JPH0677188A - 半導体ウエハの面取加工装置 - Google Patents
半導体ウエハの面取加工装置Info
- Publication number
- JPH0677188A JPH0677188A JP22710892A JP22710892A JPH0677188A JP H0677188 A JPH0677188 A JP H0677188A JP 22710892 A JP22710892 A JP 22710892A JP 22710892 A JP22710892 A JP 22710892A JP H0677188 A JPH0677188 A JP H0677188A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- semiconductor wafer
- chamfering
- polishing
- brush
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ウエハの面取加工において、治具の交換頻度が
少なく、なめらかな滑面を容易に得る。 【構成】直径６インチの多数の半導体用シリコンウエハ
８を保持具１、２で挾持して回転数１００ｒ．ｐ．ｍ．
で回転させ、ナイロン製の砥粒入りブラシ１０を用い、
＃２０００の砥粒を２０重量％含む水をポリシングスラ
リーとしてノズル９から供給してウエハ８の面取加工を
行った。
少なく、なめらかな滑面を容易に得る。 【構成】直径６インチの多数の半導体用シリコンウエハ
８を保持具１、２で挾持して回転数１００ｒ．ｐ．ｍ．
で回転させ、ナイロン製の砥粒入りブラシ１０を用い、
＃２０００の砥粒を２０重量％含む水をポリシングスラ
リーとしてノズル９から供給してウエハ８の面取加工を
行った。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハの面取加工
装置に関するものである。
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハの周辺部は従来からカケ、
チップ等の機械的損傷を防ぐために、面取加工が行われ
ている。従来の面取加工は砥石を使った機械的研削であ
るために、加工硬化層が残留し、その後エッチング工程
を経た後もエッチング面歪が残留しており、またデバイ
ス作成工程に投入した後もウエハが自動搬送機のストッ
パに接触した場合にウエハの周辺面取部からの発塵があ
り問題となっている。
チップ等の機械的損傷を防ぐために、面取加工が行われ
ている。従来の面取加工は砥石を使った機械的研削であ
るために、加工硬化層が残留し、その後エッチング工程
を経た後もエッチング面歪が残留しており、またデバイ
ス作成工程に投入した後もウエハが自動搬送機のストッ
パに接触した場合にウエハの周辺面取部からの発塵があ
り問題となっている。
【０００３】そこで、従来の機械式倣い面取を終了した
後にメカノケミカル方式を用いて面取部を滑面にする方
法が考えられるが、図２に半導体ウエハ８の周縁部断面
図を示すように、半導体ウエハ８の面取部はウエハ側面
６は面取テーパ部１１ａ、１１ｂ、ウエハ端面は面取端
面部１２から構成されており、効率的な滑面化処理は困
難である。
後にメカノケミカル方式を用いて面取部を滑面にする方
法が考えられるが、図２に半導体ウエハ８の周縁部断面
図を示すように、半導体ウエハ８の面取部はウエハ側面
６は面取テーパ部１１ａ、１１ｂ、ウエハ端面は面取端
面部１２から構成されており、効率的な滑面化処理は困
難である。
【０００４】図３ウエハ８の端面を研磨する総形面取機
７の一部を示す。このような総形面取機では、図２に示
す面取テーパ部１１ａ、１１ｂを同時に滑面化処理する
ことができるが、面取部の総形に合わせた専用治具を作
る必要があり、またこの専用治具の寿命が短いという欠
点があった。
７の一部を示す。このような総形面取機では、図２に示
す面取テーパ部１１ａ、１１ｂを同時に滑面化処理する
ことができるが、面取部の総形に合わせた専用治具を作
る必要があり、またこの専用治具の寿命が短いという欠
点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述の現状
に鑑み、ウエハの面取加工、滑面化処理を容易に行うこ
とができ、治具の交換頻度が少なく、なめらかな滑面を
得ることができ、かつ安価である面取加工装置を提供す
るものである。
に鑑み、ウエハの面取加工、滑面化処理を容易に行うこ
とができ、治具の交換頻度が少なく、なめらかな滑面を
得ることができ、かつ安価である面取加工装置を提供す
るものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は半導体ウエハ周
辺部を研磨して面取加工する装置において、軸心を一致
させて重ねた多数枚の半導体ウエハを挾持して回転させ
る保持具と、この回転する半導体ウエハの周辺部に接触
する刷毛と、ポリシングスラリー供給口と、研磨部をリ
ンスする液体噴出ノズルを備えたことを特徴とする半導
体ウエハの面取加工装置である。
辺部を研磨して面取加工する装置において、軸心を一致
させて重ねた多数枚の半導体ウエハを挾持して回転させ
る保持具と、この回転する半導体ウエハの周辺部に接触
する刷毛と、ポリシングスラリー供給口と、研磨部をリ
ンスする液体噴出ノズルを備えたことを特徴とする半導
体ウエハの面取加工装置である。
【０００７】
【作用】本発明を図１にしたがって以下に説明する。数
枚から百数十枚の半導体ウエハ８を重ね両側より保持具
１、２で挾持する。保持具１、２は回転体４に接続され
矢印５の方向に回転し、ウエハ８を回転させる。これ
に、ポリシング用スラリーノズル９を備えた刷毛３をウ
エハ８に接触させる。
枚から百数十枚の半導体ウエハ８を重ね両側より保持具
１、２で挾持する。保持具１、２は回転体４に接続され
矢印５の方向に回転し、ウエハ８を回転させる。これ
に、ポリシング用スラリーノズル９を備えた刷毛３をウ
エハ８に接触させる。
【０００８】刷毛３からはポリシングスラリーが流れ、
ブラシ１０が半導体ウエハ８の面取テーパ部１１ａ、１
１ｂ、面取端面部１２（図２）に接触し、面取テーパ
部、面取端面部が滑面化処理される。滑面化処理された
半導体ウエハ８は、刷毛３の先端側より噴出される純水
によってリンスされる。
ブラシ１０が半導体ウエハ８の面取テーパ部１１ａ、１
１ｂ、面取端面部１２（図２）に接触し、面取テーパ
部、面取端面部が滑面化処理される。滑面化処理された
半導体ウエハ８は、刷毛３の先端側より噴出される純水
によってリンスされる。
【０００９】
【実施例】直径６インチの半導体用シリコンウエハで、
面取テーパ（図２に示すθ1 ）が１１°と２２°である
ウエハ周辺部の研磨・面取加工を、図３に示す従来の総
形面取機及び図１に示す本発明に係る面取加工装置とで
行った。ブラシにはナイロン製の砥粒入りブラシを用い
た。ウエハの回転数は１００ｒ．ｐ．ｍ．とした。ポリ
シングスラリーは＃２０００の砥粒を２０重量％含む水
を用いた。
面取テーパ（図２に示すθ1 ）が１１°と２２°である
ウエハ周辺部の研磨・面取加工を、図３に示す従来の総
形面取機及び図１に示す本発明に係る面取加工装置とで
行った。ブラシにはナイロン製の砥粒入りブラシを用い
た。ウエハの回転数は１００ｒ．ｐ．ｍ．とした。ポリ
シングスラリーは＃２０００の砥粒を２０重量％含む水
を用いた。
【００１０】総形面取機の場合には、専用治具を作成し
て使用したが治具の寿命が短く、ウエハ数十枚で１回の
治具交換が必要であった。一方、本発明に係る面取加工
装置では多数のウエハを同時に加工することができ、製
造コストは非常に安くかつ総形面取機に比べ研磨治具で
ある回転研磨体の寿命が長く大幅なコストダウンを達成
することができた。
て使用したが治具の寿命が短く、ウエハ数十枚で１回の
治具交換が必要であった。一方、本発明に係る面取加工
装置では多数のウエハを同時に加工することができ、製
造コストは非常に安くかつ総形面取機に比べ研磨治具で
ある回転研磨体の寿命が長く大幅なコストダウンを達成
することができた。
【００１１】
【発明の効果】本発明の装置によれば、半導体ウエハの
面取部を円滑な曲面に容易に成形することができ、ウエ
ハの周縁部の機械的破損がなくなった。
面取部を円滑な曲面に容易に成形することができ、ウエ
ハの周縁部の機械的破損がなくなった。
【図１】本発明に係る装置の正面図である。
【図２】半導体ウエハの周端面部の断面図である。
【図３】総形面取機の説明図である。
１、２ 保持具 ３ 刷毛 ４ 回転体 ５ 回転方向 ６ ウエハ側面 ７ 総形面取機 ８ ウエハ ９ ノズル １０ ブラシ １１ａ、１１ｂ 面取テーパ部 １２ 面取端面部
Claims (1)
- 【請求項１】 軸心を一致させて重ねた多数枚の半導体
ウエハを挾持して回転させる保持具と、回転する半導体
ウエハの周辺部に接触して研磨する刷毛と、ポリシング
スラリー供給口と、研磨部をリンスする液体噴出ノズル
とを備えたことを特徴とする半導体ウエハの面取加工装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22710892A JPH0677188A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 半導体ウエハの面取加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22710892A JPH0677188A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 半導体ウエハの面取加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677188A true JPH0677188A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16855608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22710892A Withdrawn JPH0677188A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 半導体ウエハの面取加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677188A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0663264A1 (en) * | 1994-01-04 | 1995-07-19 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer edge polishing system and method |
| JPH11349354A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-21 | Nikon Corp | 情報記録媒体用基板及びその製造方法 |
| JP2009536457A (ja) * | 2006-05-05 | 2009-10-08 | ラム リサーチ コーポレーション | 孤立ベベルエッジ洗浄用の方法及び装置 |
| JP2013043246A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Kyocera Crystal Device Corp | 水晶片の形成方法 |
-
1992
- 1992-08-26 JP JP22710892A patent/JPH0677188A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0663264A1 (en) * | 1994-01-04 | 1995-07-19 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer edge polishing system and method |
| US5595522A (en) * | 1994-01-04 | 1997-01-21 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer edge polishing system and method |
| JPH11349354A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-21 | Nikon Corp | 情報記録媒体用基板及びその製造方法 |
| JP2009536457A (ja) * | 2006-05-05 | 2009-10-08 | ラム リサーチ コーポレーション | 孤立ベベルエッジ洗浄用の方法及び装置 |
| KR101379570B1 (ko) * | 2006-05-05 | 2014-03-31 | 램 리써치 코포레이션 | 격리된 베벨 에지 세정을 위한 방법 및 장치 |
| JP2013043246A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Kyocera Crystal Device Corp | 水晶片の形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |