JPS6116528A - ウエハ洗浄装置 - Google Patents
ウエハ洗浄装置Info
- Publication number
- JPS6116528A JPS6116528A JP12816085A JP12816085A JPS6116528A JP S6116528 A JPS6116528 A JP S6116528A JP 12816085 A JP12816085 A JP 12816085A JP 12816085 A JP12816085 A JP 12816085A JP S6116528 A JPS6116528 A JP S6116528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cleaning
- vibrator
- semiconductor wafer
- rotate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は半導体ウェハの如き平板上のウェハの洗浄装置
に関するものである。
に関するものである。
［背景技術］
半導体装置の製造においては半導体ウェハの洗浄が不可
欠である。その洗浄方法としては特開昭５２−１２５６
５号公報に開示の方法また第５図に示すようにカスケー
ド式多段洗浄槽１１内に半導体ウェハ１を浸漬し、洗浄
効果を上げるため超音波振動を洗浄液に与える方法で行
うのが一般的であった。
欠である。その洗浄方法としては特開昭５２−１２５６
５号公報に開示の方法また第５図に示すようにカスケー
ド式多段洗浄槽１１内に半導体ウェハ１を浸漬し、洗浄
効果を上げるため超音波振動を洗浄液に与える方法で行
うのが一般的であった。
ところで、第５図で示した洗浄方法は、多数のウェハ１
を一個のウェハ収納治具１２に収容した状態で洗浄槽に
出し入れするため超音波振動子とウェハ１、特にその主
面との間に大きな間隔が生じ、そのためキャビティショ
ン効果すなわち超音波によって液中に生じる空洞（ある
いは気泡）がつぶれる時にミクロ的に発生する強力な機
械力で液中に存在する物体の表面を摩耗せしめるという
効果が充分な強さにならず完全に洗浄することができな
いという問題と、洗浄後半導体ウェハを洗浄槽から回転
乾燥器に移送する間にウェハが乾き、つオータマークと
称する第４図に示すような年輪状の厚さむら９の生じる
原因となるゴミが耐着側るという問題とがある。
を一個のウェハ収納治具１２に収容した状態で洗浄槽に
出し入れするため超音波振動子とウェハ１、特にその主
面との間に大きな間隔が生じ、そのためキャビティショ
ン効果すなわち超音波によって液中に生じる空洞（ある
いは気泡）がつぶれる時にミクロ的に発生する強力な機
械力で液中に存在する物体の表面を摩耗せしめるという
効果が充分な強さにならず完全に洗浄することができな
いという問題と、洗浄後半導体ウェハを洗浄槽から回転
乾燥器に移送する間にウェハが乾き、つオータマークと
称する第４図に示すような年輪状の厚さむら９の生じる
原因となるゴミが耐着側るという問題とがある。
そのため、洗浄槽内に半導体ウェハを浸漬するのではな
く、回転乾燥器にで半導体ウェハを回転させ、それに洗
浄液を供給する洗浄方法の採用が検討された。ところで
、この洗浄方法において洗浄効果を高める手段としてブ
ラシをウェハにこす９つけることにより異物を強制的に
除去することが考えられるが、この手段ではブラシ自体
が汚染源となる可能性があり、またブラシがすぐに摩耗
し、摩耗したブラシでこすりつけを行ちと機械的なコス
リキズが発生するおそれもあり半導体ウェハの洗浄法と
して好しくない。
く、回転乾燥器にで半導体ウェハを回転させ、それに洗
浄液を供給する洗浄方法の採用が検討された。ところで
、この洗浄方法において洗浄効果を高める手段としてブ
ラシをウェハにこす９つけることにより異物を強制的に
除去することが考えられるが、この手段ではブラシ自体
が汚染源となる可能性があり、またブラシがすぐに摩耗
し、摩耗したブラシでこすりつけを行ちと機械的なコス
リキズが発生するおそれもあり半導体ウェハの洗浄法と
して好しくない。
また、半導体ウェハの表面に対する洗浄液の供給速度を
高めるかあるいは高圧液の吹き付けをすることにより異
物の除去を行うことも考えられるが、いかに高圧液を吹
き付けても半導体ウェハの表面における水の流速が少な
くとも理論的には零であり、実際上においても天外な洗
浄効果を得ることは期待できない。
高めるかあるいは高圧液の吹き付けをすることにより異
物の除去を行うことも考えられるが、いかに高圧液を吹
き付けても半導体ウェハの表面における水の流速が少な
くとも理論的には零であり、実際上においても天外な洗
浄効果を得ることは期待できない。
［発明の目的］
本発明はウェハ表面を傷つけることなく洗浄効果を高め
る新規なウェハ洗浄装置を提供することを目的とするも
のである。
る新規なウェハ洗浄装置を提供することを目的とするも
のである。
Ｌ発明の概要］
本発明の実施態様はウェハ洗浄装置において、ウェハを
載置した状態で回転する支持機構、この支持機構上のウ
エノ１の主面に洗浄液を供給する機構、及びウェハ面に
対して至近距離に振動子を対向させて超音波振動を行う
機構を具備することを特徴とするものである。
載置した状態で回転する支持機構、この支持機構上のウ
エノ１の主面に洗浄液を供給する機構、及びウェハ面に
対して至近距離に振動子を対向させて超音波振動を行う
機構を具備することを特徴とするものである。
［実施例］
第１図は本発明の一実施例を示すものである６１は半導
体ウェハを水平面に支持する支持台で、その内部に設け
られた真空吸引管１０によってウェハをしっかり保持し
た状態で洗浄時に垂直軸により高速回転させる。２は半
導体ウェハ、３は支持台１上で回転する半導体ウェハ２
の表面に供給される純水あるいは溶剤等の洗浄液、４は
その底面が半導体ウェハ表面と至近距離にて対向する超
音波振動子（超音波振動ホーン）で、半導体ウニノーと
の距離は洗浄液の供給によって半導体ウエノＡ上にでき
る液面に接するように定める。具体的には約１ｍｍ以下
の距離で対向せしめるとよい。
体ウェハを水平面に支持する支持台で、その内部に設け
られた真空吸引管１０によってウェハをしっかり保持し
た状態で洗浄時に垂直軸により高速回転させる。２は半
導体ウェハ、３は支持台１上で回転する半導体ウェハ２
の表面に供給される純水あるいは溶剤等の洗浄液、４は
その底面が半導体ウェハ表面と至近距離にて対向する超
音波振動子（超音波振動ホーン）で、半導体ウニノーと
の距離は洗浄液の供給によって半導体ウエノＡ上にでき
る液面に接するように定める。具体的には約１ｍｍ以下
の距離で対向せしめるとよい。
この振動子４の振動方向は矢印５に示すように上下方向
にした方がよい。そしてこの振動子４は半導体ウェハ２
の全面をむらなく洗浄できるように矢印６の方向に水平
移動させる。
にした方がよい。そしてこの振動子４は半導体ウェハ２
の全面をむらなく洗浄できるように矢印６の方向に水平
移動させる。
洗浄終了後は洗浄液の供給を停止し、ウェハを高速回転
させながら乾燥（スピンドライ）させる。
させながら乾燥（スピンドライ）させる。
［効果］
このような洗浄方法によれば、半導体ウェハに対して極
めて近い距離に設けた振動子で超音波振動を与えること
ができるので、強いキャビティージョン効果が半導体表
面において生じ、ウェハ表面に供給される洗浄液中に生
じた気泡がつぶれたときの強力な機械力によってウェハ
表面がキャビティージョン摩耗されて洗浄効果が著しく
高まる。
めて近い距離に設けた振動子で超音波振動を与えること
ができるので、強いキャビティージョン効果が半導体表
面において生じ、ウェハ表面に供給される洗浄液中に生
じた気泡がつぶれたときの強力な機械力によってウェハ
表面がキャビティージョン摩耗されて洗浄効果が著しく
高まる。
また、第５図に示すような従来の場合においてはウェハ
を洗浄液中に静止した状態で浸漬する方法であったが、
上記実施例の場合、回転乾燥装置を使用するのでウェハ
を高速回転させた状態で洗浄液と接することができ、そ
の面でも従来の場合よりも洗浄効果が強い。
を洗浄液中に静止した状態で浸漬する方法であったが、
上記実施例の場合、回転乾燥装置を使用するのでウェハ
を高速回転させた状態で洗浄液と接することができ、そ
の面でも従来の場合よりも洗浄効果が強い。
また、洗浄繰作完了後そのままウェハの高速回転なａ統
させることによって直ちにスピンドライせしめることが
できるので、その開に余分なハンドリングなしでウェハ
をチャックした状態で洗浄、乾燥の一貫作業を行うこと
がでとる。
させることによって直ちにスピンドライせしめることが
できるので、その開に余分なハンドリングなしでウェハ
をチャックした状態で洗浄、乾燥の一貫作業を行うこと
がでとる。
なお、洗浄液の半導体ウェハへの供給手段として、第２
図に示すように特別のノズルを用いるもの、第３図に示
すように超音波振動子４自体に洗浄液供給孔８を設け、
その供給孔８を通じて洗浄液を供給するもの等種々のも
のが考えられる。
図に示すように特別のノズルを用いるもの、第３図に示
すように超音波振動子４自体に洗浄液供給孔８を設け、
その供給孔８を通じて洗浄液を供給するもの等種々のも
のが考えられる。
［利用分野］
本発明は半導体ウェハに限らず、実質的に平担な表面を
有する板状ウェハの洗浄に有効に適用することができる
。
有する板状ウェハの洗浄に有効に適用することができる
。
本発明は半導体回路素子領域、絶縁保護膜、配線膜等が
その主表面に形成された状態の半導体ウェハ洗浄にも、
その表面が数十ミクロンの範囲で実質的に平担とされて
いるので、当然に適用することができる。
その主表面に形成された状態の半導体ウェハ洗浄にも、
その表面が数十ミクロンの範囲で実質的に平担とされて
いるので、当然に適用することができる。
第１図乃至第３図は本発明の各種実施例を示す洗浄装置
の側面図、第４図は半導体ウェハの平面図である。第５
図は従来例を示すカスケード多段洗浄槽の断面図である
。 １・・支持台、２・・半導体ウェハ、３・・洗浄液、４
・・超音波振動子、５・−超音波振動の振動方向、６・
・超音波振動子の移動方向、７・・ノズル、８・・洗浄
液供給孔、１ｏ・・真空吸引管、１１・・カスケード式
多段洗浄槽、１２・・ウヱハ収納治兵。
の側面図、第４図は半導体ウェハの平面図である。第５
図は従来例を示すカスケード多段洗浄槽の断面図である
。 １・・支持台、２・・半導体ウェハ、３・・洗浄液、４
・・超音波振動子、５・−超音波振動の振動方向、６・
・超音波振動子の移動方向、７・・ノズル、８・・洗浄
液供給孔、１ｏ・・真空吸引管、１１・・カスケード式
多段洗浄槽、１２・・ウヱハ収納治兵。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェハ回転支持機構、この支持機構上に洗浄液を供
給する機構及び超音波振動を行う振動子を具備すること
を特徴とするウェハ洗浄装置。 ２、上記振動子自体が洗浄液供給機構を具備しているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のウェハ洗浄
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12816085A JPS6116528A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | ウエハ洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12816085A JPS6116528A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | ウエハ洗浄装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7321678A Division JPS551114A (en) | 1978-06-19 | 1978-06-19 | Method and device for washing wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6116528A true JPS6116528A (ja) | 1986-01-24 |
Family
ID=14977869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12816085A Pending JPS6116528A (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | ウエハ洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6116528A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6411008A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-13 | Nippon Steel Corp | Manufacture of seamless pipe |
| JPS6411009A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-13 | Nippon Steel Corp | Manufacture of seamless steel pipe |
| JPH02246115A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-10-01 | Hitachi Ltd | 精密洗浄方法およびそれに用いる洗浄液ならびに乾燥方法 |
| US5368054A (en) * | 1993-12-17 | 1994-11-29 | International Business Machines Corporation | Ultrasonic jet semiconductor wafer cleaning apparatus |
| US5947134A (en) * | 1996-09-23 | 1999-09-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Scrubbing equipment for a semiconductor device using laser distance sensor to automatically adjust brush height above the wafer |
| US6021789A (en) * | 1998-11-10 | 2000-02-08 | International Business Machines Corporation | Wafer cleaning system with progressive megasonic wave |
| US6059891A (en) * | 1997-07-23 | 2000-05-09 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for washing substrate |
| US6115867A (en) * | 1997-08-18 | 2000-09-12 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for cleaning both sides of substrate |
| US6431184B1 (en) | 1997-08-05 | 2002-08-13 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for washing substrate |
| US6539952B2 (en) | 2000-04-25 | 2003-04-01 | Solid State Equipment Corp. | Megasonic treatment apparatus |
| KR100473475B1 (ko) * | 2002-08-09 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 기판 세정 장치 |
| US6983755B2 (en) * | 2001-11-27 | 2006-01-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cleaning method and cleaning apparatus for performing the same |
| US7156111B2 (en) | 2001-07-16 | 2007-01-02 | Akrion Technologies, Inc | Megasonic cleaning using supersaturated cleaning solution |
-
1985
- 1985-06-14 JP JP12816085A patent/JPS6116528A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6411008A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-13 | Nippon Steel Corp | Manufacture of seamless pipe |
| JPS6411009A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-13 | Nippon Steel Corp | Manufacture of seamless steel pipe |
| JPH02246115A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-10-01 | Hitachi Ltd | 精密洗浄方法およびそれに用いる洗浄液ならびに乾燥方法 |
| US5368054A (en) * | 1993-12-17 | 1994-11-29 | International Business Machines Corporation | Ultrasonic jet semiconductor wafer cleaning apparatus |
| US5947134A (en) * | 1996-09-23 | 1999-09-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Scrubbing equipment for a semiconductor device using laser distance sensor to automatically adjust brush height above the wafer |
| US6059891A (en) * | 1997-07-23 | 2000-05-09 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for washing substrate |
| US6431184B1 (en) | 1997-08-05 | 2002-08-13 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for washing substrate |
| US6115867A (en) * | 1997-08-18 | 2000-09-12 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for cleaning both sides of substrate |
| US6276378B1 (en) | 1997-08-18 | 2001-08-21 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for cleaning both sides of substrate |
| US6021789A (en) * | 1998-11-10 | 2000-02-08 | International Business Machines Corporation | Wafer cleaning system with progressive megasonic wave |
| US6539952B2 (en) | 2000-04-25 | 2003-04-01 | Solid State Equipment Corp. | Megasonic treatment apparatus |
| US7156111B2 (en) | 2001-07-16 | 2007-01-02 | Akrion Technologies, Inc | Megasonic cleaning using supersaturated cleaning solution |
| US7578302B2 (en) | 2001-07-16 | 2009-08-25 | Akrion Systems, Llc | Megasonic cleaning using supersaturated solution |
| US6983755B2 (en) * | 2001-11-27 | 2006-01-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cleaning method and cleaning apparatus for performing the same |
| KR100473475B1 (ko) * | 2002-08-09 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 기판 세정 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4178188A (en) | Method for cleaning workpieces by ultrasonic energy | |
| KR920010730B1 (ko) | 반도체기판 에칭장치 | |
| JPS6116528A (ja) | ウエハ洗浄装置 | |
| KR100323502B1 (ko) | 액정표시패널의 제조방법 및 이것에 사용되는 세정장치 | |
| JP2002043267A (ja) | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板処理装置 | |
| JPS6064436A (ja) | スピンドライヤ | |
| JPH04124827A (ja) | 半導体基板エッチング処理装置 | |
| US20080053488A1 (en) | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method | |
| JPH0728064A (ja) | 液晶表示素子の配向膜ラビング方法及びその装置 | |
| JP3420046B2 (ja) | 洗浄装置 | |
| JP2617535B2 (ja) | 洗浄装置 | |
| JPH1187288A (ja) | 基板洗浄方法および該洗浄方法に用いられる洗浄装置 | |
| JP2719618B2 (ja) | 基板の洗浄装置 | |
| JPH11320385A (ja) | 研磨方法及びその装置 | |
| JP4323041B2 (ja) | 基板の洗浄処理装置 | |
| JPH0529305B2 (ja) | ||
| JPH08213352A (ja) | ウェーハ洗浄装置 | |
| JP4602566B2 (ja) | スピン処理装置 | |
| KR20060025836A (ko) | 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법 | |
| JP4200740B2 (ja) | 液晶表示装置における基板の洗浄装置及び洗浄方法 | |
| KR200248930Y1 (ko) | 웨이퍼의이물제거장치 | |
| JPH06120186A (ja) | ウエハキャリア洗浄方法 | |
| KR20230156979A (ko) | 웨이퍼 세정장치 | |
| JPS63307741A (ja) | 基板面の異物除去装置 | |
| KR100253312B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 스크러빙 장치 |