JPH0758068A - ウェーハ研削装置と研削方法 - Google Patents
ウェーハ研削装置と研削方法Info
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- JPH0758068A JPH0758068A JP19758993A JP19758993A JPH0758068A JP H0758068 A JPH0758068 A JP H0758068A JP 19758993 A JP19758993 A JP 19758993A JP 19758993 A JP19758993 A JP 19758993A JP H0758068 A JPH0758068 A JP H0758068A
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- grinding wheel
- wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の製造においてSiやGaAs等からな
るウェーハを所定の厚さに加工するウェーハ研削装置に
関し、付帯作業に伴う時間を短縮し稼働率を向上させる
と共に装置の小型化を可能にする研削装置の提供を目的
とする。 【構成】 副スピンドル61の外側に主スピンドル62が同
心円状に組み合わされてなる二重構造のスピンドル６
と、第１の研削砥石７が装着されてなる主スピンドル62
を回動自在に抱持するスピンドル本体63を有し、且つ、
第２の研削砥石７が装着された副スピンドル61を回動自
在に主スピンドル62により抱持すると共に、副スピンド
ル61を軸方向に摺動自在に主スピンドル62により抱持し
てなるように構成する。
るウェーハを所定の厚さに加工するウェーハ研削装置に
関し、付帯作業に伴う時間を短縮し稼働率を向上させる
と共に装置の小型化を可能にする研削装置の提供を目的
とする。 【構成】 副スピンドル61の外側に主スピンドル62が同
心円状に組み合わされてなる二重構造のスピンドル６
と、第１の研削砥石７が装着されてなる主スピンドル62
を回動自在に抱持するスピンドル本体63を有し、且つ、
第２の研削砥石７が装着された副スピンドル61を回動自
在に主スピンドル62により抱持すると共に、副スピンド
ル61を軸方向に摺動自在に主スピンドル62により抱持し
てなるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造におい
てSiやGaAs等からなるウェーハを所定の厚さに加工する
ウェーハ研削装置に係り、特に付帯作業に伴う時間を短
縮し稼働率を向上させると共に装置の小型化を可能にす
る研削装置および研削方法に関する。
てSiやGaAs等からなるウェーハを所定の厚さに加工する
ウェーハ研削装置に係り、特に付帯作業に伴う時間を短
縮し稼働率を向上させると共に装置の小型化を可能にす
る研削装置および研削方法に関する。
【０００２】現在、半導体装置の製造分野においてSiや
GaAs等からなるウェーハを所定の厚さと表面粗さに加工
する手段として、高速回転するスピンドルに装着されて
なる研削砥石の端面を押し付けることにより被研削ウェ
ーハの表面を研削している。
GaAs等からなるウェーハを所定の厚さと表面粗さに加工
する手段として、高速回転するスピンドルに装着されて
なる研削砥石の端面を押し付けることにより被研削ウェ
ーハの表面を研削している。
【０００３】一定の粒径を具えた工業用ダイヤモンドを
結合剤で固めて成形したチップを円盤状の台座に接着し
てなる研削砥石は、粒径の粗いものを選択すると高度な
研削能力が得られ反対に粒径の細かいものを選択すると
高度な表面粗さが得られる。
結合剤で固めて成形したチップを円盤状の台座に接着し
てなる研削砥石は、粒径の粗いものを選択すると高度な
研削能力が得られ反対に粒径の細かいものを選択すると
高度な表面粗さが得られる。
【０００４】ウェーハの研削は一般に先ずウェーハを所
定の厚さにするため研削能力の高い粒径の粗い研削砥石
で数百μm 研削し、次いで細かい粒径を具えてなる研削
砥石で数十μm 研削して粒径の粗い研削砥石で研削され
た面の表面粗さを調整する。
定の厚さにするため研削能力の高い粒径の粗い研削砥石
で数百μm 研削し、次いで細かい粒径を具えてなる研削
砥石で数十μm 研削して粒径の粗い研削砥石で研削され
た面の表面粗さを調整する。
【０００５】ウェーハが所定の厚さになった時点で更に
細かい粒径を具えてなる研削砥石で数μm 研削し所定の
表面粗さを得る。ウェーハ研削装置は通常粒径の異なる
研削砥石を装着する少なくとも３本のスピンドルを有し
前記の研削を連続して行う。
細かい粒径を具えてなる研削砥石で数μm 研削し所定の
表面粗さを得る。ウェーハ研削装置は通常粒径の異なる
研削砥石を装着する少なくとも３本のスピンドルを有し
前記の研削を連続して行う。
【０００６】近年、半導体装置の需要増大に対応するた
め製造設備の稼働率を向上させ生産効率を高めることが
要求されている。しかし、ウェーハの研削は目詰まりし
た研削砥石のドレッシングや面精度の確認など付帯作業
に伴う時間が極めて多い。
め製造設備の稼働率を向上させ生産効率を高めることが
要求されている。しかし、ウェーハの研削は目詰まりし
た研削砥石のドレッシングや面精度の確認など付帯作業
に伴う時間が極めて多い。
【０００７】そこで付帯作業に伴う時間を短縮し稼働率
を向上させると共に装置の小型化を可能にする研削装置
の開発が要望されている。
を向上させると共に装置の小型化を可能にする研削装置
の開発が要望されている。
【０００８】
【従来の技術】図５は従来のウェーハ研削装置を示す斜
視図である。図において従来のウェーハ研削装置は90度
づつ間歇的に回動し被研削ウェーハ１を移動させるター
ンテーブル２と、ターンテーブル２上に等間隔で配設さ
れ例えば被研削ウェーハ１を真空吸着する４個のチャッ
クテーブル３を具えている。
視図である。図において従来のウェーハ研削装置は90度
づつ間歇的に回動し被研削ウェーハ１を移動させるター
ンテーブル２と、ターンテーブル２上に等間隔で配設さ
れ例えば被研削ウェーハ１を真空吸着する４個のチャッ
クテーブル３を具えている。
【０００９】チャックテーブル３に載置された被研削ウ
ェーハ１が停止する位置の上方には３本のスピンドル４
が垂直に配設され、高速回転する３本のスピンドル４の
先端にそれぞれのステージに適した粒径を具えてなる研
削砥石５が装着されている。
ェーハ１が停止する位置の上方には３本のスピンドル４
が垂直に配設され、高速回転する３本のスピンドル４の
先端にそれぞれのステージに適した粒径を具えてなる研
削砥石５が装着されている。
【００１０】一定の粒径を具えた工業用ダイヤモンドを
結合剤で固め成形したチップ51を円盤状の台座52に接着
した研削砥石５は、粒径の粗いものを選択すると高度な
研削能力が得られ反対に粒径の細かいものを選択すると
高度な表面粗さが得られる。
結合剤で固め成形したチップ51を円盤状の台座52に接着
した研削砥石５は、粒径の粗いものを選択すると高度な
研削能力が得られ反対に粒径の細かいものを選択すると
高度な表面粗さが得られる。
【００１１】即ち、ウェーハを所定の厚さにする第１の
ステージではスピンドル４に粒径の粗い粗削り用の研削
砥石５が装着され、仕上げの前に表面粗さを調整する第
２のステージではスピンドル４に粒径の細かい細研削用
の研削砥石５が装着される。
ステージではスピンドル４に粒径の粗い粗削り用の研削
砥石５が装着され、仕上げの前に表面粗さを調整する第
２のステージではスピンドル４に粒径の細かい細研削用
の研削砥石５が装着される。
【００１２】第１のステージおよび第２のステージにお
いて研削されたウェーハを所定の表面粗さに仕上げる第
３のステージでは、研削能力は低いが高度な表面粗さが
得られる粒径の更に細かい仕上げ用の研削砥石５がスピ
ンドル４に装着されている。
いて研削されたウェーハを所定の表面粗さに仕上げる第
３のステージでは、研削能力は低いが高度な表面粗さが
得られる粒径の更に細かい仕上げ用の研削砥石５がスピ
ンドル４に装着されている。
【００１３】ターンテーブル２が90度回動して所定の位
置に停止すると被研削ウェーハ１を吸着したチャックテ
ーブル３が自転し、且つ、高速回転するスピンドル４の
先端に装着されてなる研削砥石５が被研削ウェーハ１上
に降下し研削が開始される。
置に停止すると被研削ウェーハ１を吸着したチャックテ
ーブル３が自転し、且つ、高速回転するスピンドル４の
先端に装着されてなる研削砥石５が被研削ウェーハ１上
に降下し研削が開始される。
【００１４】研削砥石５が被研削ウェーハ１を研削する
量や研削に要する時間はステージ毎に異なり各ステージ
の研削が完了すると、研削砥石５が上昇すると共に自転
していたチャックテーブル３が停止し次いでターンテー
ブル２が再び90度回動する。
量や研削に要する時間はステージ毎に異なり各ステージ
の研削が完了すると、研削砥石５が上昇すると共に自転
していたチャックテーブル３が停止し次いでターンテー
ブル２が再び90度回動する。
【００１５】したがって、供給排出領域でチャックテー
ブル３に載置された被研削ウェーハ１はターンテーブル
２の回動に伴い、第１のステージ、第２のステージ、お
よび第３のステージを経由する間に順次研削されて再び
元の位置に戻り回収される。
ブル３に載置された被研削ウェーハ１はターンテーブル
２の回動に伴い、第１のステージ、第２のステージ、お
よび第３のステージを経由する間に順次研削されて再び
元の位置に戻り回収される。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の研削装
置は粗削りするステージ、細研削するステージ、および
仕上げを行うステージが独立しており、それぞれのステ
ージが専用のスピンドルとチャックテーブルを具えてい
るため装置が大型化するという問題があった。
置は粗削りするステージ、細研削するステージ、および
仕上げを行うステージが独立しており、それぞれのステ
ージが専用のスピンドルとチャックテーブルを具えてい
るため装置が大型化するという問題があった。
【００１７】また、仕上げ用の研削砥石は目詰まりを生
じ易く高度な表面粗さを確保するため頻繁にドレッシン
グする必要があり、その他の研削砥石を含め破損や磨滅
等が発生すると他の研削砥石が正常であっても装置を停
止して修復する必要がある。
じ易く高度な表面粗さを確保するため頻繁にドレッシン
グする必要があり、その他の研削砥石を含め破損や磨滅
等が発生すると他の研削砥石が正常であっても装置を停
止して修復する必要がある。
【００１８】例えば、研削砥石を交換する場合は研削砥
石のドレッシングや面精度確認等のために少なくとも３
時間は必要とする。ステージ毎に１個の研削砥石を有す
る従来の研削装置はかかる付帯作業の時間が長く稼働率
が低いという問題があった。
石のドレッシングや面精度確認等のために少なくとも３
時間は必要とする。ステージ毎に１個の研削砥石を有す
る従来の研削装置はかかる付帯作業の時間が長く稼働率
が低いという問題があった。
【００１９】本発明の目的は付帯作業に伴う時間を短縮
し稼働率を向上させると共に装置の小型化を可能にする
研削装置を提供することにある。
し稼働率を向上させると共に装置の小型化を可能にする
研削装置を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】図１は本発明になるウェ
ーハ研削装置を示す斜視図である。なお全図を通し同じ
対象物は同一記号で表している。
ーハ研削装置を示す斜視図である。なお全図を通し同じ
対象物は同一記号で表している。
【００２１】上記課題は副スピンドル61の外側に主スピ
ンドル62が同心円状に組み合わされてなる二重構造のス
ピンドル６と、第１の研削砥石７が装着されてなる主ス
ピンドル62を回動自在に抱持するスピンドル本体63を有
し、且つ、第２の研削砥石７が装着された副スピンドル
61を回動自在に主スピンドル62により抱持すると共に、
副スピンドル61を軸方向に摺動自在に主スピンドル62に
より抱持してなる本発明のウェーハ研削装置によって達
成される。
ンドル62が同心円状に組み合わされてなる二重構造のス
ピンドル６と、第１の研削砥石７が装着されてなる主ス
ピンドル62を回動自在に抱持するスピンドル本体63を有
し、且つ、第２の研削砥石７が装着された副スピンドル
61を回動自在に主スピンドル62により抱持すると共に、
副スピンドル61を軸方向に摺動自在に主スピンドル62に
より抱持してなる本発明のウェーハ研削装置によって達
成される。
【００２２】
【作用】副スピンドルの外側に主スピンドルが同心円状
に組み合わされた二重構造のスピンドルと、第１の研削
砥石が装着された主スピンドルを回動自在に抱持するス
ピンドル本体を有し、且つ、第２の研削砥石が装着され
た副スピンドルを回動自在に主スピンドルによって抱持
すると共に、副スピンドルを軸方向に摺動自在に主スピ
ンドルによって抱持してなる本発明のウェーハ研削装置
は、主スピンドルと副スピンドルを独立して回動させる
と共に軸方向に移動させることができる。
に組み合わされた二重構造のスピンドルと、第１の研削
砥石が装着された主スピンドルを回動自在に抱持するス
ピンドル本体を有し、且つ、第２の研削砥石が装着され
た副スピンドルを回動自在に主スピンドルによって抱持
すると共に、副スピンドルを軸方向に摺動自在に主スピ
ンドルによって抱持してなる本発明のウェーハ研削装置
は、主スピンドルと副スピンドルを独立して回動させる
と共に軸方向に移動させることができる。
【００２３】かかる研削装置は例えば主スピンドルと副
スピンドルに仕上げ用の粒径の細かい研削砥石を装着す
ることによって、第１の研削砥石の研削能力が低下する
と第２の研削砥石を被研削ウェーハに押し付けて研削を
継続することが可能になる。
スピンドルに仕上げ用の粒径の細かい研削砥石を装着す
ることによって、第１の研削砥石の研削能力が低下する
と第２の研削砥石を被研削ウェーハに押し付けて研削を
継続することが可能になる。
【００２４】また、例えば主スピンドルに粗削り用の研
削砥石を装着し副スピンドルに細研削用の研削砥石を装
着することによって、ターンテーブルを回動させること
なく同一ステージにおいて被研削ウェーハの粗削りと細
研削を行うことができる。
削砥石を装着し副スピンドルに細研削用の研削砥石を装
着することによって、ターンテーブルを回動させること
なく同一ステージにおいて被研削ウェーハの粗削りと細
研削を行うことができる。
【００２５】即ち、付帯作業に伴う時間を短縮し稼働率
を向上させると共に装置の小型化を可能にする研削装置
を実現することができる。
を向上させると共に装置の小型化を可能にする研削装置
を実現することができる。
【００２６】
【実施例】以下添付図により本発明の実施例について説
明する。なお図２は本発明になる研削方法の第１の実施
例を示す側断面図、図３は本発明になる研削方法の第２
の実施例を示す側断面図、図４は本発明になる研削方法
の第３の実施例を示す側断面図である。
明する。なお図２は本発明になる研削方法の第１の実施
例を示す側断面図、図３は本発明になる研削方法の第２
の実施例を示す側断面図、図４は本発明になる研削方法
の第３の実施例を示す側断面図である。
【００２７】本発明になるウェーハ研削装置は例えば図
１に示す如く 120度づつ間歇的に回動するターンテーブ
ル２を具えており、ターンテーブル２の上に被研削ウェ
ーハ１を真空吸着し保持する３個のチャックテーブル３
が等間隔に配設されている。
１に示す如く 120度づつ間歇的に回動するターンテーブ
ル２を具えており、ターンテーブル２の上に被研削ウェ
ーハ１を真空吸着し保持する３個のチャックテーブル３
が等間隔に配設されている。
【００２８】チャックテーブル３に載置された被研削ウ
ェーハ１が停止する位置に二重構造のスピンドル６が２
本垂直に配設され、高速回転する２本のスピンドル６の
先端にそれぞれのステージに適した粒径を具えてなる研
削砥石７が装着されている。
ェーハ１が停止する位置に二重構造のスピンドル６が２
本垂直に配設され、高速回転する２本のスピンドル６の
先端にそれぞれのステージに適した粒径を具えてなる研
削砥石７が装着されている。
【００２９】一定の粒径を具えた工業用ダイヤモンドを
結合剤で固め成形したチップ71を円盤状の台座72に接着
した研削砥石７は、粒径の粗いものを選択すると高度な
研削能力が得られ反対に粒径の細かいものを選択すると
高度な表面粗さが得られる。
結合剤で固め成形したチップ71を円盤状の台座72に接着
した研削砥石７は、粒径の粗いものを選択すると高度な
研削能力が得られ反対に粒径の細かいものを選択すると
高度な表面粗さが得られる。
【００３０】二重構造のスピンドル６は副スピンドル61
と副スピンドル61の外側に同心円状に組み合わした主ス
ピンドル62からなり、第１の研削砥石７が装着された主
スピンドル62は上下に移動するスピンドル本体63により
回動自在に抱持されている。
と副スピンドル61の外側に同心円状に組み合わした主ス
ピンドル62からなり、第１の研削砥石７が装着された主
スピンドル62は上下に移動するスピンドル本体63により
回動自在に抱持されている。
【００３１】主スピンドル62が回動自在に且つ軸方向に
摺動自在に抱持する副スピンドル61には第２の研削砥石
７が装着されており、外部から駆動すると主スピンドル
62と独立して副スピンドル61を回動させると共に軸方向
に移動させることができる。
摺動自在に抱持する副スピンドル61には第２の研削砥石
７が装着されており、外部から駆動すると主スピンドル
62と独立して副スピンドル61を回動させると共に軸方向
に移動させることができる。
【００３２】ウェーハを所定の厚さにする第１のステー
ジでは粒径の粗い粗削り用の研削砥石７が主スピンドル
62に装着されており、仕上げに先立って表面粗さを調整
する粒径の細かい細研削用の研削砥石７が副スピンドル
61の先端に装着されている。
ジでは粒径の粗い粗削り用の研削砥石７が主スピンドル
62に装着されており、仕上げに先立って表面粗さを調整
する粒径の細かい細研削用の研削砥石７が副スピンドル
61の先端に装着されている。
【００３３】第１のステージにおいて所定の厚さに研削
された被研削ウェーハ１を所定の表面粗さに仕上げる第
２のステージでは、副スピンドル61と主スピンドル62に
高度な表面粗さが得られる粒径の更に細かい研削砥石７
がそれぞれ装着されている。
された被研削ウェーハ１を所定の表面粗さに仕上げる第
２のステージでは、副スピンドル61と主スピンドル62に
高度な表面粗さが得られる粒径の更に細かい研削砥石７
がそれぞれ装着されている。
【００３４】このように二重構造のスピンドル６を用い
ることによって同一ステージにおいて粗削りと細研削が
連続して行われ、従来の研削装置では３ステージに分か
れていた研削工程が２ステージに減少し研削装置の小型
化を図ることが可能になる。
ることによって同一ステージにおいて粗削りと細研削が
連続して行われ、従来の研削装置では３ステージに分か
れていた研削工程が２ステージに減少し研削装置の小型
化を図ることが可能になる。
【００３５】また、二重構造のスピンドル６を用い副ス
ピンドル61と主スピンドル62に仕上げ用の研削砥石７を
装着することで、第１の研削砥石７が目詰まりを生じて
も第２の研削砥石７により研削が続行されドレッシング
等の付帯作業を低減できる。
ピンドル61と主スピンドル62に仕上げ用の研削砥石７を
装着することで、第１の研削砥石７が目詰まりを生じて
も第２の研削砥石７により研削が続行されドレッシング
等の付帯作業を低減できる。
【００３６】ターンテーブル２が 120度回動して所定位
置に停止すると被研削ウェーハ１を吸着したチャックテ
ーブル３が自転し、第１のステージでは図２(a) に示す
如く主スピンドル62の先端に装着された研削砥石７が降
下して粗削りが開始される。
置に停止すると被研削ウェーハ１を吸着したチャックテ
ーブル３が自転し、第１のステージでは図２(a) に示す
如く主スピンドル62の先端に装着された研削砥石７が降
下して粗削りが開始される。
【００３７】第１のステージにおいて主スピンドル62の
先端に装着された研削砥石７による被研削ウェーハ１の
粗削りが終わると、図２(b) に示す如く副スピンドル61
の先端に装着された研削砥石７が降下して被研削ウェー
ハ１の細研削が開始される。
先端に装着された研削砥石７による被研削ウェーハ１の
粗削りが終わると、図２(b) に示す如く副スピンドル61
の先端に装着された研削砥石７が降下して被研削ウェー
ハ１の細研削が開始される。
【００３８】なお、粗削りのあと細研削用の研削砥石７
を下ろす代わりに図３に示す如く主スピンドル62に装着
された研削砥石７と、副スピンドル61に装着された研削
砥石７の研削面間に予め所定の段差を介在させておき同
時に降下させる方法がある。
を下ろす代わりに図３に示す如く主スピンドル62に装着
された研削砥石７と、副スピンドル61に装着された研削
砥石７の研削面間に予め所定の段差を介在させておき同
時に降下させる方法がある。
【００３９】例えば、粗削り用の研削砥石７と細研削用
の研削砥石７を所定の位置まで降下させターンテーブル
２を移動させると、チャックテーブル３上の被研削ウェ
ーハ１は先ず主スピンドル62に装着された粗削り用の研
削砥石７により研削される。
の研削砥石７を所定の位置まで降下させターンテーブル
２を移動させると、チャックテーブル３上の被研削ウェ
ーハ１は先ず主スピンドル62に装着された粗削り用の研
削砥石７により研削される。
【００４０】副スピンドル61に装着された研削砥石７の
研削面は主スピンドル62に装着された粗削り用研削砥石
７より突出しており、粗削りされた被研削ウェーハ１は
引き続いて副スピンドル61に装着された細研削用の研削
砥石７によって研削される。
研削面は主スピンドル62に装着された粗削り用研削砥石
７より突出しており、粗削りされた被研削ウェーハ１は
引き続いて副スピンドル61に装着された細研削用の研削
砥石７によって研削される。
【００４１】ターンテーブル２が 120度回動して所定位
置に停止すると被研削ウェーハ１を吸着したチャックテ
ーブル３が自転し、第２のステージでも図２(a) に示す
如く主スピンドル62の先端に装着された研削砥石７が降
下して仕上げが開始される。
置に停止すると被研削ウェーハ１を吸着したチャックテ
ーブル３が自転し、第２のステージでも図２(a) に示す
如く主スピンドル62の先端に装着された研削砥石７が降
下して仕上げが開始される。
【００４２】主スピンドル62の先端に装着された粒径の
更に細かい仕上げ用の研削砥石７に目詰まりが生じ研削
能力が低下すると、図２(b) に示す如く副スピンドル61
の先端に装着された研削砥石７が降下して被研削ウェー
ハ１の仕上げが続行される。
更に細かい仕上げ用の研削砥石７に目詰まりが生じ研削
能力が低下すると、図２(b) に示す如く副スピンドル61
の先端に装着された研削砥石７が降下して被研削ウェー
ハ１の仕上げが続行される。
【００４３】研削砥石７が被研削ウェーハ１を研削する
量や研削に要する時間はステージ毎に異なり各ステージ
の研削が終わると、研削砥石７が上昇すると共に自転し
ていたチャックテーブル３が停止し次いでターンテーブ
ル２が再び 120度回動する。
量や研削に要する時間はステージ毎に異なり各ステージ
の研削が終わると、研削砥石７が上昇すると共に自転し
ていたチャックテーブル３が停止し次いでターンテーブ
ル２が再び 120度回動する。
【００４４】したがって、供給排出領域でチャックテー
ブル３に載置された被研削ウェーハ１はターンテーブル
２の回動に伴い、第１のステージおよび第２のステージ
を経由する間に粗削りから仕上げまでの研削が行われ元
の位置に戻って回収される。
ブル３に載置された被研削ウェーハ１はターンテーブル
２の回動に伴い、第１のステージおよび第２のステージ
を経由する間に粗削りから仕上げまでの研削が行われ元
の位置に戻って回収される。
【００４５】なお、図４に示す如く主スピンドル62に装
着された第１の研削砥石７と副スピンドル61に装着され
た第１の研削砥石７を、両方の研削面が同一平面をなす
よう調整し同時にドレッサ８に当接させることでドレッ
シングの時間を半減できる。
着された第１の研削砥石７と副スピンドル61に装着され
た第１の研削砥石７を、両方の研削面が同一平面をなす
よう調整し同時にドレッサ８に当接させることでドレッ
シングの時間を半減できる。
【００４６】このように副スピンドルと主スピンドルが
同心円状に組み合わされた二重構造のスピンドルと、第
１の研削砥石が装着された主スピンドルを回動自在に抱
持するスピンドル本体を有し、第２の研削砥石が装着さ
れた副スピンドルを回動自在に主スピンドルによって抱
持すると共に、副スピンドルを軸方向に摺動自在に主ス
ピンドルによって抱持してなる本発明のウェーハ研削装
置は、主スピンドルと副スピンドルを独立して回動させ
ると共に軸方向に移動させることができる。
同心円状に組み合わされた二重構造のスピンドルと、第
１の研削砥石が装着された主スピンドルを回動自在に抱
持するスピンドル本体を有し、第２の研削砥石が装着さ
れた副スピンドルを回動自在に主スピンドルによって抱
持すると共に、副スピンドルを軸方向に摺動自在に主ス
ピンドルによって抱持してなる本発明のウェーハ研削装
置は、主スピンドルと副スピンドルを独立して回動させ
ると共に軸方向に移動させることができる。
【００４７】かかる研削装置は例えば主スピンドルと副
スピンドルに仕上げ用の粒径の細かい研削砥石を装着す
ることによって、第１の研削砥石の研削能力が低下する
と第２の研削砥石を被研削ウェーハに押し付けて研削を
継続することが可能になる。
スピンドルに仕上げ用の粒径の細かい研削砥石を装着す
ることによって、第１の研削砥石の研削能力が低下する
と第２の研削砥石を被研削ウェーハに押し付けて研削を
継続することが可能になる。
【００４８】また、例えば主スピンドルに粗削り用の研
削砥石を装着し副スピンドルに細研削用の研削砥石を装
着することによって、ターンテーブルを回動させること
なく同一ステージにおいて被研削ウェーハの粗削りと細
研削を行うことができる。
削砥石を装着し副スピンドルに細研削用の研削砥石を装
着することによって、ターンテーブルを回動させること
なく同一ステージにおいて被研削ウェーハの粗削りと細
研削を行うことができる。
【００４９】即ち、付帯作業に伴う時間を短縮し稼働率
を向上させると共に装置の小型化を可能にする研削装置
を実現することができる。
を向上させると共に装置の小型化を可能にする研削装置
を実現することができる。
【００５０】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば付帯作業に伴
う時間を短縮し稼働率を向上させると共に装置の小型化
を可能にする研削装置を提供することができる。
う時間を短縮し稼働率を向上させると共に装置の小型化
を可能にする研削装置を提供することができる。
【図１】 本発明になるウェーハ研削装置を示す斜視図
である。
である。
【図２】 本発明になる研削方法の第１の実施例を示す
側断面図である。
側断面図である。
【図３】 本発明になる研削方法の第２の実施例を示す
側断面図である。
側断面図である。
【図４】 本発明になる研削方法の第３の実施例を示す
側断面図である。
側断面図である。
【図５】 従来のウェーハ研削装置を示す斜視図であ
る。
る。
１ 被研削ウェーハ ２ ターンテーブル ３ チャックテーブル ６ スピンドル ７ 研削砥石 ８ ドレッサ 61 副スピンドル 62 主スピンドル 63 スピンドル本体 71 チップ 72 台座
Claims (5)
- 【請求項１】 副スピンドル(61)の外側に主スピンドル
(62)が同心円状に組み合わされてなる二重構造のスピン
ドル(6) と、第１の研削砥石(7) が装着されてなる該主
スピンドル(62)を回動自在に抱持するスピンドル本体(6
3)を有し、 且つ、第２の研削砥石(7) が装着された該副スピンドル
(61)を回動自在に該主スピンドル(62)により抱持すると
共に、該副スピンドル(61)を軸方向に摺動自在に該主ス
ピンドル(62)により抱持してなることを特徴とするウェ
ーハ研削装置。 - 【請求項２】 副スピンドル(61)の外側に主スピンドル
(62)が同心円状に組み合わされてなる二重構造のスピン
ドル(6) と、第１の研削砥石(7) が装着されてなる該主
スピンドル(62)を回動自在に抱持するスピンドル本体(6
3)を有し、 且つ、該主スピンドル(62)により第２の研削砥石(7) が
装着された該副スピンドル(61)を回動自在に抱持すると
共に、該主スピンドル(62)により該副スピンドル(61)を
軸方向に摺動自在に抱持してなる請求項１のウェーハ研
削装置を用い、 該第１の研削砥石(7) の研削能力が低下すると該第２の
研削砥石(7) の研削面を被研削ウェーハ(1) に当接せし
め、研削能力が低下した該第１の研削砥石(7)を交換す
ることなく研削作業を続行することを特徴としたウェー
ハ研削方法。 - 【請求項３】 副スピンドル(61)の外側に主スピンドル
(62)が同心円状に組み合わされてなる二重構造のスピン
ドル(6) と、第１の研削砥石(7) が装着されてなる該主
スピンドル(62)を回動自在に抱持するスピンドル本体(6
3)を有し、 且つ、該主スピンドル(62)により第２の研削砥石(7) が
装着された該副スピンドル(61)を回動自在に抱持すると
共に、該主スピンドル(62)により該副スピンドル(61)を
軸方向に摺動自在に抱持してなる請求項１のウェーハ研
削装置を用い、 該第１の研削砥石(7) による研削が終了すると該第２の
研削砥石(7) の研削面を被研削ウェーハ(1) に当接せし
め、該第１の研削砥石(7) と該第２の研削砥石(7) によ
る精度の異なる研削を続けて行うことを特徴とするウェ
ーハ研削方法。 - 【請求項４】 副スピンドル(61)の外側に主スピンドル
(62)が同心円状に組み合わされてなる二重構造のスピン
ドル(6) と、第１の研削砥石(7) が装着されてなる該主
スピンドル(62)を回動自在に抱持するスピンドル本体(6
3)を有し、 且つ、該主スピンドル(62)により第２の研削砥石(7) が
装着された該副スピンドル(61)を回動自在に抱持すると
共に、該主スピンドル(62)により該副スピンドル(61)を
軸方向に摺動自在に抱持してなる請求項１のウェーハ研
削装置を用い、 被研削ウェーハ(1) に当接する該第１の研削砥石(7) と
該第２の研削砥石(7)の研削面の間に所定の段差を設け
て、該第１の研削砥石(7) と該第２の研削砥石(7) によ
る精度の異なる研削を続けて行うことを特徴とするウェ
ーハ研削方法。 - 【請求項５】 研削能力が低下してなる第１の研削砥石
(7) と第２の研削砥石(7) を再生するドレッシング工程
において、両方の研削面を同一平面上に置き同時にドレ
ッシングする請求項２乃至請求項４記載のウェーハ研削
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19758993A JPH0758068A (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | ウェーハ研削装置と研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19758993A JPH0758068A (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | ウェーハ研削装置と研削方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758068A true JPH0758068A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16377006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19758993A Withdrawn JPH0758068A (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | ウェーハ研削装置と研削方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758068A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006072452A1 (de) * | 2004-12-30 | 2006-07-13 | Supfina Grieshaber Gmbh & Co .Kg | Vorrichtung und verfahren zum polieren von wafer mit in schaumplastomer gebundenem korn |
| CN100421223C (zh) * | 2004-02-05 | 2008-09-24 | 硅电子股份公司 | 半导体晶片,生产半导体晶片的装置及方法 |
| JP2011131291A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置及び該研削装置を使用したウエーハの研削方法 |
| JP2014042950A (ja) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
| WO2019013037A1 (ja) * | 2017-07-12 | 2019-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 研削装置、研削方法及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP2021142603A (ja) * | 2020-03-12 | 2021-09-24 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
-
1993
- 1993-08-10 JP JP19758993A patent/JPH0758068A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100421223C (zh) * | 2004-02-05 | 2008-09-24 | 硅电子股份公司 | 半导体晶片,生产半导体晶片的装置及方法 |
| WO2006072452A1 (de) * | 2004-12-30 | 2006-07-13 | Supfina Grieshaber Gmbh & Co .Kg | Vorrichtung und verfahren zum polieren von wafer mit in schaumplastomer gebundenem korn |
| JP2011131291A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置及び該研削装置を使用したウエーハの研削方法 |
| JP2014042950A (ja) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
| WO2019013037A1 (ja) * | 2017-07-12 | 2019-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 研削装置、研削方法及びコンピュータ記憶媒体 |
| CN110809816A (zh) * | 2017-07-12 | 2020-02-18 | 东京毅力科创株式会社 | 磨削装置、磨削方法以及计算机存储介质 |
| JPWO2019013037A1 (ja) * | 2017-07-12 | 2020-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 研削装置、研削方法及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP2021142603A (ja) * | 2020-03-12 | 2021-09-24 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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