JPH0529305B2 - - Google Patents

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JPH0529305B2
JPH0529305B2 JP14959788A JP14959788A JPH0529305B2 JP H0529305 B2 JPH0529305 B2 JP H0529305B2 JP 14959788 A JP14959788 A JP 14959788A JP 14959788 A JP14959788 A JP 14959788A JP H0529305 B2 JPH0529305 B2 JP H0529305B2
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JP
Japan
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etching
substrate
semiconductor substrate
liquid
roller
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Kyoshi Yoshikawa
Takashi Fujiwara
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、半導体基板(ウエハ)のエツチング
処理装置に係り、特に基板端面のエツチング処理
に使用されるものである。
(従来の技術) 半導体基板の製造に際して、基板端面のみをエ
ツチング処理する場合、従来は次に述べるように
実施していた。即ち、第3図に示すように、先
ず、基板31の裏面全体に刷毛で耐エツチング液
32を塗つた後、基板31と同径の弗素樹脂製の
円板33に貼り付ける。次に、この円板33が下
側になるように、基板31および円板33を熱板
上に載置し、数分間ベーキングして基板31と円
板33とを密着させる。次に、基板31の表側
(パターン作成面)に刷毛で耐エツチング液32
を塗つて上記と同様にベーキングする。なお、上
記作業時には、基板端面(通常、斜面状になつて
いる)31′に上記耐エツチング液32が付着し
ないようにすることが重要である。次に、上記し
たように形成された弗素樹脂円板付き基板をピン
セツト34で挾み、エツチング液槽(ビーカー
等)35内のエツチング液36中に所要時間浸漬
し、基板端面31′のみエツチング処理を行う。
このようなエツチング処理の後、水洗洗浄により
エツチング液を上記円板付き基板から完全に除去
し、さらに、ボイル中の有機溶剤中に上記円板付
き基板を浸漬することによつて、基板31と円板
33とを剥すと共に耐エツチング液32も除去す
る。この後、基板を純水により洗浄し、乾燥す
る。
しかし、上記したようなエツチング処理方法
は、次に挙げるような問題点がある。(1)基板端面
に付着しないように基板両面に耐エツチング液を
塗る作業が大変であり、長い時間がかかつてい
た。(2)基板端面に耐エツチング液が付着しないよ
うに基板と弗素樹脂円板とを貼り付ける作業が大
変であり、長い時間がかかつていた。(3)エツチン
グ処理後、耐エツチング液を除去するのに、ボイ
ル中の有機溶剤中に円板付き基板を浸漬し、さら
に、純水洗浄、乾燥等の後処理を必要とするの
で、作業が大変であり、長い時間がかかつた。(4)
基板と同様に、弗素樹脂円板もエツチング液に浸
漬するので、これを洗浄し、清浄な雰囲気で管理
しなければならない。(5)基板両面の耐エツチング
液の被覆ムラが生じるので、基板の製造歩留りが
低下する。(6)エツチング液をエツチング液槽に入
れ、この中で基板端面をエツチングするので、エ
ツチング液の使用量が多かつた。(7)耐エツチング
液による被覆および樹脂円板の貼付け等の工程が
入るので、自動化が困難であつた。
(発明が解決しようとする課題) 本発明は、上記したような従来のエツチング処
理方法における種々の問題点を解決すべくなされ
たもので、半導体基板の端面のみに対するエツチ
ング処理を短時間で自動的に行うことができ、基
板の製造歩留りも向上させることができ、エツチ
ング液の使用量も少なくて済む半導体基板エツチ
ング処理装置を提供することを目的とする。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明の半導体基板エツチング処理装置は、半
導体基板が水平状態となるように上記半導体基板
の片面側で保持して回転させる半導体基板保持回
転機構と、上記半導体基板の近傍で水平状態に設
けられ、回転周面に前記半導体基板の端面が非接
触状態で入り込む溝部を有する溝付きローラと、
この溝付きローラの溝部に半導体基板の端面に接
触してエツチングを行うためのエツチング液を供
給する手段と、上記半導体基板の表面に純水を吐
出して洗浄するための基板洗浄用ノズルとを具備
することを特徴とする。
(作用) 溝付きローラの溝部に供給されるエツチング液
は表面張力により保持され、このエツチング液に
端面が接触しながら半導体基板が回転することに
よつて、基板端面のみエツチング処理が行われ
る。エツチング処理後、洗浄ノズルにより基板を
純水により洗浄することができる。このような処
理は自動化が可能であり、しかも、処理工程の単
純化が可能であるので、処理時間の短縮化が可能
である。また、基板の端面以外の部分に対して耐
エツチング液を塗る等の処理を必要としないの
で、基板の製造歩留りの低下をまねくおそれがな
く、エツチング液槽中に基板全部を浸漬する場合
に比べてエツチング液の使用量が少なくて済む。
(実施例) 以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細
に説明する。
第1図において、1は端面のエツチング処理を
必要とする半導体基板、2はこの半導体基板1が
水平状態となるように、その下面側を保持して回
転させる半導体基板保持回転機構であり、排気穴
を有すると共にモータ(図示せず)に連結された
垂直の回転軸3と、この回転軸3の上端に取り付
けられると共に上記回転軸3の排気穴と連通する
排気穴を有する真空吸着用基板チヤツク4とを具
備する。5は上記半導体基板1の近傍に配置され
て回転され、回転周面に前記半導体基板1の端面
が非接触状態で入り込む溝部5′を有すると共に
水平状態に回転自在な溝付きローラであり、6は
このローラ5を回転させるための回転軸であり、
その下端に上記ローラ5が取り付けられている。
7は上記ローラ5の近傍に設けられ、このローラ
5の溝部5′に半導体基板1の端面1′に接触して
エツチングするためのエツチング液8を供給する
エツチング液供給ノズルである。9は前記半導体
基板1の斜め上方に設けられ、その上面に純水を
吐出して洗浄するための基板洗浄用ノズルであ
る。10は前記保持回転機構2の近傍に設けら
れ、前記基板チヤツク4などの基板周辺部に純水
を吐出して洗浄するための周辺部洗浄用ノズルで
ある。なお、図示しないが、エツチング処理後の
洗浄水等を受けるための容器(図示せず)の内面
を洗浄するためにも、上記とは別に周辺部洗浄用
ノズルが設けられる。
次に、上記エツチング処理装置の動作を説明す
る。ローラ5および半導体基板1は、第2図中に
矢印で示すように互いに逆方向に回転するように
駆動される。エツチング液供給ノズル7からロー
ラ5の溝部5′に供給されるエツチング液8は、
その表面張力により溝部5′内に保持され、ロー
ラ5の回転に伴つて半導体基板端面1′に接触す
る位置へ移り、基板端面のエツチング処理を行
う。そして、半導体基板1の端面1′の全周のエ
ツチングを終了すると、エツチング液の供給を停
止し、基板洗浄用ノズル9および周辺部洗浄用ノ
ズル10からそれぞれ純水を吐出させて基板1お
よび周辺部を洗浄する。この後、基板1を高速回
転させてその乾燥を行う。
上記したような半導体基板エツチング処理装置
によれば、次に挙げるような効果が得られる。即
ち、(1)溝付きローラの溝部内に供給されたエツチ
ング液に基板端面を接触させるので、基板は端面
しかエツチングされず、端面以外の基板表面に耐
エツチング液を塗布したり除去する等の処理を必
要としないので、工程が短縮すると共に歩留りが
大幅に向上する。(2)前記ローラの溝部にしかエツ
チング液を供給しないので、エツチング液の使用
量、ひいては、エツチング液のランニングコスト
が大幅に節約される。(3)上記したようなエツチン
グ処理自体の自動化が可能であるので、その処理
時間の短縮化を図ることができ、しかも、上記エ
ツチング処理は、前工程および後工程との接続の
自動化が可能となり、自動化により基板のチツピ
ングが発生しなくなるので歩留りが大幅に向上す
る。(4)常に少量の新しいエツチング液を基板端面
に接触させてエツチングを行うので、エツチング
ムラが無くなり、歩留りが向上する。(5)上記した
エツチング処理中、人体に有害な有機溶剤に作業
者が触れる機会がなくなり、作業の安全性が向上
する。
なお、本発明は上記実施例に限らず、種々の変
形実施が可能である。例えば、溝付きローラの溝
部にエツチング液を供給する手段は上記エツチン
グ液供給ノズルに限らず、溝付きローラの内部に
エツチング液を貯蔵し得ると共に、この内部と溝
部の少なくとも一部が連通する構造にすれば、内
部から溝部にエツチング液を供給することが可能
になる。この場合、回転軸6の中心部にエツチン
グ供給用通路を設けておき、この通路をローラ内
部に連通させておけば、この通路を介してローラ
にエツチング液を補給することが可能になる。
[発明の効果] 上述したように本発明の半導体基板エツチング
処理装置によれば、半導体基板の端面のみに対す
るエツチング処理を短時間で自動的に行うことが
でき、基板の製造歩留りも向上させることがで
き、エツチング液の使用量も少なくて済むなどの
効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の半導体基板エツチング処理装
置の一実施例を示す構成説明図、第2図は第1図
の装置によるエツチング処理状態を示す平面図、
第3図は従来の半導体基板エツチング処理方法で
用いられる治具を示す構成説明図である。 1……半導体基板、1′……半導体基板の端面、
2……半導体基板保持回転機構、3……回転軸、
4……真空チヤツク、5……ローラ、5′……ロ
ーラの溝部、6……回転軸、7……エツチング液
供給ノズル、8……エツチング液、9,10……
洗浄用ノズル。
【特許請求の範囲】
1 ワークを横にして回転させる回転ヘツドと、
前記ワークの縁部に配置され前記ワークの縁部に
対向する溝を有し前記ワークの回転と共に回転す
る処理ヘツドと、この処理ヘツドの溝に処理液を
注入する手段とを具備したことを特徴とするワー
ク周辺処理ヘツド。 2 ワークを横にして回転させる回転ヘツドと、
前記ワークの縁部に配置され前記ワークの縁部に
対向する溝を有し前記ワークの回転と共に回転す
る処理ヘツドと、この処理ヘツドの溝に処理液を
注入する手段と、前記処理ヘツドに対し移動する
ことで前記処理ヘツドの溝内の液量を調整する部
材とを具備したことを特徴とするワーク周辺処理
ヘツド。 3 前記ワークは半導体ウエハで、前記処理液は
前記ウエハ周辺部の保護用塗布液であることを特
徴とする請求項1または2に記載のワーク周辺処
理ヘツド。
JP14959788A 1988-06-17 1988-06-17 半導体基板エッチング処理装置 Granted JPH01316936A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14959788A JPH01316936A (ja) 1988-06-17 1988-06-17 半導体基板エッチング処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14959788A JPH01316936A (ja) 1988-06-17 1988-06-17 半導体基板エッチング処理装置

Publications (2)

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JPH01316936A JPH01316936A (ja) 1989-12-21
JPH0529305B2 true JPH0529305B2 (ja) 1993-04-30

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JP14959788A Granted JPH01316936A (ja) 1988-06-17 1988-06-17 半導体基板エッチング処理装置

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JP2602766B2 (ja) * 1993-02-18 1997-04-23 エム・セテック株式会社 ウェハーエッジの加工方法とその装置
US6516815B1 (en) 1999-07-09 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module
US6824612B2 (en) 2001-12-26 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Electroless plating system
US6770565B2 (en) 2002-01-08 2004-08-03 Applied Materials Inc. System for planarizing metal conductive layers

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