JP2510038B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2510038B2 JP2510038B2 JP19180190A JP19180190A JP2510038B2 JP 2510038 B2 JP2510038 B2 JP 2510038B2 JP 19180190 A JP19180190 A JP 19180190A JP 19180190 A JP19180190 A JP 19180190A JP 2510038 B2 JP2510038 B2 JP 2510038B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer resin
- semiconductor substrate
- resin film
- resist
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は，半導体装置の製造に係り，特に半導体基板
の研磨方法に関し， 研削工程の短縮と半導体基板表面の損傷防止を目的と
し， 半導体基板表面に第１の高分子樹脂膜を貼りつける工
程と，該半導体基板の端側面並びに該第１の高分子樹脂
膜を覆って，第２の高分子樹脂のコート液を塗布し，乾
燥して第２の高分子樹脂膜を形成する工程と，しかる
後，該半導体基板の背面を一定の厚さまで研磨する工程
と，該半導体基板表面の第２の高分子樹脂膜並びに第１
の高分子樹脂膜を同時に剥離除去する工程とを含むよう
に構成する。
の研磨方法に関し， 研削工程の短縮と半導体基板表面の損傷防止を目的と
し， 半導体基板表面に第１の高分子樹脂膜を貼りつける工
程と，該半導体基板の端側面並びに該第１の高分子樹脂
膜を覆って，第２の高分子樹脂のコート液を塗布し，乾
燥して第２の高分子樹脂膜を形成する工程と，しかる
後，該半導体基板の背面を一定の厚さまで研磨する工程
と，該半導体基板表面の第２の高分子樹脂膜並びに第１
の高分子樹脂膜を同時に剥離除去する工程とを含むよう
に構成する。
本発明は，半導体装置の製法に係り，特に半導体基板
の研磨方法に関する。
の研磨方法に関する。
現状の半導体基板研削工程は，工程が長く，且つ，マ
スクとして使用したレジストを専用液で剥離する際に，
レジストが半導体基板の表面に残る，或いは，レジスト
剥離専用液が表面に残るといった問題を抱えており，こ
の打開策が必要である。
スクとして使用したレジストを専用液で剥離する際に，
レジストが半導体基板の表面に残る，或いは，レジスト
剥離専用液が表面に残るといった問題を抱えており，こ
の打開策が必要である。
（従来の技術） 第４図は従来例の説明図である。
図において,21は半導体基板,22はレジスト膜,23は高
分子樹脂膜である。
分子樹脂膜である。
従来の半導体基板研削工程においては，半導体素子を
形成した基板表面が研削工程中に損傷しないように，厚
くレジスト膜を塗布し，その上に高分子樹脂膜からなる
イクロステープを張り付けた状態で背面を研削してい
た。
形成した基板表面が研削工程中に損傷しないように，厚
くレジスト膜を塗布し，その上に高分子樹脂膜からなる
イクロステープを張り付けた状態で背面を研削してい
た。
この方法はレジストの塗布，乾燥，及び研削後のレジ
スト膜の剥離除去等と工程が長い事と，レジストの微片
が取り切れず残ること，及びレジスト剥離液の残渣が半
導体基板の表面に残る事など多くの問題があった。
スト膜の剥離除去等と工程が長い事と，レジストの微片
が取り切れず残ること，及びレジスト剥離液の残渣が半
導体基板の表面に残る事など多くの問題があった。
従って，従来工程ではレジストの塗布，剥離が独立の
工程として存在し，工程も長く，レジストや剥離液の残
渣が残ってしまうといった問題があった。
工程として存在し，工程も長く，レジストや剥離液の残
渣が残ってしまうといった問題があった。
本発明は，以上の点に鑑み，これらの欠点を解消し
て，半導体基板の研削工程を短縮し，種々の表面残渣が
なくなる方法を得ることを目的として提供されるもので
ある。
て，半導体基板の研削工程を短縮し，種々の表面残渣が
なくなる方法を得ることを目的として提供されるもので
ある。
第１図は本発明の原理説明図兼半導体基板背面研磨の
工程順模式断面図である。
工程順模式断面図である。
図において,1は半導体基板,2は第１の高分子樹脂膜,3
は第２の高分子樹脂膜,4はダイシングライン溝,5は隙
間,6は研削面,7は研磨面である。
は第２の高分子樹脂膜,4はダイシングライン溝,5は隙
間,6は研削面,7は研磨面である。
本発明では，上記の問題点を解決するために，ゴム性
の多少伸展性のある第１の高分子樹脂膜，例えば，イク
ロステープを直接に半導体基板上の素子表面に張り付
け，ダイシングライン溝を介して，半導体基板の周縁よ
りの水等の研削液の進入を防ぐために，塩化ビニールあ
どの第２の高分子樹脂を溶剤に溶かした，例えばエクセ
ルコート液を塗布することによって，レジストを使用せ
ずに，即ち，レジスト膜の塗布工程や剥離工程をなくし
て，レジスト等の残渣の発生を防止する。
の多少伸展性のある第１の高分子樹脂膜，例えば，イク
ロステープを直接に半導体基板上の素子表面に張り付
け，ダイシングライン溝を介して，半導体基板の周縁よ
りの水等の研削液の進入を防ぐために，塩化ビニールあ
どの第２の高分子樹脂を溶剤に溶かした，例えばエクセ
ルコート液を塗布することによって，レジストを使用せ
ずに，即ち，レジスト膜の塗布工程や剥離工程をなくし
て，レジスト等の残渣の発生を防止する。
即ち，本発明の目的は， 第１図（ａ）に示すように，半導体基体１表面に第１
の高分子樹脂膜２を貼りつける工程と， 第１図（ｂ）に示すように，該半導体基板１の端側面
並びに該第１の高分子樹脂膜２を覆って，第２の高分子
樹脂のコート液を塗布し，乾燥して第２の高分子樹脂膜
３を形成する工程と， しかる後，第１図（ｃ）に示すように，該半導体基板
１の背面を一定の厚さまで研磨する工程と， 該半導体基板１の表面の第２の高分子樹脂膜３並びに
第１の高分子樹脂膜２を同時に剥離除去する工程とを含
むことにより達成される。
の高分子樹脂膜２を貼りつける工程と， 第１図（ｂ）に示すように，該半導体基板１の端側面
並びに該第１の高分子樹脂膜２を覆って，第２の高分子
樹脂のコート液を塗布し，乾燥して第２の高分子樹脂膜
３を形成する工程と， しかる後，第１図（ｃ）に示すように，該半導体基板
１の背面を一定の厚さまで研磨する工程と， 該半導体基板１の表面の第２の高分子樹脂膜３並びに
第１の高分子樹脂膜２を同時に剥離除去する工程とを含
むことにより達成される。
本発明では，レジスト膜を使用せず，基板に直接に高
分子樹脂膜を張り付けるので，レジストの塗布や剥離工
程が削減され，レジストや薬品の残渣がなくなる。
分子樹脂膜を張り付けるので，レジストの塗布や剥離工
程が削減され，レジストや薬品の残渣がなくなる。
第１図は本発明の一実施例の工程順模式断面図，第２
図は半導体基板背面研磨の工程順模式断面図，第３図は
半導体基板背面研磨装置の斜視図である。
図は半導体基板背面研磨の工程順模式断面図，第３図は
半導体基板背面研磨装置の斜視図である。
図において,1は半導体基板,2は第１の高分子樹脂膜,3
は第２の高分子樹脂膜,4はダイシングライン溝,5は隙
間,6は研削面,7は研磨面,8は第１のホィール,9は第２の
ホィール,10は第３のホィール,11は第１のコラム,12は
第２のコラム,13は第３のコラム,14はエレベーターカバ
ー,15は基板装填アーム,16は調整アーム,17は研削テー
ブル,18は基板脱着アーム,19はコントロールテーブル,2
0は表示パネルである。
は第２の高分子樹脂膜,4はダイシングライン溝,5は隙
間,6は研削面,7は研磨面,8は第１のホィール,9は第２の
ホィール,10は第３のホィール,11は第１のコラム,12は
第２のコラム,13は第３のコラム,14はエレベーターカバ
ー,15は基板装填アーム,16は調整アーム,17は研削テー
ブル,18は基板脱着アーム,19はコントロールテーブル,2
0は表示パネルである。
本発明の一実施例について説明する。
先ず，第１図（ａ）に示すように，半導体基板１とし
ての，表面に素子を形成した直径150mm,厚さ約625μｍ
の厚さのシリコンウエハーの表面に第１の高分子樹脂膜
２として，ゴム系の多少伸展性のある，裏面に接着剤を
塗布した50μｍ厚さのイクロステープをウエハ全面に貼
り付け，ウエハ側面にてテープをカッティングする。
ての，表面に素子を形成した直径150mm,厚さ約625μｍ
の厚さのシリコンウエハーの表面に第１の高分子樹脂膜
２として，ゴム系の多少伸展性のある，裏面に接着剤を
塗布した50μｍ厚さのイクロステープをウエハ全面に貼
り付け，ウエハ側面にてテープをカッティングする。
次に第１図（ｂ）に示すように，ウエハ１の端側面並
びにイクロステープ２を覆って，第２の高分子樹脂であ
る塩化ビニールのエクセルコート液をスピナーにより約
10μｍの厚さに塗布し，自然乾燥して，溶剤を揮発し，
塩化ビニール膜を形成する。
びにイクロステープ２を覆って，第２の高分子樹脂であ
る塩化ビニールのエクセルコート液をスピナーにより約
10μｍの厚さに塗布し，自然乾燥して，溶剤を揮発し，
塩化ビニール膜を形成する。
しかる後，第１図（ｃ）に示すように，第３図に斜視
図により示した半導体基板背面研磨装置を用いて，ウエ
ハ１を３段階に研削・研磨する。
図により示した半導体基板背面研磨装置を用いて，ウエ
ハ１を３段階に研削・研磨する。
研磨装置は第３図に斜視図で示すように，ウエハセッ
トに装填されたウエハの基板１は，基板装着アーム15に
より研削テーブルに装着し，真空吸着により固定する。
研磨テーブルには、150mm径ウエハが６枚装填可能であ
る。
トに装填されたウエハの基板１は，基板装着アーム15に
より研削テーブルに装着し，真空吸着により固定する。
研磨テーブルには、150mm径ウエハが６枚装填可能であ
る。
装置には第１コラム11から第３コラム13までの３個の
コラムが設けられ，コラムにはそれぞれに回転する鋼製
のホイールがセットされている。ホイールの先端には粒
度の異なる工業ダイヤモンドの微粒が埋め込まれてお
り，第１から第３のホィールへと，粒度が細かくなって
いる。
コラムが設けられ，コラムにはそれぞれに回転する鋼製
のホイールがセットされている。ホイールの先端には粒
度の異なる工業ダイヤモンドの微粒が埋め込まれてお
り，第１から第３のホィールへと，粒度が細かくなって
いる。
ホイールは1,500rpmで回転しながら，ゆっくり回転す
る研削テーブル17上のウエハー１を端より順に研削して
いく。
る研削テーブル17上のウエハー１を端より順に研削して
いく。
研削は，第２図（ａ）に示すように，ウエハ１を第１
のホイール８で粗削りを行い,540μｍ厚さまで削る。次
に，第２図（ｂ）に示すように，第２のホイール９で中
削りを行い510μｍの厚さまで削る。更に，第２図
（ｃ）に示すように，第３のホイール10で仕上げ削りを
行い,500μｍまで削る。
のホイール８で粗削りを行い,540μｍ厚さまで削る。次
に，第２図（ｂ）に示すように，第２のホイール９で中
削りを行い510μｍの厚さまで削る。更に，第２図
（ｃ）に示すように，第３のホイール10で仕上げ削りを
行い,500μｍまで削る。
全体の研削時間は５−６分で１枚仕上がり，自動的に
基板脱着アーム18によりウエハ１を吸着して，ウエハカ
セットに収められる。
基板脱着アーム18によりウエハ１を吸着して，ウエハカ
セットに収められる。
背面を研削したウエハ１は，そのまま弗硝酸のエッチ
ング液で背面を軽く30秒程度エッチングし，ウエハ１を
490μｍの厚さに研磨して仕上る。
ング液で背面を軽く30秒程度エッチングし，ウエハ１を
490μｍの厚さに研磨して仕上る。
研磨の終了したウエハは，第１図（ｄ）に示すよう
に，イクロステープ２をその上のエクセルコートフィル
ム３毎剥がして取り去る。
に，イクロステープ２をその上のエクセルコートフィル
ム３毎剥がして取り去る。
この様にして，研磨したウエハはレジスト膜を使用し
ないので，レジスト剥離液の残渣や，レジストの付着が
なく，清浄な表面を保つことができた。
ないので，レジスト剥離液の残渣や，レジストの付着が
なく，清浄な表面を保つことができた。
本発明では，上記のように，レジストの剥離工程が削
減され，レジストや薬品の残渣が無くなるので，生産性
の向上，品質の向上に寄与するところが大きい。
減され，レジストや薬品の残渣が無くなるので，生産性
の向上，品質の向上に寄与するところが大きい。
第１図は本発明の一実施例の工程順模式断面図， 第２図はウエハ研磨の工程順模式断面図， 第３図はウエハ背面研磨装置， 第４図は従来例の説明図 である。 図において， １は半導体基板,2は第１の高分子樹脂膜,3は第２の高分
子樹脂膜,4はダイシングライン溝,5は隙間,6は研削面,7
は研磨面,8は第１のホィール,9は第２のホィール,10は
第３のホィール,11は第１のコラム,12は第２のコラム,1
3は第３のコラム,14はエレベーターカバー,15は基板装
填アーム,16は調整アーム,17は研削テーブル,18は基板
脱着アーム,19はコントロールテーブル,20は表示パネル である。
子樹脂膜,4はダイシングライン溝,5は隙間,6は研削面,7
は研磨面,8は第１のホィール,9は第２のホィール,10は
第３のホィール,11は第１のコラム,12は第２のコラム,1
3は第３のコラム,14はエレベーターカバー,15は基板装
填アーム,16は調整アーム,17は研削テーブル,18は基板
脱着アーム,19はコントロールテーブル,20は表示パネル である。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板（１）表面に第１の高分子樹脂
膜（２）を貼りつける工程と， 該半導体基板（１）の端側面並びに該第１の高分子樹脂
膜（２）を覆って，第２の高分子樹脂のコート液を塗布
し，乾燥して第２の高分子樹脂膜（３）を形成する工程
と， しかる後，該半導体基板（１）の背面を一定の厚さまで
研磨する工程と， 該半導体基板（１）表面の第２の高分子樹脂膜（３）並
びに第１の高分子樹脂膜（２）を同時に剥離除去する工
程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19180190A JP2510038B2 (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19180190A JP2510038B2 (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0476916A JPH0476916A (ja) | 1992-03-11 |
| JP2510038B2 true JP2510038B2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=16280765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19180190A Expired - Lifetime JP2510038B2 (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2510038B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4775580B2 (ja) * | 2006-12-18 | 2011-09-21 | スズキ株式会社 | 傾斜エンジンのオイルフィルタ取付構造 |
-
1990
- 1990-07-18 JP JP19180190A patent/JP2510038B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0476916A (ja) | 1992-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3972065B2 (ja) | シリコンダスト除去用ウェーハのグラインディング研磨装置 | |
| US5424224A (en) | Method of surface protection of a semiconductor wafer during polishing | |
| US6958298B2 (en) | Method for thinning wafer by grinding | |
| US5601732A (en) | Protecting film for wafer and method for grinding surface of wafer with the same | |
| JP2510038B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05226308A (ja) | 半導体ウエハの裏面処理方法及びその装置 | |
| JPH0774137A (ja) | 基板表面のパーティクル除去方法及びその装置 | |
| KR100411256B1 (ko) | 웨이퍼 연마공정 및 이를 이용한 웨이퍼 후면 처리방법 | |
| JPH09148283A (ja) | ウエハ薄板化方法及び装置 | |
| JPS62132324A (ja) | ウエハ−の面取り研削ダメ−ジ層の除去方法および除去用治具 | |
| JPS6242426A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH09115863A (ja) | 表面保護テープ貼り付け方法およびその装置 | |
| KR20110055977A (ko) | 반도체 패키지 제조용 장비 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조방법 | |
| US6688948B2 (en) | Wafer surface protection method | |
| JP4958287B2 (ja) | 剥がし装置における剥離方法 | |
| JP2001110765A (ja) | 高精度ウェーハとその製造方法 | |
| JP3364709B2 (ja) | 研磨装置におけるワーク取り外し方法 | |
| JPH071759B2 (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
| JP2004111815A (ja) | 保護テープの剥離方法及びその装置 | |
| JPH01316936A (ja) | 半導体基板エッチング処理装置 | |
| JP3382218B2 (ja) | 単結晶ウエハのホーニング加工方法 | |
| JPS61121335A (ja) | ウエハの研削面の処理方法 | |
| JPH07130685A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP2719276B2 (ja) | 張り合わせｓｏｉウェーハの製法 | |
| JPS63160342A (ja) | 保護膜および保護テ−プの除去方法 |