JPS6076959A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6076959A JPS6076959A JP58181958A JP18195883A JPS6076959A JP S6076959 A JPS6076959 A JP S6076959A JP 58181958 A JP58181958 A JP 58181958A JP 18195883 A JP18195883 A JP 18195883A JP S6076959 A JPS6076959 A JP S6076959A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- grinding
- chucking
- section
- polishing
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- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
なす方法の改良に関する。
（２）技術の背景
半導体デバイス例えば集積回路などの形成が終了した完
成ウェハは、その背面をビニール製ノテープの粘着面に
はり付けた後、各チップ毎に切断される。そして切断後
は、上記テープを四方に均等に引き伸ばすことにより各
チップの間隔を広げ、次いで位置合せをし、良品チップ
のみを自動的に取り扱うオートボンダーまたはＤＤＢ
（Ｄｉｒｅｃｔ ＤｉｃｅＢｏｎｄｅｒ＞により例えば
リードフレームやステムに取り付けられる。
成ウェハは、その背面をビニール製ノテープの粘着面に
はり付けた後、各チップ毎に切断される。そして切断後
は、上記テープを四方に均等に引き伸ばすことにより各
チップの間隔を広げ、次いで位置合せをし、良品チップ
のみを自動的に取り扱うオートボンダーまたはＤＤＢ
（Ｄｉｒｅｃｔ ＤｉｃｅＢｏｎｄｅｒ＞により例えば
リードフレームやステムに取り付けられる。
ところで、上述したチップの取付けが円滑に行われるた
めには、ウェハの背面が平坦かつ均一であることが要求
される。すなわち、ウェハの背面に凹凸や反りがあると
テープを引き伸ばした時やボンダーによってチップを取
り上げたときのテープの振動により他のチップが剥がれ
たり相対的位置がずれることがあり、チップの取付けに
支障をきたす。そのため、従来テープにはり付ける前に
ウェハ背面を研削、ポリッシュすることが行われている
。
めには、ウェハの背面が平坦かつ均一であることが要求
される。すなわち、ウェハの背面に凹凸や反りがあると
テープを引き伸ばした時やボンダーによってチップを取
り上げたときのテープの振動により他のチップが剥がれ
たり相対的位置がずれることがあり、チップの取付けに
支障をきたす。そのため、従来テープにはり付ける前に
ウェハ背面を研削、ポリッシュすることが行われている
。
（３）従来技術と問題点
研削は例えばレジストで保護されたウェハ表面を真空チ
ャックで保持し、背面を研削機で削る作業によって行わ
れる。研削機はナチュラルダイヤモンドの粉を金属性接
着剤で固めた研削材をアルミニウム製のテーブル面に取
り付けた構成であり、このテーブルを回転してウェハの
背面を研削するものである。
ャックで保持し、背面を研削機で削る作業によって行わ
れる。研削機はナチュラルダイヤモンドの粉を金属性接
着剤で固めた研削材をアルミニウム製のテーブル面に取
り付けた構成であり、このテーブルを回転してウェハの
背面を研削するものである。
研削は目の粗さを換えて数段階にわたって行い、厚さ６
００μｍのウェハを４００μｍ力ぐら２００μｍの均一
な厚さまで削る。しかし研削後の面には研削材の自浄作
用によりできる傷が残ることがあるため、パフと呼称さ
れる人造皮革に例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ２）の粒を用
いてポリッシュを行う。ポリッシュで１〜２μｍ程度ウ
ェハ背面を削ることにより平坦な鏡面が得られる。
００μｍのウェハを４００μｍ力ぐら２００μｍの均一
な厚さまで削る。しかし研削後の面には研削材の自浄作
用によりできる傷が残ることがあるため、パフと呼称さ
れる人造皮革に例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ２）の粒を用
いてポリッシュを行う。ポリッシュで１〜２μｍ程度ウ
ェハ背面を削ることにより平坦な鏡面が得られる。
ところで、従来上述した研削とポリッシュ作業は別工程
、すなわちそれぞれ別の真空チャックを用いて行われて
いたが、特に酸化、化学気相成長法（ＣｖＤ）熱処理を
受けた完成ウェハは熱歪が大きいため背面研削後反りを
生じ、一度真空チャックからウェハを取り外すと再度別
な真空チャックに取り付けることが困難になり、またウ
ェハの口径が大きいほどその取り扱いが難しく真空チャ
ック交換時にウェハが破損する問題があった。
、すなわちそれぞれ別の真空チャックを用いて行われて
いたが、特に酸化、化学気相成長法（ＣｖＤ）熱処理を
受けた完成ウェハは熱歪が大きいため背面研削後反りを
生じ、一度真空チャックからウェハを取り外すと再度別
な真空チャックに取り付けることが困難になり、またウ
ェハの口径が大きいほどその取り扱いが難しく真空チャ
ック交換時にウェハが破損する問題があった。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題点に鑑み、真空チャックを取り
換えることなく研削、ポリッシュを連続して行なえる半
導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
換えることなく研削、ポリッシュを連続して行なえる半
導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、１つの回転台にウェ
ハを保持するチャッキングテーブルを少なくとも１台配
設し、１つのチャッキングテーブルに対して回転台の回
転に伴うそれぞれ異なる位置でウェハのチャッキングテ
ーブルへの取付け、研削、ポリッシュおよび取外しの各
工程を順次行い、また上記各工程においてはチャッキン
グテーブルを回転して複数枚のウェハを順次処理するこ
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供
することによって達成される。
ハを保持するチャッキングテーブルを少なくとも１台配
設し、１つのチャッキングテーブルに対して回転台の回
転に伴うそれぞれ異なる位置でウェハのチャッキングテ
ーブルへの取付け、研削、ポリッシュおよび取外しの各
工程を順次行い、また上記各工程においてはチャッキン
グテーブルを回転して複数枚のウェハを順次処理するこ
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供
することによって達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面により詳説する。
第１図は本発明に係わる研削およびポリッシュ処理方法
の実施に用いる装置の概略平面図で、同図において符号
１は回転台、２はその上に配設されたチャッキングテー
ブル、３はこのチャッキングテーブルに取り付けられた
ウェハ、４は回転台を各チャッキングテーブル毎に区切
るために設けられた壁面を示す。
の実施に用いる装置の概略平面図で、同図において符号
１は回転台、２はその上に配設されたチャッキングテー
ブル、３はこのチャッキングテーブルに取り付けられた
ウェハ、４は回転台を各チャッキングテーブル毎に区切
るために設けられた壁面を示す。
上記回転台１は４つの区画Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄに分れていて
、例えば区画Ａはウェハ３のチャッキングテーブル２へ
の取付けおよび取外しを行うローダー・アンローダ一部
、区画ＢおよびＣはそれぞれ第１および第２の研削部、
そして区画りはポリンシュ部で、各チャンキングテーブ
ル２は回転台１の１／４回転によって４つの区画を順次
移動する。他方、チャッキングテーブル２には例えば５
枚のウェハ３を取り付けることができ、チャ・ノキング
テーブル２自体も回転できるよう構成されている。
、例えば区画Ａはウェハ３のチャッキングテーブル２へ
の取付けおよび取外しを行うローダー・アンローダ一部
、区画ＢおよびＣはそれぞれ第１および第２の研削部、
そして区画りはポリンシュ部で、各チャンキングテーブ
ル２は回転台１の１／４回転によって４つの区画を順次
移動する。他方、チャッキングテーブル２には例えば５
枚のウェハ３を取り付けることができ、チャ・ノキング
テーブル２自体も回転できるよう構成されている。
上述した構成において、ローダー・アンローダ一部Ａで
チャッキングテーブル２に取り付けられたウェハ３は、
回転台１の１／４回転で第１の研削部Ｂに移動し、例え
ば６００番の砥石により研削される。この研削は、最初
のウェハ３の研削が終了したらチャッキングテーブル２
を回転し、次のウェハという順ですべてのウェハ３の研
削を行う。
チャッキングテーブル２に取り付けられたウェハ３は、
回転台１の１／４回転で第１の研削部Ｂに移動し、例え
ば６００番の砥石により研削される。この研削は、最初
のウェハ３の研削が終了したらチャッキングテーブル２
を回転し、次のウェハという順ですべてのウェハ３の研
削を行う。
第１の研削が終了したら再び回転台１を１／４回転して
第２の研削部Ｃに移動し、例えば１７００番の砥石によ
り研削部Ｂの場合と同様にチャッキングテーブル２上の
すべてのウェハ３の研削を順に行う。
第２の研削部Ｃに移動し、例えば１７００番の砥石によ
り研削部Ｂの場合と同様にチャッキングテーブル２上の
すべてのウェハ３の研削を順に行う。
次いでウェハ３は回転台１の １／４回転によりポリッ
シュ部りに移動し、図示せぬポリッシュ部により順々に
みがかれる。上述したすべての工程が終了したウェハ３
はローダ−・アンローダ一部Ａに戻りチャッキングテー
ブル２から順に取り外される。
シュ部りに移動し、図示せぬポリッシュ部により順々に
みがかれる。上述したすべての工程が終了したウェハ３
はローダ−・アンローダ一部Ａに戻りチャッキングテー
ブル２から順に取り外される。
上述した工程はすべてのチャッキングテーブル２につい
て順次行われ、例えば１つのチャッキングテーブル２に
取り付けられたウェハが第１の研前部Ｂで研削されてい
るとき、ローダ−・アンローダ一部へではチャッキング
テーブル２にポリッシュまで終ったウェハ３を取り外し
、次いで新しいウェハを取り付ける操作が行われる。そ
してこのようなすべての操作は通常の技術で自動化する
ことができる。
て順次行われ、例えば１つのチャッキングテーブル２に
取り付けられたウェハが第１の研前部Ｂで研削されてい
るとき、ローダ−・アンローダ一部へではチャッキング
テーブル２にポリッシュまで終ったウェハ３を取り外し
、次いで新しいウェハを取り付ける操作が行われる。そ
してこのようなすべての操作は通常の技術で自動化する
ことができる。
かくしてウェハを１つのチャッキングテーブル２に取り
付けたまま研削およびポリッシュが連続かつ自動的に行
われる。なお、上記実施例では研削部が２つに分れてい
たが、これに限るものではな（、必要に応じて適宜構成
を換えることができる。
付けたまま研削およびポリッシュが連続かつ自動的に行
われる。なお、上記実施例では研削部が２つに分れてい
たが、これに限るものではな（、必要に応じて適宜構成
を換えることができる。
第２図は上記回転台１のポリッシュ部りの概略断面図で
、同図において回転台は省略され、その中心を示す中心
線１０のみを示す。ポリッシュはアルミナの粒を人工皮
革で圧力をかけて摩擦する工程であるが、発生する熱を
取り除く水を必要とするため、第２図に示す如くチャッ
キングテーブル２の周辺部下方に排水溝５を設ける。そ
してノズル９からはアルミナの粉を含む水溶液が供給さ
れ、同時に人工皮革８をつけた回転板７が降下してウェ
ハ背面をポリッシュする。なお使用された水溶液は排水
口６から排水しリサイクルして再度利用する。なおウェ
ハ３はチャッキングテーブル２の回転により順次回転板
７の下に移動しポリッシュされる。
、同図において回転台は省略され、その中心を示す中心
線１０のみを示す。ポリッシュはアルミナの粒を人工皮
革で圧力をかけて摩擦する工程であるが、発生する熱を
取り除く水を必要とするため、第２図に示す如くチャッ
キングテーブル２の周辺部下方に排水溝５を設ける。そ
してノズル９からはアルミナの粉を含む水溶液が供給さ
れ、同時に人工皮革８をつけた回転板７が降下してウェ
ハ背面をポリッシュする。なお使用された水溶液は排水
口６から排水しリサイクルして再度利用する。なおウェ
ハ３はチャッキングテーブル２の回転により順次回転板
７の下に移動しポリッシュされる。
また、研削においても冷却用に多量の水を使用するが、
上記ポリッシュの場合と同様にして排水機構などを設け
る。また各区画は壁面によって仕切られているためアル
ミナの粉が研削に影響することがない。
上記ポリッシュの場合と同様にして排水機構などを設け
る。また各区画は壁面によって仕切られているためアル
ミナの粉が研削に影響することがない。
（７）発明の効果
以上詳細に説明した如く本発明によれば、真空チャック
を交換することなくウェハ背面の研削とポリッシュを連
続して行うことができるため、真空チャック交換に伴う
ウェハの破損が防止でき、また上記連続工程の自動化が
容易となり半導体装置製造における歩留りの向上に効果
大である。
を交換することなくウェハ背面の研削とポリッシュを連
続して行うことができるため、真空チャック交換に伴う
ウェハの破損が防止でき、また上記連続工程の自動化が
容易となり半導体装置製造における歩留りの向上に効果
大である。
Claims (1)
- １つの回転台にウェハを保持するチャッキングテーブル
を少なくとも１台配設し、１つのチャッキングテーブル
に対して回転台の回転に伴うそれぞれ異なる位置でウェ
ハのチャッキングテーブルへの取付け、研削、ポリッシ
ュおよび取外しの各工程を順次行い、また上記各工程に
おいてはチャッキングテーブルを回転して複数枚のウェ
ハを順次処理することを含むことを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181958A JPS6076959A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181958A JPS6076959A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076959A true JPS6076959A (ja) | 1985-05-01 |
Family
ID=16109843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58181958A Pending JPS6076959A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076959A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6431964B1 (en) | 1999-01-06 | 2002-08-13 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Planarization apparatus and method |
| JP2003007661A (ja) * | 1999-01-06 | 2003-01-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 平面加工装置及び平面加工方法 |
| US7238087B1 (en) | 2006-03-29 | 2007-07-03 | Okamoto Machine Tool Works, Ltd. | Planarizing device and a planarization method for semiconductor substrates |
| JP2012080042A (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-19 | Mat Inc | 表面加工装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5834751A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-03-01 | Hitachi Seiko Ltd | ウエハ研削盤 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58181958A patent/JPS6076959A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5834751A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-03-01 | Hitachi Seiko Ltd | ウエハ研削盤 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6431964B1 (en) | 1999-01-06 | 2002-08-13 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Planarization apparatus and method |
| JP2003007661A (ja) * | 1999-01-06 | 2003-01-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 平面加工装置及び平面加工方法 |
| US6910943B2 (en) | 1999-01-06 | 2005-06-28 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Planarization apparatus and method |
| US7238087B1 (en) | 2006-03-29 | 2007-07-03 | Okamoto Machine Tool Works, Ltd. | Planarizing device and a planarization method for semiconductor substrates |
| JP2012080042A (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-19 | Mat Inc | 表面加工装置 |
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