JPS63174855A - 半導体ウエハ−研削装置 - Google Patents
半導体ウエハ−研削装置Info
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- JPS63174855A JPS63174855A JP62007574A JP757487A JPS63174855A JP S63174855 A JPS63174855 A JP S63174855A JP 62007574 A JP62007574 A JP 62007574A JP 757487 A JP757487 A JP 757487A JP S63174855 A JPS63174855 A JP S63174855A
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- Japan
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- grinding
- semiconductor wafer
- axis
- stage
- spindle
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Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
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- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハー研削装置に関し、特にワンパス
方式の半導体ウェハー研削装置に関する。
方式の半導体ウェハー研削装置に関する。
半導体ウェハー研削装置のうち、砥石を回転させる回転
軸（スピンドル）に対して半導体ウェハーを直角方向に
送りながら研削を行うワンパス方式（スルーフィールド
方式ともいう）の研削装置は、従来はその研削厚さは総
量で１００〜２５０μＩｎ程度の研削しか行わないため
、３段階（荒削りおよび中削りおよび仕上削り）の研削
を行うために３種類の砥石を用いたいわゆる３軸方式で
あり、第一軸において荒削り加工を行ない、第二軸にお
いて次の第三軸の仕上研削が可能な面粗さとする中削、
り加工を行ない、最後の第三軸において所望の面粗さと
する仕上加工を行っている。
軸（スピンドル）に対して半導体ウェハーを直角方向に
送りながら研削を行うワンパス方式（スルーフィールド
方式ともいう）の研削装置は、従来はその研削厚さは総
量で１００〜２５０μＩｎ程度の研削しか行わないため
、３段階（荒削りおよび中削りおよび仕上削り）の研削
を行うために３種類の砥石を用いたいわゆる３軸方式で
あり、第一軸において荒削り加工を行ない、第二軸にお
いて次の第三軸の仕上研削が可能な面粗さとする中削、
り加工を行ない、最後の第三軸において所望の面粗さと
する仕上加工を行っている。
すなわち、第３図に示すように、先ず（ａ）に示すよう
に第一軸１１に取付けられている■加工砥石１１ａによ
って厚さａの半導体ウェハー３の裏面を研削して厚さα
とし、半導体ウェハー３をｔ＝ ａしているチャックテ
ーブル４を矢印Ａ方向に送って（ｂ）に示すように第二
軸１２に取付けた中削り砥石１２ａによって厚さβまで
研削し、最後に（ｃ）に示すように第三軸１３に取付け
られている仕上げ砥石１３ａによって厚さｅに仕上げ研
削を行うという加工動作を行っている。
に第一軸１１に取付けられている■加工砥石１１ａによ
って厚さａの半導体ウェハー３の裏面を研削して厚さα
とし、半導体ウェハー３をｔ＝ ａしているチャックテ
ーブル４を矢印Ａ方向に送って（ｂ）に示すように第二
軸１２に取付けた中削り砥石１２ａによって厚さβまで
研削し、最後に（ｃ）に示すように第三軸１３に取付け
られている仕上げ砥石１３ａによって厚さｅに仕上げ研
削を行うという加工動作を行っている。
上述したような従来のワンパス方式の半導体ウェハー研
削装置は、３段階の加工を行ういわゆる３軸方式となっ
ているので、一定量以上（例えば２５０μ以上）の研削
を行なう場合は、第一軸と第二軸の研削量が増大し、半
導体ウェハーの研削加工のときの負荷が増大するという
欠点がある。
削装置は、３段階の加工を行ういわゆる３軸方式となっ
ているので、一定量以上（例えば２５０μ以上）の研削
を行なう場合は、第一軸と第二軸の研削量が増大し、半
導体ウェハーの研削加工のときの負荷が増大するという
欠点がある。
特に表面に凹凸のある半導体ウェハーを研削する場合や
半導体ウェハーの厚さを従来以上に薄くする場合には、
この研削負荷によって半導体ウェハーの割れやクラック
が生じることがあり、生産の歩留りが低下して大きな問
題となっている。
半導体ウェハーの厚さを従来以上に薄くする場合には、
この研削負荷によって半導体ウェハーの割れやクラック
が生じることがあり、生産の歩留りが低下して大きな問
題となっている。
本発明の目的は、上述のような従来のワンパス方式の半
導体ウェハーの研削装置の欠点を除去して、半導体ウェ
ハーへの負荷が小さくして、従って研削負荷による半導
体ウェハーへの割れやクラックを防止することのできる
半導体ウェハーの研削装置を提供することにある。
導体ウェハーの研削装置の欠点を除去して、半導体ウェ
ハーへの負荷が小さくして、従って研削負荷による半導
体ウェハーへの割れやクラックを防止することのできる
半導体ウェハーの研削装置を提供することにある。
本発明の半導体ウェハー研削装置は、ワンパス方式の半
導体ウェハーの研削装置であって、第一段階の荒削り研
削加工を行う砥石を有する第一軸と、第二段階の荒削り
研削加工を行う砥石含有する第二軸と、中間研削加工を
行う砥石を有する第二軸と、仕上研削加工を行う砥石を
有する第四軸とを備えて構成される。
導体ウェハーの研削装置であって、第一段階の荒削り研
削加工を行う砥石を有する第一軸と、第二段階の荒削り
研削加工を行う砥石含有する第二軸と、中間研削加工を
行う砥石を有する第二軸と、仕上研削加工を行う砥石を
有する第四軸とを備えて構成される。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第４図は一般的なワンパス方式における各軸における加
工動作を示す説明図である。
工動作を示す説明図である。
第４図において軸（スピンドル）１４の先端の外周部に
砥石２が設けられており、軸１４と共に回転している。
砥石２が設けられており、軸１４と共に回転している。
ここにチャッ、クチープル４上に真空吸着された半導体
ウェハー３が横方向（矢印Ａ）から水平に搬送されてそ
の裏面（図では上面）が研削されてその厚さが減少する
。砥石２は研削の段階に応じてその砥粒の粗さをかえ、
その加工段階に対応した粗さの加工を行うようになって
いる。
ウェハー３が横方向（矢印Ａ）から水平に搬送されてそ
の裏面（図では上面）が研削されてその厚さが減少する
。砥石２は研削の段階に応じてその砥粒の粗さをかえ、
その加工段階に対応した粗さの加工を行うようになって
いる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例における各軸
の加工動作を示す説明図である。
の加工動作を示す説明図である。
本実施例においては、第一軸１と第二軸６と第三軸７と
第四軸８との４個の軸を有し、各軸には第一軸から第四
軸になるに従って次第に砥粒の大きさが小さくなる４種
の砥石１ａおよび６ａおよび７ａおよび８ａがそれぞれ
取付けられている。
第四軸８との４個の軸を有し、各軸には第一軸から第四
軸になるに従って次第に砥粒の大きさが小さくなる４種
の砥石１ａおよび６ａおよび７ａおよび８ａがそれぞれ
取付けられている。
第一軸１と第二軸６においては、荒削り研削加工を行っ
て元の厚さが３μｍであったものをｂ Ｂ ｔｎとＣμ
ｍとにする。次に第三軸７において中削り研削加工を行
って６μｍの厚さとすると共に、仕上げの軸である第四
軸８の砥石８ａに適応した面の粗さとする。最後の第四
軸８の仕上げ研削加工によって目的とする面の粗さとし
、かつ厚さを８８ｍとする。第一軸１と第二軸６とにお
ける加工量を適当に配分することによって、すべての段
階における研削加工の負荷を適正値とすることができる
。
て元の厚さが３μｍであったものをｂ Ｂ ｔｎとＣμ
ｍとにする。次に第三軸７において中削り研削加工を行
って６μｍの厚さとすると共に、仕上げの軸である第四
軸８の砥石８ａに適応した面の粗さとする。最後の第四
軸８の仕上げ研削加工によって目的とする面の粗さとし
、かつ厚さを８８ｍとする。第一軸１と第二軸６とにお
ける加工量を適当に配分することによって、すべての段
階における研削加工の負荷を適正値とすることができる
。
第２図（ａ）〜（ｄ）は半導体ウェハーの状態が異る場
合における本発明の他の実施例における加工動作を示す
説明図である。
合における本発明の他の実施例における加工動作を示す
説明図である。
本実施例の場合は、半導体ウェハー５の裏面にシリコン
酸化膜やシリコン窒化膜等の硬質の膜５ａが形成されて
いる。このため、この硬質膜５ａを除去するために第一
軸９の砥石９ａを超荒削り研削用とし、第一軸９におけ
る加工は硬質膜５ａの除去加工としく加工後の厚さはｆ
、ｃｚｍでｆ＞ｂ）、第二軸１０において従来の第一軸
における荒削り加工（第３図参照）に相当する研削加工
（加工後の厚さはＣ）を行うように構成したものである
。
酸化膜やシリコン窒化膜等の硬質の膜５ａが形成されて
いる。このため、この硬質膜５ａを除去するために第一
軸９の砥石９ａを超荒削り研削用とし、第一軸９におけ
る加工は硬質膜５ａの除去加工としく加工後の厚さはｆ
、ｃｚｍでｆ＞ｂ）、第二軸１０において従来の第一軸
における荒削り加工（第３図参照）に相当する研削加工
（加工後の厚さはＣ）を行うように構成したものである
。
第三軸７と第四軸８における加工は第１図の実施例と同
じである。このように、本発明は従来の技術では困難で
あった硬質膜の除去作業を含む研削加工を連続して行う
ことができる。
じである。このように、本発明は従来の技術では困難で
あった硬質膜の除去作業を含む研削加工を連続して行う
ことができる。
以上説明したように本発明の半導体ウェハー研削装置は
、４段階の研削加工を行うことができるので各段階にお
ける研削量を従来の三軸方式のものに比べて小さくする
ことができ、従って半導体ウェハーへの負荷を小さくし
て研削加工による半導体ウェハーの割れやクラックを防
止することができるという効果があり、従って不良品の
発生が少なく生産性のすぐれた半導体ウェハーの研削装
置が得られるという効果がある。
、４段階の研削加工を行うことができるので各段階にお
ける研削量を従来の三軸方式のものに比べて小さくする
ことができ、従って半導体ウェハーへの負荷を小さくし
て研削加工による半導体ウェハーの割れやクラックを防
止することができるという効果があり、従って不良品の
発生が少なく生産性のすぐれた半導体ウェハーの研削装
置が得られるという効果がある。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例における各軸
の加工動作を示す説明図、第２図（ａ）〜（ｄ）は半導
体ウェハーの状態が異なる場合における本発明の他の実
施例における加工動作を示す説明図、第３図は従来の半
導体ウェハーの研削装置における加工動作を示す説明図
、第４図は一般的なワンパス方式の半導体ウェハーの研
削装置の各軸における加工動作を示す説明図である。 １・９・１１・・・第一軸、２・・・砥石、３・５・・
・半導体ウェハー、４・・・チャックテーブル、６・１
０・１２・・・第二軸、７・１３・・・第三軸、８・・
・第四軸、１４・・・軸（スピンドル）。
の加工動作を示す説明図、第２図（ａ）〜（ｄ）は半導
体ウェハーの状態が異なる場合における本発明の他の実
施例における加工動作を示す説明図、第３図は従来の半
導体ウェハーの研削装置における加工動作を示す説明図
、第４図は一般的なワンパス方式の半導体ウェハーの研
削装置の各軸における加工動作を示す説明図である。 １・９・１１・・・第一軸、２・・・砥石、３・５・・
・半導体ウェハー、４・・・チャックテーブル、６・１
０・１２・・・第二軸、７・１３・・・第三軸、８・・
・第四軸、１４・・・軸（スピンドル）。
Claims (1)
- 第一段階の荒削り研削加工を行う砥石を有する第一軸と
、第二段階の荒削り研削加工を行う砥石を有する第二軸
と、中間研削加工を行う砥石を有する第三軸と、仕上研
削加工を行う砥石を有する第四軸とを備えることを特徴
とするワンパス方式の半導体ウェハー研削装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62007574A JPS63174855A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 半導体ウエハ−研削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62007574A JPS63174855A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 半導体ウエハ−研削装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63174855A true JPS63174855A (ja) | 1988-07-19 |
Family
ID=11669579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62007574A Pending JPS63174855A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 半導体ウエハ−研削装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63174855A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997010613A1 (fr) * | 1995-09-13 | 1997-03-20 | Hitachi, Ltd. | Procede et dispositif de meulage |
| US6478977B1 (en) | 1995-09-13 | 2002-11-12 | Hitachi, Ltd. | Polishing method and apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61252069A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-10 | Mazda Motor Corp | 平面研削盤制御装置 |
-
1987
- 1987-01-16 JP JP62007574A patent/JPS63174855A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61252069A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-10 | Mazda Motor Corp | 平面研削盤制御装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997010613A1 (fr) * | 1995-09-13 | 1997-03-20 | Hitachi, Ltd. | Procede et dispositif de meulage |
| US6180020B1 (en) | 1995-09-13 | 2001-01-30 | Hitachi, Ltd. | Polishing method and apparatus |
| US6478977B1 (en) | 1995-09-13 | 2002-11-12 | Hitachi, Ltd. | Polishing method and apparatus |
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