KR101362243B1 - 반도체 패키지 슬리밍장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 패키지 슬리밍장치 관한 것으로서, 보다 상세하게는 테이블의 진공홈 내부에 돌기를 형성함으로써, 반도체 패키지를 평탄하게 흡착할 수 있는 반도체 패키지 슬리밍장치에 관한 것이다.
본 발명에 의한 반도체 패키지를 슬림화하는 장치는 상기 반도체 패키지를 흡착하도록 복수개의 진공홈이 형성되는 테이블; 및 상기 테이블에 흡착된 반도체 패키지를 연마하는 연마수단;을 포함하며, 상기 진공홈에는 돌기가 더 형성되는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 패키지 슬리밍장치{SEMICONDUCTOR PACKAGE SLIMING APPARATUS}
본 발명은 반도체 패키지 슬리밍장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 테이블의 진공홈 내부에 돌기를 형성함으로써, 반도체 패키지를 평탄하게 흡착할 수 있는 반도체 패키지 슬리밍장치에 관한 것이다.
최근 들어, 반도체 소자 제조 기술의 개발에 따라, 단시간 내에 보다 많은 데이터를 처리하기에 적합한 반도체소자를 갖는 반도체 패키지들이 개발되고 있다.
반도체 패키지는 리드프레임 또는 인쇄회로기판과 같은 기판자재(Substrate)의 패드 상에 반도체칩을 다이본딩하고 리드프레임의 리드 또는 인쇄회로기판의 단자와 반도체칩을 와이어 본딩한 후, 상기 본딩된 반도체칩 및 와이어의 연결부위를 보호하기 위해 그 주위를 수지(Epoxy Molding Compound ; EMC)로 몰딩한 것을 가리킨다.
도 1 및 도 2는 일반적인 반도체 패키지(100)를 도시한 것이다. 도시된 바와 같이, 인쇄회로기판(110)상에 반도체칩(120)이 와이어 본딩되고, 몰딩부(130)가 형성된 것을 알 수 있다. 반도체 칩(120)은 웨이퍼(121)와 와이어본더(122)를 포함한다.
그러나, 적층된 반도체 칩(120)들의 신호전달을 위해 인쇄회로기판(110)이나 리드 프레임을 이용하고, 또한 반도체 칩(120)을 보호하기 위해 수지로 몰딩한 몰딩부(130)의 형성이 불가피해 반도체 패키지(100)의 전체 두께(t0)가 상승하는 문제가 있다.
최근에는 전자기기의 소형화(Minimization) 및 정보통신 기기의 두께 슬림(Slim)화 추세에 대응하기 어려운 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 테이블의 진공홈 내부에 돌기를 형성함으로써, 반도체 패키지를 평탄하게 흡착할 수 있는 반도체 패키지 슬리밍장치를 제공함에 있다.
위와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 의한 반도체 패키지를 슬림화하는 장치는 상기 반도체 패키지를 흡착하도록 복수개의 진공홈이 형성되는 테이블; 및 상기 테이블에 흡착된 반도체 패키지를 연마하는 연마수단;을 포함하며, 상기 진공홈에는 적어도 1 이상의 돌기가 더 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 진공홈에는 적어도 1 이상의 진공홀이 형성되는 것이 바람직하다.
또한 상기 진공홀을 통해 진공압을 인가하는 진공수단이 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 돌기는 원기둥 또는 다각기둥 형태로 형성되는 것이 바람직하다.
또한 상기 돌기는 상기 진공홈의 중심부에 형성되는 것이 바람직하다.
또한 상기 돌기는 상기 진공홈의 깊이와 동일한 것이 바람직하다.
또한 상기 연마수단은, 상기 반도체 패키지를 연마하여 슬림하게 하는 연마지석과, 상기 연마지석을 회전시키는 스핀들을 포함하는 것이 바람직하다.
또한 상기 연마지석은 상기 반도체 패키지의 몰딩면을 연마하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 테이블의 진공홈 내부에 돌기를 형성함으로써, 반도체 패키지를 평탄하게 흡착할 수 있는 효과가 있다.
따라서 반도체 패키지를 균일한 두께로 연마할 수 있는 효과가 있다.
또한 반도체 패키지의 몰딩면을 연마하여 반도체 패키지의 두께를 용이하게 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 몰딩면을 연마하여 두께를 감소시킴으로써, 방열기능이 향상되는 효과도 있다.
도 1은 일반적인 반도체 패키지를 나타낸 것이다.
도 2는 도 1의 A-A선 단면도를 나타낸 것이다.
도 3 내지 도 8은 본 발명에 의한 슬리밍장치의 구조 및 작동상태를 나타낸 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 슬리밍장치 및 방법을 설명한다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명에 의한 슬리밍장치(1)는 테이블(10)과, 이송수단(30)과 연마수단(20)과 연마량 설정수단(40)을 포함한다.
상기 테이블(10)은 반도체 패키지를 진공흡착하는 구성요소로서, 반도체 패키지보다 큰 면적을 갖는 플레이트 형태로서, 복수개의 진공홈(11)이 형성되어 있다. 또한 상기 진공홈(11)에는 복수의 진공홀(12)이 형성되어 있는데, 진공홀(12)은 진공압이 인가되는 진공수단(미도시)에 연결된다.
상기 이송수단(30)은 테이블(10)을 수평왕복운동시키는 구성요소이다. 상기 이송수단(30)은 상기 테이블(10)을 지지한 상태에서 구동원(미도시)에 의해 작동되어 안내부를 따라 수평왕복운동한다.
상기 연마수단(20)은 상기 반도체 패키지를 연마하는 연마지석(21)과, 상기 연마지석(21)을 회전시키는 스핀들(22)을 포함한다.
또한 연마량 설정수단(40)은 연마지석을 승강하여 연마량을 설정하는 구성요소이다.
한편, 본 실시예(1)에서는 이송수단(30)이 테이블(100)을 수평왕복운동시키지만, 이와 달리 테이블은 고정되고 연마수단을 수평왕복운동시키는 것도 가능하다. 또한 이송수단은 LM가이드나 에어실린더 등 공지의 수단을 이용할 수 있다.
이하, 슬리밍장치의 작동상태를 설명한다.
도 5를 참조하면, 본 발명은 반도체 패키지(100)의 몰딩면을 연마하여 슬림화한다. 반도체 패키지(100)의 두께 감소량(t1)은 필요에 따라 설정할 수 있는데, 몰딩부(130) 이외에 경우에 따라서는 반도체칩(120)의 웨이퍼(121)의 일부를 연마하는 것도 가능하다.
도 6을 참조하면, 테이블(10)상에 반도체 패키지(100)를 안착하고, 진공홀(12)을 통해 진공압을 인가하게 되면, 진공홈에 진공압이 발생된다. 따라서 반도체 패키지(100)를 진공흡착하여 고정할 수 있는 것이다. 이와 같이 고정된 상태에서 테이블(10)을 수평이동시켜 연마지석(21)을 이용하여 반도체 패키지(100)의 몰딩면을 연마할 수 있는 것이다. 한편, 반도체 패키지를 흡착하게 되면, 진공홈방향으로 밴딩이 발생된다. 즉, 진공홈(11)이 있는 곳에서 반도체 패키지(100)는 부분적으로 처짐이 발생되는 것이다. 이러한 처짐현상으로 인해 연마량이 균일하지 못하는 문제가 있다.
도 7은 본 발명에 의한 테이블(10)을 나타낸 것이다. 도 4에 도시된 테이블과 대비하면, 진공홈(11)의 중심부에 돌기(13)가 형성된 것을 알 수 있다. 상기 돌기(13)는 원기둥 형태이며, 진공홈(11)의 깊이와 동일하게 형성된다.
도 8을 참조하면, 진공홀(12)을 통해 진공압을 인가하여 반도체 패키지(100)를 흡착하면, 상술한 바와 같이, 반도체 패키지(100)가 흡착되면서 반도체 패키지가 처짐이 발생될 수 있다. 그러나 도 8에 도시된 바와 같이, 진공홈(11)의 내부 중심에 돌기(13)가 형성되어 있어 반도체 패키지(100)를 지지하고 있기 때문에 처짐이 발생하지 않는다. 따라서 균일하게 연마할 수 있게 되는 것이다.
본 실시예에서는 인쇄회로기판 상에 반도체칩이 실장된 반도체 패키지를 슬리밍하는 장치 및 방법을 설명하였으나, 본 발명에 의한 슬리밍장치 및 방법은 반도체칩이 리드프레임상에 실장된 반도체 패키지의 슬리밍에도 동일하게 적용할 수 있는 것은 당연하다.
1: 슬리밍장치 10: 테이블
11: 진공홈 12: 진공홀
20: 연마수단 21: 연마지석
22: 스핀들 30: 이송수단
40: 연마량 설정수단

Claims (8)

  1. 반도체 패키지를 슬림화하는 장치에 있어서,
    상기 반도체 패키지를 흡착하도록 복수개의 진공홈이 형성되는 테이블; 및
    상기 테이블에 흡착된 반도체 패키지를 연마하는 연마지석과, 상기 연마지석을 회전시키는 스핀들을 포함하는 연마수단;을 포함하며,
    상기 진공홈에는 적어도 1 이상의 원기둥 또는 다각기둥 형태의 돌기가 형성되고,
    상기 연마지석은 상기 반도체 패키지의 몰딩면을 연마하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 슬리밍장치.


  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 돌기는 상기 진공홈의 중심부에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 슬리밍장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 돌기의 높이는 상기 진공홈의 깊이와 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 슬리밍장치.


  7. 삭제
  8. 삭제
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH1142540A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体ウェーハの加工方法及びその装置
KR20010013142A (ko) * 1997-05-29 2001-02-26 토마스 엔. 터커 선형연마롤러를 구비한 화학기계적 평탄화 장치
KR20050001049A (ko) * 2003-06-26 2005-01-06 삼성전자주식회사 솔더 볼 부착 장치용 반도체 소자 흡착 블록

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010013142A (ko) * 1997-05-29 2001-02-26 토마스 엔. 터커 선형연마롤러를 구비한 화학기계적 평탄화 장치
JPH1142540A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体ウェーハの加工方法及びその装置
KR20050001049A (ko) * 2003-06-26 2005-01-06 삼성전자주식회사 솔더 볼 부착 장치용 반도체 소자 흡착 블록

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