JPS63256342A - 半導体ウエ−ハの研削方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は化合物半導体ウェーハ等の一面を研削、エツチ
ング、洗浄していく工程を改善した半導体ウェーハの研
削方法に関するものである。

〔従来の技術〕

砥石で半導体ウェーハの一面を研削するに際しては、研
削面に加工変質層が形成され、半導体つ工−ハに反りが
生じるという問題がある。そこで、これを解決するため
に、砥石で研削したのち化学エツチング液を使・用して
加工変質層を取り除き、さらに純水を使用して洗浄する
方法が採られている。

従来、加工変質層を取り除くには、攪拌タンクにエツチ
ング液を満たしておき、その中に研削された半導体ウェ
ーハをとぶ漬けする方法が取られ、また、洗浄するには
純水中に半導体ウェーハをとぶ漬けする方法が採られて
いる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、攪拌タンクにエツチング液を満たしておき、そ
の中に研削された半導体ウェーハをど７５１漬けする方
法では、撹拌によるエツチング液圧により半導体ウェー
ハが割れてしまうという問題がある。また、半導体ウェ
ーハは極めて薄いものであり、特にＧａ　Ａｓ等の化合
物半導体をバックグラインドするときは、その厚さは２
００μｍ程度にもなってしまう。このような薄いウェー
ハが研削、エツチング、洗浄と多くの工程を経ることは
、持ち運び等の取り扱い上で種々の困難を伴うという問
題がある。

そこで本発明は、取り扱い上で困難を伴うことなく、研
削による加工変質層を確実に取り除くことのできる半導
体ウェーハの研削方法を捉供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本り明に係る半導体ウェーハの研削方法は、テーブル上
で半導体ウェーハを回転させながら例えばダイヤモンド
砥石で機械的に研削する工程と、半導体ウェーハの研削
面に第１吸着パッドを宛がい、これを真空吸着して搬送
する工程と、研削面と反対の面に第２吸着パッドを宛が
い、これを真空吸着して第１吸着パッドの真空吸着を解
放して搬送する工程と、研削面にエツチング液を例えば
シャワー状に吹き付け研削し、加工変質層を取り除く工
程と、加工変質層の取り除かれた面を洗浄する工程とを
備えたことを特徴とする。

（作用） 本発明に係る半導体ウェーハの研削方法は、以上の通り
に構成されるので、研削された半導体ウェーハはテーブ
ルから第１吸着パッドへ、第１吸着パッドから第２吸着
パッドへと取り扱い上で困難を伴うことなく搬送され、
しかるのち例えばシャワー状のエツチング液で確実に加
工変質層は取り除かれながら、あわせて砥石研削による
研削クズは除去される。

（実施例〕 以下、添附図面を参照して本発明の詳細な説明する。な
お、図面の説明において同一要素には同一符号を付し、
重複する説明を省略する。

第１図は本発明を実施するに先立って準僅される装置の
概略説明図である。図示の通り、テーブル１上には例え
ば４個の半導体ウェーハ２が載置されており、テーブル
１および半導体ウェーハ２は各々矢印の方向へ回転可能
になっている。ここで、テーブル１は例えばセラミック
スで形成され、半導体ウェーハ２は例えばバックグライ
ンドテープでテーブル１に固定されている。砥石３，４
は軸５，６上を各々回転され、半導体ウェーハ２は砥石
３および砥石４で研削されるようになっている。

テーブル１上には半導体ウェーハ２の載置位置ａと、吸
着位置すとが設けられている。この吸着位置すへ向かっ
て揺動可能に吸着パイプ７が設けられ、吸着パイプ７の
先端には第１吸着パッド８が装着されている。また、第
１吸着パッド８に向けて揺動可能に吸着パイプ９が設け
られ、この吸着パイプ９の先端には第２吸着パッド１０
が装着されている。さらに、漬方へ揺動された第２吸着
パッド１０に向けてエツチング液を吹き出すノズル１１
が設けられている。

第２図は本発明の実施例を示す工程説明図であり、第３
図はテーブル１上における研削工程の説明図である。第
２図（ａ）に示す通り、半導体つ工−ハ２は保護テープ
（バックグラインドテープ）１２を介してテーブル１に
貼着される。次に、第３図に示す通り、半導体ウェーハ
２は砥石３，４で研削される。テーブル１上で半導体ウ
ェーハ２を回転させながら研削するに際し、砥石３．４
の送り速度は、砥石が半導体ウェーハ２の研削面２ａに
当たる寸前の時点ｔ１から遅くなり、時点ｔ２で研削を
開始する。そして、研削の途中の時点ｔ３から更に遅く
なり、粗研から精研に切り換えられる。研削終了の時点
ｔ４ののちは一旦送りが停止（時点ｔ５）され、そのの
ちに砥石３，４は上野される。

第２図（ｂ）は砥石３．４での研削が終了したのちの状
態を示している。このとき、半導体ウェーハ２の研削面
２ａには加工変質層が形成されている。このため、径が
３〜４インチで厚さが６００μｍ程度の（３ａ　Ａｓウ
ェー八へは、４００μｍ程度のバックグラインドで１０
０μｍ前後の反りが現れる。

次に、第２図（Ｃ）に示す通り、第１吸着パッド８を半
導体ウェーハ２の研削面に宛がい、これを真空吸着して
テーブル１から保護テープ１２ごと半導体ウェーハ２を
引きはがす。そして、第１図に示す通り、半導体ウェー
ハ２を吸着位置すの上方へ搬送する。次に、第２図（ｄ
）に示す通り、第２吸着パッド１０を半導体ウェーハ２
の研削面と反対の面、即ち保護テープ１２の貼着された
面に宛がい、これを真空吸着し、第１吸着パッド８の真
空吸着を解放する。このようにして、第１図に示す通り
、第２吸着パッド１０を後方へ揺動して半導体ウェーハ
２を搬送する。

次に、第２図（ｅ）に示す通り、半導体ウェーハ２の研
削面２ａにノズル１１からのエツチング液を吹き付ける
。これにより、半導゛体つェーハ２の研削面２ａに形成
された加工変質層は取り除かれる。同時に、砥石３，４
によるグラインドによって生成された研削クズは、エツ
チング液シャワーによって除去される。こののち、半導
体ウェーハ２は直ちに純水により洗浄されるが、その工
程の図示は省略する。

なお、第２吸着パッド１０は保護テープ１２のほぼ全面
を覆うことができるよう形成されることが好ましい。保
８テープ１２はエツチング液により浸蝕され易いからで
ある。また、化合物半導体ウェーハ（例えば、Ｇａ　Ａ
ｓウェーハ）のエツチング液としては、ＮＨ４ＯＨ：Ｈ
２Ｏ２：町Ｏを約１：３：５０の割合で混合した混合液
が適し、これによれば、研削により生じた約１００ミク
ロンのＱａ　Ａｓウェーハの反りが、数ミクロンのエツ
チングにより除去できる。参考のため、エツチング液と
してＨ２Ｏ２＋ＮＨ４ＯＨ十ト１２０を用い、被加工物
としてのＧａ　Ａｓウェーハを用いたときの、エツチン
グ液の濃度とエツチング速度の関係を第４図に図示する
。実際のエツチングでは発熱を伴うので、エツチング量
と時間の関係を考慮しながら、エツチング液の濃度を選
定することが必要になる。

本発明は、上記実施例のものに限定されることなく、種
々の変形が可能である。

例えば、エツチング液はシャワー状に吹き付けるものに
限らず、濃い霧状とすることが可能である。また、ウェ
ーハの搬送機構は、図示のものに限らず種々変更できる
。

〔発明の効果〕

以上、詳細に説明した通り、本発明に係る半導体ウェー
ハの研削方法によれば、研削された半導体ウェーハはテ
ーブルから第１吸着パッドへ、第１吸着パッドから第２
吸着パッドへと取扱い上で困難を伴うことなく搬送され
、しかるのち、エツチング液で確実に加工変質層が取り
除かれ、同時に研削クズの洗浄もされる。従って、エツ
チング中に半導体ウェーハが割れたりすることなく、ま
た、工程数を減らすことができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実施するに先立って準備される装置の
概略説明図、第２図は本発明に係る半導体ウェーハの研
削方法の実施例を示す工程説明図、第３図は砥石による
研削の説明図、第４図はエツチング液の濃度とエツチン
グ速度の関係の説明図である。 １・・・テーブル、２・・・半導体ウェーハ、３．４・
・・砥石、８・・・第１吸着パッド、１０・・・第２吸
着パッド、１１・・・ノズル、１２・・・保護テープ。 特許出願人　　住友電気工業株式会社 代理人弁理士　　　長谷用　　芳　　樹実施例の工程 ４２図 （ｅ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. テーブル上で半導体ウェーハを回転させながら砥石で研
   削する工程と、前記半導体ウェーハの研削面に第１吸着
   パッドを宛がい、これを真空吸着して搬送する工程と、
   前記研削面と反対の面に第２吸着パッドを宛がい、これ
   を真空吸着して前記第１吸着パッドの真空吸着を解放し
   搬送する工程と、前記研削面にエッチング液を吹き付け
   研削することにより加工変質層を取り除く工程と、前記
   加工変質層の取り除かれた面を洗浄してエッチング液を
   除去する工程とを備える半導体ウェーハの研削方法。