JPS5932056B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5932056B2 JPS5932056B2 JP54010232A JP1023279A JPS5932056B2 JP S5932056 B2 JPS5932056 B2 JP S5932056B2 JP 54010232 A JP54010232 A JP 54010232A JP 1023279 A JP1023279 A JP 1023279A JP S5932056 B2 JPS5932056 B2 JP S5932056B2
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- JP
- Japan
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- holder
- thin plate
- semiconductor
- substrate
- semiconductor device
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photographic Processing Devices Using Wet Methods (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、高速回転するブ
レードにより半導体薄板に切り溝を形成するに際し、発
生する切りくずを完全に除去するとともに、同一装置内
で洗浄・乾燥することが可能な方法を提供するものであ
る。
レードにより半導体薄板に切り溝を形成するに際し、発
生する切りくずを完全に除去するとともに、同一装置内
で洗浄・乾燥することが可能な方法を提供するものであ
る。
従来のダイシング・ホィール゜ソー（以下ダイシング・
ソーと呼ぶ）の薄板（半導体）ホルダーの断面概略図を
第１図に示す。
ソーと呼ぶ）の薄板（半導体）ホルダーの断面概略図を
第１図に示す。
本体１上に回転可能なホルダー２がのつており、該ホル
ダーには薄板（半導体基板：ウエ・・ ）を吸引保持す
るための真空吸引孔３が形成されている。薄板４はホル
ダーに吸引された状態で高速回転させたブレード（刃）
６により個々の半導体素子（チップ）ごとに分割するた
めの溝を縦、横に多数形成する。５はすでに形成された
溝であるが、これと直角方向に溝を形成する場合を第１
図は示している。
ダーには薄板（半導体基板：ウエ・・ ）を吸引保持す
るための真空吸引孔３が形成されている。薄板４はホル
ダーに吸引された状態で高速回転させたブレード（刃）
６により個々の半導体素子（チップ）ごとに分割するた
めの溝を縦、横に多数形成する。５はすでに形成された
溝であるが、これと直角方向に溝を形成する場合を第１
図は示している。
こうした溝５を形成ののち、基板４を溝５にて分割して
多数のチップを取出す。さて、第１図のダイシングソー
において、溝５の形成時にはプレート６及び薄板４に管
Ｔを通して水８を噴射する。
多数のチップを取出す。さて、第１図のダイシングソー
において、溝５の形成時にはプレート６及び薄板４に管
Ｔを通して水８を噴射する。
そして全ての溝を形成した後、真空を切つて薄板４をと
り出す。ダイシング・ソーは一種の砥石による研削であ
るから微少な削り屑が大量に発生する。薄板４の表面に
付着した削り屑は、薄板４の表面から水がなくなると極
めてとれにくいため、一般には表面に水が残つた状態で
薄板をとり出し、水中に入れて以後洗浄を行なつている
。ところで、表面にＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等の保護膜を
付けられないＩＣ、ＬＳＩ等の形成された半導体基板の
場合、削り屑は不良の原因となり、特に注意しなければ
ならない。
り出す。ダイシング・ソーは一種の砥石による研削であ
るから微少な削り屑が大量に発生する。薄板４の表面に
付着した削り屑は、薄板４の表面から水がなくなると極
めてとれにくいため、一般には表面に水が残つた状態で
薄板をとり出し、水中に入れて以後洗浄を行なつている
。ところで、表面にＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等の保護膜を
付けられないＩＣ、ＬＳＩ等の形成された半導体基板の
場合、削り屑は不良の原因となり、特に注意しなければ
ならない。
本発明は、削り屑の除去を容易かつ確実に行うことがで
きる方法を提供するもので、本発明の一実施例にかかる
半導体基板の研削の方法を第２図とともに説明する。
きる方法を提供するもので、本発明の一実施例にかかる
半導体基板の研削の方法を第２図とともに説明する。
第２図は本発明に用いるダイシングソーの要部概略断面
を示し、Ａは溝形成時、Ｂは溝形成後の洗浄・乾燥時を
示す。さて、第２図において、１０は多数の半導体素子
が形成された半導体基板、１１は第１のホルダーで基板
１０を真空吸着孔１３を介して吸着する。
を示し、Ａは溝形成時、Ｂは溝形成後の洗浄・乾燥時を
示す。さて、第２図において、１０は多数の半導体素子
が形成された半導体基板、１１は第１のホルダーで基板
１０を真空吸着孔１３を介して吸着する。
１２は第１のホルダー１１内の貫通孔１４内にホルダー
１１とは分離して設置された第２のホルダーで真空吸着
孔１５で基板１０を吸着保持する、、１６は溝を形成す
るためのプレートである。
１１とは分離して設置された第２のホルダーで真空吸着
孔１５で基板１０を吸着保持する、、１６は溝を形成す
るためのプレートである。
まず、溝の形成を述べると、第２図Ａのごとく基板１０
を第１のホルダー１１Ｖｃ真空吸着孔１３を介して真空
吸着する。このとき、第２のホルダー１２は第１のホル
ダー１１より下つて基板１０を保持しない状態かもしく
はホルダー１１とほマ同等の高さにあつて基板１０をホ
ルダー１１とともに吸着していてもよい。この状態でブ
レード１６にて必要とする溝２０を形成した後、第２の
ホルダー１２を上昇させるとともに真空吸着孔１３の真
空を切り、基板１０を真空孔１５で吸着させ、基板１０
と第１のホルダー１１を離間させる。そして、この状態
で第２図Ｂのごとく第２のホルダー１２を高速回転させ
ると同時にノズル１ｒから高圧の水１８を噴射しノズル
１７を移動させて基板１０の表面を洗浄する。しかる後
水を止めて高速回転により表面の水を振り切る。必要な
らば乾燥時ＶＣＮ２ガスを吹きつければさらに良い。以
上の方法によれば、ダイシング・ソーの削り屑が容易に
短時間で除去できる土、スピン乾燥もできるので半導体
基板は完全に乾燥した状態でとり出せる。このことは大
口径のＬＳＩウエハを扱うとき特に効果を発揮する。即
ち、予かじめ力セツトに収容されたＬＳＩウエハをガイ
ドを通してホルダー上に導き、ダイシング後、力セツト
に収容する方式にした場合、洗浄・乾燥をダイシングソ
ーのホルダー土でできることはハンドリングのノ面，効
果の面で効果は極めて大である。
を第１のホルダー１１Ｖｃ真空吸着孔１３を介して真空
吸着する。このとき、第２のホルダー１２は第１のホル
ダー１１より下つて基板１０を保持しない状態かもしく
はホルダー１１とほマ同等の高さにあつて基板１０をホ
ルダー１１とともに吸着していてもよい。この状態でブ
レード１６にて必要とする溝２０を形成した後、第２の
ホルダー１２を上昇させるとともに真空吸着孔１３の真
空を切り、基板１０を真空孔１５で吸着させ、基板１０
と第１のホルダー１１を離間させる。そして、この状態
で第２図Ｂのごとく第２のホルダー１２を高速回転させ
ると同時にノズル１ｒから高圧の水１８を噴射しノズル
１７を移動させて基板１０の表面を洗浄する。しかる後
水を止めて高速回転により表面の水を振り切る。必要な
らば乾燥時ＶＣＮ２ガスを吹きつければさらに良い。以
上の方法によれば、ダイシング・ソーの削り屑が容易に
短時間で除去できる土、スピン乾燥もできるので半導体
基板は完全に乾燥した状態でとり出せる。このことは大
口径のＬＳＩウエハを扱うとき特に効果を発揮する。即
ち、予かじめ力セツトに収容されたＬＳＩウエハをガイ
ドを通してホルダー上に導き、ダイシング後、力セツト
に収容する方式にした場合、洗浄・乾燥をダイシングソ
ーのホルダー土でできることはハンドリングのノ面，効
果の面で効果は極めて大である。
特に直径３インチ以上のＬＳウエ一・では、力セツト→
力セツトの扱いが絶対に必要となり、本発明は極めて好
都合である。また、本発明では、洗浄時には第１のホル
ダーと基板とが離れているため、第１のホルダー土に存
在する多数の切り屑が基板土にとび土らず完全な洗浄を
行うことができる。以上のように、本発明は半導体薄板
の研削に際し、切りくずの除去を容易かつ完全に行うこ
とができるとともに、作業効率の向土にも効果を発揮し
、半導体装置の製造に大きく寄与するものである。
力セツトの扱いが絶対に必要となり、本発明は極めて好
都合である。また、本発明では、洗浄時には第１のホル
ダーと基板とが離れているため、第１のホルダー土に存
在する多数の切り屑が基板土にとび土らず完全な洗浄を
行うことができる。以上のように、本発明は半導体薄板
の研削に際し、切りくずの除去を容易かつ完全に行うこ
とができるとともに、作業効率の向土にも効果を発揮し
、半導体装置の製造に大きく寄与するものである。
第１図は従来のダイシングソーのホルダー部分の概略断
面図、第２図Ａ，Ｂは本発明の一実施例にかかる半導体
基板への切り溝の形成工程図である。 １０・・・・・・半導体基板、１１・・・・・・第１の
ホルダー、１２・・・・・・第２のホルダー、１３，１
５・・・・・・真空吸着孔、１４・・・・・・貫通孔、
１６・・・・・・ブレード、１８・・・・・・高圧の水
。
面図、第２図Ａ，Ｂは本発明の一実施例にかかる半導体
基板への切り溝の形成工程図である。 １０・・・・・・半導体基板、１１・・・・・・第１の
ホルダー、１２・・・・・・第２のホルダー、１３，１
５・・・・・・真空吸着孔、１４・・・・・・貫通孔、
１６・・・・・・ブレード、１８・・・・・・高圧の水
。
Claims (1)
- １ 半導体薄板を保持する第１のホルダーの中心部に貫
通孔を形成し、この貫通孔内に前記半導体薄板を保持す
る第２のホルダーを設置し、少くとも前記第１のホルダ
ーにて前記薄板を保持して回転刃にて前記薄板に切り溝
を形成したのち、前記薄板を前記第２のホルダーにて保
持するとともに前記薄板と第１のホルダーを離間させ、
前記第２のホルダーにて前記薄板を回転させつつ前記薄
板を洗浄することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54010232A JPS5932056B2 (ja) | 1979-01-30 | 1979-01-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54010232A JPS5932056B2 (ja) | 1979-01-30 | 1979-01-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55102236A JPS55102236A (en) | 1980-08-05 |
| JPS5932056B2 true JPS5932056B2 (ja) | 1984-08-06 |
Family
ID=11744538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54010232A Expired JPS5932056B2 (ja) | 1979-01-30 | 1979-01-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5932056B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61201481U (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-17 | ||
| JPS6268990A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-30 | 不二サッシ株式会社 | 取替サツシに於ける旧枠の取り外し方法 |
| JPS6381188U (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-28 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH069492Y2 (ja) * | 1987-03-30 | 1994-03-09 | 日本電気株式会社 | ウエハ洗浄乾燥装置 |
| JP4574424B2 (ja) * | 2005-04-21 | 2010-11-04 | 株式会社ディスコ | 吸着保持装置 |
| KR100834146B1 (ko) | 2007-03-06 | 2008-06-02 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| JP6464818B2 (ja) * | 2015-02-27 | 2019-02-06 | 株式会社東京精密 | ダイシング装置及びダイシング装置用のテーブル |
-
1979
- 1979-01-30 JP JP54010232A patent/JPS5932056B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61201481U (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-17 | ||
| JPS6268990A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-30 | 不二サッシ株式会社 | 取替サツシに於ける旧枠の取り外し方法 |
| JPS6381188U (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-28 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55102236A (en) | 1980-08-05 |
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