JPH1142540A - 半導体ウェーハの加工方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体ウェーハの裏面研削時に生成された加工
変質層を、半導体ウェーハを破損させることなく除去す
る。 【解決手段】本発明は、まず、半導体ウェーハ２２を吸
着テーブル１２に保持させて、半導体ウェーハ２２の裏
面２２Ｂをカップ型砥石２４によって研削加工する。そ
して、研削加工終了後、吸着テーブル１２で半導体ウェ
ーハ２２を保持した状態で、半導体ウェーハ２２の裏面
２２Ｂを研磨布４２で研磨加工する。本発明は、共通の
吸着テーブル１２で保持した状態で研磨するので、半導
体ウェーハ２２を破損させることなく加工変質層を除去
することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハの加
工方法及びその装置に係り、特に半導体ウェーハの製造
最終工程で半導体ウェーハの裏面を研削加工する加工方
法及びその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウェーハの製造最終工程では、半
導体ウェーハの裏面研削加工が行われている。裏面研削
終了した半導体ウェーハは、酸化膜形成処理等のウェー
ハ処理が施された後、ダイシング工程に送られる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体ウェーハの加工方法では、半導体ウェーハの裏面
研削に起因して半導体ウェーハの裏面に加工変質層が生
成され、この加工変質層によって半導体ウェーハが破損
する場合があるという欠点がある。このような不具合
は、半導体ウェーハの研削加工終了後に、この半導体ウ
ェーハを研削装置から研磨装置に移送し、そして研磨装
置で裏面を研磨して加工変質層を除去することにより防
止できる。しかし、この方法では、移送時に半導体ウェ
ーハが破損したり、半導体ウェーハを研磨装置に保持さ
せる際に破損したりするという欠点がある。

【０００４】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、半導体ウェーハを破損させることなく加工変
質層を除去することができる半導体ウェーハの加工方法
及びその装置を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決する為の手段】本発明は、前記目的を達成
するために、半導体ウェーハをテーブルで保持して該半
導体ウェーハの片面を研削用砥石で研削加工し、研削加
工終了後、前記半導体ウェーハを、共通の前記テーブル
で保持した状態で、該半導体ウェーハの片面を研磨体で
研磨加工することを特徴としている。

【０００６】また、本発明は、前記目的を達成するため
に、半導体ウェーハを保持するテーブルと、前記テーブ
ルに保持された前記半導体ウェーハの片面に押し付けら
れて、該半導体ウェーハの片面を研削加工する研削用砥
石と、前記テーブルに保持された前記半導体ウェーハの
片面に押し付けられて、該半導体ウェーハの片面を研磨
加工する研磨体と、を備え、前記研削用砥石による研削
加工終了後、共通の前記テーブルで半導体ウェーハを保
持した状態で、半導体ウェーハの片面を前記研磨体で研
磨加工することを特徴としている。

【０００７】本発明によれば、まず、半導体ウェーハを
テーブルに保持させて、半導体ウェーハの片面を研削用
砥石によって研削加工する。そして、研削加工終了後、
前記テーブルで半導体ウェーハを保持した状態で、半導
体ウェーハの片面を研磨体で研磨加工する。このよう
に、本発明は、研削加工終了した半導体ウェーハを研磨
装置に移送することなく、共通のテーブルで保持した状
態で研磨するようにしたので、半導体ウェーハを破損さ
せることなく加工変質層を除去することができる。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
る半導体ウェーハの加工方法及びその装置の好ましい実
施の形態について詳説する。図１は、本発明の実施の形
態の半導体ウェーハの加工装置を示す全体構造図であ
る。同図に示す半導体ウェーハの加工装置１０は、主と
して吸着テーブル１２、研削装置１４、及び研削装置１
６から構成される。

【０００９】前記吸着テーブル１２は円盤状に形成さ
れ、その下面にモータ１８の出力軸２０が吸着テーブル
１２の中心軸と同軸上に取り付けられている。この吸着
テーブル１２は、モータ１８の駆動力によって図中矢印
Ａ方向に回転される。また、吸着テーブル１２の上面に
は、図示しないバッキングプレートが設けられ、このバ
ッキングプレートに半導体ウェーハ２２の表面２２Ａが
吸着されている。これにより、半導体ウェーハ２２は、
吸着テーブル１２上に保持されて、吸着テーブル１２と
共に回転される。

【００１０】前記研削装置１４は、カップ型砥石２４、
モータ２６、及びエアシリンダ２８等から構成される。
前記カップ型砥石２４は、吸着テーブル１２で吸着保持
された半導体ウェーハ２２の裏面２２Ｂを研削加工する
砥石であり、砥石部分２５を下向きにして設けられてい
る。また、カップ型砥石２４は、上面にモータ２６の出
力軸３０がカップ型砥石２４の中心軸と同軸上に取り付
けられ、このモータ２６の駆動力によって図中矢印Ｂ方
向に回転される。

【００１１】前記モータ２６の上部には、エアシリンダ
２８のピストン３２が取り付けられている。したがっ
て、エアシリンダ２８を駆動してピストン３２を伸縮動
作させると、カップ型砥石２４を半導体ウェーハ２２に
対して進退移動させることができる。よって、カップ型
砥石２４を半導体ウェーハ２２の裏面２２Ｂに押圧当接
させて送り動作させることにより、半導体ウェーハ２２
の裏面２２Ｂをカップ型砥石２４で研削することができ
る。

【００１２】前記エアシリンダ２８は、Ｌ字状に形成さ
れた支柱３４上に固定されている。この支柱３４は、加
工装置本体１１上に形成されたガイド溝３６に摺動自在
に支持され、吸着テーブル１２に対して進退移動自在に
設けられている。したがって、研削装置１４全体が半導
体ウェーハ２２の研削位置に対して進退移動するように
構成されている。また、前記支柱３４には、エアシリン
ダ３８のピストン４０が接続されている。よって、前記
ピストン４０を伸長（図１の状態）させると、研削装置
１４全体が半導体ウェーハ２２の研削位置に進出移動
し、ピストン４０を収縮（図２の状態）させると、研削
装置１４全体が半導体ウェーハ２２の研削位置から退避
移動する。

【００１３】前記研磨装置１６は、研磨布４２、モータ
４４、及びエアシリンダ４６等から構成される。前記研
磨布４２は、吸着テーブル１２で吸着保持された半導体
ウェーハ２２の裏面２２Ｂを研磨加工する研磨体であ
り、図示しないノズルから半導体ウェーハ２２の裏面２
２Ｂに純水を供給して研磨する。なお、本実施の形態で
は、研磨体として研磨布４２を適用したが、これに限ら
れるものではなく、研磨体として研磨砥石を適用しても
良い。この場合には、スラリーを供給しながら半導体ウ
ェーハ２２の裏面２２Ｂを研磨する。

【００１４】研磨布４２は定盤４８の下面に設けられ、
この定盤４８の上面にはモータ４４の出力軸５０が定盤
４８の中心軸と同軸上に取り付けられている。したがっ
て、研磨布４２は、モータ４４の駆動力によって図中矢
印Ｃ方向に回転される。モータ４４の上部には、エアシ
リンダ４６のピストン５２が取り付けられている。した
がって、エアシリンダ４６を駆動してピストン５２を伸
縮動作させると、研磨布４２を半導体ウェーハ２２に対
して進退移動させることができる。よって、研磨布４２
を半導体ウェーハ２２の裏面２２Ｂに押圧当接させるこ
とにより、半導体ウェーハ２２の裏面２２Ｂを研磨布４
２で研磨することができる。

【００１５】前記エアシリンダ４６は、Ｌ字状に形成さ
れた支柱５４上に固定されている。支柱５４は、加工装
置本体１１上に形成されたガイド溝５６に摺動自在に支
持され、吸着テーブル１２に対して進退移動自在に設け
られている。したがって、研磨装置１６全体が半導体ウ
ェーハ２２の研磨位置に対して進退移動するように構成
されている。また、支柱５４には、エアシリンダ５８の
ピストン６０が接続されている。よって、ピストン６０
を収縮（図１の状態）させると、研磨装置１６全体が半
導体ウェーハ２２の研磨位置から退避移動し、ピストン
６０を伸長（図２の状態）させると、研磨装置１６全体
が半導体ウェーハ２２の研磨位置に進出移動する。

【００１６】次に、前記の如く構成された半導体ウェー
ハの加工装置１０の作用について説明する。図１に示す
ように、まず、加工対象の半導体ウェーハ２２をその表
面２２Ａを下向きにして吸着テーブル１２の上面に吸着
保持させる。次に、半導体ウェーハ２２をモータ１８で
回転させると共に、カップ型砥石２４をモータ２６で回
転させる。次いで、カップ型砥石２４を、エアシリンダ
２８のピストン３２を伸長させることにより下降移動さ
せて、カップ型砥石２４の砥石部分２５を半導体ウェー
ハ２２の裏面２２Ｂに押圧当接させる。これにより、カ
ップ型砥石２４による裏面研削が開始される。

【００１７】そして、裏面２２Ｂの研削加工が終了する
と、まず、モータ２６を停止してカップ型砥石２４の回
転を停止させる。次に、ピストン３２を収縮させてカッ
プ型砥石２４を半導体ウェーハ２２から退避移動させ
る。次いで、エアシリンダ３８のピストン４０を収縮さ
せてカップ型砥石２４を研削位置から図中右方向に所定
量退避移動させる。これにより、研削装置１４による研
削工程が終了する。

【００１８】次に、研磨装置１６による研磨加工を行う
場合には、半導体ウェーハ２２を吸着テーブル１２で吸
着した状態で、まず、図示しない洗浄ノズルから半導体
ウェーハ２２の裏面２２Ｂに洗浄液を噴射して、裏面２
２Ｂ上の研削屑等のごみを洗い流す。そして、裏面２２
Ｂの洗浄が終了すると、まず、エアシリンダ５８のピス
トン５０を伸長させて研磨布４２を退避位置から図中右
方向に所定量進出移動させて、研磨布４２を半導体ウェ
ーハ２２の研磨位置の上方に位置させる。次に、エアシ
リンダ４６のピストン５２を伸長させて研磨布４２を、
回転中の半導体ウェーハ２２の裏面２２Ａに押圧当接さ
せると共に、モータ４４を駆動して研磨布４２を回転さ
せる。この状態が図２に示されている。これにより、研
磨布４２による研磨が開始される。

【００１９】そして、研磨布２２による研磨加工が終了
すると、モータ４４を停止して研磨布４２の回転を停止
させ、ピストン５２を収縮させて研磨布４２を半導体ウ
ェーハ２２の上方に退避移動させ、エアシリンダ５８の
ピストン６０を収縮させて研磨布４２を研磨位置から図
中左右方向に退避移動させる。これにより、研磨装置１
４による研磨工程が終了する。

【００２０】研磨終了した半導体ウェーハ２２は、吸着
テーブル１２から取り外されて、ウェーハ処理工程等の
次工程に移送される。この移送時において、半導体ウェ
ーハ２２は、研削時に生成された裏面２２Ｂの加工変質
層が研磨布４２によって除去されているので破損しな
い。本実施の形態では、研削加工終了した半導体ウェー
ハ２２を研磨装置に移送することなく、共通の吸着テー
ブル１２で保持した状態で研磨布４２により研磨するよ
うにしたので、半導体ウェーハ２２を破損させることな
く加工変質層を除去することができる。

【００２１】

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
ウェーハの加工方法及びその装置によれば、研削加工終
了した半導体ウェーハを研磨装置に移送することなく、
共通のテーブルで保持した状態で研磨するようにしたの
で、半導体ウェーハを破損させることなく加工変質層を
除去することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る半導体ウェーハの加
工装置で研削加工を実施している状態を示す全体図

【図２】本発明の実施の形態に係る半導体ウェーハの加
工装置で研磨加工を実施している状態を示す全体図

【符号の説明】

１０…半導体ウェーハの加工装置 １２…吸着テーブル １４…研削装置 １６…研磨装置 ２２…半導体ウェーハ ２４…カップ型砥石（研削用砥石） ４２…研磨布（研磨体）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体ウェーハをテーブルで保持して該半
   導体ウェーハの片面を研削用砥石で研削加工し、 研削加工終了後、前記半導体ウェーハを、共通の前記テ
   ーブルで保持した状態で、該半導体ウェーハの片面を研
   磨体で研磨加工することを特徴とする半導体ウェーハの
   加工方法。
2. 【請求項２】半導体ウェーハを保持するテーブルと、 前記テーブルに保持された前記半導体ウェーハの片面に
   押し付けられて、該半導体ウェーハの片面を研削加工す
   る研削用砥石と、 前記テーブルに保持された前記半導体ウェーハの片面に
   押し付けられて、該半導体ウェーハの片面を研磨加工す
   る研磨体と、 を備え、前記研削用砥石による研削加工終了後、共通の
   前記テーブルで半導体ウェーハを保持した状態で、半導
   体ウェーハの片面を前記研磨体で研磨加工することを特
   徴とする半導体ウェーハの加工装置。