浸漬式の液処理装置 |
-
1989
- 1989-03-25 JP JP1072641A patent/JP2719618B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57178327A (en) * | 1981-04-27 | 1982-11-02 | Hitachi Ltd | Washer |
| JPS61181134A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-13 | Hitachi Ltd | 洗浄装置 |
| JPS63152123A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-24 | Tokyo Electron Ltd | 浸漬式の液処理装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014501043A (ja) * | 2010-11-30 | 2014-01-16 | シン マテリアルズ アクチェンゲゼルシャフト | ウェーハ又はダイの処理方法 |
| JP2012170953A (ja) * | 2011-09-29 | 2012-09-10 | Shimada Kasei Kk | ワーク洗浄方法及びそのシステム並びにその洗浄装置 |
| JP2013093381A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
| US9266153B2 (en) | 2011-10-24 | 2016-02-23 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2013239491A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2013239493A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2719618B2 (ja) | 1998-02-25 |
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