JPS61121335A - ウエハの研削面の処理方法 - Google Patents
ウエハの研削面の処理方法Info
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- JPS61121335A JPS61121335A JP24310884A JP24310884A JPS61121335A JP S61121335 A JPS61121335 A JP S61121335A JP 24310884 A JP24310884 A JP 24310884A JP 24310884 A JP24310884 A JP 24310884A JP S61121335 A JPS61121335 A JP S61121335A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、集積回路プロセスにおいて特に裏メタルを
形成する場合のウェハの研削面の処理方法に関する。
形成する場合のウェハの研削面の処理方法に関する。
（ロ）従来技術
従来よりウェハの表面にデバイスが形成された後、この
ウェハをチップ状に分離する所謂スクライブを容易にす
ることを主目的として、デバイス形成前に約５００μｍ
の厚さであった前記ウェハを３００μｍ程度の厚さに研
削する。そしてデバイスによってはウェハ裏面に裏メタ
ルと称する金等の合圧を蒸着する。しかしながら、前記
研削後の面状態は、ウェハの微粒子・研削砥石の砥粒な
どが完全に除去されていないので前記裏メールの密着性
を向上させるため前記研削された面状態を更に良好にさ
せる必要がある。
ウェハをチップ状に分離する所謂スクライブを容易にす
ることを主目的として、デバイス形成前に約５００μｍ
の厚さであった前記ウェハを３００μｍ程度の厚さに研
削する。そしてデバイスによってはウェハ裏面に裏メタ
ルと称する金等の合圧を蒸着する。しかしながら、前記
研削後の面状態は、ウェハの微粒子・研削砥石の砥粒な
どが完全に除去されていないので前記裏メールの密着性
を向上させるため前記研削された面状態を更に良好にさ
せる必要がある。
そこで、この処理方法として例えば、硝フッ酸系のエツ
チング液中に該ウェハを所定時間浸漬することにより前
記研削された面をエツチングさせている。この方法を行
うに際しては前記エツチング液によってウェハの表面に
形成したデバイスがエツチングされるのを防止する磁電
な前準備が必要となる。つまり前記デバイスが形成され
た面に前記浸漬時間内に剥離しない保護１模として高粘
度なホトレジストを被着させるものである。従来行われ
た具体例として、高粘度なホトレジストを塗布しプレベ
ークを施していた。よってエツチングした後には上記の
ように被着した高粘度なホトレジストの除去にプラズマ
アッシングを行う必要がある。従って、裏メタルを蒸着
するには上記研削後における研削面の処理工程に必要以
上の手間がかかり過ぎるという問題点を生じる。
チング液中に該ウェハを所定時間浸漬することにより前
記研削された面をエツチングさせている。この方法を行
うに際しては前記エツチング液によってウェハの表面に
形成したデバイスがエツチングされるのを防止する磁電
な前準備が必要となる。つまり前記デバイスが形成され
た面に前記浸漬時間内に剥離しない保護１模として高粘
度なホトレジストを被着させるものである。従来行われ
た具体例として、高粘度なホトレジストを塗布しプレベ
ークを施していた。よってエツチングした後には上記の
ように被着した高粘度なホトレジストの除去にプラズマ
アッシングを行う必要がある。従って、裏メタルを蒸着
するには上記研削後における研削面の処理工程に必要以
上の手間がかかり過ぎるという問題点を生じる。
（ハ）目的
この発明は、簡便な工程でもって裏メタルの密着性の良
好な面状態を得ることのできるウェハの研削面の処理方
法を提供することを目的としている。 。
好な面状態を得ることのできるウェハの研削面の処理方
法を提供することを目的としている。 。
（ニ）構成
この発明に係るウェハの研削面の処理方法の特徴とする
処は、ウェハのデバイスが形成された面側を適宜な保護
膜にて覆い、前記保護膜で覆った面の裏面を所定厚研削
した後、前記ウェハをスピンナーでもって回転させつつ
前記研削された面に適宜なエツチング剤をスプレー状に
吹きつけることにより前記研削された面をエツチングし
、次いで前記デバイスか形成された面を覆う保護膜を除
去させることにある。
処は、ウェハのデバイスが形成された面側を適宜な保護
膜にて覆い、前記保護膜で覆った面の裏面を所定厚研削
した後、前記ウェハをスピンナーでもって回転させつつ
前記研削された面に適宜なエツチング剤をスプレー状に
吹きつけることにより前記研削された面をエツチングし
、次いで前記デバイスか形成された面を覆う保護膜を除
去させることにある。
（ホ）実施例
第１図はこの発明に係るウェハの研削面の処理方法の一
実施例を説明するための参考図であり、（ａｌはウェハ
１０の表面１１に保護膜２０を被着させた図、（ｂ）は
スピンナー３０の概略図をそれぞれ示している。
実施例を説明するための参考図であり、（ａｌはウェハ
１０の表面１１に保護膜２０を被着させた図、（ｂ）は
スピンナー３０の概略図をそれぞれ示している。
同図を参考にこの実施例に係るウェハの研削面の処理方
法を説明する。
法を説明する。
■ デバイスが形成された面１１つまりウェハ１０の表
面１１を保護膜２０で覆う（第１図＜８）参照）。尚、
本実施例では保護膜２０をホトレジストとする。前記保
護膜２０で覆われた面の裏面１２（裏メタルを形成すべ
き面）を図外の研削装置でもって例えば３００μｍ程度
まで研削する。前記研削されたウェハ１０を純水にて洗
浄して乾燥する（研削工程）。
面１１を保護膜２０で覆う（第１図＜８）参照）。尚、
本実施例では保護膜２０をホトレジストとする。前記保
護膜２０で覆われた面の裏面１２（裏メタルを形成すべ
き面）を図外の研削装置でもって例えば３００μｍ程度
まで研削する。前記研削されたウェハ１０を純水にて洗
浄して乾燥する（研削工程）。
■ ■の如く研削されたウェハ１０の表面１１を覆う保
護膜２０を残したままにして、このウェハ１０をその裏
面１２が上になるようにテフロン材からなるスピンナー
３０に載置して真空チャック３１にて吸着させる。そし
てウェハ１０を例えば速度８００ｒｐｍ程度で回転させ
つつ、前記裏面１２に例えば硝フッ酸系のエツチング剤
をスプレー状に吹きつけることにより、前記ウェハＩＯ
の裏面１２を例えば１〜２μｍ程度エツチングさせる（
第１図（ｂ）参照）。
護膜２０を残したままにして、このウェハ１０をその裏
面１２が上になるようにテフロン材からなるスピンナー
３０に載置して真空チャック３１にて吸着させる。そし
てウェハ１０を例えば速度８００ｒｐｍ程度で回転させ
つつ、前記裏面１２に例えば硝フッ酸系のエツチング剤
をスプレー状に吹きつけることにより、前記ウェハＩＯ
の裏面１２を例えば１〜２μｍ程度エツチングさせる（
第１図（ｂ）参照）。
■ 前記エツチングされたウェハ１０を純水にて洗浄し
た後、スピンナー３０にてスピン乾燥させる。
た後、スピンナー３０にてスピン乾燥させる。
■ 前記洗浄されたウェハ１０をいわゆるレジスト剥離
剤にて洗浄することにより表面１１に被着した保護膜２
０を除去する。
剤にて洗浄することにより表面１１に被着した保護膜２
０を除去する。
■ 保護膜２０が除去されたウェハ１０を純水洗浄する
ことにより残留物を′除去する。
ことにより残留物を′除去する。
以下通常の裏メタル形成法と同様に上記の如く処理した
ウェハ１０の裏面１２に金等の裏メタルを蒸着する。
ウェハ１０の裏面１２に金等の裏メタルを蒸着する。
（へ）効果
この発明は上記詳説したように、裏メタルを形成すべき
面（デバイスが形成された面の裏面）を研削した後、ス
ピンナーで真空吸着したまま該ウェハを回転させつつ前
記研削された面に適宜なエツチング剤をスプレー状に吹
きつげることにより研削後の面状態の処理を短時間行っ
ており、前記ウェハのデバイスが形成された面にエツチ
ング剤の影響を与えないようにしているので、従来行わ
れていた浸漬エツチングに伴う高粘土レジストの塗布お
よびこれを剥離するプラズマアッシング工程を無くする
ことができる。従って、この発明によれば裏メタルの密
着性が良好な面状態を得るための研削面の処理工程を簡
便にせしめることができる。
面（デバイスが形成された面の裏面）を研削した後、ス
ピンナーで真空吸着したまま該ウェハを回転させつつ前
記研削された面に適宜なエツチング剤をスプレー状に吹
きつげることにより研削後の面状態の処理を短時間行っ
ており、前記ウェハのデバイスが形成された面にエツチ
ング剤の影響を与えないようにしているので、従来行わ
れていた浸漬エツチングに伴う高粘土レジストの塗布お
よびこれを剥離するプラズマアッシング工程を無くする
ことができる。従って、この発明によれば裏メタルの密
着性が良好な面状態を得るための研削面の処理工程を簡
便にせしめることができる。
第１図はこの発明に係るウェハの研削面の処理方法の一
実施例を説明するための参考図であり、（ａ）はウェハ
１０の表面１１に保護膜２０を被着させた参考図、（ｂ
ｌはスピンナー３０の概略図をそれぞれ示している。 １０・・・ウェハ、１１・・・表面、１２・・・裏面、
２０・・・保護膜、３０・・・スピンナー。
実施例を説明するための参考図であり、（ａ）はウェハ
１０の表面１１に保護膜２０を被着させた参考図、（ｂ
ｌはスピンナー３０の概略図をそれぞれ示している。 １０・・・ウェハ、１１・・・表面、１２・・・裏面、
２０・・・保護膜、３０・・・スピンナー。
Claims (1)
- （１）ウェハのデバイスが形成された面側を適宜な保護
膜にて覆い、前記保護膜で覆った面の裏面を所定厚研削
した後、前記ウェハをスピンナーでもって回転させつつ
前記研削された面に適宜なエッチング剤をスプレー状に
吹きつけることにより前記研削された面をエッチングし
、次いで前記デバイスが形成された面を覆う保護膜を除
去させることを特徴とするウェハの研削面の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24310884A JPS61121335A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | ウエハの研削面の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24310884A JPS61121335A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | ウエハの研削面の処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61121335A true JPS61121335A (ja) | 1986-06-09 |
Family
ID=17098912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24310884A Pending JPS61121335A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | ウエハの研削面の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61121335A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6384141A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6394630A (ja) * | 1986-10-08 | 1988-04-25 | Rohm Co Ltd | 半導体ウエハの裏面加工方法 |
| JP2006147739A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5248468A (en) * | 1975-10-15 | 1977-04-18 | Nec Home Electronics Ltd | Process for production of semiconductor device |
| JPS59101837A (ja) * | 1982-12-01 | 1984-06-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59103344A (ja) * | 1983-09-19 | 1984-06-14 | Hitachi Ltd | 液体スプレー装置 |
-
1984
- 1984-11-16 JP JP24310884A patent/JPS61121335A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5248468A (en) * | 1975-10-15 | 1977-04-18 | Nec Home Electronics Ltd | Process for production of semiconductor device |
| JPS59101837A (ja) * | 1982-12-01 | 1984-06-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59103344A (ja) * | 1983-09-19 | 1984-06-14 | Hitachi Ltd | 液体スプレー装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6384141A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6394630A (ja) * | 1986-10-08 | 1988-04-25 | Rohm Co Ltd | 半導体ウエハの裏面加工方法 |
| JP2006147739A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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