JPH04124827A - 半導体基板エッチング処理装置 - Google Patents

半導体基板エッチング処理装置

Info

Publication number
JPH04124827A
JPH04124827A JP2245396A JP24539690A JPH04124827A JP H04124827 A JPH04124827 A JP H04124827A JP 2245396 A JP2245396 A JP 2245396A JP 24539690 A JP24539690 A JP 24539690A JP H04124827 A JPH04124827 A JP H04124827A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor substrate
section
etching
rotary table
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2245396A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0810686B2 (ja
Inventor
Kiyoshi Yoshikawa
吉川 清
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2245396A priority Critical patent/JPH0810686B2/ja
Priority to US07/758,109 priority patent/US5176783A/en
Priority to DE69101818T priority patent/DE69101818T2/de
Priority to EP91115554A priority patent/EP0475435B1/en
Priority to KR1019910015976A priority patent/KR940010504B1/ko
Publication of JPH04124827A publication Critical patent/JPH04124827A/ja
Publication of JPH0810686B2 publication Critical patent/JPH0810686B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体基板エツチング処理装置に係り、特にベ
ベル構造状の半導体基板(ウェハー)のテパの付いた外
周面を自動的にエツチング処理する半導体基板エツチン
グ処理装置に関する。
[従来の技術] 例えば大型電力用半導体装置に用いられるウェハーはオ
リエンテーションフラットが形成されていない円板形状
の半導体基板か使用され、この半導体基板は耐圧保持の
ために外周面にテーパが付けられたものか多い。このテ
ーパ外周面にはテーパ付は加工時に破砕欠陥かしばしば
発生するので、テーパ外周面をエツチング処理して上記
破砕欠陥を除去することか行われている。
この半導体基板のテーパ外周面のエツチング処理は、次
に述べる工程によってこれまで行われていた。即ち、第
4図に示されたように半導体基板1の裏面全体に刷毛で
耐エツチング液2を塗布した後、この半導体基板1を同
径の弗素樹脂製の円板3に貼り付ける。次に、この弗素
樹脂円板3が下側になるように半導体基板1と弗素樹脂
円板3とを熱板4に載置し、数分間ベーキングして半導
体基板1と弗素樹脂円板3とを固着させる。このベーキ
ング後に、半導体基板1の表面(パターン作成面)に刷
毛で耐エツチング液5を塗布し上述と同様にベーキング
する。なお、上記の耐エツチング液塗布作業では半導体
基板1のテーパ外周面1aには耐エツチング液が付着し
ないようにする。
次に、第5図に示されたように弗素樹脂円板3に固着さ
れた半導体基板〕をピンセット6で挟み、エツチング液
7に一定時間浸漬してテーパ外周面1aのみをエツチン
グする。このエツチング処理後に水洗洗浄し、更にボイ
ル中の有機溶剤に半導体基板1を浸漬してこの半導体基
板1を弗素樹脂円板3から剥がすと同時に耐エツチング
液2.5を除去し、この除去後に半導体基板1を流水で
洗浄する。この流水洗浄後に、第6図に示されたように
赤外線ランプ8で半導体基板1を乾燥する。
しかしながら、このような従来のエツチング処理は耐エ
ツチング液2.5を細心の注意を払いながら、半導体基
板1のテーパ外周面1aに付着しないように半導体基板
の両表面に塗布しなければならず、また半導体基板1を
弗素樹脂円板3に貼付する必要があるといった問題、及
び耐エツチング液の除去やそれに伴う洗浄乾燥作業の必
要性、耐エツチング液2.5の塗布ムラに起因する半導
体基板の製造歩留りの低下といった問題か存在した。更
に、半導体基板テーパ外周面1aのみをエツチングする
のに半導体基板全体をエツチング液に浸漬するためエツ
チング液の使用量か多くなるといった問題もあった。
そこで、上述のような問題を解決した半導体基板エツチ
ング処理装置が特開平1−316936号公報に開示さ
れている。この半導体基板エツチング処理装置は第7図
及び第8図に示されたように真空チャック付きの回転台
9と、この回転台9に並置され回転軸10によって回転
される塗布ローラ11とを具備する。この塗布ローラ1
1の外周溝11aにはエツチング液供給ノズル12から
エツチング液13か供給される。半導体基板1は回転台
9に真空吸着され、そのテーパ外周面1aが塗布ローラ
11の外周溝11a内に入り込む。
この状態で、回転台9と塗布ローラ11とを逆方向に回
転させながら、塗布ローラ11の外周溝11aにエツチ
ング液供給ノズル12からエッチング液13を供給する
と、エツチング液13は表面張力によって外周溝11a
内に保持され、塗布ローラ11の回転に伴い半導体基板
1のテーバ外周面に付着しそれをエツチング処理する。
こうして半導体基板の全外周面のエツチングが終了する
と、エツチング液の供給を停止し、洗浄ノズル14.1
5から純水を吐出して半導体基板1を洗浄する。この後
、半導体基板1を高速回転させてその乾燥を行う。
[発明が解決しようとする課題] 半導体基板のエツチング処理は半導体基板の搬送やエツ
チング液塗布や水洗やベーキング等の一連の作業を必要
とする。しかしながら、上記特開平1−316936号
公報に開示された半導体基板エツチング処理装置は、単
に半導体基板のテーパ付外周面へのエツチング液の塗布
及びその後の水洗作業の自動化のみを図るものであり、
一連のエツチング作業全体の自動化を図るものではない
更に、上記半導体基板エツチング処理装置は半導体基板
1か回転台9に偏心して載置されるとエツチング液を半
導体基板の全外周面に均一に塗布できすエツチングムラ
か生してしまうという問題がある。
そこで、本発明の目的はエツチング液を半導体基板の全
外周に均一に塗布できると共に、基板の搬送やエツチン
グ液塗布や水洗やベーキング等の一連のニッチング処理
作業をすべて自動化した半導体基板エツチング処理装置
を提供することにある。
[課題を解決するための手段] この目的を達成するために、半導体基板のテパの付いた
外周面をエツチング処理する半導体基板エツチング処理
装置において、半導体基板を搬送する搬送手段と;複数
の半導体基板を収容したトレイを載置する半導体基板供
給部と:上記搬送手段によって上記半導体基板供給部か
ら搬送された半導体基板を載置するX−Yステージを有
し、このX−Yステージに載置された半導体基板を所定
位置に位置合せする位置合せ部と;上記搬送手段によっ
て上記位置合せ部から搬送された半導体基板を水平に載
置しこの半導体基板を回転する回転台と、この回転台に
隣接配置され上記回転台によって回転される半導体基板
のテーバ付き外周面にエツチング液を塗布するエツチン
グ液塗布ヘットとを有するエツチング液塗布部と:上記
搬送手段によって上記エツチング液塗布部から搬送され
た半導体基板を載置し、水洗しその後に乾燥処理する水
洗部と;上記搬送手段によって上記水洗部から搬送され
た半導体基板を載置するホットプレートを有し、このホ
ットプレートによって半導体基板を高温乾燥するベーキ
ング部と;上記搬送手段によって上記ベーキング部から
搬送された半導体基板を収容するトレイを載置する半導
体基板回収部と;上記一連の動作を制御する制御部とを
具備し、上記半導体基板供給部と上記X−Yステージと
上記エツチング液塗布部と水洗部と上記ベーキング部と
上記半導体基板回収部とは単一のクリーンユニット内の
ほぼ同一平面上に順次配置されていることを特徴とする
ものである。
この構成にあっては、上記搬送手段は上記半導体基板供
給部と上記X−Yステージとの間を往復動し上記半導体
基板供給部から上記X−Yステージに半導体基板を搬送
する第1の搬送アームと、上記X−Yステージと上記回
転台との間を往復動し上記X−Yステージから上記回転
台に半導体基板を搬送する第2の搬送アームと、上記回
転台と上記水洗部との間を往復動し上記回転台から上記
水洗部に半導体基板を搬送する第3の搬送アームと、上
記水洗部と上記ホットプレートとの間を往復動し上記水
洗部から上記ホットプレートに半導体基板を搬送する第
4の搬送アームと、上記ホットプレートと上記半導体基
板回収部との間を往復動し上記ホットプレートから上記
半導体基板回収部に半導体基板を搬送する第5の搬送ア
ームとを有することか好ましい。
[作 用コ 半導体基板供給部のトレイに収容された半導体基板は、
搬送手段によってX−Yステージに搬送され、そこで所
定位置に位置合せされた後に、搬送手段によってエツチ
ング液塗布部の回転台に搬送装置される。この回転台は
水平に載置された半導体基板を回転し、エツチング液塗
布ヘッドはこの回転中の半導体基板の外周面にエツチン
グ液を塗布し、エツチングを行なった後、純水により粗
洗浄を行なう。
このエツチング処理された半導体基板は、搬送手段によ
って水洗部に搬送され水洗され乾燥される。この後に、
半導体基板は搬送手段によってベーキング部のホットプ
レートに搬送載置され、ホットプレートによって高温乾
燥された後に、搬送手段によって半導体基板回収部に搬
送されトレイに収容される。これらの一連の作業は制御
部によって順次制御される。
半導体基板は、X−Yステージにおいて予め位置合せさ
れた後にエツチング液塗布部の回転台に載置されるため
、回転台への載置が高精度に行われ、エツチング液塗布
は半導体基板の全外周面に均一に行われる。
[実施例コ 次に、本発明による半導体基板エツチング処理装置の一
実施例を第4図乃至第8図と同部分には同一符号を付し
て示した第1図乃至第3図を参照して説明する。
第1図及び第2図において、クリーンユニット20は架
台21を有し、この架台21上には、半導体基板供給部
22と、位置合せ部23と、エツチング液塗布部24と
、水洗部25と、ホットプレートを有するベーキング部
26と、半導体基板回収部27とがほぼ一列状に配置さ
れている。この半導体基板供給部22は複数枚の半導体
基板1を収容するトレイ28を載置する。位置合せ部2
3はX−Yステージ23aとこのX−Y、Z、テージ2
3aの上方に配置されたITVカメラを含む位置検出器
23bとから構成されている。
エツチング液塗布部24は、上記特開平1316936
号公報に開示された、即ち第7図及び第8図に示された
半導体基板エツチング処理装置と類似した構成であり、
第3図に示されたように図示を省略したモータに連結さ
れた真空吸着機能付きの回転台29と、同様に図示を省
略したモータに連結された塗布ローラ30と、この塗布
ローラ30にエツチング液を供給するエツチング液供給
通路31とから構成されている。塗布ローラ30とエツ
チング液供給通路31とは、一体的に回転台29に対し
接近方向及び離間方向に移動可能に構成されている。
半導体基板供給部22と位置合せ部23とエツチング液
塗布部24と水洗部25とベーキング部26と半導体基
板回収部27の夫々の上方には、第1乃至第5の搬送ア
ーム32. 33. 3435.36が配置され、各搬
送アーム32〜36は半導体基板1を吸着保持可能な一
端部と共通の往復アーム37に連結された他端部とを夫
々有する。第1の搬送アーム32はその一端部で半導体
基板供給部22の半導体基板1を吸着保持し、位置合せ
部23のX−Yステージ23aに搬送載置し、第2の搬
送アーム33はその一端部でX−Yステージ23a上の
半導体基板1を吸着保持し、エツチング液塗布部24の
回転台29(第3図)に搬送載置する。第3の搬送アー
ム34は回転台29上の半導体基板1を吸着保持し、水
洗部25に搬送載置し、また第4の搬送アーム35は水
洗部25上の半導体基板1を吸着保持し、ベーキング部
26に搬送し、第5の搬送アーム36はベーキング部2
6上の半導体基板1を吸着保持し、半導体基板回収部1
5に載置されたトレイ28に収容する。なお、第3乃至
第5の搬送アーム32.33.34.35.36は、半
導体基板1の搬送の際にエツチング液塗布面を傷付けな
いように、半導体基板吸着用の端部が半導体基板1の中
央部のみと接触しその周辺と接触することがないように
構成されている。具体的には、第3乃至第5の搬送アー
ム32.33.34.35.36の半導体基板吸着用端
部は、半導体基板1よりも十分に小径に構成されるか、
または半導体基板1の外周部が位置する部分に溝を刻設
して半導体基板1の外周部と接触しないように構成され
ている。
クリーンユニット20には、各部の制御を行う制御部3
8とエツチング液供給部39が内蔵されている。
次にこの実施例の作用を説明する。
複数枚の半導体基板1を収容したトレイ28が半導体基
板供給部22に載置される。第1の搬送アーム32は、
往復アーム37によって駆動され、半導体基板供給部2
2のトレイ28から半導体基板]を吸着し位置決め部2
3のX−Yステージ23aに搬送し、そこに載置する。
X−Yステージ23aに載置された半導体基板1はその
外周部または中央のマークが位置検出器23bによって
検出され、制御部38はこの検出出力から所定位置に対
する半導体基板1のズレ量を演算し、この演算したズレ
量に基づきX−Yステージ23aをX方向又はY方向に
移動し半導体基板1を所定位置に高精度に位置決めする
。こうして高精度に位置決めされた半導体基板1は、こ
の位置決め状態を保持したまま第2の搬送アーム33に
よってエツチング液塗布部24の回転台29に高精度に
載置される。
回転台29は、載置された半導体基板1を真空吸着した
後に、図示を省略したモータによって第3図に示された
ように矢印A方向に回転駆動されて半導体基板1を同方
向に回転する。塗布ローラー30は、その側面凹部30
a内に半導体基板1のテーパ外周面1aか入り込む位置
まで、エツチング液供給通路31と一体に水平方向に移
動されると共に、図示を省略したモータによって矢印B
方向に回転される。エツチング液供給通路31はエツチ
ング液を塗布ローラ30の側面凹部30aに供給し、こ
れによってエツチング液が半導体基板1のテーパ外周面
1aに均一に塗布され、エツチングが行われる。その後
純水により粗洗浄が行われる。
この塗布された半導体基板1は、第3の搬送アーム34
によって回転台29から水洗部25に搬送され、そこで
水洗され乾燥された後に、第4の搬送アーム35によっ
て水洗部25からベーキング部26のホットプレートに
搬送される。このホットプレートは半導体基板1を高温
乾燥する。
第5搬送アーム36はベーキング部26上の半導体基板
1を吸着保持し、半導体基板回収部27に載置されたト
レイ28に収容する。この間、第1及び第2の搬送アー
ム32.33は前述したように半導体基板1を夫々半導
体基板供給部22及び位置合せ部23から位置合せ部2
3及びエツチング液塗布部24に搬送しており、上述し
た一連の動作が連続的に行われる。
[発明の効果] 以上の説明から明らかなように本発明によれば、半導体
基板は半導体基板供給部から半導体基板回収部まで搬送
手段によって順次搬送され、エツチング処理がすべて自
動的に行われ、作業時間を著しく短縮することができる
。また、半導体基板は、X−Yステージにおいて位置合
せされた後にエツチング液塗布部の回転台に載置される
ためこの回転台への載置が高精度に行われ、エツチング
液塗布を均一にすることができ、製造歩留りを大幅に向
上することかできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による半導体基板エツチング処理装置の
一実施例を概略的に示した外観斜視図、第2図は上記実
施例の動作を説明するためのブロック図、第3図は上記
実施例のエツチング液塗布部を詳細に示した断面図、第
4図乃至第6図は従来の半導体基板エツチング処理方法
を夫々示した説明図、第7図及び第8図は従来の半導体
基板エツチング処理装置を示した構成説明図と平面図で
ある。 1・・・半導体基板、20・・・クリーンユニット、2
2・・・半導体基板供給部、23・・・位置合せ部、2
3a・・・X−Yステージ、23b・・・位置検出器、
24・・・エツチング液塗布部、25・・・水洗部、2
6・・・ベーキング部、27・・・半導体基板回収部、
28・・・トレイ、29・・・回転台、30・・・塗布
ローラー32〜37・・・搬送手段、38・・・制御部
。 出願人代理人  佐  藤  −雄 第1図 第2図 第3図 第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体基板のテーパの付いた外周面をエッチング処
    理する半導体基板エッチング処理装置において、半導体
    基板を搬送する搬送手段と;複数の半導体基板を収容し
    たトレイを載置する半導体基板供給部と;上記搬送手段
    によって上記半導体基板供給部から搬送された半導体基
    板を載置するX−Yステージを有し、このX−Yステー
    ジに載置された半導体基板を所定位置に位置合せする位
    置合せ部と;上記搬送手段によって上記位置合せ部から
    搬送された半導体基板を水平に載置しこの半導体基板を
    回転する回転台と、この回転台に隣接配置され上記回転
    台によって回転される半導体基板のテーパ付き外周面に
    エッチング液を塗布するエッチング液塗布ヘッドとを有
    するエッチング液塗布部と;上記搬送手段によって上記
    エッチング液塗布部から搬送された半導体基板を載置し
    、水洗しその後に乾燥処理する水洗部と;上記搬送手段
    によって上記水洗部から搬送された半導体基板を載置す
    るホットプレートを有し、このホットプレートによって
    半導体基板を高温乾燥するベーキング部と;上記搬送手
    段によって上記ベーキング部から搬送された半導体基板
    を収容するトレイを載置する半導体基板回収部と;上記
    一連の動作を制御する制御部とを具備し、上記半導体基
    板供給部と上記X−Yステージと上記エッチング液塗布
    部と水洗部と上記ベーキング部と上記半導体基板回収部
    とは単一のクリーンユニット内のほぼ同一平面上に順次
    配置されていることを特徴とする半導体基板エッチング
    処理装置。 2、上記搬送手段は上記半導体基板供給部と上記X−Y
    ステージとの間を往復動し上記半導体基板供給部から上
    記X−Yステージに半導体基板を搬送する第1の搬送ア
    ームと、上記X−Yステージと上記回転台との間を往復
    動し上記X−Yステージから上記回転台 に半導体基板を搬送する第2の搬送アームと、上記回転
    台と上記水洗部との間を往復動し上記回転台から上記水
    洗部に半導体基板を搬送する第3の搬送アームと、上記
    水洗部と上記ホットプレートとの間を往復動し上記水洗
    部から上記ホットプレートに半導体基板を搬送する第4
    の搬送アームと、上記ホットプレートと上記半導体基板
    回収部との間を往復動し上記ホットプレートから上記半
    導体基板回収部に半導体基板を搬送する第5の搬送アー
    ムとを有することを特徴とする請求項1記載の半導体基
    板エッチング処理装置。
JP2245396A 1990-09-14 1990-09-14 半導体基板エッチング処理装置 Expired - Lifetime JPH0810686B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2245396A JPH0810686B2 (ja) 1990-09-14 1990-09-14 半導体基板エッチング処理装置
US07/758,109 US5176783A (en) 1990-09-14 1991-09-12 Semiconductor substrate etching apparatus
DE69101818T DE69101818T2 (de) 1990-09-14 1991-09-13 Halbleitersubstrat-Ätzgerät.
EP91115554A EP0475435B1 (en) 1990-09-14 1991-09-13 Semiconductor substrate etching apparatus
KR1019910015976A KR940010504B1 (ko) 1990-09-14 1991-09-13 반도체 기판 에칭 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2245396A JPH0810686B2 (ja) 1990-09-14 1990-09-14 半導体基板エッチング処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04124827A true JPH04124827A (ja) 1992-04-24
JPH0810686B2 JPH0810686B2 (ja) 1996-01-31

Family

ID=17133034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2245396A Expired - Lifetime JPH0810686B2 (ja) 1990-09-14 1990-09-14 半導体基板エッチング処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5176783A (ja)
EP (1) EP0475435B1 (ja)
JP (1) JPH0810686B2 (ja)
KR (1) KR940010504B1 (ja)
DE (1) DE69101818T2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5667592A (en) * 1996-04-16 1997-09-16 Gasonics International Process chamber sleeve with ring seals for isolating individual process modules in a common cluster
US5855465A (en) * 1996-04-16 1999-01-05 Gasonics International Semiconductor wafer processing carousel
US5863170A (en) * 1996-04-16 1999-01-26 Gasonics International Modular process system
KR100423251B1 (ko) * 1998-12-22 2004-03-19 가부시끼가이샤 도시바 박막의 패터닝방법

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3005373B2 (ja) * 1992-10-23 2000-01-31 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US5372652A (en) * 1993-06-14 1994-12-13 International Business Machines Corporation Aerosol cleaning method
EP0634699A1 (en) * 1993-07-16 1995-01-18 Semiconductor Systems, Inc. Clustered photolithography system
US5474647A (en) * 1993-11-15 1995-12-12 Hughes Aircraft Company Wafer flow architecture for production wafer processing
US6127279A (en) * 1994-09-26 2000-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solution applying method
DE19854743A1 (de) * 1998-11-27 2000-06-08 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum Naßätzen einer Kante einer Halbleiterscheibe
US6523553B1 (en) 1999-03-30 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Wafer edge cleaning method and apparatus
JP2000331975A (ja) * 1999-05-19 2000-11-30 Ebara Corp ウエハ洗浄装置
US6516815B1 (en) * 1999-07-09 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module
US6824612B2 (en) 2001-12-26 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Electroless plating system
US6770565B2 (en) 2002-01-08 2004-08-03 Applied Materials Inc. System for planarizing metal conductive layers
JP4289102B2 (ja) * 2003-09-26 2009-07-01 パナソニック株式会社 組立装置および組立方法ならびに端子洗浄装置
KR100684047B1 (ko) * 2004-10-14 2007-02-16 주식회사 디엠에스 기판상에 식각영역을 만들기 위한 장치
JP4601452B2 (ja) * 2005-02-22 2010-12-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3933670B2 (ja) * 2005-03-29 2007-06-20 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
JP4438709B2 (ja) * 2005-07-19 2010-03-24 株式会社Sumco ウェーハの枚葉式エッチング方法
US7521915B2 (en) * 2006-04-25 2009-04-21 Sokudo Co., Ltd. Wafer bevel particle detection
CN101458414B (zh) * 2007-12-13 2011-01-26 比亚迪股份有限公司 显示面板电极的防腐蚀方法和防腐蚀热烫装置
JP6306974B2 (ja) * 2013-12-20 2018-04-04 東京エレクトロン株式会社 塗布膜除去装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2598305B2 (ja) * 1988-06-06 1997-04-09 日東電工株式会社 半導体ウエハの処理システム
JPH02130922A (ja) * 1988-11-11 1990-05-18 Toshiba Corp 半導体基板エッチング装置
JP2528962B2 (ja) * 1989-02-27 1996-08-28 株式会社日立製作所 試料処理方法及び装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5667592A (en) * 1996-04-16 1997-09-16 Gasonics International Process chamber sleeve with ring seals for isolating individual process modules in a common cluster
US5855465A (en) * 1996-04-16 1999-01-05 Gasonics International Semiconductor wafer processing carousel
US5863170A (en) * 1996-04-16 1999-01-26 Gasonics International Modular process system
KR100423251B1 (ko) * 1998-12-22 2004-03-19 가부시끼가이샤 도시바 박막의 패터닝방법

Also Published As

Publication number Publication date
DE69101818D1 (de) 1994-06-01
DE69101818T2 (de) 1994-09-01
KR920007110A (ko) 1992-04-28
KR940010504B1 (ko) 1994-10-24
JPH0810686B2 (ja) 1996-01-31
EP0475435B1 (en) 1994-04-27
US5176783A (en) 1993-01-05
EP0475435A1 (en) 1992-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04124827A (ja) 半導体基板エッチング処理装置
JPH0435901B2 (ja)
JPH0637025B2 (ja) ウエハの鏡面加工装置
EP0905748B1 (en) Method of removing particles and a liquid from a surface of substrate
JP2015217501A (ja) 搬送ロボット
JPH0276227A (ja) 基板の洗浄乾燥方法及びその装置
JPS6116528A (ja) ウエハ洗浄装置
JPS6243832B2 (ja)
JPH07130637A (ja) 半導体製造装置
JPH0455826B2 (ja)
JPH01304732A (ja) 半導体ウェハの洗浄装置
WO2022187093A1 (en) Drying system with integrated substrate alignment stage
JP2002321132A (ja) ワークの搬送装置
JPS61121337A (ja) ウエハの処理方法
JPH0529305B2 (ja)
JP2000036527A (ja) 基板搬送処理装置及び基板搬送処理方法
JPH06342782A (ja) 基板表面処理装置
JP2880769B2 (ja) 半導体基板薬液塗布装置
JP3364709B2 (ja) 研磨装置におけるワーク取り外し方法
JPH11274283A (ja) 搬送方法及び搬送装置
JP3137491B2 (ja) 半導体ウェーハの払拭乾燥装置
JPH0713211Y2 (ja) スピンチャック洗浄機能付きレジスト塗布装置
KR200248930Y1 (ko) 웨이퍼의이물제거장치
JP3335220B2 (ja) 基板の処理装置
JPH11195690A (ja) ウエーハ移載装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080131

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090131

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100131

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110131

Year of fee payment: 15

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110131

Year of fee payment: 15