JP2003017452A

JP2003017452A - 基板処理方法及び基板処理装置

Info

Publication number: JP2003017452A
Application number: JP2001200848A
Authority: JP
Inventors: Shinya Morisawa; 伸哉森澤
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 2001-07-02
Filing date: 2001-07-02
Publication date: 2003-01-17

Abstract

(57)【要約】【課題】簡単な装置構成及び工程で、基板の処理を完
全に行うことができる基板処理方法及び装置を提供す
る。【解決手段】基板Ｗの周縁部に保持器１４を接触させ
て、前記基板を保持する第１の保持工程と；前記保持器
に保持された前記基板に処理液を供給して処理する第１
の基板処理工程と；第１の保持工程による保持を解除す
る保持解除工程と；前記基板に第１の保持工程による接
触位置とは異なる接触位置で接触させて保持する第２の
保持工程と；前記第２の保持工程の後に、前記基板に処
理液を供給して処理する第２の基板処理工程を備えるの
で、一度処理を行った後に基板の保持を解除し、基板の
みを回転させた後に基板を保持しなおして処理を行うこ
とにより、基板の全表面を完全に処理することができる
という効果を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理方法及び
基板処理装置に関し、特に半導体ウエハ等の基板を清浄
化するための基板処理方法及び基板処理装置に関するも
のである。

【従来の技術】

【０００２】近年、半導体基板上に配線回路を形成する
ための金属材料として、アルミニウムまたはアルミニウ
ム合金に代えて、電気抵抗が低くエレクトロマイグレー
ション耐性が高い銅（Ｃｕ）を用いる動きが顕著になっ
ている。銅配線は、一般的に、基板の表面に設けた微細
凹みの内部に銅を埋め込むことによって形成される。埋
め込みの方法としては、ＣＶＤ、スパッタリング及びめ
っきといった手法があるが、いずれにしても、周縁部を
含む基板の表面全面に銅を成膜し、化学機械研磨（ＣＭ
Ｐ）により不要の銅を除去する工程をとる。このため、
基板の周縁部に銅が成膜され、成膜工程において基板の
裏面にも不可抗力的に銅による汚染が生じる。

【０００３】銅は、半導体製造工程において酸化膜中に
容易に拡散し、その絶縁性を劣化させる。回路形成部以
外の基板の周縁部および裏面に付着した銅は、不要であ
るばかりでなく、その後の基板の搬送、保管・処理の工
程において、クロスコンタミネーションの原因ともなり
得る。従って、周縁部および裏面に付着した銅は、成膜
工程やＣＭＰ工程直後に基板上から完全に除去する必要
がある。特に、周縁部の銅の除去が不充分であると、周
縁部の歩留まりが低下するので、基板素材の有効利用の
ためにも精度良く銅を除去することが求められている。

【０００４】半導体ウエハ等の基板の大径化に伴い、そ
の処理手段として、一般的には、枚葉式処理方法が採用
されている。これは、主に基板の周縁部を保持し基板を
回転させながら処理液（薬液・水）を供給することによ
り基板の洗浄・乾燥処理を行うものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来の基板処理装置・
方法では、基板の周縁部でウエハを保持していたため基
板周縁部の銅等の汚染除去の際、基板保持部だけが薬液
・水による処理が行えず、基板の処理としては不完全に
なるという課題が発生していた。

【０００６】そこで本発明は、基板の処理を完全に行う
ことができる基板処理方法及び装置を提供することを目
的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求項１に係る発明による基板処理方法は、図３に
示すように、基板Ｗの周縁部に保持器１４を接触させ
て、基板Ｗを保持する第１の保持工程（ａ）と；保持器
１４に保持された基板Ｗに処理液を供給して処理する第
１の基板処理工程（ｂ）と；第１の保持工程による保持
を解除する保持解除工程（ｃ）と；基板Ｗに第１の保持
工程による接触位置とは異なる接触位置で接触させて保
持する第２の保持工程（ｃ）と；第２の保持工程の後
に、基板Ｗに処理液を供給して処理する第２の基板処理
工程（ｂ）を備える。

【０００８】第１の基板処理工程は、第１の保持工程で
基板を保持した後、典型的には、その保持を継続したま
ま行われる。

【０００９】このように構成すると、第１の保持工程に
よる保持を解除する保持解除工程を備えるので、例えば
一度処理を行った後に基板の保持を解除することがで
き、また前記基板に第１の保持工程による接触位置とは
異なる接触位置で接触させて保持する第２の保持工程、
例えば基板のみを回転させた後に基板を保持しなおす工
程を備えるので、第１の保持工程とは異なる位置で保持
することができ、さらに前記第２の保持工程の後に、前
記基板に処理液を供給して処理する第２の基板処理工程
を備えるので、典型的には基板の全表面を完全に処理す
ることができる。

【００１０】ここで、基板の処理とは、典型的には、洗
浄やエッチングである。基板の処理は、基板の表面、裏
面、エッジ部を同時にまたは交互に、同じもしくは異な
る処理液（薬液であってもよいし水であってもよい）で
処理する。

【００１１】異なる位置で接触させて保持するには、典
型的には、円板状の基板を保持器に対して、相対的に回
転させる回転工程を行う。回転工程では、典型的には基
板を保持器に対して回転させるが、保持器の方を回転さ
せてもよい。通常は、第１の保持工程と第２の保持工程
では、同一の接触式保持器によって基板を保持する。

【００１２】前記目的を達成するために、請求項２に係
る発明による基板処理方法は、基板Ｗを非接触で保持す
る流体を、基板Ｗの下側に供給する工程を備える。ここ
で、非接触で保持するとは、固体同士の接触なしで保持
することであり、例えば、基板下側に流体を供給すれ
ば、流体の圧力（静圧、動圧）、浮力、表面張力（基板
が撥水性を有する場合）の少なくとも１つにより、基板
は非接触保持される。

【００１３】以上の発明では、周縁部に保持器を接触さ
せて保持された基板Ｗを、該基板に処理液を供給するこ
となく回転させる高速回転工程を備えるようにしても良
い。高速回転とは、例えば３０００ｍｉｎ^−１であり、
高速回転工程では、基板に付着した液体を遠心力により
排除し、基板を乾燥させることができる。

【００１４】前記目的を達成するために、請求項３に係
る発明による基板処理装置は、基板の周縁部を接触保持
して前記基板を回転させる保持器と；前記基板に処理液
を供給する処理液供給口と；前記基板の前記保持器によ
る保持を解除した状態で、前記基板と前記保持器の接触
位置を相対的に変化させる手段とを備える。ここで、基
板と前記保持器の接触位置を相対的に変化させる手段
は、典型的には基板を回転させる回転手段である。しか
しながら、これに限らず、保持器側を回転させる手段で
あってもよい。

【００１５】前記目的を達成するために、請求項４に係
る発明による基板処理装置は、前記基板を非接触で保持
する非接触保持手段を備える。ここで、非接触保持手段
は、例えば基板を保持器による保持から解除した状態
で、基板の下側から僅かに（１〜数ｍｍ程度）離れて位
置するように配置された基板保持台を備え、該基板保持
台には流体供給口が設けられている。

【００１６】基板保持台の周縁部は、基板周縁部に向け
てテーパのついたリング状に隆起して形成するのが好ま
しい。このように構成すると、基板処理精度が高くな
る。流体は、基板を保持すると共に、洗浄等の基板処理
を行う処理液であってもよい。また、流体供給口は、流
体の放出方向が基板の中心に関する同心円の接線方向成
分を有するように、基板面に対して傾斜した方向に方向
付けられているとよい。同心円の接線方向成分を有する
ので、基板回転力が発生するからである。

【００１７】前記目的を達成するために、請求項５に係
る発明による基板処理装置は、前記回転手段が、前記基
板の周方向に弾性進行波を働かせるように構成されてい
る。これにより、基板を一旦浮上させることなく回転さ
せることができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。なお、各図において互い
に同一あるいは相当する部材には同一符号または類似記
号を付し、重複した説明は省略する。図１ないし図３
は、本発明の基板処理装置の第１の実施の形態であり、
ここでは、例えば基板の化学機械研磨工程の前後に用い
る基板の洗浄装置として用いているが、エッチング装
置、めっき装置等、適宜に適用可能である。

【００１９】図１は、この処理装置を模式的に示す側面
断面図であり、図示しない駆動モータ等の駆動機構によ
り図示の矢印方向に回転する回転軸１０と、その上端に
取り付けられた全体として扁平円板状の基板保持台１２
を有している。基板保持台１２の扁平面は水平に設定さ
れている。回転軸１０は中空軸として形成されており、
その中空部に回転しない軸体４４が収納されている。

【００２０】この実施の形態では、基板保持台１２は内
側の固定部材４０と外側の回転部材４２とから構成され
ている。即ち、基板保持台１２の回転部材４２は中空に
形成されており、その中空部に、軸体４４の上端に取り
付けられた全体として扁平な円板状の固定部材４０が収
納されて構成されている。ここで、回転部材４２は、回
転軸１０の上端に一体的に取り付けられている。固定部
材４０は、軸体４４を介して図示しない基台に固定され
ている。固定部材４０の上端面には、その中央に、基板
Ｗの裏面に向けて開口する浮上用流体ノズル４８と、そ
の周辺に、基板Ｗの裏面に向けて開口する浮上・回転用
の流体ノズル５２、５４と、そのほぼ中央のノズル４８
に近接して又はノズル４８に合流するように、基板Ｗの
裏面に向けて開口する乾燥用気体ノズル５８が設けられ
ている。

【００２１】回転部材４２の中空部の内周面と固定部材
４０の外周面との間、また回転部材４２の中空部の底面
と固定部材４０の下面との間には、隙間４５が形成され
ており、回転部材４２が固定部材４０に接触せずに回転
できるように構成されている。また隙間４５には、浮上
用あるいは洗浄用流体が流れ込むことができる。また回
転部材４２にはドレン穴３３が開けられており、隙間４
５に流れ込んだ流体を排出することができる。ドレン穴
３３は、回転部材４２の底部に開けるのがよい。

【００２２】ノズル４８からは作動液が、保持された基
板Ｗの裏面に向けて鉛直方向上方に噴出され、基板Ｗを
浮上せしめる。流体ノズル５２、５４は、円形の固定部
材４０の外周に近い箇所に、周方向に傾けて開口してい
る。したがって、噴出する流体には周方向（接線方向）
の速度成分が与えられ、その成分により、基板Ｗには回
転力が作用し、基板Ｗは回転する。乾燥用気体ノズル５
８は、基板Ｗを乾燥させるための気体を噴出させるのに
用いられる。

【００２３】流体ノズル５２、５４は、固定部材４０の
外周部の周方向に等間隔に、かついずれも回転軸１０の
回転方向に対して同一方向に斜め上向きに設けられてい
る。ノズル５２、５４は、基板Ｗに回転力を与えるため
のものであるが、ノズル４８と同様に浮上に寄与するこ
ともでき、その場合周方向に等間隔に同様のノズルをさ
らに設けて、基板Ｗを浮上しやすくしてもよい。

【００２４】軸体４４の内部、そのほぼ中心には内部流
路４６が貫通して形成されており、浮上用流体ノズル４
８に浮上用流体を供給するようになっている。浮上用流
体は例えば純水である。ノズル４８は洗浄用として用い
てもよいが、洗浄のためには純水の他、供給源を切り換
えて洗浄用薬液を用いてもよい。軸体４４の内部には、
内部流路４６に沿って内部流路５０が形成されており、
流体ノズル５２、５４に浮上・回転用流体を供給するよ
うになっている。浮上・回転用流体としては、例えば純
水を用いる。さらに軸体４４の内部には、内部流路４６
に沿って、内部流路５０とは別に乾燥用気体流路５６が
形成されており、乾燥用気体ノズル５８に乾燥用気体を
供給するようになっている。乾燥用気体としては、例え
ば空気、窒素が用いられる。

【００２５】本実施の形態によれば、内部流路４６、５
０、５６は、固定された軸体４４に形成されているの
で、回転する部材から流体を噴出させる必要がない。し
たがって、回転する部材に流路が形成されている場合に
必要となる、例えばロータリージョイント等の流体継手
を用いる必要がない。したがって、装置の複雑化とメン
テナンスの煩雑化を回避できる。本実施の形態では、基
板Ｗを乾燥させるための気体を噴出させるノズル５８が
固定部材４０側に設けられているので、最後のスピン乾
燥工程において乾燥用の気体を供給し、乾燥効率を高め
ることができる。

【００２６】基板保持台１２の上方には、基板Ｗの上面
に処理液である洗浄液やエッチング液を供給する処理液
供給ノズルが設けられている。この例では、中央に鉛直
下向きに第１のノズル２６が設けられ、また、周縁部に
は斜め下外向きに第２のノズル２８が１つ又は周方向等
間隔に複数設けられている。

【００２７】図２及び図３は、図１の装置をより具体的
に示すもので、基板保持台１２は、周方向等間隔に（例
えば６カ所）配置された保持器１４（スピンチャック）
を備えており、各保持器１４は、基板Ｗの下側エッジを
線接触で受けるテーパ面である保持面１６と、開閉可能
なクランプ爪１８とを備えている。なお図１ではクラン
プ爪１８は楔状部材として図示してあるが、実際は図
２、図３に示すようなリンク構造を有する。また図２で
は、装置の中心線から左側半分のほとんどを省略して図
示してある。本装置は中心線に対して左右対称である。

【００２８】なお、図２の実施の形態では、斜面を形成
する保持面１６に基板支持部１９が突出して形成されて
いる。基板支持部１９は、斜面である保持面１６に基板
Ｗを線接触で保持させる際に、ある程度の水平を出すた
めのものである。即ち、基板支持部１９は、基板Ｗの上
下方向のストッパーとして機能するものである。したが
って、所定の外径の基板Ｗが保持面１６に保持されたと
きに、基板支持部１９の上面は、基板Ｗの裏面にほぼ当
接するような寸法に、あるいは基板Ｗの裏面から僅かに
下方向に離れるような寸法に形成される。

【００２９】さらに、図３に示すように、基板保持台１
２には、基板Ｗをロボットハンド２０（図３（ａ）参
照）との間で授受する鉛直方向上下動可能な支持ピン２
２が設けられている。この例では、クランプ爪１８は、
図示しない昇降機構が駆動するリンク機構２４により、
支持ピン２２の上下に連動して開閉する、すなわち、こ
れが上昇すると開き、下降すると閉じるようになってい
る。図２中支持ピン２２が下降した状態が実線で、上昇
した状態が破線で示されている。

【００３０】次に、図３を参照して、この基板保持機構
による基板Ｗの洗浄処理の工程を説明する。まず、爪１
８を開いた状態でピン２２を上方位置に置き、基板Ｗを
保持したロボットハンド２０をその上方に位置させる。
図３（ａ）に示すように、ピン２２を上昇させて基板Ｗ
を受け取り、ロボットハンドを待避させてからピン２２
を下降させ、同図（ｂ）に示すように、基板Ｗを基板保
持器１４のテーパ面１６に置き、爪１８を閉じて基板Ｗ
をクランプする。この例では、テーパ面の作用により、
基板Ｗの芯出しが自然に行われる。

【００３１】なお図３では、図２の場合と違って、基板
支持ピン（基板支持部）１９が保持面１６に形成されて
おらず、中央寄りに配設されて基板保持台１２の上面か
ら突出しており、載置される基板Ｗの裏面に当接するよ
うに設けられている場合が示されている。このときも、
基板支持ピン１９は、保持面１６に基板Ｗを線接触で保
持させる際に、ある程度の水平を出すためのものであ
る。基板支持ピン１９は、所定の外径の基板Ｗが保持面
１６に保持されたときに、基板支持ピン１９の上端が基
板Ｗの裏面にほぼ当接するような寸法に形成される。

【００３２】このように基板Ｗを基板保持台１２で水平
に保持した状態で、駆動モータを作動させて基板Ｗを基
板保持台１２と一体に水平回転させ、同時に各ノズルよ
り処理液を供給する。第１のノズル２６は基板表面の中
央部を処理し、第２のノズル２８は基板周縁部を処理す
る。第３のノズル３０、第４のノズル３２からは、必要
に応じて基板Ｗの裏面処理用の処理液を供給する。これ
ら４つのノズルは、同じ処理液を使用してもよいが、形
成されている膜や素材に応じてそれぞれ別の濃度や成分
等の処理液を使用しても良い。適切な処理時間を経た
後、各ノズルからの液供給を停止し、基板Ｗの回転を停
止させるか、又は低速回転とする。

【００３３】次に、ノズル５２またはノズル５４から流
体を供給するが、各々の供給量を制御して、基板Ｗがテ
ーパ面１６を超えて回転部材４２から飛び出さない程度
に爪１８を開いて保持器（スピンチャック）１４での保
持を解除する。すると、図３（ｃ）に示すように、基板
Ｗは流体の力で浮上し、さらに流体の流れが接線方向成
分を備えているので回転力を受ける。基板Ｗを必要量回
転させた後、流体の供給を停止し、図３（ｂ）に示すよ
うに、再度保持器１４にて基板Ｗを保持する。そして、
駆動モータを作動して基板保持台１２を回転させつつ、
各ノズルから所定の液体を供給して基板Ｗの２次処理を
行う。

【００３４】このようにして、基板Ｗを異なる位置で持
ち替えて洗浄を行うことにより、最初に保持器１４の爪
１８が接触していて洗浄が不充分であった基板Ｗのエッ
ジ部を再度の洗浄で清浄化することができ、全体に清浄
な基板Ｗを提供することができる。また、浮上・回転を
洗浄液によって行うことで、回転動作中も基板Ｗの裏面
及びエッジの洗浄が行われ、洗浄が効率的に行われる。
この例では、特に、基板保持器１４のテーパ面と接する
角部が効率的に洗浄される。

【００３５】ここで各工程における保持器１４の回転数
の実例を説明する。先ず基板であるウエハＷをロボット
アームで搬入する際は、回転数はゼロ、次に基板処理と
してのエッチングを行う際は、５００ｍｉｎ^−１、スピ
ンドライを行う際は、２０００ｍｉｎ^−１で回転し、ウ
エハＷを搬出する際は、再び停止、即ち回転数をゼロと
する。

【００３６】なお、スピンチャック１４による持ち替え
時の回転量がスピンチャック１４の間隔と一致すると、
つまり、この例では回転角度が６０度の倍数であると、
爪１８による把持位置が一致してしまう。そのような事
態を回避するために、回転後の爪１８の位置が最初の把
持位置の中間位置に来るように、作動液の供給量や時間
を設定しておくとよい。しかしながら、このような制御
を特にしなくても、１次処理と２次処理の際の把持位置
が同じになる確率は小さく、また、上述したように浮上
・回転動作中に基板Ｗのエッジが洗浄されるので、未洗
浄の箇所が残ることは防がれる。

【００３７】上記のように、処理液を基板Ｗと基板保持
器１４の空間に満たすことにより、２つの部材の相対移
動により処理液の攪拌が促進され、また外部からの汚染
物の侵入を防ぐ効果も期待できる。なお、この場合、基
板Ｗと基板保持台１２の距離を小さくすることにより、
基板Ｗと基板保持器１４の間を満たす処理液の量を低減
し、基板処理液を有効に用いることができる。また、基
板保持器の保持面をテーパ形状にすることにより基板の
位置合わせを容易とし、周縁部の処理精度を向上させる
ことができる。

【００３８】なお、上記の実施の形態では、基板保持面
としてテーパ面１６を用いたが、平坦な面を用いるよう
にしてもよい。この場合でも、クランプ爪１８の作用で
基板Ｗをセンタリングさせる作用は得られる。また、上
記実施の形態では、基板Ｗを基板保持台１２に対して回
転させる機構として流体を供給するノズルを用いたが、
勿論これに限られるものではなく、状況に応じて適宜の
手段を採用することができる。

【００３９】この実施の形態では、基板Ｗの回転を流体
ノズル５２、５４からの流体供給により行っているが、
例えば、内側の固定部材と外側の回転部材の相互の高さ
を変更可能にしておき、１次処理が終わってクランプ爪
１８を開いた後、外側部材を相対降下させ、基板Ｗを内
側部材で保持し、その状態で外側部材を所定角度回転さ
せ、再度上昇させて基板Ｗを受け取るようにしてもよ
い。あるいは、支持ピン２２を固定部材４０に設け、支
持ピン２２により保持した状態で外側部材４２を回転さ
せてもよい。

【００４０】図４を参照して、第２の実施の形態を説明
する。この実施の形態では、回転手段として、基板Ｗの
円周方向に弾性進行波を発生させるいわゆる超音波振動
素子３４を用いる。ここでは、上面が平坦な振動素子３
４を、保持器１２ａの周方向に例えば６個等配する。こ
の例では、振動素子３４自体が基板保持面を提供してい
る。この装置では、１次洗浄の後、クランプ爪１８を開
いて保持器１４による拘束を解除し、振動素子３４を作
動させると、基板Ｗが弾性進行波の作用により回転す
る。その後、クランプ爪１８を閉じて基板Ｗを把持し、
再度高速回転と処理液の供給を行い、２次の洗浄処理を
行う。回転動作中に処理液を供給してもよい。なお、本
実施の形態では、基板保持台１２ａ全体が一体に回転す
る。また、洗浄液または浮上液供給ノズル３０、３２が
第１の実施の形態のノズル５２、５４に対応するが、ノ
ズル３０、３２は、中実の回転軸１０ａに貫通して設け
られた内部流路から液を供給される。その洗浄液は、基
板保持台１２ａの下部に設けられた不図示のロータリー
ジョイントから、ノズル３０、３２に供給される。

【００４１】図５を参照して第３の実施の形態を説明す
る。この実施の形態では、図１の場合と同様な中空の回
転軸１０ｂの上端に円板状の回転部材４２ａが備えられ
ている。中空の回転軸１０ｂの中空部には固定軸４４ａ
が収納されている。但し、第１の実施の形態と違って、
固定軸４４ａの上端には固定部材４０に相当する部分が
なく、固定軸４４ａの上端がそのまま同じ太さで、回転
部材４２ａの上面に露出している。したがって、固定軸
４４ａの上端面が、基板保持台１２ｂに載置されるウエ
ハＷの裏面に対向することになる。

【００４２】基板保持台１２ｂの固定軸４４ａの上端に
は、保持した基板Ｗの下面（裏面）に向けて鉛直方向上
方に作動液を噴出し、基板Ｗを浮上させて所定量回転さ
せるための、複数の浮上回転ノズルが、周方向等間隔
に、かつ、いずれも回転軸１０ｂの回転方向に対して同
一方向に、また周方向に沿って斜め上向きに設けられて
いる。複数のノズルは２個以上であればよい（本図に
は、２個のノズル５２、５４が示されている）。浮上回
転ノズル５２、５４からの作動液は、洗浄液と同じもの
であってもよい。ノズルの数を、ノズル５２、５４の他
に、周方向等間隔で増やせば、基板Ｗを浮上回転しやす
くできる。

【００４３】図６の概念的斜視図を参照して、別の実施
の形態を説明する。この実施の形態は、クランプ爪６３
を備える外側部材６１と、基板Ｗを支持する支持ピン６
４を備える内側部材６２を含んで構成されている。
（ａ）に示すように、処理中は基板Ｗはクランプ爪６３
で接触保持されている。このとき基板Ｗは、図中示され
ているような半径線６５位置で図中影を付けて示される
クランプ爪６３により接触保持されている（半径線と影
は分かりやすくするために便宜上付したものである）。

【００４４】次に基板Ｗのクランプ爪６３の接触位置を
相対的に移動するためには、（ｂ）に示すような内側部
材（固定部材）６２が上昇する装置と、（ｃ）に示すよ
うに外側部材６１が下降する装置とがある。（ｂ）に示
す装置の場合は、基板Ｗがクランプ爪６３から開放され
た後に、内側部材６２が上昇することにより内側部材６
２の上面に適宜配置された複数の支持ピン６４により基
板Ｗが保持される。次に（ｄ）に示されるように、外側
部材６１が回転し、基板Ｗの半径線６５と影のついたク
ランプ爪６３の位置がずれる。即ち、基板Ｗとクランプ
爪６３との接触位置が相対的に変化する。相対的な位置
が移動したところで、内側部材６２が下降して、基板Ｗ
は再びクランプ爪６３により接触保持される。

【００４５】一方（ｃ）に示すような装置では、基板Ｗ
がクランプ爪６３から開放された後に、外側部材６１が
下降することにより内側部材６２の上面の複数の支持ピ
ン６４により基板Ｗが保持される。次に（ｄ）に示され
るように、外側部材６１が回転する点は（ｂ）の場合と
同様である。相対的な位置が移動したところで、外側部
材６１が上昇して、基板Ｗは再びクランプ爪６３により
接触保持される。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第１の保持工程による保持を解除する保持解除工程を備
えるので、例えば一度処理を行った後に基板の保持を解
除することができ、また前記基板に第１の保持工程によ
る接触位置とは異なる接触位置で接触させて保持する第
２の保持工程、例えば基板のみを回転させた後に基板を
保持しなおす工程を備えるので、第１の保持工程とは異
なる位置で保持することができ、さらに前記第２の保持
工程の後に、前記基板に処理液を供給して処理する第２
の基板処理工程を備えるので、典型的には台の保持工程
の際に保持装置が接触していた部分も含めて基板の全表
面を完全に処理することができる基板処理方法を提供す
ることが可能となる。

【００４７】また、前記基板を非接触で保持する流体
を、前記基板の下側に供給するようにするので、例え
ば、流体として処理液を用いれば、裏面の処理も同時に
行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施の形態の基板処理装置を
模式的に示す断面図である。

【図２】図１の装置をより具体的に示す断面図である。

【図３】第１の実施の形態の処理装置の動作を示す図で
ある。

【図４】この発明の第２の実施の形態の処理装置を示す
断面図である。

【図５】この発明の第３の実施の形態の処理装置を示す
断面図である。

【図６】この発明の別の実施の形態の処理装置を示す概
念的斜視図である。

【符号の説明】

１０回転軸１２基板保持台１４保持器１６保持面１８クランプ爪１９基板支持ピン２０ロボットハンド２２支持ピン２４リンク機構２６ノズル２８ノズル３０浮上回転ノズル３２ノズル３３ドレン穴３４超音波振動素子４０固定部材４２回転部材４４軸体４６内部流路４８浮上用流体ノズル５０内部流路５２、５４流体ノズル５６乾燥用気体流路５８乾燥用気体ノズルＷ基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の周縁部に保持器を接触させて、前
記基板を保持する第１の保持工程と；前記保持器に保持
された前記基板に処理液を供給して処理する第１の基板
処理工程と；第１の保持工程による保持を解除する保持
解除工程と；前記基板に第１の保持工程による接触位置
とは異なる接触位置で接触させて保持する第２の保持工
程と；前記第２の保持工程の後に、前記基板に処理液を
供給して処理する第２の基板処理工程を備える；基板処
理方法。
【請求項２】前記基板を非接触で保持する流体を、前
記基板の下側に供給する工程を備える、請求項１に記載
の基板処理方法。
【請求項３】基板の周縁部を接触保持して前記基板を
回転させる保持器と；前記基板に処理液を供給する処理
液供給口と；前記基板の前記保持器による保持を解除し
た状態で、前記基板と前記保持器の接触位置を相対的に
変化させる手段とを備える；基板処理装置。
【請求項４】前記基板を非接触で保持する非接触保持
手段を備える、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】前記回転手段は、前記基板の周方向に弾
性進行波を働かせるように構成された、請求項３に記載
の基板処理装置。