KR100699148B1 - 웨이퍼 후면 연삭장치 및 이를 이용한 연삭 방법 - Google Patents

웨이퍼 후면 연삭장치 및 이를 이용한 연삭 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100699148B1
KR100699148B1 KR1020050131229A KR20050131229A KR100699148B1 KR 100699148 B1 KR100699148 B1 KR 100699148B1 KR 1020050131229 A KR1020050131229 A KR 1020050131229A KR 20050131229 A KR20050131229 A KR 20050131229A KR 100699148 B1 KR100699148 B1 KR 100699148B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
grinding
scrubber
wafer backside
backside
Prior art date
Application number
KR1020050131229A
Other languages
English (en)
Inventor
김호윤
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020050131229A priority Critical patent/KR100699148B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100699148B1 publication Critical patent/KR100699148B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 웨이퍼 후면 연삭장치는, 회전하는 웨이퍼 후면에 탈이온수를 분사하는 탈이온수 분사 노즐과, 웨이퍼 후면을 연삭하는 연삭휠(grinding wheel)과, 그리고 연삭휠에 의해 연삭이 이루어지는 동안 웨이퍼 후면의 파티클을 제거하는 스크러버(scrubber)를 구비한다.
웨이퍼 후면, 연삭, 파티클, 스크러버, 폴리비닐알콜(PVA)

Description

웨이퍼 후면 연삭장치 및 이를 이용한 연삭 방법{Apparatus of grinding the wafer backside and method of grinding the wafer backside using the same}
도 1은 종래의 웨이퍼 후면 연삭장치 및 이를 이용한 연삭 방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 후면 연삭장치 및 이를 이용한 연삭 방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.
본 발명은 웨이퍼 후면 연삭장치 및 이를 이용한 연삭 방법에 관한 것으로서, 특히 실리콘 파티클을 효과적으로 제거할 수 있도록 하는 웨이퍼 후면 연삭장치 및 이를 이용한 연삭 방법에 관한 것이다.
일반적으로 하나의 칩(chip)을 제조하기 위해서는, 웨이퍼 잉곳(wafer ingot)으로부터 실리콘 웨이퍼까지의 공정을 담당하는 실리콘 웨이퍼 프로세스와, 실리콘 웨이퍼로부터 포토리소그라피, 식각, 증착, 평탄화 공정을 통한 패터닝 프로세스와, 그리고 완성된 웨이퍼에서 칩까지의 패키징 프로세스가 수행된다. 이 중 패키징 프로세스는 완성된 웨이퍼를 하나의 개별 칩으로 만드는 프로세스를 의미한 다. 패키징 프로세스는, 웨이퍼 후면 연삭(wafer backside grinding), 소잉(sawing), 몰딩(molding), 와이어링(wiring)과 같은 공정들을 포함하며, 이 중에서 웨이퍼 후면 연삭은 소잉(sawing)공정을 진행하기 위하여 600 내지 800㎛ 두께의 실리콘 웨이퍼를 200 내지 400㎛ 정도의 두께가 되도록 웨이퍼의 후면을 연삭하는 공정이다.
도 1은 종래의 웨이퍼 후면 연삭장치 및 이를 이용한 연삭 방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.
도 1을 참조하면, 웨이퍼 후면 연삭장치는 웨이퍼(100)의 후면에 탈이온수(112)를 분사하는 탈이온수 분사 노즐(110)과, 웨이퍼(100)의 후면을 연삭하는 연삭휠(grinding wheel)(120)을 포함한다. 연삭휠(120)은 미세한 다이아몬드 그릿(diamond grit)(122)이 본딩재에 의해 결합되어 있는 구조를 가지며, 연삭이 이루어지는 동안 다이아몬드 그릿(122)은 웨이퍼(100) 후면의 중심에 위치하며, 이 상태에서 웨이퍼(100)는 도면에서 화살표(131)로 나타낸 방향으로 회전하고, 마찬가지로 연삭휠(120)도 도면에서 화살표(132)로 나타낸 방향으로 회전한다.
보다 구체적으로 설명하면, 웨이퍼(100)의 전면에 테이프를 부착하여 연삭이 이루어지는 동안 웨이퍼(100)의 전면이 보호되도록 한다. 이 상태에서 웨이퍼(100)를 진공척(미도시)에 안착시키고, 웨이퍼(100)를 회전시키면서 마찬가지로 회전하는 연삭휠(120)로 웨이퍼(100)의 후면이 연삭되도록 한다. 이와 같은 연삭이 이루어지는 동안 탈이온수 분사 노즐(110)로부터 탈이온수(112)가 웨이퍼(100)의 후면에 분사된다.
그런데 연삭휠(120)에 의해 웨이퍼(100) 후면이 연삭되는 동안 많은 실리콘 파티클이 발생하게 되고, 이 중 일부는 웨이퍼(100) 전면이나 웨이퍼 베벌(bevel) 영역에 잔존하게 된다. 이와 같이 잔존하는 실리콘 파티클은 후속의 브러싱(brushing)이나 린싱(rinsing) 공정시 효과적으로 제거되지 않으며, 후속의 세정공정에서 웨이퍼(100) 전면을 오염시키는 주요 원인으로 작용한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 실리콘 파티클을 효과적으로 제거할 수 있도록 하는 웨이퍼 후면 연삭장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 상기와 같은 웨이퍼 후면 연삭장치를 이용한 연삭 방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 웨이퍼 후면 연삭장치는, 회전하는 웨이퍼 후면에 탈이온수를 분사하는 탈이온수 분사 노즐; 상기 웨이퍼 후면을 연삭하는 연삭휠; 및 상기 연삭휠에 의해 연삭이 이루어지는 동안 상기 웨이퍼 후면의 파티클을 제거하는 스크러버를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 스크러버는 연삭이 이루어지는 동안 상기 연삭휠과 마주보도록 상기 웨이퍼 후면 위에 배치되는 것이 바람직하다.
상기 스크러버는 폴리비닐알콜(PVA) 스크러버인 것이 바람직하다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 웨이퍼 후면 연삭방법은, 웨이퍼를 진공척에 안착시켜 회전시키는 단계; 및 상기 회전되는 웨이퍼 의 후면에 탈이온수를 분사하면서 연삭을 수행하되, 상기 연삭이 이루어지는 동안 상기 웨이퍼 후면에 배치되는 스크러버를 사용하여 상기 웨이퍼 후면에 발생되는 파티클을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 스크러버를 사용하여 파티클을 제거하는 단계는, 상기 연삭이 이루어지는 시간보다 적어도 20% 이상 오래 수행하는 것이 바람직하다.
이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 후면 연삭장치 및 이를 이용한 연삭 방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 후면 연삭장치는, 웨이퍼(100)의 후면에 탈이온수(212)를 분사하는 탈이온수 분사 노즐(210)과, 웨이퍼(100)의 후면을 연삭하는 연삭휠(grinding wheel)(220)과, 그리고 연삭이 이루어지는 동안 웨이퍼(100) 후면에서 발생되는 실리콘 파티클을 제거하는 스크러버(scrubber)(230)를 포함하여 구성된다.
웨이퍼(100)는, 연삭이 이루어지는 동안 진공척(미도시)에 고정된 상태로 도면에서 화살표(241)로 나타낸 방향으로 회전된다. 마찬가지로 연삭휠(220)도 도면에서 화살표(242)로 나타낸 방향으로 회전하며, 스크러버(230)도 도면에서 화살표(243)로 나타낸 방향으로 회전한다.
탈이온수 분사 노즐(210)은 연삭이 이루어지는 동안 탈이온수(DI Water; DeIonized water)(212)를 웨이퍼(100) 후면에 공급한다. 연삭휠(220)은, 미세한 다이아몬드 그릿(122)이 본딩재에 의해 결합되어 있는 구조로 이루어지며, 이 다이아몬드 그릿(122)은 연삭이 이루어지는 동안 웨이퍼(100) 후면 중심에 위치하여, 일정한 압력에 의해 웨이퍼(100) 후면이 연삭되도록 한다. 스크러버(230)는 연삭이 이루어지는 동안 웨이퍼(100) 후면에서 발생하는 실리콘 파티클을 제거하기 위한 것으로서, 폴리비닐알콜(PVA; Polyvinyl Alchol) 재질의 폴리비닐알콜 스크러버이다.
이와 같은 연삭장치를 이용하여 웨이퍼(100) 후면을 연삭하는 과정을 설명하면, 먼저 웨이퍼(100) 전면을 보호하기 위하여 웨이퍼(100) 전면에 테이프를 부착시킨다. 이 상태에서 웨이퍼(100)를 웨이퍼(100) 후면이 위를 향하도록 진공척에 안착시킨다. 그리고 연삭휠(220)과 스크러버(230)를 웨이퍼(100) 후면 상에 배치시킨다. 이때 연삭휠(220)의 다이아몬드 그릿(122)은 웨이퍼(100) 후면 중심에 위치되도록 하며, 스크러버(230)는 웨이퍼(100) 후면 위에서 연삭휠(220)과 마주보도록 위치시킨다. 다음에 웨이퍼(100), 연삭휠(220) 및 스크러버(230)를 각각 도면에서 화살표(241, 242, 243)로 나타낸 바와 같이, 일정방향으로 회전시키고 연삭휠(220)에 일정한 압력을 가하여 웨이퍼(100) 후면이 연삭되도록 한다.
이와 같은 연삭이 이루어지는 동안, 탈이온수 분사노즐(210)은 연삭이 이루어지는 웨이퍼(100) 후면에 탈이온수(212)를 공급하고, 스크러버(230)는 웨이퍼(100) 후면에서 발생하는 실리콘 파티클을 제거한다. 스크러버(230)에 의한 파티클 제거는 연삭휠(220)에 의한 연삭이 이루어지는 시간보다 적어도 20% 이상 오래 수행되도록 한다. 이후 통상의 브러싱, 린싱 및 드라이공정을 진행한다.
지금까지 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 후면 연삭장치 및 이를 이용한 연삭 방법에 따르면, 연삭휠을 이용하여 웨이퍼 후면을 연삭할 때 스크러버를 사용하여 웨이퍼에서 발생하는 실리콘 파티클을 인 프로세스(in process)로 제거함으로써, 후속단계에서 웨이퍼 전면이 파티클에 의해 오염되는 현상을 억제할 수 있다는 이점이 제공된다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.

Claims (5)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 웨이퍼를 진공척에 안착시켜 회전시키는 단계; 및
    상기 회전되는 웨이퍼의 후면에 탈이온수를 분사하면서 연삭을 수행하되, 상기 연삭이 이루어지는 동안 상기 웨이퍼 후면에 배치되는 스크러버를 상기 연삭이 이루어지는 시간보다 적어도 20% 이상 오래 사용하여 상기 웨이퍼 후면에 발생되는 파티클을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 연삭 방법.
  5. 삭제
KR1020050131229A 2005-12-28 2005-12-28 웨이퍼 후면 연삭장치 및 이를 이용한 연삭 방법 KR100699148B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050131229A KR100699148B1 (ko) 2005-12-28 2005-12-28 웨이퍼 후면 연삭장치 및 이를 이용한 연삭 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050131229A KR100699148B1 (ko) 2005-12-28 2005-12-28 웨이퍼 후면 연삭장치 및 이를 이용한 연삭 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100699148B1 true KR100699148B1 (ko) 2007-03-21

Family

ID=41564371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050131229A KR100699148B1 (ko) 2005-12-28 2005-12-28 웨이퍼 후면 연삭장치 및 이를 이용한 연삭 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100699148B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020049147A (ko) * 2000-12-19 2002-06-26 이 창 세 양면 연마기의 패드 드레싱장치 및 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020049147A (ko) * 2000-12-19 2002-06-26 이 창 세 양면 연마기의 패드 드레싱장치 및 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6245677B1 (en) Backside chemical etching and polishing
JP3972065B2 (ja) シリコンダスト除去用ウェーハのグラインディング研磨装置
JP6302644B2 (ja) ウェーハの加工方法
CN100385630C (zh) 半导体晶片的制造方法
KR20010090574A (ko) 스크라이브 라인 상에 뱅크를 구비하는 반도체 웨이퍼
JP2006114825A (ja) ウェーハの分割方法
CN1653594B (zh) 降低晶片翘曲的装置、系统和方法
JP3539934B2 (ja) ウェーハ分割方法およびウェーハ分割装置
KR101060744B1 (ko) 웨이퍼 처리 방법 및 웨이퍼 처리 장치
JP4403578B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR100699148B1 (ko) 웨이퍼 후면 연삭장치 및 이를 이용한 연삭 방법
JPH05226308A (ja) 半導体ウエハの裏面処理方法及びその装置
US20070054115A1 (en) Method for cleaning particulate foreign matter from the surfaces of semiconductor wafers
JP6044976B2 (ja) ウェーハの加工方法
TW201812880A (zh) 晶圓的加工方法
US11024542B2 (en) Manufacturing method of device chip
KR101554815B1 (ko) 관통전극 웨이퍼 제조방법
JPS5932056B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003326459A (ja) 研磨方法
JP7251899B2 (ja) 被加工物の加工方法
JPH01183133A (ja) 切断方法
JP6166556B2 (ja) 研削方法
JP2000216122A (ja) 半導体ウェ―ハの平面研削方法
JP2011040603A (ja) ウエーハの加工方法および研削装置
KR100698746B1 (ko) 백그라인딩 장비 및 이의 구동 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee