JPH0647655A - ウエーハ面取部研磨方法及び装置 - Google Patents

ウエーハ面取部研磨方法及び装置

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JPH0647655A
JPH0647655A JP4205275A JP20527592A JPH0647655A JP H0647655 A JPH0647655 A JP H0647655A JP 4205275 A JP4205275 A JP 4205275A JP 20527592 A JP20527592 A JP 20527592A JP H0647655 A JPH0647655 A JP H0647655A
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    • B24B9/06Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
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  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエーハの受け渡し動作を廃して加工能率及
び信頼性の向上を図ることができるウエハ面取部研磨方
法及び装置を提供すること。 【構成】 ウエーハ保持部12A(12B)を、これに
ウエーハWを保持させたまま、ウエーハ吸着部a、ウエ
ーハ研磨部b及びウエーハ排出部cを移動せしめること
によって、ウエーハWの吸着から研磨を経て排出に至る
一連の工程を終了する。本発明によれば、ウエーハWの
吸着から面取部研磨を経て排出に至る一連の工程が終了
するまでの間、ウエーハWは同一のウエーハ保持部12
A(12B)に保持されたままであるため、ウエーハW
の受け渡し動作が廃され、ウエーハ受け渡しに関して従
来発生していたトラブルが解消されるとともに、ウエー
ハ受け渡しに要する時間を省いて加工能率の向上を図る
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエーハの外周面取部
を研磨する方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図8及び図9に従来のウエーハ面取部研
磨装置を示す。即ち、図8はウエーハ面取部研磨装置の
平面図、図9は図8の矢視H方向の図であり、該ウエー
ハ面取部研磨装置においては、カセット101から1枚
ずつ取り出されたウエーハWは、コンベア102によっ
てOF(オリエンテーション・フラットの略称)合せ部
103に搬送される。そして、OF合せ部103では、
ウエーハWがそのOFを合わせられて位置決めされ、位
置決めされたウエーハWは、搬入アーム104の吸着部
104aに吸着されてウエーハ吸着盤105まで搬送さ
れ、そこでウエーハ吸着盤105に受け渡されて該ウエ
ーハ吸着盤105に吸着保持される。
【0003】上記ウエーハ吸着盤105に吸着保持され
たウエーハWは、回転駆動されるバフ106によってそ
の外周面取部を研磨され、研磨が終了したウエーハW
は、搬出アーム107の吸着部107aに保持されて洗
浄槽108上に移送され、ここで搬出アーム107から
離脱されて洗浄槽108内で洗浄され、ここにウエーハ
Wの面取部に対する研磨加工が終了する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のウエーハ面取部研磨装置においては、1枚のウエー
ハWは搬入アーム104、ウエーハ吸着盤105及び搬
出アーム107間で受け渡され、しかもこの受け渡しが
スラリー雰囲気でなされるため、受け渡し動作でのトラ
ブルが多発する他、受け渡しに要する時間だけサイクル
タイムが長くなって加工能率が悪くなるという問題があ
った。
【0005】又、ウエーハWの面取部の研磨は、図9に
示すように、バフ106の外周に形成された総形のバフ
溝106aをウエーハWに押圧することによってなされ
るが、この方式によれば、図10に示すウエーハWの面
取部のうち、テーパ部X1,X2の研磨が先行し、結果
的に外端部X3の研磨が遅れるか、又はその逆となる傾
向にあり、このために研磨に要する時間が長くなるとい
う問題があった。
【0006】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とする処は、ウエーハの受け渡し動作を廃
して加工能率及び信頼性の向上を図ることができるウエ
ーハ面取部研磨方法及びウエーハ面取部研磨装置を提供
することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明方法は、ウエーハ保持部を、これにウエーハを保持
させたまま移動せしめることによって、ウエーハ吸着か
らウエーハ面取部研磨を経てウエーハ排出に至る一連の
工程を終了することを特徴とする。
【0008】又、本発明は、ウエーハを保持して直線状
に往復移動する複数のウエーハ保持部と、該ウエーハ保
持部の直線移動経路に沿って配されるウエーハ吸着部、
ウエーハ研磨部及びウエーハ排出部の各ステーションを
含む、或いは所定角度ずつ割り出されて回転する回転体
と、該回転体の外周部に所定の角度ピッチで回転自在に
支承された複数のウエーハ保持部と、該ウエーハ保持部
の回転駆動手段と、同ウエーハ保持部が回転体の回転と
共に移動する経路に配されたウエーハ吸着部、ウエーハ
研磨部、ウエーハ洗浄部、ウエーハ排出部及びウエーハ
吸着盤洗浄部の各ステーションを含んでウエーハ面取部
研磨装置を構成したことをその特徴とする。
【0009】
【作用】本発明によれば、ウエーハ吸着から面取部研磨
を経てウエーハ排出に至る一連のウエーハ面取部の研磨
工程が終了するまでの間、ウエーハは同一のウエーハ保
持部に保持されたままであるため、ウエーハの受け渡し
動作が廃され、ウエーハ受け渡しに関して従来発生して
いたトラブルが解消されるとともに、ウエーハ受け渡し
に要する時間を省いて加工能率の向上を図ることができ
る。
【0010】又、ウエーハ面取部の外端部を他の部分と
は別のバフで、しかも同時に研磨すれば、加工時間が短
縮され、加工能率の更なる向上を図ることができる。
【0011】
【実施例】以下に本発明の第1実施例を添付図面に基づ
いて説明する。
【0012】図1は本発明の第1実施例に係るウエーハ
面取部研磨装置の平面図、図2は同装置の正断面図、図
3は図2のX−X線断面図である。
【0013】本実施例に係るウエーハ面取部研磨装置に
おいては、その幅方向中央部にウエーハ吸着部a、ウエ
ーハ研磨部b及びウエーハ排出部cの各ステーションが
長さ方向に直線状に配列されている。
【0014】上記ウエーハ吸着部aにおいて、1は未加
工の複数枚のウエーハWを収納して成るカセットであっ
て、これはエアシリンダ2にて昇降動自在に支持されて
いる。又、3はOF合せ部であって、これと前記カセッ
ト1間にはウエーハ搬送手段であるベルトコンベア4が
介設されている。
【0015】又、前記ウエーハ研磨部bにおいては、上
方が開口する円筒バフ5がケース6内に回転自在に設け
られており、該円筒バフ5はバフ駆動部7によって所定
速度で回転駆動されるとともに、昇降動せしめられる。
【0016】更に、前記ウエーハ排出部cには、ウエー
ハ洗浄部8とカセット9が設けられており、両者の間に
はウエーハ搬送手段であるベルトコンベア10が設けら
れている。尚、カセット9は、研磨が終了したウエーハ
Wを1枚ずつ収納するものであって、これはエアシリン
ダ11にて昇降動自在に支持されている。
【0017】而して、本ウエーハ面取部研磨装置におい
ては、以上のウエーハ吸着部a、ウエーハ研磨部b及び
ウエーハ排出部cの各ステーションの両側にウエーハ保
持部12A,12Bが各ステーションに沿って長さ方向
(図1及び図2の左右方向)に往復動自在に相対向して
設けられている。即ち、ウエーハ保持部12A,12B
は各ステーションの両側に長さ方向に沿って互いに平行
に配されたリニアガイド15A,15Bに沿って直線移
動自在に支持されており、各ウエーハ保持部12A,1
2Bには、その先部にウエーハ吸着盤13A,13Bを
備えるアーム14A,14Bが昇降動自在に設けられて
いる。尚、ウエーハ吸着盤13A,13Bは不図示の駆
動手段によって所定速度で回転駆動されるとともに、不
図示の真空源によって真空引きされる。
【0018】次に、本ウエーハ面取部研磨装置の作用を
説明する。
【0019】ウエーハ吸着部aにおいては、カセット1
内に収納された未加工のウエーハWは、1枚ずつ取り出
されてベルトコンベア4によってOF合せ部3に搬送さ
れ、該OF合せ部3でそのOFが合せられて位置決めさ
れる。そして、この位置決めされたウエーハWは、例え
ば一方のウエーハ保持部12Aのアーム14Aに設けら
れたウエーハ吸着盤13Aに吸着される。尚、ウエーハ
Wのウエーハ吸着盤13Aへの吸着は、ウエーハ吸着盤
13Aが不図示の真空源によって真空引きされることに
よってなされる。
【0020】而して、上述のようにウエーハWがウエー
ハ吸着盤13Aに吸着されると、ウエーハ保持部12A
がリニアガイド15Aに沿って、ウエーハ研磨部bまで
移動し、該ウエーハ保持部12Aのウエーハ吸着盤13
Aに吸着されたウエーハWは、図示のようにそのOF部
が円筒バフ5の外周部によって研磨加工される。尚、こ
のとき、円筒バフ5はバフ駆動部7によって所定の速度
で回転駆動されており、ウエーハ吸着盤13A及びこれ
に吸着されたウエーハWは、不図示の駆動手段によって
所定の角度範囲で回動せしめられる。
【0021】他方、同ウエーハ研磨部bにおいては、他
方のウエーハ保持部12Bのアーム14Bに設けられた
ウエーハ吸着盤13Bに吸着されて既にそのOF部の研
磨が終了したウエーハWが、円筒バフ5の内周部によっ
てその外周面取部(OF部以外の部分)を同時に研磨さ
れている。尚、このとき、ウエーハ吸着盤13B及びこ
れに吸着されたウエーハWは、不図示の駆動手段によっ
て所定速度で回転駆動されている。
【0022】而して、ウエーハ保持部12A,12Bに
各々保持されたウエーハWに対するOF部、外周面取部
の研磨がそれぞれ終了すると、一方のウエーハ保持部1
2Bはリニアガイド15Bに沿ってウエーハ排出部cま
で移動し、他方のウエーハ保持部12Aは、これに保持
されたウエーハWが円筒バフ5の内周部に当接する位置
までリニアガイド15Aに沿って移動する。
【0023】ウエーハ搬出部cに移動したウエーハ保持
部12Bは、面取部研磨が終了したウエーハWをウエー
ハ吸着部13Bから離脱せしめて、これをウエーハ洗浄
部8に載置した後、図3に破線にて示すようにそのアー
ム14Bが上昇し、その状態のまま図2に破線矢印にて
示す経路を経てウエーハ吸着部aまで戻る。そして、こ
のウエーハ保持部12Bは、そのアーム14Bが下降し
てOF合せ部3に位置決めされた次のウエーハWをウエ
ーハ吸着盤13Bに吸着した後、リニアガイド15Bに
沿ってウエーハ研磨部bまで移動し、ウエーハWはその
OF部が円筒バフ5の外周部によって研磨される。尚、
ウエーハ搬出部cにおいて、ウエーハ洗浄部8上に載置
された前記ウエーハWは、洗浄された後、ベルトコンベ
ア10によって搬送されてカセット9内に収納される。
【0024】一方、ウエーハ保持部12Aに保持されて
円筒バフ5の内周部に当接せしめられたウエーハWは、
その外周面取部が円筒バフ5によって研磨される。
【0025】以後、上記動作を繰り返せば、ウエーハW
の面取部に対する研磨加工が連続的になされる。
【0026】而して、本実施例においてはウエーハWの
吸着から面取部研磨を経て排出に至る一連の研磨工程が
終了するまでの間、ウエーハWは同一のウエーハ保持部
12A又は12Bに保持されたままであるため、ウエー
ハWの受け渡し動作が廃され、ウエーハ受け渡しに関し
て従来発生していたトラブルが解消されるとともに、ウ
エーハ受け渡しに要する時間を省いて加工能率の向上を
図ることができる。
【0027】次に、本発明の第2実施例を図4及び図5
に基づいて説明する。尚、図4は第2実施例に係る回転
割出式ウエーハ面取部研磨装置の平面図、図5は図4の
Y−Y線断面図である。
【0028】図において、21は円板状の回転体であっ
て、該回転体21は上下の軸受22,23によって回転
自在に支承された垂直の回転軸24の上端に水平に固定
されている。尚、回転軸24及び回転体21は不図示の
駆動手段によって所定角度ずつ(本実施例では、60°
ずつ)割り出されて回転駆動される。
【0029】ところで、上記回転体21の外周部には6
つのウエーハ吸着盤25A〜25Fが等角度ピッチ(6
0°ピッチ)で回転自在に支承されて配されており、各
ウエーハ吸着盤25A〜25Fと回転体21上に固設さ
れたウエーハ駆動モータ26の間には無端状のベルト2
7が巻装されている。尚、各ウエーハ吸着盤25A〜2
5Fの回転軌跡上の6箇所には、ウエーハ吸着部A、1
段ウエーハ研磨部B、2段ウエーハ研磨部C、ウエーハ
洗浄部D、ウエーハ排出部E及びウエーハ吸着盤洗浄部
Fの各ステーションが等角度ピッチ(60°ピッチ)で
配設されている。
【0030】上記1段ウエーハ研磨部Bは、ウエーハW
のOF部以外の外周面取部を研磨するステーションであ
って、その構成は図5に示される。即ち、図5において
30は上方が開口する円筒バフであって、該円筒バフ3
0はバフ駆動部31によって所定速度で回転駆動される
とともに、昇降動せしめられ、更には図4に示すように
ウエーハWに所定圧で押圧される。
【0031】又、前記2段ウエーハ研磨部Cは、ウエー
ハWのOF部を研磨するステーションであって、これは
図4に示す円柱状の外筒バフ32を含んで構成されてい
る。
【0032】次に、本回転割出式ウエーハ面取部研磨装
置の作用を説明する。
【0033】ウエーハ吸着盤25A,25B,25C,
25D,25E,25Fが図4に示すようにウエーハ吸
着部A、1段ウエーハ研磨部B、2段ウエーハ研磨部
C、ウエーハ洗浄部D、ウエーハ排出部E及びウエーハ
吸着盤洗浄部Fの各ステーションにそれぞれ位置してい
るとき、ウエーハ吸着部Aにおいては、カセット40に
収納されたウエーハWが1枚ずつ取り出されてウエーハ
吸着盤25Aに吸着される。
【0034】又、1段ウエーハ研磨部Bにおいても、ウ
エーハ吸着盤25Bには別のウエーハ(ウエーハ吸着部
Aにて既に吸着されたウエーハ)Wが吸着されており、
ここではウエーハ駆動モータ26が駆動されてウエーハ
吸着盤25B及びウエーハWが所定速度で回転駆動さ
れ、ウエーハWはその外周面取部が円筒バフ30によっ
て研磨(1段研磨)される。
【0035】更に、2段ウエーハ研磨部Cにおいては、
ウエーハ吸着盤25Cには更に別のウエーハ(ウエーハ
吸着部Aにて吸着され、1段ウエーハ研磨部Bにて研磨
されたウエーハ)Wが吸着されており、ここではウエー
ハ駆動モータ26が駆動されてウエーハWは所定の角度
範囲で回動せしめられ、そのOF部が回転駆動される円
筒バフ32によって研磨(2段研磨)される。
【0036】又、ウエーハ洗浄部Dにおいては、別のウ
エーハ(ウエーハ吸着部Aにて吸着され、1段及び2段
ウエーハ研磨部B,Cによる研磨が終了したウエーハ)
Wがウエーハ吸着盤25Dに吸着されており、ここでは
該ウエーハWの非吸着部が洗浄される。
【0037】更に又、ウエーハ排出Eにおいては、別の
ウエーハ(ウエーハ吸着部Aによる吸着からウエーハ研
磨部Dでの洗浄までの工程が終了したウエーハ)Wがウ
エーハ吸着盤25Eから離脱せしめられ、離脱したウエ
ーハWは不図示の搬送手段によってカセット41内に収
納される。
【0038】又、ウエーハ吸着盤洗浄部Fにおいては、
ウエーハWを吸着していない空のウエーハ吸着盤25F
の吸着面が洗浄される。
【0039】而して、ウエーハ吸着部A〜ウエーハ吸着
盤洗浄部Fの各ステーションにおける前記各動作が終了
すると、不図示の駆動手段によって回転体21が所定角
度(60°)だけ割り出されて回転せしめられ、ウエー
ハ吸着部Aにて吸着されたウエーハWは1段ウエーハ研
磨部Bに移動し、同様に1段ウエーハ研磨部Bにて研磨
されたウエーハWは2段ウエーハ研磨部Cに、2段ウエ
ーハ研磨部Cで研磨されたウエーハWはウエーハ洗浄部
Dに、ウエーハ洗浄部Dにて洗浄されたウエーハWはウ
エーハ排出部Eにそれぞれ移動し、それぞれのウエーハ
Wは1段ウエーハ研磨部B、2段ウエーハ研磨部C、ウ
エーハ洗浄部D、ウエーハ排出部Eで各々前述と同じ処
理を受ける。
【0040】又、ウエーハ吸着盤洗浄部Fでその吸着面
が洗浄されたウエーハ吸着盤25Fはウエーハ吸着部A
に移転してカセット40から供給される新たなウエーハ
Wを吸着する。
【0041】以上の動作を繰り返せば、1つのウエーハ
Wに対する吸着から研磨及び洗浄を経て排出に至る一連
の工程が終了し、全体としては、回転体21が1/6回
転する毎に加工が終了したウエーハWが次々と排出され
てカセット41内に収納される。
【0042】而して、本実施例においても、ウエーハW
は全工程において同じウエーハ吸着盤25A(〜25
F)に保持されたままであって、途中で他に受け渡され
ることがないため、前記第1実施例と同様の効果が得ら
れる。
【0043】ところで、以上の実施例においては、ウエ
ーハWの外周面取部の研磨は単一の円筒バフ30を用い
て行なったが、第3実施例として、前記第2実施例にお
ける1段ウエーハ研磨部Bにおいて図6及び図7に示す
ように、2つのバフ51,52を用いて研磨を行なえば
(2バフ方式)、研磨時間を更に短縮することができ
る。尚、図6は2バフ方式を採用するウエーハ面取部研
磨装置要部の平面図、図7は図6のZ−Z線断面図であ
る。
【0044】即ち、一方のバフ51はその外周に総形バ
フ溝51aを形成して成る総形溝付バフとし、他方のバ
フ52はバフ溝の無い外筒バフとし、吸着盤53に吸着
されて回転されるウエーハWの外周面取部を両バフ5
1,52によって同時に研磨する。すると、図10に示
されるウエーハWの外周面取部の外端部X3は専ら外筒
バフ52によって研磨され、他の部分X1,X2は総形
溝付バフ51によって研磨される。
【0045】而して、上記2バフ方式によれば、従来研
磨が遅れ勝ちであったウエーハ外端部X3の研磨が専用
のバフ52によって他の部分X1,X2とは独立に研磨
されるため、外端部X3を含む全てのウエーハ面取部の
研磨が同時に終了し、この結果、研磨時間が短縮されて
加工能率の更なる向上が図られる。
【0046】
【発明の効果】以上の説明で明らかな如く、本発明によ
れば、ウエーハ吸着から面取部研磨を経てウエーハ排出
に至る一連の面取部研磨工程が終了するまでの間、ウエ
ーハは同一のウエーハ保持部に保持されたままであるた
め、ウエーハの受け渡し動作が廃され、ウエーハ受け渡
しに関して従来発生していたトラブルが解消されるとと
もに、ウエーハ受け渡しに要する時間を省いて加工能率
の向上を図ることができるという効果が得られる。
【0047】又、本発明によれば、ウエーハ面取部の外
端部が他の部分とは別のバフで、しかも同時に研磨され
るため、加工時間が短縮され、加工能率の更なる向上を
図ることができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に係るウエーハ面取部研磨
装置の平面図である。
【図2】本発明の第1実施例に係るウエーハ面取部研磨
装置の正断面図である。
【図3】図2のX−X線断面図である。
【図4】本発明の第2実施例に係る回転割出式ウエーハ
面取部研磨装置の平面図である。
【図5】図4のY−Y線断面図である。
【図6】本発明の第3実施例に係る2バフ方式を採るウ
エーハ面取部研磨装置要部の平面図である。
【図7】図6のZ−Z線断面図である。
【図8】従来のウエーハ面取部研磨装置の平面図であ
る。
【図9】図8の矢視H方向の図である。
【図10】ウエーハ面取部の拡大断面図である。
【符号の説明】
12A,12B ウエーハ保持部 21 回転体 25A〜25F ウエーハ吸着盤(ウエーハ保持部) 51 総形溝付バフ 51 外筒バフ a ウエーハ吸着部 b ウエーハ研磨部 c ウエーハ排出部 A ウエーハ吸着部 B 1段ウエーハ研磨部 C 2段ウエーハ研磨部 D ウエーハ洗浄部 E ウエーハ排出部 F ウエーハ吸着盤洗浄部 W ウエーハ
フロントページの続き (72)発明者 黒田 泰嘉 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地信越半導体株式会社半導体白河研 究所内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウエーハ保持部を、これにウエーハを保
    持させたまま移動せしめることによって、ウエーハ吸着
    からウエーハ面取部研磨を経てウエーハ排出に至る一連
    の工程を終了することを特徴とするウエーハ面取部研磨
    方法。
  2. 【請求項2】 ウエーハを保持して直線状に往復移動す
    る複数のウエーハ保持部と、該ウエーハ保持部の直線移
    動経路に沿って配されるウエーハ吸着部、ウエーハ研磨
    部及びウエーハ排出部の各ステーションを含んで構成さ
    れることを特徴とするウエーハ面取部研磨装置。
  3. 【請求項3】 所定角度ずつ割り出されて回転する回転
    体と、該回転体の外周部に所定の角度ピッチで回転自在
    に支承された複数のウエーハ保持部と、該ウエーハ保持
    部の回転駆動手段と、同ウエーハ保持部が回転体の回転
    と共に移動する経路に配されたウエーハ吸着部、ウエー
    ハ研磨部、ウエーハ洗浄部、ウエーハ排出部及びウエー
    ハ吸着盤洗浄部の各ステーションを含んで構成されるこ
    とを特徴とするウエーハ面取部研磨装置。
  4. 【請求項4】 前記ウエーハ研磨部は複数のバフを有
    し、少なくともウエーハ面取部の外端部とそれ以外の他
    の部分とを異なるバフで同時に研磨することを特徴とす
    る請求項2又は3記載のウエーハ面取部研磨装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6840841B2 (en) 2002-01-15 2005-01-11 Speedfam Co., Ltd. Wafer edge polishing system
WO2006112531A1 (en) * 2005-04-19 2006-10-26 Nihon Micro Coating Co., Ltd. Device for and method of polishing peripheral edge of semiconductor wafer
CN109877694A (zh) * 2019-03-04 2019-06-14 天通日进精密技术有限公司 晶圆边缘抛光装置及晶圆边缘抛光方法
WO2022082996A1 (zh) * 2020-10-22 2022-04-28 方红兵 一种高效型水晶打磨抛光设备

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2882458B2 (ja) * 1994-11-28 1999-04-12 株式会社東京精密 ウェーハ面取り機
TW303487B (ja) * 1995-05-29 1997-04-21 Shinetsu Handotai Co Ltd
US5816891A (en) * 1995-06-06 1998-10-06 Advanced Micro Devices, Inc. Performing chemical mechanical polishing of oxides and metals using sequential removal on multiple polish platens to increase equipment throughput
DE19732433A1 (de) * 1996-07-29 1998-02-12 Mitsubishi Material Silicon Verfahren und Gerät zum Polieren von Schrägkanten von Halbleiterwafern
DE19719503C2 (de) * 1997-05-07 2002-05-02 Wolters Peter Werkzeugmasch Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren von Oberflächen von Halbleiterwafern und Verfahren zum Betrieb der Vorrichtung
JPH10309666A (ja) * 1997-05-09 1998-11-24 Speedfam Co Ltd エッジポリッシング装置及びその方法
JPH1190803A (ja) * 1997-09-11 1999-04-06 Speedfam Co Ltd ワークエッジの鏡面研磨装置
US6110011A (en) 1997-11-10 2000-08-29 Applied Materials, Inc. Integrated electrodeposition and chemical-mechanical polishing tool
JP3411202B2 (ja) * 1997-12-05 2003-05-26 ニトマック・イーアール株式会社 円盤状ワーク外周部の研磨方法
US5993302A (en) * 1997-12-31 1999-11-30 Applied Materials, Inc. Carrier head with a removable retaining ring for a chemical mechanical polishing apparatus
US6080050A (en) * 1997-12-31 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus
JP3990073B2 (ja) * 1999-06-17 2007-10-10 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
US6267649B1 (en) 1999-08-23 2001-07-31 Industrial Technology Research Institute Edge and bevel CMP of copper wafer
US6257954B1 (en) 2000-02-23 2001-07-10 Memc Electronic Materials, Inc. Apparatus and process for high temperature wafer edge polishing
US6517130B1 (en) 2000-03-14 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Self positioning vacuum chuck
US6722964B2 (en) * 2000-04-04 2004-04-20 Ebara Corporation Polishing apparatus and method
US7066814B2 (en) * 2001-09-21 2006-06-27 Igt Gaming device having regenerating multiple award opportunities
US7351146B2 (en) * 2001-10-05 2008-04-01 Igt Gaming device and method for activating multiple paylines upon the wager of a single credit
JP4162892B2 (ja) * 2002-01-11 2008-10-08 日鉱金属株式会社 半導体ウェハおよびその製造方法
US7485043B2 (en) 2002-06-19 2009-02-03 Igt Elimination games for gaming machines
GB0313012D0 (en) 2003-06-06 2003-07-09 Igt Uk Ltd Entertainment machines
US7731582B2 (en) * 2003-09-08 2010-06-08 Igt Gaming device having an offer and acceptance game with multiple offers
AU2005208971B2 (en) 2004-01-28 2011-02-24 Igt Gaming device having a partial selectable symbol matrix
ZA200701717B (en) 2004-08-03 2008-09-25 Wagerworks Inc Gaming method and device involving progressive wagers
US7950994B2 (en) * 2004-09-10 2011-05-31 Igt Replacement reel gaming device and method
US7690982B2 (en) 2004-09-21 2010-04-06 Igt Gaming device having free spin game with terminators and anti-terminators
US7322887B2 (en) * 2004-10-01 2008-01-29 Igt Gaming device having sequential activations of a game and replay of previous activations of the game
JP4561982B2 (ja) * 2005-01-06 2010-10-13 Tdk株式会社 加工機
US20070060241A1 (en) * 2005-09-12 2007-03-15 Low Michael N Methods and apparatus for providing free-play credits in a video poker game
US8070597B2 (en) 2006-08-03 2011-12-06 Igt Gaming device and method having multiple progressive award levels and a secondary game for advancing through the progressive award levels
US7758416B2 (en) 2006-09-08 2010-07-20 Igt Gaming system having a plurality of simultaneously played wagering games that may trigger a plurality of free games which may be played simultaneously with the wagering games
JP2008091665A (ja) * 2006-10-03 2008-04-17 Nec Electronics Corp Cmp装置
US20080108430A1 (en) 2006-11-08 2008-05-08 Igt Gaming system and method which provides players an opportunity to win a progressive award
US8033903B2 (en) 2006-11-10 2011-10-11 Igt Gaming system and method having progressive free games
US8105149B2 (en) 2006-11-10 2012-01-31 Igt Gaming system and method providing venue wide simultaneous player participation based bonus game
US8231456B2 (en) 2007-10-17 2012-07-31 Igt Gaming device and method providing side bet for winning free activations
US8419546B2 (en) 2009-08-31 2013-04-16 Igt Gaming system and method for selectively providing an elimination tournament that funds an award through expected values of unplayed tournament games of eliminated players
US8613474B2 (en) * 2011-07-06 2013-12-24 Tel Nexx, Inc. Substrate loader and unloader having a Bernoulli support
US8684818B2 (en) 2012-02-14 2014-04-01 Igt Gaming system, gaming device, and method for providing a replay of previously played games
US9214067B2 (en) 2012-09-06 2015-12-15 Igt Gaming system and method for providing a streaming symbols game
US9039512B2 (en) 2012-09-27 2015-05-26 Igt Gaming system and method for providing a game which populates symbols along a path
US8992301B2 (en) 2012-09-27 2015-03-31 Igt Gaming system and method for providing a game which populates symbols along a path
US9028318B2 (en) 2012-09-27 2015-05-12 Igt Gaming system and method for providing a game which populates symbols along a path
US8851979B2 (en) 2013-03-07 2014-10-07 Igt Gaming system and method for providing a symbol elimination game
US8784191B1 (en) 2013-03-07 2014-07-22 Igt Gaming system and method for providing a symbol elimination game
US20150087208A1 (en) * 2013-09-26 2015-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor wafer
US10147281B2 (en) 2014-07-24 2018-12-04 Igt Gaming system and method having matching symbol stacks and additional award opportunities
CN106002528B (zh) * 2016-07-12 2018-01-30 苏州宏泉高压电容器有限公司 一种基于高压陶瓷电容器瓷介质芯片的在线毛刺去除机
US10186106B2 (en) 2016-09-21 2019-01-22 Igt Gaming system and method for determining awards based on interacting symbols
CN109333337A (zh) * 2018-11-19 2019-02-15 深圳市华星光电技术有限公司 研磨装置及研磨方法
CN110181393B (zh) * 2019-06-17 2020-11-24 温州澳鼎建材有限公司 一种汽车轮毂的翻转装置
CN115319560B (zh) * 2022-08-24 2023-04-25 广西博强建筑科技有限公司 一种建筑铝模板用校直装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57189767A (en) * 1981-05-12 1982-11-22 Nec Corp Continuous grinding device
JPS59227361A (ja) * 1983-06-07 1984-12-20 Supiide Fuamu Kk 平面研削装置
JPS63256342A (ja) * 1987-04-10 1988-10-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウエ−ハの研削方法
JPH03208550A (ja) * 1989-10-03 1991-09-11 Speedfam Co Ltd エッジポリッシャー

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH74767A (de) * 1916-08-03 1917-09-01 Bogoljub Dawidowatz Apparat zum Schleifen von Fasetten an kreisrunden Glasscheiben, wie Uhrengläsern etc.
US1437234A (en) * 1920-06-11 1922-11-28 Le Roy B Fraser Method of finishing spinning rings
US2693063A (en) * 1949-08-13 1954-11-02 American Optical Corp Bevel edging machine and method
US2745225A (en) * 1955-06-27 1956-05-15 Phillip A Vonada Lapidary wheel
US4680893A (en) * 1985-09-23 1987-07-21 Motorola, Inc. Apparatus for polishing semiconductor wafers
JPS6420959A (en) * 1987-07-15 1989-01-24 Toshiba Ceramics Co Chamfering device
JPH0637025B2 (ja) * 1987-09-14 1994-05-18 スピードファム株式会社 ウエハの鏡面加工装置
DE3819193A1 (de) * 1988-06-06 1989-12-07 Henkel Kgaa Verfahren zur herstellung stabiler, niedrigviskoser oel-in-wasser-emulsionen polarer oelkomponenten
US5117590A (en) * 1988-08-12 1992-06-02 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of automatically chamfering a wafer and apparatus therefor
DE3838898A1 (de) * 1988-10-22 1990-04-26 Lippert Masch Stahlbau J Schleifmaschine fuer keramisches gut
US5094037A (en) * 1989-10-03 1992-03-10 Speedfam Company, Ltd. Edge polisher
US5044123A (en) * 1990-03-22 1991-09-03 Douglas Hoffman Concave-convex faceting method and apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57189767A (en) * 1981-05-12 1982-11-22 Nec Corp Continuous grinding device
JPS59227361A (ja) * 1983-06-07 1984-12-20 Supiide Fuamu Kk 平面研削装置
JPS63256342A (ja) * 1987-04-10 1988-10-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウエ−ハの研削方法
JPH03208550A (ja) * 1989-10-03 1991-09-11 Speedfam Co Ltd エッジポリッシャー

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6840841B2 (en) 2002-01-15 2005-01-11 Speedfam Co., Ltd. Wafer edge polishing system
WO2006112531A1 (en) * 2005-04-19 2006-10-26 Nihon Micro Coating Co., Ltd. Device for and method of polishing peripheral edge of semiconductor wafer
US8029333B2 (en) 2005-04-19 2011-10-04 Ebara Corporation Device for polishing peripheral edge of semiconductor wafer
CN109877694A (zh) * 2019-03-04 2019-06-14 天通日进精密技术有限公司 晶圆边缘抛光装置及晶圆边缘抛光方法
CN109877694B (zh) * 2019-03-04 2023-08-08 天通日进精密技术有限公司 晶圆边缘抛光装置及晶圆边缘抛光方法
WO2022082996A1 (zh) * 2020-10-22 2022-04-28 方红兵 一种高效型水晶打磨抛光设备

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DE69307223T2 (de) 1997-08-14
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