JP2882458B2 - ウェーハ面取り機 - Google Patents

ウェーハ面取り機

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JP2882458B2 JP6317608A JP31760894A JP2882458B2 JP 2882458 B2 JP2882458 B2 JP 2882458B2 JP 6317608 A JP6317608 A JP 6317608A JP 31760894 A JP31760894 A JP 31760894A JP 2882458 B2 JP2882458 B2 JP 2882458B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子の素材となる
シリコン等のウェーハの外周の面取り加工を行うウェー
ハ面取り機に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体素子の素材となるシリコン等のウ
ェーハは、インゴットの状態からスライシングマシンに
て薄く切り出された後、外周をウェーハ面取り機によっ
て面取り加工される。ところで、ウェーハには円周方向
の位置決め用に、その周縁部にノッチが形成されている
ことがあり、このノッチ付きウェーハについては、ノッ
チ部分についても面取り加工が施される。
【0003】従来、このノッチ付きウェーハの面取り加
工を行う方法としては、ウェーハの円形部とノッチ部を
各々別々の面取り機を用いて加工する方法や、1台の面
取り機内に円形部の面取り加工を行う加工部とノッチの
面取り加工を行う加工部の2つの加工部を設けて加工す
る方法が採用されていた。また、ノッチが形成されてい
ないウェーハであっても、粗面取りをした後に仕上げ面
取りをするという加工法を採る場合があり、この場合も
前記同様に、粗加工と仕上げ加工を各々別々の面取り機
で行う場合と、1台の面取り機内に粗面取り加工を行う
加工部と、仕上げ加工を行う加工部の2つの加工部を設
けて加工する方法が採用されていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ごとく別々の面取り機で加工したり、1台の面取り機内
に2つの加工部を設けて加工したりする方法を採用する
と、各段階でウェーハのセッティングが必要となるた
め、加工精度が低下するという欠点がある。すなわち、
ウェーハは、加工に際して正確な位置に位置決めして加
工する必要があるが、2回目の加工の際に、1回目の加
工と同じ状態でウェーハをセッティングすることは極め
て困難であり、このため、ウェーハの加工精度が低下す
る。
【0005】以上のことに鑑みて、1つのウェーハテー
ブル上で全加工、すなわち、ウェーハの円形部の面取り
とノッチの面取りを行うことができる面取り機や、1つ
のウェーハテーブル上で粗加工と仕上げ加工を行うこと
ができる面取り機が提案されている。しかしながら、当
該装置を用いた場合、加工精度は向上するが、一方の加
工中に他方の加工装置が遊んだ状態になってしまうた
め、全体としてスループットが低下するという欠点があ
る。
【0006】つまり、面取り加工精度を上げるために1
つの加工部で全加工を行うとスループットが小さくな
り、スループットを大きくするために2台の面取り機や
2つの加工部で加工すると加工精度が低下するという矛
盾が生じる。本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、ウェーハの外周の面取り加工精度が高く、スル
ープットも大きいウェーハ面取り機を提供することを目
的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、ウェーハが格納された供給カセットを設
置する少なくとも1つの供給部と、面取り加工前のウェ
ーハの厚さを測定するとともにウェーハの円周方向位置
を設定する前設定部と、ウェーハを保持するウェーハテ
ーブルと、粗加工用の砥石と仕上げ加工用の砥石とを組
み合わせて成る外周加工砥石と、粗加工用の砥石と仕上
げ加工用の砥石とを組み合わせて成るノッチ加工砥石と
を備え、前記外周加工砥石の粗加工用の砥石で前記ウェ
ーハテーブルに保持されたウェーハの円形部とオリフラ
部とを粗面取り加工するとともに、前記外周加工砥石の
仕上げ加工用の砥石で前記ウェーハの円形部とオリフラ
部を仕上げ面取り加工し、前記ウェーハテーブルに保持
されたウェーハのノッチ部を前記ノッチ加工砥石の粗加
工用の砥石で粗面取り加工するとともに、前記ノッチ加
工砥石の仕上げ加工用の砥石で前記ウェーハのノッチ部
の仕上げ面取り加工をする複数の加工部と、面取り加工
が完了したウェーハを洗浄する洗浄部と、洗浄の終了し
たウェーハの形状寸法を測定する後測定部と、後測定が
行われたウェーハを格納する格納カセットを設置する格
納部と、前記供給カセットからウェーハを1枚ずつ取り
出して前記前設定部へ搬送するとともに、その前設定部
で所定の前設定が行われたウェーハを前記前設定部から
加工搬送部に搬送する供給搬送部と、前記供給搬送部か
ら搬送されたウェーハを受け取り、その受け取ったウェ
ーハを一方の加工部で加工が行われている間に加工が行
われていない他方の加工部に供給する1つの加工搬送部
と、前記加工部で面取り加工が完了したウェーハを前記
加工部から取り出し、前記洗浄部へ搬送する洗浄搬送部
と、洗浄が行われたウェーハを前記洗浄部から取り出し
て前記後測定部に搬送するとともに、該後測定部で後測
定されたウェーハを該後測定部から取り出して前記格納
部に設置された格納カセットに格納する格納搬送部と、
からなることを特徴とする。
【0008】
【作用】1枚のウェーハの処理時間は加工部が1つのと
きは加工時間と加工部への搬入搬出時間との合計となる
が、本発明では加工部が複数設られており、ウェーハは
加工が行われていない方の加工部に搬入されて複数のウ
ェーハが平行して加工されるので、1枚のウェーハの処
理時間は加工時間と加工部への搬入搬出時間との合計よ
り短くなり、スループットが大きくなる。
【0009】
【実施例】以下、添付図面に従って本発明に係るウェー
ハ面取り機の実施例を詳細に説明する。図1は、本発明
に係るウェーハ面取り機の実施例の各部配置説明図であ
り、図2は、その機能説明図である。また、図3は、搬
送部関係の説明図(図1のA−A断面の上側部分)であ
る。
【0010】図1〜図3に示すウェーハ面取り機は、一
般的なウェーハ面取り機に採用されている機能の他に、
当出願人が「特願平6−023582号(ウェーハ直径
・断面形状測定装置及びそれを組み込んだウェーハ面取
り機)」にて開示している直径・断面形状測定装置(本
明細書では「後測定部」)を付加している。ウェーハの
外周の面取り加工には、ウェーハと砥石の相対的な上下
方向位置を設定するためにウェーハの厚さ情報が必要で
あり、また、加工部のウェーハテーブルにウェーハを固
定したときに、ウェーハの円形部の中心がウェーハテー
ブルの回転中心に一致するとともに、オリフラまたはノ
ッチの方向が正確に設定されていることが必要である。
そこで、ウェーハ面取り機では、加工前にウェーハの厚
さを測定するとともに、円形部の中心とオリフラまたは
ノッチの方向(以下「円周方向位置」という)を設定す
る。図1〜図3に示すように、面取り加工前のウェーハ
10a(以下単に「ウェーハ10a」ともいう)が格納
された供給カセット21を設置する供給部20が2箇所
に設けられており、その近傍にウェーハ10aの厚さを
測定するとともに円周方向位置を概略設定する前設定部
30が設けられている。また、2箇所の供給部20と前
設定部30で囲まれた部分には、供給搬送部80があ
り、供給搬送部80の搬送アーム81は水平移動と旋回
と上下移動が可能であり、ウェーハ10aを搬送アーム
81に載せて搬送する。
【0011】前記前設定部30の隣には加工部40、4
5が設けられている。加工部40、45は、ウェーハ1
0aの外周の面取り加工をする。ここで、ウェーハ10
aには、円周方向位置決め用にオリフラ又はノッチが形
成されており、これらについても面取り加工される。図
6にオリフラ付きウェーハの外観図を示す。図6におい
て、Dはウェーハの円形部11の直径、Lはオリフラ径
(円形部11からオリフラ12までの距離)である。ま
た、図7にノッチ付きウェーハの外観図を示す。図7に
おいて、Dは図6と同様にウェーハの円形部11の直
径、αはノッチ13の開き角度、δは円形部11の中心
に対するノッチ13の傾き角、Mはノッチ距離(円形部
11からノッチ13までの距離である。ノッチ13部分
に示す円はこの距離を表すための円でありウェーハの一
部ではない。)である。図8にウェーハの外周に必要な
断面形状を示す。図8において、BuとBdは面取り
幅、θuとθdはテーパ角であり、RuとRdはコーナ
ーが曲面で、tは外周が平らな部分を持っている(尖っ
ていない)ことを示す。Tはウェーハの厚さである。直
径D・オリフラ径L・ノッチ距離M・断面形状は各々許
容値があり、許容値から外れると不良品となる。なお、
本明細書で述べる「ウェーハの外周」はウェーハの円形
部11とオリフラ12又はノッチ13を含めたものの総
称とする。前記加工部40(加工部45においても同
様)では、ウェーハ10aをウェーハテーブル41に真
空等で吸着固定し、ウェーハテ一ブル41と砥石42ま
たは43(砥石42は円形部11やオリフラ12用、砥
石43はノッチ13用)の相対的な上下位置を設定した
後、ウェーハテーブル4lと砥石42または43を回転
させなからウェーハテーブル41と砥石42または43
を相対的に近づけることによって、ウェーハ10aの外
周の面取り加工をする。
【0012】なお、オリフラ付きウェーハの外周面取り
加工をする場合は、砥石42のみを用いて加工し、ノッ
チ付きウェーハを加工する場合は、円形部用の砥石42
とノッチ用の砥石43の2つの砥石を用いて加工する。
【0013】また、ウェーハ面取り機が使用されるウェ
ーハ製造工程によって、面取り精度や面粗さが粗加工
(粗研削)でよい場合と仕上げ加工(精研削)が必要な
場合がある。この場合、粗加工又は仕上げ加工のいずれ
か一方のみの加工を行う場合は、いずれか1つの砥石を
用いて加工し、粗加工から仕上げ加工まで行う場合は、
粗加工用の砥石と仕上げ加工用の砥石を組み合わせた砥
石を用いて加工する。
【0014】面取り加工用の砥石は、図9に示す台形砥
石42aと図10に示す総形砥石42bの2種類があ
り、台形砥石42aはウェーハ10aと台形砥石42a
を厚さ方向(上下方向)に相対移動し台形砥石42aの
テーパ部をウェーハ10aの片面に押し当てて片面ずつ
加工するが、総形砥石42bは外周の内側形状がウェー
ハ10aに要求される面取り形状と同じ形状になってい
るので、総形砥石42bをウェーハ10aの外周に押し
込むだけでウェーハ10aの両面の面取りが加工でき
る。
【0015】図9及び図10に示した砥石はいずれも粗
加工用と仕上げ加工用が1個ずつで構成されているが、
いずれか1個のみとした砥石、粗加工用1個と仕上げ加
工用数個を組み合わせた砥石等を必要に応じて用いる。
図9及び図10に示した砥石は円形部11やオリフラ1
2の面取り加工用であるが、ノッチ加工用も砥石外周形
状は同様である。
【0016】前記加工部40、45のウェーハテーブル
41、41側には、加工搬送部90があり、加工搬送部
90は上下移動及び2つの加工部40及び45との間の
水平移動が可能で、2個のローラ91と1個の位置決め
駒92でウェーハ10aを挟んで支持し、これによっ
て、前設定部30で概略設定されたウェーハ10aの円
周方向位置を正確に設定し直す。また、前記供給搬送部
80から搬送アーム81で水平方向に搬送されたウェー
ハ10aは、加工搬送部90のローラ91と位置決め駒
92の下部のフランジで(ウェーハ10aを挟まない状
態で)受けられる。
【0017】前記加工部40、45の隣には洗浄部50
が設けられている。洗浄部50は、加工部40、45で
面取り加工されたウェーハの洗浄を行う。洗浄搬送部1
00は上下移動及び加工部40と洗浄部50の間、加工
部45と洗浄部50との間の2種類の水平移動が可能
で、4個のローラ101で面取り加工が完了したウェー
ハ10b(以下単に「ウェーハ10b」ともいう)を挟
んで支持する。なお、図3に示すように、前記加工搬送
部90と洗浄搬送部100の上昇端位置は異なり、この
状態で水平移動しても互いに干渉しないようになってい
る。
【0018】前記洗浄部50の隣には格納搬送部110
があり、その周囲には加工後のウェーハ10bの形状寸
法を測定する後測定部60が1箇所、ウェーハ10bを
格納する格納カセット71を設置する格納部70が2箇
所設けられている。格納搬送部110の搬送アーム11
1は供給搬送部80の搬送アーム81と同様に、水平移
動と旋回と上下移動が可能であり、ウェーハ10bを搬
送アーム111に載せて搬送する。
【0019】次に、このように構成されたウェーハ面取
り機の作用について説明する。供給部20に設置された
カセットの中のウェーハ10aは供給搬送部80の搬送
アーム81によって1枚ずつ取り出され前設定部30へ
搬送される。前設定部30ではウェーハ10aの厚さの
測定と円周方向位置の概略設定がされる。それらが終了
するとウェーハ10aは前段定部30に最も近い加工部
(以下「加工部40」といい、もう1つの加工部を「加
工部45」という)のウェーハテーブルの上方位置まで
供給搬送部80によって(搬送アーム81が水平移動し
て)搬送され、加工搬送部90に移載される。
【0020】加工搬送部90に移載されたウェーハ10
aは、加工搬送部90で2個のローラ91と位置決め駒
92で挟まれて支持されることによって前設定部30で
概略設定された円周方向位置が正確に設定し直され、そ
の後、2つのうち加工がされていない方の加工部40ま
たは45のウェーハテーブル41に搬入される。加工部
40または45で加工が完了したウェーハl0bは洗浄
搬送部100によってウェーハテーブル41から取り出
され、洗浄部50のテーブル51に搬入されて洗浄され
る。洗浄が完了するとウェーハl0bは洗浄部50のテ
ーブル51から格納搬送部110によって(搬送アーム
111が水平移動した後わずかに上昇して)取り出さ
れ、後測定部60へ搬送される。後測定部60では、ウ
ェーハl0bの形状寸法が測定され、測定が完了すると
ウェーハl0bは格納搬送部110によって格納部70
に設置された格納カセット71に格納される。
【0021】次に、このように構成されたウェーハ面取
り機によるウェーハの処理時間について説明する。図4
に各部の動作の関連を表す動作線図を示す。また、図5
に各部の動作時間の詳細を示す。図5の各搬送名の右側
に記載している名称は、搬送部の水平位置を表してい
る。また、前設定部30と後測定部60の動作について
は各々供給搬送部80と格納搬送部110の動作時間に
含まれているので、記載していない。
【0022】図5において、供給搬送部80の搬送アー
ム81は初めに供給部20の方向にあったとすると、ま
ず、供給カセット21からのウェーハ10aを取り出し
て前設定部30に搬入し、前設定部30でウェーハ10
aの厚さ測定と円周方向位置設定が終了するまでその方
向に位置する。この時間をFとする。厚さ測定と円周方
向位置設定が終了すると、加工搬送部90が加工部40
のウェーハテーブル41の上方位置にある状態で、供給
搬送部80はウェーハ10aをその位置まで搬送し、加
工搬送部90にウェーハ10aを移載した後、供給部2
0の方向に戻る。この時間をFaとする。
【0023】加工搬送部90は受け取ったウェーハ10
aの円周方向位置を設定し直して加工部40のウェーハ
テーブル41に搬入する。この時間をHaとする。ま
た、加工搬送部90は加工部40が加工中の場合は、受
け取ったウェーハ10aを加工部45まで搬送する。こ
の時間をHb(搬入時間は加工部40の場合と同じくH
a)とする。
【0024】加工部40及び45ではウェーハテーブル
41にウェーハ10aが搬入されると外周面取り加工が
行われるが、この時間をGとする。加工部40で加工が
完了すると、洗浄搬送部100はウェーハテーブル41
からウェーハl0bを取り出して洗浄部50まで搬送す
る。この時間をHcとする。
【0025】また、洗浄搬送部100が加工部45から
ウェーハl0bを取り出して洗浄部50まで搬送する時
間をHdとする。洗浄搬送部100が洗浄部50までウ
ェーハl0bを搬送した後、洗浄部50のテーブル51
にウェーハl0bを搬入すると、洗浄部50ではウェー
ハl0bを洗浄する。搬入から洗浄完了までの時間をW
とする。
【0026】洗浄が完了すると格納搬送部110の搬送
アーム111が洗浄部50まで移動して、ウェーハl0
bを洗浄部50から取り出す。この時間をHeとする。
格納搬送部110は洗浄部50からウェーハl0bを取
り出すと、ウェーハl0bを後測定部60へ搬送し、後
測定部60での測定が完了するとウェーハ10bを格納
部70に設置された格納カセット71に格納する。ここ
までの時間をEとする。
【0027】図4に、各処理時間の関係が示されてい
る。図4で各時間線に添付した数字は処理されるウェー
ハの符号(が1枚目、が2枚目等)である。図4に
示すように、供給搬送部80が供給カセット21からウ
ェーハ10aを取り出し加工搬送部90に移載して戻る
までの時間が「F+Fa」、加工搬送部90がウェーハ
10aを受け取った後から加工部40での加工が完了し
たウェーハl0bを洗浄搬送部100が洗浄部50に搬
送するまでの時間が「Ha+G+Hc」、洗浄搬送部1
00がウェーハl0bを洗浄部50に搬入する時から洗
浄完了後格納搬送部110がウェーハl0bを取り出す
までの時間が「W+He」、格納搬送部110がウェー
ハl0bを取り出す時から格納カセット71に格納する
までの時間が「E+He」となる。
【0028】なお、図4には加工が加工部45で行われ
る場合についても同様に「Ha+Hb+G+Hd」とし
て示しているが、加工部40で加工する場合とほぼ同じ
時間となるので、以下、加工部40で加工する場合の時
間で説明する。また、加工搬送部90と洗浄搬送部10
0が搬入動作後に次の位置へ移動する時間については、
他の動作に影響を与えないことが多いのでそれらの時間
については考慮していない。
【0029】これから明らかなように、加工部の数は、
次の式で求められる数のいずれか小さい方の数以下の整
数まで設置可能となる。 Na=(Ha+G+Hc)/(F+Fa)……(1) Nb=(Ha+G+Hc)/(W+He)……(2) Nc=(Ha+G+Hc)/(E+He)……(3) また、加工部の設置数をN(N<Na,Nb,Nc)と
すると、1枚のウェーハの平均的な処理時間STは、 ST=(Ha+G+Hc)/N ……(4) となる。
【0030】なお、実施例は加工時間が一番長く、他の
動作時間(「F+Fa」、「W+He」、「E+H
e」)の中で一番長い時間の2倍以上3倍未満の場合で
あったが、加工時間が3倍以上の場合は、加工部の数を
3以上に増設し、加工搬送部90と洗浄搬送部100の
水平方向の移動距離を増加させればよい。同様に、洗浄
時間が長く、「N<Na,Nc」であるのに、「N>N
b」となる場合は、洗浄部50を増設し、洗浄搬送部1
00の水平方向の移動距離を増加させることによってS
Tが実現できる。
【0031】また、供給カセット21からウェーハ10
aを取り出す時間や、ウェーハ10aの厚さ測定と円周
方向位置設定の時間が長く、「N<Nb,Nc」である
のに、「N>Na」となる場合は、供給部20や前設定
部30を増設したり、前設定部30の機能を厚さ測定と
円周方向位置設定に分割して設置してもよい。この場合
は供給部20と前設定部30のなす角度を、実施例では
略90°であるが、例えば供給部20と前設定部30の
合計が4のときは略60°にすればよい。
【0032】同様に、ウェーハl0bの形状寸法測定の
時間や、格納カセット71へのウェーハl0bの格納の
時間が長く、「N<Na,Nb」であるのに、「N>N
c」となる場合は、後測定部60や格納部70を増設し
たり、後測定部60の機能を分割して設置してもよい。
この場合は後測定部60と格納部70のなす角度を、実
施例では略90°であるが、例えば後測定部60と格納
部70の合計が4のときは略60°にすればよい。
【0033】また、実施例ではウェーハ10aの円周方
向位置設定を前設定部で概略行い、加工搬送部で加工部
のウェーハテーブルにウェーハを搬入する前に再設定す
る方法としたが、前設定部で正確に行い、加工搬送部に
そのまま受け渡す方法としてもよい。さらに、実施例で
は加工完了後ウェーハl0bを洗浄するとともに形状寸
法を測定してから格納カセット71に格納したが、従来
の技術で記述した「加工完了後ウェーハl0bを洗浄し
た後形状寸法測定をせずに格納カセット71に格納して
後で別途測定する」場合や、「加工完了後ウェーハl0
bを水槽等に入れて後で別途取り出して処理する」場合
についても、本発明は適用できる。
【0034】以上説明したように、本実施の形態のウェ
ーハ面取り機によれば、1つの加工部でウェーハの外周
面取りの全加工が可能な加工部を複数設け、複数の加工
部で平行して加工ができるようにした。これによって、
ノッチ付きウェーハで円形部11とノッチ13を各々専
用の2台の面取り機や1台の面取り機内の各々専用の2
つの加工部で面取り加工したり、粗加工と仕上げ加工を
各々専用の2台の面取り機や1台の面取り機内の各々専
用の2つの加工部で加工しなくても、ウェーハ1枚当た
りの処理時間を短くすることができ、加工時においてウ
ェーハ10aをウェーハテーブル41に1度取り付けれ
ば動かす必要がなくウェーハ10aの円周方向位置や厚
さ方向位置が正確に設定できるので、ウェーハの外周の
面取り加工精度が高い。
【0035】したがって、ウェーハの外周の面取り加工
精度が高く、スループットも大きいウェーハ面取り機を
提供することができる。また、オリフラ付きウェーハの
面取り加工や、粗加工または仕上げ加工のみを行う場合
にも他の動作よりも加工時間が長いので、本発明によっ
てスループットが大きいウェーハ面取り機を提供するこ
とができる。
【0036】さらに、各々専用の2台の面取り機で加工
する場合に比べて、設備費用が安価になるとともに機械
の設置面積が小さいウェーハ面取り機を提供することが
できる。
【0037】
【発明の効果】本発明によれば、ウェーハの面取り加工
を行う加工部が複数設られており、ウェーハは加工が行
われていない方の加工部に搬入されて複数のウェーハが
平行して加工される。したがって、1枚のウェーハの処
理時間は加工時間と加工部への搬入搬出時間との合計よ
り短くなり、スループットが大きくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るウェーハ面取り機の実施例の各部
の配置説明図
【図2】本発明に係るウェーハ面取り機の実施例の機能
説明図
【図3】本発明に係るウェーハ面取り機の実施例の搬送
部関係の説明図
【図4】本発明に係るウェーハ面取り機の実施例の各部
動作関連を表す動作線図
【図5】図4の詳細動作線図
【図6】オリフラ付きウェーハの外観を示す図
【図7】ノッチ付きウェーハの外観を示す図
【図8】ウェーハに必要な面取り形状を示す図
【図9】台形砥石の外周形状を示す図
【図10】総形砥石の外周形状を示す図
【符号の説明】
10a…加工前のウェーハ l0b…加工完了のウェーハ 20……供給部 21……供給カセット 30……前設定部 40、45…加工部 41……ウェーハテーブル 42……円形部及びオリフラ面取り加工用砥石 43……ノッチ面取り加工用砥石 60……後測定部 70……格納部 71……格納カセット 80……供給搬送部 81……搬送アーム 90……加工搬送部 91……ローラ 92……位置決め駒 100……洗浄搬送部 101……ローラ 110……格納搬送部 111……搬送アーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) B24B 9/00 601

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウェーハが格納された供給カセットを設
    置する少なくとも1つの供給部と、 面取り加工前のウェーハの厚さを測定するとともにウェ
    ーハの円周方向位置を設定する前設定部と、ウェーハを保持するウェーハテーブルと、粗加工用の砥
    石と仕上げ加工用の砥石とを組み合わせて成る外周加工
    砥石と、粗加工用の砥石と仕上げ加工用の砥石とを組み
    合わせて成るノッチ加工砥石とを備え、前記外周加工砥
    石の粗加工用の砥石で前記ウェーハテーブルに保持され
    たウェーハの円形部とオリフラ部とを粗面取り加工する
    とともに、前記外周加工砥石の仕上げ加工用の砥石で前
    記ウェーハの円形部とオリフラ部を仕上げ面取り加工
    し、前記ウェーハテーブルに保持されたウェーハのノッ
    チ部を前記ノッチ加工砥石の粗加工用の砥石で粗面取り
    加工するとともに、前記ノッチ加工砥石の仕上げ加工用
    の砥石で前記ウェーハのノッチ部の仕上げ面取り加工を
    する 複数の加工部と、 面取り加工が完了したウェーハを洗浄する洗浄部と、 洗浄の終了したウェーハの形状寸法を測定する後測定部
    と、 後測定が行われたウェーハを格納する格納カセットを設
    置する格納部と、 前記供給カセットからウェーハを1枚ずつ取り出して前
    記前設定部へ搬送するとともに、その前設定部で所定の
    前設定が行われたウェーハを前記前設定部から加工搬送
    部に搬送する供給搬送部と、 前記供給搬送部から搬送されたウェーハを受け取り、そ
    の受け取ったウェーハを一方の加工部で加工が行われて
    いる間に加工が行われていない他方の加工部に供給する
    1つの加工搬送部と、 前記加工部で面取り加工が完了したウェーハを前記加工
    部から取り出し、前記洗浄部へ搬送する洗浄搬送部と、 洗浄が行われたウェーハを前記洗浄部から取り出して前
    記後測定部に搬送するとともに、該後測定部で後測定さ
    れたウェーハを該後測定部から取り出して前記格納部に
    設置された格納カセットに格納する格納搬送部と、 からなることを特徴とするウェーハ面取り機。
  2. 【請求項2】 前記供給搬送部が、前記供給カセットか
    らのウェーハを取り出して前記前設定部に搬入し、該前
    設定部で行う所定の前設定が終了するまでの時間をF、 前記供給搬送部が、前記前設定部で前設定されたウェー
    ハを、該前設定部から前記加工搬送部に搬送する時間を
    Fa、 前記加工搬送部が、前記供給搬送部から受け取ったウェ
    ーハを前記加工部に搬送する時間をHa、 前記加工部が、前記加工搬送部で搬送されたウェーハの
    面取り加工を行う時間をG、 前記洗浄搬送部が、前記加工部から面取り加工の完了し
    たウェーハを取り出して前記洗浄部まで搬送する時間を
    Hc、 前記洗浄部が、前記洗浄搬送部で搬送されたウェーハの
    洗浄を行う時間をW、 前記格納搬送部が、前記洗浄部からウェーハを取り出す
    までの時間をHe、 前記格納搬送部が、前記洗浄部から取り出したウェーハ
    を前記後測定部へ搬送し、該後測定部での測定が完了し
    て前記格納部に設置された前記格納カセットに格納され
    るまでの時間をE、 としたとき、次式 Na=(Ha+G+Hc)/(F+Fa) Nb=(Ha+G+Hc)/(W+He) Nc=(Ha+G+Hc)/(E+He) で求められるNa、Nb、Ncのいずれか小さい方の数
    以下の整数まで前記加工部を設置することを特徴とする
    請求項1記載のウェーハ面取り機。
  3. 【請求項3】 前記供給搬送部が、前記供給カセットか
    らのウェーハを取り出して前記前設定部に搬入し、該前
    設定部で行う所定の前設定が終了するまでの時間をF、 前記供給搬送部が、前記前設定部で前設定されたウェー
    ハを、該前設定部から前記加工搬送部に搬送する時間を
    Fa、 前記加工搬送部が、前記供給搬送部から受け取ったウェ
    ーハを前記加工部に搬送する時間をHa、 前記加工部が、前記加工搬送部で搬送されたウェーハの
    面取り加工を行う時間をG、 前記洗浄搬送部が、前記加工部から面取り加工の完了し
    たウェーハを取り出して前記洗浄部まで搬送する時間を
    Hc、 前記洗浄部が、前記洗浄搬送部で搬送されたウェーハの
    洗浄を行う時間をW、前記格納搬送部が、前記洗浄部か
    らウェーハを取り出すまでの時間をHe、 前記格納搬送部が、前記洗浄部から取り出したウェーハ
    を前記後測定部へ搬送し、該後測定部での測定が完了し
    て前記格納部に設置された前記格納カセットに格納され
    るまでの時間をE、 としたとき、次式 Na=(Ha+G+Hc)/(F+Fa) Nb=(Ha+G+Hc)/(W+He) Nc=(Ha+G+Hc)/(E+He) で求めたNa、Nb、Ncが、次式 N<Na,Nc N>Nb 但し、N:加工部の設置数の関係となるとき、前記洗浄
    部を増設することを特徴とする請求項1記載のウェーハ
    面取り機。
  4. 【請求項4】 前記供給搬送部が、前記供給カセットか
    らのウェーハを取り出して前記前設定部に搬入し、該前
    設定部で行う所定の前設定が終了するまでの時間をF、 前記供給搬送部が、前記前設定部で前設定されたウェー
    ハを、該前設定部から前記加工搬送部に搬送する時間を
    Fa、 前記加工搬送部が、前記供給搬送部から受け取ったウェ
    ーハを前記加工部に搬送する時間をHa、 前記加工部が、前記加工搬送部で搬送されたウェーハの
    面取り加工を行う時間をG、 前記洗浄搬送部が、前記加工部から面取り加工の完了し
    たウェーハを取り出して前記洗浄部まで搬送する時間を
    Hc、 前記洗浄部が、前記洗浄搬送部で搬送されたウェーハの
    洗浄を行う時間をW、 前記格納搬送部が、前記洗浄部からウェーハを取り出す
    までの時間をHe、 前記格納搬送部が、前記洗浄部から取り出したウェーハ
    を前記後測定部へ搬送し、該後測定部での測定が完了し
    て前記格納部に設置された前記格納カセットに格納され
    るまでの時間をE、 としたとき、次式 Na=(Ha+G+Hc)/(F+Fa) Nb=(Ha+G+Hc)/(W+He) Nc=(Ha+G+Hc)/(E+He) で求めたNa、Nb、Ncが、次式 N<Nb,Nc N>Na 但し、N:加工部の設置数の関係となるとき、前記供給
    部、及び/又は、前記前設定部を増設することを特徴と
    する請求項1記載のウェーハ面取り機。
  5. 【請求項5】 前記供給搬送部が、前記供給カセットか
    らのウェーハを取り出して前記前設定部に搬入し、該前
    設定部で行う所定の前設定が終了するまでの時間をF、 前記供給搬送部が、前記前設定部で前設定されたウェー
    ハを、該前設定部から前記加工搬送部に搬送する時間を
    Fa、 前記加工搬送部が、前記供給搬送部から受け取ったウェ
    ーハを前記加工部に搬送する時間をHa、 前記加工部が、前記加工搬送部で搬送されたウェーハの
    面取り加工を行う時間をG、 前記洗浄搬送部が、前記加工部から面取り加工の完了し
    たウェーハを取り出して前記洗浄部まで搬送する時間を
    Hc、 前記洗浄部が、前記洗浄搬送部で搬送されたウェーハの
    洗浄を行う時間をW、 前記格納搬送部が、前記洗浄部からウェーハを取り出す
    までの時間をHe、 前記格納搬送部が、前記洗浄部から取り出したウェーハ
    を前記後測定部へ搬送し、該後測定部での測定が完了し
    て前記格納部に設置された前記格納カセットに格納され
    るまでの時間をE、 としたとき、次式 Na=(Ha+G+Hc)/(F+Fa) Nb=(Ha+G+Hc)/(W+He) Nc=(Ha+G+Hc)/(E+He) で求めたNa、Nb、Ncが、次式 N<Na,Nb N>Nc 但し、N:加工部の設置数の関係となるとき、前記後測
    定部、及び/又は、前記格納部を増設することを特徴と
    する請求項1記載のウェーハ面取り機。
  6. 【請求項6】 前記加工搬送部は、前記ウェーハの円周
    方向位置を再設定する機能を有することを特徴とする請
    求項1記載のウェーハ面取り機。
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DE19543867A DE19543867C2 (de) 1994-11-28 1995-11-24 Anfas-Schleifanlage für einen Wafer
KR1019950044161A KR100197091B1 (ko) 1994-11-28 1995-11-28 웨이퍼 모깎기 장치 및 방법
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1048403A3 (en) * 1996-06-15 2001-12-12 Unova U.K. Limited Improvements in and relating to grinding machines
GB2322319B (en) * 1996-06-15 1999-12-01 Unova Uk Ltd Method of grinding disc workpieces
GB2317585B (en) * 1997-06-11 1999-12-01 Western Atlas Uk Ltd Improvements in and relating to grinding machines
JPH11154655A (ja) * 1997-11-21 1999-06-08 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体ウェハの製造方法
US6132289A (en) * 1998-03-31 2000-10-17 Lam Research Corporation Apparatus and method for film thickness measurement integrated into a wafer load/unload unit
JPH11320363A (ja) 1998-05-18 1999-11-24 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ面取り装置
JP2003077872A (ja) * 2001-09-06 2003-03-14 Speedfam Co Ltd 半導体ウェハ研磨装置及び研磨方法
JP4748968B2 (ja) * 2004-10-27 2011-08-17 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの製造方法
US7752996B2 (en) * 2006-05-11 2010-07-13 Lam Research Corporation Apparatus for applying a plating solution for electroless deposition
JP5385519B2 (ja) * 2007-08-24 2014-01-08 株式会社東京精密 面取り機能つき洗浄装置
JP5491273B2 (ja) 2010-05-11 2014-05-14 ダイトエレクトロン株式会社 ウェーハの面取り装置
JP2014167996A (ja) * 2013-02-28 2014-09-11 Ebara Corp 研磨装置および研磨方法
JP2014226767A (ja) * 2013-05-27 2014-12-08 株式会社東京精密 ウェーハ面取り装置及びウェーハ面取り方法
JP6920849B2 (ja) * 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
CN107598763A (zh) * 2017-10-24 2018-01-19 江门市奥伦德光电有限公司 一种多尺寸兼容的晶圆研磨设备及其研磨方法
CN113334245B (zh) * 2020-02-18 2022-10-18 长鑫存储技术有限公司 一种研磨液供给系统

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3530571A (en) * 1967-12-15 1970-09-29 Cincinnati Milacron Inc Manufacturing system
US3665648A (en) * 1969-12-18 1972-05-30 Yugen Kaisha Yamanaka Seisakus Grinding apparatus
GB1365142A (en) * 1971-10-01 1974-08-29 Werkzeugmasch Heckert Veb Method of and a machine tool installation for handling and ma chining workpieces
JPS59214554A (ja) * 1983-05-17 1984-12-04 Daiichi Seiki Kk ウエハ−の面取り研削装置
JPS60109859U (ja) * 1983-12-28 1985-07-25 株式会社 デイスコ 半導体ウエ−ハ表面研削装置
US4982827A (en) * 1985-04-01 1991-01-08 Globe Products Inc. Workpiece processing system
US4753045A (en) * 1985-10-01 1988-06-28 General Motors Corporation Adjustable double end grinding machine
JPS6299065A (ja) * 1985-10-22 1987-05-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 球面研削装置
US4638601A (en) * 1985-11-04 1987-01-27 Silicon Technology Corporation Automatic edge grinder
JPH0230464A (ja) * 1988-07-16 1990-01-31 Daiichi Seiki Kk ノッチの研削されたウエハとその研削加工装置
US5117590A (en) * 1988-08-12 1992-06-02 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of automatically chamfering a wafer and apparatus therefor
JP3027882B2 (ja) * 1992-07-31 2000-04-04 信越半導体株式会社 ウエーハ面取部研磨装置
WO1994009945A1 (en) * 1992-10-30 1994-05-11 Bbf Yamate Corporation Polishing method, apparatus for the same and buff polishing wheel

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