KR101327527B1 - 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법 - Google Patents

반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101327527B1
KR101327527B1 KR1020120028792A KR20120028792A KR101327527B1 KR 101327527 B1 KR101327527 B1 KR 101327527B1 KR 1020120028792 A KR1020120028792 A KR 1020120028792A KR 20120028792 A KR20120028792 A KR 20120028792A KR 101327527 B1 KR101327527 B1 KR 101327527B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor package
vacuum
slimming
polishing
abrasive
Prior art date
Application number
KR1020120028792A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130107028A (ko
Inventor
배기환
김상근
이우동
Original Assignee
주식회사 케이엔제이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이엔제이 filed Critical 주식회사 케이엔제이
Priority to KR1020120028792A priority Critical patent/KR101327527B1/ko
Publication of KR20130107028A publication Critical patent/KR20130107028A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101327527B1 publication Critical patent/KR101327527B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 연마지석에 의해 연마되는 영역을 순간적으로 진공파기함으로써, 연마지석이 가압하는 힘에 의해 반도체 패키지가 연마되는 영역에서 일시적으로 평탄하게 펴지게 되는 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 반도체 패키지를 슬림화하는 장치는 상기 반도체 패키지를 흡착하도록 복수개의 진공홀이 형성되는 테이블; 상기 진공홀에 진공을 인가하는 진공수단; 상기 진공홀들에 연결된 복수개의 진공라인을 개별적으로 개폐하는 진공제어수단; 및 상기 테이블에 흡착된 반도체 패키지를 연마하는 연마수단;을 포함한다.

Description

반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법{SEMICONDUCTOR PACKAGE SLIMING APPARATUS AND METHOD OF THE SAME}
본 발명은 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 연마지석에 의해 연마되는 영역을 순간적으로 진공파기함으로써, 연마지석이 가압하는 힘에 의해 반도체 패키지가 연마되는 영역에서 일시적으로 평탄하게 펴지게 되는 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법에 관한 것이다.
최근 들어, 반도체 소자 제조 기술의 개발에 따라, 단시간 내에 보다 많은 데이터를 처리하기에 적합한 반도체소자를 갖는 반도체 패키지들이 개발되고 있다.
반도체 패키지는 리드프레임 또는 인쇄회로기판과 같은 기판자재(Substrate)의 패드 상에 반도체칩을 다이본딩하고 리드프레임의 리드 또는 인쇄회로기판의 단자와 반도체칩을 와이어 본딩한 후, 상기 본딩된 반도체칩 및 와이어의 연결부위를 보호하기 위해 그 주위를 수지(Epoxy Molding Compound ; EMC)로 몰딩한 것을 가리킨다.
도 1 및 도 2는 일반적인 반도체 패키지(100)를 도시한 것이다. 도시된 바와 같이, 인쇄회로기판(110)상에 반도체칩(120)이 와이어 본딩되고, 몰딩부(130)가 형성된 것을 알 수 있다. 반도체 칩(120)은 웨이퍼(121)와 와이어본더(122)를 포함한다.
그러나, 적층된 반도체 칩(120)들의 신호전달을 위해 인쇄회로기판(110)이나 리드 프레임을 이용하고, 또한 반도체 칩(120)을 보호하기 위해 수지로 몰딩한 몰딩부(130)의 형성이 불가피해 반도체 패키지(100)의 전체 두께(t0)가 상승하는 문제가 있다.
최근에는 전자기기의 소형화(Minimization) 및 정보통신 기기의 두께 슬림(Slim)화 추세에 대응하기 어려운 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 연마지석에 의해 연마되는 영역을 순간적으로 진공파기함으로써, 연마지석이 가압하는 힘에 의해 반도체 패키지가 연마되는 영역에서 일시적으로 평탄하게 펴지게 되는 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법를 제공함에 있다.
위와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 의한 반도체 패키지를 슬림화하는 장치는 상기 반도체 패키지를 흡착하도록 복수개의 진공홀이 형성되는 테이블; 상기 진공홀에 진공을 인가하는 진공수단; 상기 진공홀들에 연결된 복수개의 진공라인을 개별적으로 개폐하는 진공제어수단; 및 상기 테이블에 흡착된 반도체 패키지를 연마하는 연마수단;을 포함한다.
또한 상기 연마수단은, 상기 반도체 패키지를 연마하는 연마지석과, 상기 연마지석을 회전시키는 스핀들을 포함하는 것이 바람직하다.
또한 상기 연마지석은 상기 반도체 패키지의 몰딩면을 연마하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 반도체 패키지를 슬림화하는 방법은 1) 상기 반도체 패키지를 테이블에 흡착하는 단계; 및 2) 상기 테이블 또는 연마지석을 상대적으로 수평이동시키면서 상기 반도체 패키지를 연마하는 단계;를 포함하며, 상기 2)단계는 상기 연마지석이 위치되는 영역의 진공을 파기하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 2)단계는, 상기 연마지석이 상대적으로 이동함에 따라 진공을 파기하는 영역도 이동하는 것이 바람직하다.
또한 진공파기 후, 연마지석이 이동한 구간은 다시 진공을 인가하는 것이 바람직하다.
또한 상기 5)단계는, 상기 반도체 패키지의 몰딩면을 연마하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 연마지석에 의해 연마되는 영역을 순간적으로 진공파기함으로써, 연마지석이 가압하는 힘에 의해 반도체 패키지가 일시적으로 평탄하게 펴지게 되는 효과가 있다.
따라서 반도체 패키지를 균일한 두께로 연마할 수 있는 효과가 있다.
또한 반도체 패키지의 몰딩면을 연마하여 반도체 패키지의 두께를 용이하게 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 몰딩면을 연마하여 두께를 감소시킴으로써, 방열기능이 향상되는 효과도 있다.
도 1은 일반적인 반도체 패키지를 나타낸 것이다.
도 2는 도 1의 A-A선 단면도를 나타낸 것이다.
도 3 내지 도 9는 본 발명에 의한 슬리밍장치의 구조 및 작동상태를 나타낸 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 슬리밍장치 및 방법을 설명한다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명에 의한 슬리밍장치(1)는 테이블(10)과, 이송수단(30)과 연마수단(20)과 승강수단(40)을 포함한다.
상기 테이블(10)은 반도체 패키지를 진공흡착하는 구성요소로서, 반도체 패키지보다 큰 면적을 갖는 플레이트 형태로서, 복수개의 진공홈(11)이 형성되어 있다. 또한 상기 진공홈(11)에는 복수의 진공홀(12)이 형성되어 있는데, 진공홀(12)은 진공압이 인가되는 진공수단(미도시)에 연결된다.
상기 이송수단(30)은 테이블(10)을 수평왕복운동시키는 구성요소이다. 상기 이송수단(30)은 상기 테이블(10)을 지지한 상태에서 구동원(미도시)에 의해 작동되어 안내부를 따라 수평왕복운동한다.
상기 연마수단(20)은 상기 반도체 패키지를 연마하는 연마지석(21)과, 상기 연마지석(21)을 회전시키는 스핀들(22)을 포함한다.
또한 승강수단(40)은 연마지석을 승강하여 연마량을 설정하는 구성요소이다.
특히, 본 실시예는 진공제어수단(미도시)이 구비된다. 진공제어수단은 상기 진공홀(12)들과 진공수단(미도시)을 연결하는 진공라인(미도시)을 개별적으로 개폐하는 구성요소이다. 즉, 테이블 전체적으로 진공을 인가할 수도 있고, 개별적으로 제어하여 특정영역은 진공을 인가하고, 다른 영역을 진공을 파기할 수 있도록 제어되는 것이다.
한편, 본 실시예(1)에서는 이송수단(30)이 테이블(100)을 수평왕복운동시키지만, 이와 달리 테이블은 고정되고 연마수단을 수평왕복운동시키는 것도 가능하다. 또한 이송수단은 LM가이드나 에어실린더 등 공지의 수단을 이용할 수 있다.
이하, 슬리밍장치의 작동상태 및 슬리밍방법을 설명한다.
도 5를 참조하면, 본 발명은 반도체 패키지(100)의 몰딩면을 연마하여 슬림화한다. 반도체 패키지(100)의 두께 감소량(t1)은 필요에 따라 설정할 수 있는데, 몰딩부(130) 이외에 경우에 따라서는 반도체칩(120)의 웨이퍼(121)의 일부를 연마하는 것도 가능하다.
반도체 패키지는 제조공정 중 밴딩되는 등 형태가 변형되는 경우가 있다. 이 경우, 테이블에 흡착을 해도 편평하게 흡착되지 않고 형태가 변형된 채로 흡착된다(도 6 및 도 7의 (a)참조). 이 경우, 연마 후 두께가 불균일한 문제가 있다(도 7의 (b) 참조).
위와 같은 문제점을 개선하기 위하여 연마지석이 위치되어 연마되는 영역에서 반도체 패키지를 순간적으로 진공을 파기한다. 도 8을 참조하면, 연마지석(21)이 위치되어 연마되고 있는 중심영역(120)을 흡착하는 진공홀(12b)의 진공을 파기(해제)한다. 그에 따라 반도체 패키지의 중심영역(120)에는 이웃영역(110,130)과 달리 별다른 외력이 작용하지 않는다. 이 상태에서 연마지석(21)이 반도체 패키지의 중심영역(120)을 하방으로 가압하기 때문에 밴딩된 중심영역(120)은 일시적으로 평탄하게 펴지게 된다. 또한 연마지석(21)이 중심영역(120)의 좌측영역(110)을 연마할 때는 좌측영역(110)을 흡착하는 진공홀(12a)의 진공을 파기하고 중심영역(120)을 흡착하기 위한 진공홀(12b)에는 진공을 인가하는 것이다. 이와 같은 방식으로 연마를 하게 되면, 도 9의 (a)와 같이 밴딩된 반도체 패키지(100)도 두께(t2)가 일정하게 연마할 수 있는 것이다(도 9의 (b)참조).
본 실시예에서는 인쇄회로기판 상에 반도체칩이 실장된 반도체 패키지를 슬리밍하는 장치 및 방법을 설명하였으나, 본 발명에 의한 슬리밍장치 및 방법은 반도체칩이 리드프레임상에 실장된 반도체 패키지의 슬리밍에도 동일하게 적용할 수 있는 것은 당연하다.
1: 슬리밍장치 10: 테이블
11: 진공홈 12: 진공홀
20: 연마수단 21: 연마지석
22: 스핀들 40: 승강수단

Claims (7)

  1. 반도체 패키지를 슬림화하는 장치에 있어서,
    상기 반도체 패키지를 흡착하도록 복수개의 진공홀이 형성되는 테이블;
    상기 진공홀에 진공을 인가하는 진공수단;
    상기 진공홀들에 연결된 복수개의 진공라인을 개별적으로 개폐하는 진공제어수단; 및
    상기 테이블에 흡착된 반도체 패키지를 연마하는 연마수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 슬리밍장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 연마수단은,
    상기 반도체 패키지를 연마하는 연마지석과, 상기 연마지석을 회전시키는 스핀들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 슬리밍장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 연마지석은 상기 반도체 패키지의 몰딩면을 연마하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 슬리밍장치.
  4. 반도체 패키지를 슬림화하는 방법에 있어서,
    1) 상기 반도체 패키지를 테이블에 흡착하는 단계; 및
    2) 상기 테이블 또는 연마지석을 상대적으로 수평이동시키면서 상기 반도체 패키지를 연마하는 단계;를 포함하며,
    상기 2)단계는 상기 연마지석이 위치되는 영역의 진공을 파기하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 슬리밍방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 2)단계는, 상기 연마지석이 상대적으로 이동함에 따라 진공을 파기하는 영역도 이동하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 슬리밍방법.
  6. 제5항에 있어서,
    진공파기 후, 상기 연마지석이 이동한 구간은 다시 진공을 인가하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 슬리밍방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 2)단계는,
    상기 반도체 패키지의 몰딩면을 연마하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 슬리밍방법.
KR1020120028792A 2012-03-21 2012-03-21 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법 KR101327527B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120028792A KR101327527B1 (ko) 2012-03-21 2012-03-21 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120028792A KR101327527B1 (ko) 2012-03-21 2012-03-21 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130107028A KR20130107028A (ko) 2013-10-01
KR101327527B1 true KR101327527B1 (ko) 2013-11-08

Family

ID=49630555

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120028792A KR101327527B1 (ko) 2012-03-21 2012-03-21 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101327527B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1142540A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体ウェーハの加工方法及びその装置
KR20010013142A (ko) * 1997-05-29 2001-02-26 토마스 엔. 터커 선형연마롤러를 구비한 화학기계적 평탄화 장치
KR20050001049A (ko) * 2003-06-26 2005-01-06 삼성전자주식회사 솔더 볼 부착 장치용 반도체 소자 흡착 블록

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010013142A (ko) * 1997-05-29 2001-02-26 토마스 엔. 터커 선형연마롤러를 구비한 화학기계적 평탄화 장치
JPH1142540A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体ウェーハの加工方法及びその装置
KR20050001049A (ko) * 2003-06-26 2005-01-06 삼성전자주식회사 솔더 볼 부착 장치용 반도체 소자 흡착 블록

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130107028A (ko) 2013-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107887283B (zh) 半导体封装的制造方法
US8198175B2 (en) Processing method for package substrate
CN105312974A (zh) 磨削装置以及矩形基板的磨削方法
KR101347026B1 (ko) 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법
JP5840003B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP7193969B2 (ja) 矩形基板の研削方法
KR101464130B1 (ko) 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법
KR101327527B1 (ko) 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법
JP5572241B2 (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
KR101347027B1 (ko) 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법
CN108780772A (zh) 硅通孔芯片的二次封装方法及其二次封装体
KR101347029B1 (ko) 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법
KR101971059B1 (ko) 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법
KR101347030B1 (ko) 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법
KR101448502B1 (ko) 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법
KR101749482B1 (ko) 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법
KR101362243B1 (ko) 반도체 패키지 슬리밍장치
KR101347028B1 (ko) 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법
JP3696900B2 (ja) 電子部品の封止用樹脂を研削するための平面研削装置
KR101762192B1 (ko) 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법
JP2004319779A (ja) 半導体チップ搭載用配線基板及びその製造方法
KR101759125B1 (ko) 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법
US6680221B2 (en) Bare chip mounting method and bare chip mounting system
JP3751631B2 (ja) 電子部品の封止方法
KR20170132051A (ko) 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161107

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee