JP3696900B2 - 電子部品の封止用樹脂を研削するための平面研削装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、電子部品の封止用樹脂を研削するための平面研削装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、総厚の制限が厳しい半導体パッケージを製造するプロセスにおいては、電子部品搭載用基板上に搭載されたICチップやLSIチップ等の電子部品を外部の湿気から保護するために、樹脂による封止が行われることがある。
【0003】
樹脂による封止の方法としては、例えば、ICチップが搭載された基板を金型内にセットした状態でその中に封止用樹脂を注入し、樹脂を所定形状に成形する方法(トランスファ・モールド法)が知られている。
【0004】
また、ICチップが搭載された基板上に一定厚みの封止枠を設け、その枠内にディスペンサ等により封止用樹脂を流し込む方法(ポッティング法)も知られている。 さらに、封止枠を使用しないポッティング法により形成された樹脂の上面を金属製の切削刃を持つ平削り盤等を用いて切削することによって、封止厚みを制御するという封止方法も行われている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のトランスファ・モールド法には、専用の金型や成形を行うための大型の装置等が必要であることから、設備コストが高くなるという欠点がある。
【0006】
ポッティング法には、封止枠が必要であるため基板の材料コストが高くなるという欠点がある。また、ディスペンサによる塗布であるため、一度に処理できる枚数が少なく、生産効率が悪いという欠点もある。
【0007】
ポッティング後に切削を行う方法には、ディスペンサに起因する生産効率の悪さに加えて、封止枠を使用しないことから封止用樹脂の厚み制御や範囲制御が充分にできず、製品の寸法精度が悪くなるという欠点がある。また、封止枠を用いないポッティング法であると樹脂がダレてしまい、どうしても樹脂の厚さばらつきが大きく(通常、±400μm〜±600μm程度)なってしまう。従って、多数個どり基板等の場合には切削すべき量が個々に異なり、充分な切削精度が得られない。その結果として、樹脂を所定の厚さに揃えることができないという欠点がある。
【0008】
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、その第1の目的は、コスト性、生産性及び寸法精度に優れた電子部品の封止方法を実施するうえで好適な封止用樹脂を研削するための平面研削装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、請求項1に記載の発明では、駆動ローラとコンタクトローラとの間に巻き掛けられるとともに、その表面に研磨材が固着された無端状の研磨ベルトと、封止用樹脂が印刷された基板を固定するためのテーブルと、前記研磨ベルトと前記テーブルとを相対的に移動させるための駆動手段と、前記テーブルの上面において開口する吸引孔を介して真空引きを行う真空引き手段と、前記基板と前記テーブルとの間に配置されるとともに、少なくとも電子部品搭載領域の下部と前記吸引孔との間を連通させる連通孔を有する板状治具とを備えた封止用樹脂を研削するための平面研削装置をその要旨としている。
【0013】
請求項2に記載の発明では、請求項1において、少なくとも前記テーブルの上面を鉄製とし、前記板状治具を可撓性を有するマグネットシートとしている。
【0014】
【作用】
請求項1,2に記載の発明によると、吸引孔及び連通孔を介して真空引きがなされることによって基板が板状治具に密着し、その結果として基板がテーブルの上面に確実に固定される。従って、回転する研磨ベルトによる研削を行う際に、高い研削精度が確保される。また、基板とテーブルとの間に板状治具を配置しているため、テーブルの上面に基板が直接的に触れることがない。
【0019】
請求項2に記載の発明によると、磁力によってマグネットシートがテーブルの上面に確実に吸着される。また、この固定方式であると、マグネットシートの着脱が比較的容易である。さらに、可撓性を有するマグネットシートであると、平面研削加工時における衝撃が吸収されるため、基板に傷がつきにくい。
【0020】
【実施例】
〔実施例1〕
以下、本発明をICカード用の半導体パッケージの製造方法に具体化した一実施例を図1〜図8に基づき詳細に説明する。
【0021】
本実施例では、電子部品搭載用基板1に対するダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程及び樹脂封止工程(樹脂印刷工程、樹脂硬化工程及び平面研削工程)を行うことによって、半導体パッケージ2を製造している。各工程について詳しく説明する前に、まず樹脂封止工程において使用される器具・装置等の構成について述べる。
【0022】
この実施例の樹脂封止工程は、主に樹脂印刷工程、樹脂硬化工程及び平面研削工程といった3つの工程からなる。
図3に示されるように、樹脂印刷工程では、樹脂を印刷するための手段として、一般的なスクリーン印刷機3が使用される。スクリーン印刷機3は、印刷時に電子部品搭載用基板1を固定するためのテーブル4、メタルマスク5及びスキージ6等を備えている。メタルマスク5の所定の箇所(即ち、基板1の電子部品搭載領域Rに対応する箇所)には、複数個の供給口5aが形成されている。各供給口5aは、いずれも封止されるべき電子部品であるICチップ7の投影面積(5mm×5mm=25mm2 )よりも大きくなっている。メタルマスク5の厚さは、ICチップ7をワイヤボンディングしたときのワイヤループの高さよりも幾分大きくなるように設定される。この実施例では、メタルマスク5の厚さは500μmに設定されている。ここでは、メタルマスク5の厚さや供給口5aの大きさをあらかじめ設定しておくことにより、樹脂の印刷厚さや印刷範囲が制御されるようになっている。
【0023】
図7には、平面研削工程において使用される湿式かつ砥石車式の平面研削装置8が概略的に示されている。この平面研削装置8は、砥石車9を備える砥石ヘッド10、ベルトコンベア11、砥石ヘッド駆動手段(図示略)、鉄板12を上面に有するテーブル13、真空ポンプ(図示略)、研削液循環パイプ14、板状治具としてのマグネットシート15等を備えている。
【0024】
ベルトコンベア11上には、テーブル13が水平移動可能に載置されている。テーブル13の内部には、テーブル13の外部に設けられた真空ポンプに連通する真空引き用の通路13aが形成されている。テーブル13の上面には、平坦性に優れた鉄板12が固定されている。図6に示されるように、鉄板12には、断面略円形状をした複数の吸引孔16が規則的に形成されている。鉄板12の上面には、板状治具としての可撓性を有するマグネットシート(厚さ約1mm)15が磁力によって吸着されている。マグネットシート15は、例えば磁性粉を含む樹脂ペーストを樹脂やゴム製のベースの表面に塗布すること等によって作製される。このマグネットシート15も鉄板12と同様に平坦性に優れている。マグネットシート15は、その磁性面を下側に向けた状態で鉄板12上に配置される。
【0025】
マグネットシート15には、電子部品搭載領域Rの下部と吸引孔16との間を連通させる複数の連通孔17が形成されている。従って、テーブル13上に鉄板12及びマグネットシート15を配置して真空引きを行うと、連通孔17、吸引孔16及び通路13aを介して空気が排出される。すると、基板1がマグネットシート15に密着し、その結果として基板1がテーブル13の上面に確実に固定されるようになっている。
【0026】
図5,図7に示されるように、ベルトコンベア11の上方には、所定の距離を隔てて、砥石車9を備える砥石ヘッド10が配置されている。砥石ヘッド10は、図示しない高さ調整機構によって、数μmオーダーで位置調整することが可能になっている。砥石ヘッド10には、研磨液循環パイプ14から研削液が供給されるようになっている。また、供給された研削液は、図示しない回収手段、フィルタ及びポンプ等を経て、研削液循環パイプ14内を循環するようになっている。研削液は、回転する砥石車9の摺動抵抗を下げることによって、研削部分の温度上昇を回避するためのものである。
【0027】
図5に示されるように、砥石車9は、結合剤18によって台金19の外周面に研磨材20を固着してなるものである。この実施例では、240番手のCBN(Cubic boron nitride )製の研磨材20を用いた砥石車9、及び400番手のCBN製の研磨材20を用いた砥石車9の2つが使用される。
【0028】
次に、半導体パッケージ2を製造する手順について説明する。図1,図6には、ダイボンディング工程に供される電子部品搭載用基板1が概略的に示されている。この基板(長さ250mm,幅33mm,厚さ150μm)1は、電子部品搭載領域Rを36箇所に備えた、いわゆる多数個どり用のフレキシブル基板である。基板1の下面には導体パターン21が形成されている。導体パターン21には、薄い金めっき(図示略)が施されている。前記導体パターン21の一部は、電子部品搭載領域Rのすぐ周囲に設けられた5つの貫通孔22によって露出されている。即ち、この基板1においては、当該露出部分がボンディングパッド23となっている。
【0029】
ダイボンディング工程では、まず従来公知のダイボンディング装置の印刷手段を用いて、基板1の電子部品搭載領域Rにダイボンディング用樹脂24を印刷する。この実施例では、一般的に使用される絶縁性エポキシ樹脂が選択されている。次に、同じくダイボンディング装置のマウンタを用いて、ICチップ7をダイボンディング用樹脂24上に搭載する。この後、所定温度でのキュアによってダイボンディング用樹脂24を硬化させる。
【0030】
ダイボンディング工程を経た基板1は、次にワイヤボンディング工程を行うためのワイヤボンダに搬送される。ワイヤボンダでは、図2に示されるように、ICチップ7側の図示しない電極と、基板1側のボンディングパッド23とが金ワイヤ25を介して接合される。
【0031】
ワイヤボンディング工程を経た基板1は、次いで上述したスクリーン印刷機3に搬送される。スクリーン印刷機3による樹脂印刷工程では、まずテーブル4上に固定された基板1の上面に、メタルマスク5が密着するように配置される。そして、メタルマスク5の上面に封止用樹脂26を供給した状態で、スキージ6を所定方向に移動させる。すると、移動するスキージ6により供給口5aから封止用樹脂26が押し出され、基板1上の電子部品搭載領域Rに所定量の封止用樹脂26が転写される。その結果、図3に示されるように、ICチップ7、金ワイヤ25及びボンディングパッド23が全体的に樹脂封止される。なお、この実施例では、封止用樹脂26として絶縁性エポキシ樹脂が選択されている。
【0032】
この後、メタルマスク5を取り外し、樹脂硬化工程を行うためのキュア装置において基板1を所定温度で加熱処理する。すると、図4に示されるように、未硬化状態であった封止用樹脂26が、印刷されたときの形状をある程度維持した状態で硬化する。この実施例では、キュア後における封止用樹脂26の設定厚さは600μmであり、設定厚さに対するばらつきは±120μm程度になる。
【0033】
樹脂硬化工程を経た基板1は、次に上述した平面研削装置8に搬送される。平面研削装置8における平面研削工程では、まず鉄板12を備えたテーブル13の上面に、マグネットシート15を介して基板1が固定される。次に、砥石ヘッド10の高さを調整した後、ベルトコンベア11によってテーブル13を水平方向に往復動させる。すると、基板1が砥石ヘッド10の下側を通過するとき、図5に示されるように、回転する砥石車9が基板1の上面に接触する。その結果、突出部分である封止用樹脂26の上面が研磨材20により平らに削り取られる。
【0034】
この実施例では、まず240番手という粗い研磨材20を固着した砥石車9によって荒研削を行った後、400番手という細かい研磨材20を固着した砥石車9によって仕上げ研削が行われる。荒研削では約150μm〜200μm程研削され、仕上げ研削では30μm〜40μm程研削される。その結果、図8に示されるように、封止用樹脂26の最終設定厚さが580μmである半導体パッケージ2が製造される。このとき、最終設定厚さに対する封止用樹脂26のばらつきは±20μm程度になる。また、平面研削された封止用樹脂26の上面の表面粗さは、Ra=0.5μm〜2.5μm,Rmax=5μm〜20μmとなる。
【0035】
以上詳述した半導体パッケージ2の製造方法では、厚さ方向及び平面方向の形成精度に優れたスクリーン印刷法によって、封止用樹脂26の転写を行っている。このため、従来のポッティング法による形成方法に比較して、封止用樹脂26の厚さばらつきが小さくなる。従って、切削すべき量が個々の封止用樹脂26においてほぼ等しくなる。ゆえに、封止用樹脂26の上面を容易にかつ高精度に平面研削することができる。特に、本実施例では2種の砥石車9を用いて荒研削と仕上げ研削とを行っているため、研削精度ばかりでなく研削能率にも優れている。そして、このような高精度の研削であると、封止用樹脂26の上面が部分的に肉薄になったり、金ワイヤ25等が部分的に露出するなどの不具合も極めて起こりにくくなる。ゆえに、半導体パッケージ2の耐湿性や信頼性が向上する。
【0036】
この実施例ではメタルマスク5を用いたスクリーン印刷法を採用しているため、トランスファ・モールド法に比して設備コストが安くなる。また、スクリーン印刷法であると、一枚の基板1の複数箇所に電子部品搭載領域Rがあるときでも一度に処理することができる。このため、ディスペンサ等を用いるポッティング法に比して、生産効率に優れている。
【0037】
本実施例の砥石車式の平面研削装置8によると、真空引きによって基板1がテーブル13の上面に確実に固定されることから、平面研削を行う際に高い研削精度を確保することができる。従って、本実施例のようにフレキシブルな基板1を選択したときに有効である。また、可撓性を有するマグネットシート15を使用しているため、平面研削加工時に基板1に加わる衝撃を確実に吸収することができる。よって、基板1を構成する軟質な材料(例えば、裏面側の導体パターン21の金めっき等)に傷がつきにくく、不良品発生率も低下する。
【0038】
また、連通孔17の形状の異なるマグネットシート15を複数作製しておけば、基板1の寸法が変わっても鉄板12における吸引孔16の位置を変更しなくてもよいというメリットがある。従って、平面研削装置8の汎用性を向上させることができる。加えて、マグネットシート15は着脱が容易であるというメリットもある。
〔実施例2〕
次に、実施例2の半導体パッケージの製造方法を図1〜図4,図6,図8〜図10に基づき詳細に説明する。
【0039】
本実施例でも、実施例1と同じく電子部品搭載用基板1に対するダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程及び樹脂封止工程(樹脂印刷工程、樹脂硬化工程及び平面研削工程)によって半導体パッケージ2を製造している。ただし、実施例2では実施例1とは異なる構成の平面研削装置30によって平面研削が行われる。
【0040】
図10には、実施例2において使用される平面研削装置30が概略的に示されている。この平面研削装置30は乾式かつベルト式であり、いわゆるベルトサンダと呼ばれるものである。
【0041】
平面研削装置30は、駆動ローラ31、コンタクトローラ32、研磨ベルト33、モータ(図示略)を内蔵した支持ヘッド34、ベルトコンベア11、鉄板12を上面に有するテーブル13、真空ポンプ(図示略)、板状治具としてのマグネットシート15等を備えている。なお、乾式であるこの平面研削装置30には、実施例1のような研削液循環パイプ14は設けられていない。ベルトコンベア11、鉄板12、テーブル13及びマグネットシート15等の構成・機能については実施例1と基本的に差異がないため、ここでは詳細な説明を省略する。
【0042】
支持ヘッド34に内蔵されたモータの回転軸には、駆動ローラ31が一体回転可能に固定されている。駆動ローラ31の下方には、所定の距離を隔ててコンタクトローラ32が回転可能に配設されている。駆動ローラ31とコンタクトローラ32との間には、研削工具としての無端状の研磨ベルト33が巻き掛けられている。よって、モータによって駆動ローラ31を回転させると、研磨ベルト33を介して駆動力が伝達され、コンタクトローラ32が追従して回転するようになっている。駆動ローラ31及びコンタクトローラ32は、図示しない高さ調整機構によって、数μmオーダーで位置調整することが可能となっている。
【0043】
ここで研磨ベルト33とは、研磨布紙の形状による種類のなかでベルト状をなすものの総称であって、アブレシッブベルト(Abrasive belt )等と呼ばれるものを指す。周長を長く確保することができる研磨ベルト33は、比較的広い研磨面を有し、単位時間あたりに特定の研磨材20が受け持つ研削仕事量が小さい、という特徴がある。また、研削時に自動的に研磨ベルト33が空冷されるため、研削部分の温度上昇が起こりにくい、という特徴もある。
【0044】
図9に示されるように、研磨ベルト33は、結合剤18によって基材35の外周面に研磨材20を固着してなるものである。この実施例では、180番手の炭化珪素製の研磨材20を用いた研磨ベルト33、及び400番手の炭化珪素製の研磨材20を用いた研磨ベルト33の2つが使用される。
【0045】
実施例2の半導体パッケージ2の製造方法では、実施例1の手順に従って、まずダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程、樹脂印刷工程及び樹脂硬化工程が行われる。
【0046】
樹脂硬化工程を経た基板1は、上述した平面研削装置30に搬送される。平面研削装置30における平面研削工程では、まず鉄板12を備えたテーブル13の上面に、マグネットシート15を介して基板1が固定される。次に、コンタクトローラ32の高さを調整した後、ベルトコンベア11によってテーブル13を水平方向に往復動させる。すると、基板1がコンタクトローラ32の下側を通過するとき、図9に示されるように、回転する研磨ベルト33が基板1の上面に接触する。その結果、突出部分である封止用樹脂26の上面が研磨材20によって平らに削り取られる。
【0047】
この実施例では、まず180番手という粗い研磨材20を固着した研磨ベルト33によって荒研削を行った後、400番手という細かい研磨材20を固着した研磨ベルト33によって仕上げ研削が行われる。荒研削では約150μm〜200μm程研削され、仕上げ研削では30μm〜40μm程研削される。その結果、図8に示されるように、封止用樹脂26の最終設定厚さが580μmである半導体パッケージ2が製造される。このとき、最終設定厚さに対する封止用樹脂26のばらつきは±20μm程度になる。また、表面研削された封止用樹脂26の上面の表面粗さは、Ra=0.5μm〜2.5μm,Rmax=5μm〜20μmとなる。
【0048】
以上のような実施例2の半導体パッケージ2の製造方法であっても実施例1と同様の作用効果を奏することは明らかである。特に、この実施例では研削液を使用しない乾式の研削であるため、研削液を供給・循環するための設備等も不要である。このため、平面研削装置30の構成も簡単になり、全体的に低コスト化が図られる。また、基板1が研削液に晒されることがないため、例えば導体パターン21に施された金めっきに水垢等が付かないというメリットがある。ゆえに、後工程における洗浄等がおのずと不要になり、生産性の向上が図られる。
【0049】
さらに、研削部分の温度上昇が小さいこの研磨ベルト33であれば、基板1を構成する樹脂部分、特に封止用樹脂26が熱によって劣化するという事態を避けることができる。従って、不良品発生率を低減することができる。
【0050】
なお、本発明は上記実施例のみに限定されることはなく、例えば次のように変更することが可能である。
(1) 実施例1の砥石車式の平面研削装置8を乾式として用いたり、実施例2のベルト式の平面研削装置30を湿式として用いてもよい。勿論、これらの実施例において例示した平面研削装置8,30と異なるタイプの平面研削装置を使用することも可能である。即ち、一般的な平面研削装置であれば、平削り盤等といった切削装置よりも高精度に平面研削を行うことができるからである。
【0051】
(2) 封止用樹脂26は絶縁性エポキシ樹脂に限定されることはなく、例えば絶縁性ポリイミド樹脂等といった他の熱硬化性樹脂であってもよい。
(3) 実施例1,2の平面研削装置8,30において、ベルトコンベア11以外の駆動手段を使用していもよい。また、ベルトコンベア11等によってテーブル13側を移動させるばかりでなく、砥石車9や研磨ベルト33という研削工具側を移動させてもよい。勿論、研削工具及びテーブル13の双方を移動させてもよい。
【0052】
(4) 研磨材20は実施例1,2において使用したCBN,炭化珪素に限定されることない。例えば、溶融アルミナ、ガーネット、エメリー、ケイ石、酸化鉄、炭化ジルコニウム、ケイ石、酸化鉄、ムライト、窒化チタン、窒化珪素、炭化チタン、ダイヤモンド、炭化ほう素等を研磨材20として選択してもよい。また、研磨材20の番手の変更も自由であり、必ずしも実施例1,2の組合せに限られない。
【0053】
(5) 半導体パッケージ2の製造に使用される基板1はフレキシブルなものでなくてもよく、例えばリジッドな樹脂基板であってもよい。また、樹脂基板のみならずセラミックス基板等でもよい。
【0054】
(6) 裏面に導体パターン21がない場合など、基板1の種類・材料によっては、例えば板状治具15を可撓性を有しないマグネットシートに代えたり、可撓性を有しかつ磁石粉を含まないシートに代えてもよい。
【0055】
(7) スクリーン印刷機3のテーブル4にも平面研削装置8,30と同様に真空引きのための構造を設け、さらにその上面にマグネットシート15を配置してもよい。このようにすると、スクリーン印刷時に基板1がテーブル4に確実に固定されるため、封止用樹脂26の印刷精度がより向上し、平面研削工程における切削精度がよりいっそう高くなる。
【0056】
(8) 封止されるべき電子部品は実施例1,2に示したICチップ7に限られず、例えば各種チップ部品等であってもよい。勿論、ICチップ7とチップ部品とが搭載されている領域を、封止用樹脂26で全体的に封止することも可能である。
【0057】
ここで、特許請求の範囲等に記載された技術的思想のほかに、前述した実施例及び別例によって把握される技術的思想をその効果とともに以下に列挙する。
(1) テーブル上面の鉄製板材と被加工物との間に配置されるマグネットシートであって、前記被加工物の所定領域の下部と前記鉄製板材の吸引孔とを連通させる連通孔を備えたマグネットシート。このマグネットシートであると、平面研磨装置等の汎用性を向上させることができる。
【0058】
(2) 被印刷物の固定のために真空引き手段を備えるスクリーン印刷機であって、技術的思想1のマグネットシートを有するスクリーン印刷機。この構成であると、平面研削工程における切削精度がよりいっそう高くなる。
【0059】
(3) 研磨面を有する砥石車と、前記砥石車を回転させるための回転駆動手段と、封止用樹脂が印刷された基板を固定するためのテーブルと、前記砥石車と前記テーブルとを相対的に移動させるための駆動手段と、前記テーブルの上面において開口する吸引孔を介して真空引きを行う真空引き手段と、前記基板と前記テーブルとの間に配置されるとともに、少なくとも電子部品搭載領域の下部と前記吸引孔との間を連通させる連通孔を有する板状治具とを備えた封止用樹脂を研削するための砥石車式の平面研削装置。この装置であると、不良品発生率の低下、研削精度の確保、生産性及び汎用性の向上を図ることができる。
【0060】
なお、本明細書中において使用した技術用語を次のように定義する。
「電子部品: シリコンやガリウム砒素等からなるICチップやLSIチップなどといった半導体部品をいうほか、例えばチップトランジスタ、チップダイオード、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップインダクタ等といったチップ部品もいう。」
【0061】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項1,2に記載の発明によると、前記封止方法を実施するときの不良品発生率の低下、研削精度の確保、生産性及び汎用性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例1の半導体パッケージの製造方法において、ICチップが搭載される前の電子部品搭載用基板を示す概略断面図である。
【図2】 同じく、基板上に搭載されたICチップに対してワイヤボンディングを行った状態を示す概略断面図である。
【図3】 同じく、封止用樹脂を印刷した状態を示す概略断面図である。
【図4】 同じく、印刷された封止用樹脂を硬化させた状態を示す概略断面図である。
【図5】 同じく、封止用樹脂の研削状態を示す概略断面図である。
【図6】 同じく、基板、マグネットシート及び鉄板を示す部分概略分解斜視図である。
【図7】 同じく、封止用樹脂を研削するための湿式かつ砥石車式の平面研削装置を示す部分概略正面図である。
【図8】 同じく、封止用樹脂の研削終了状態を示す概略断面図である。
【図9】 実施例2の半導体パッケージの製造方法において、封止用樹脂を研削している状態を示す概略断面図である。
【図10】 同じく、封止用樹脂を研磨するための乾式かつベルト式の平面研削装置を示す部分概略正面図である。
【符号の説明】
1…(電子部品搭載用)基板、2…半導体パッケージ、13…テーブル、5a…供給口、5…メタルマスク、6…スキージ、7…電子部品としてのICチップ、8,30…平面研削装置、11…駆動手段としてのベルトコンベア、15…板状治具としてのマグネットシート、16…吸引孔、17…連通孔、20…研磨材、26…封止用樹脂、31…駆動ローラ、32…コンタクトローラ、33…研磨ベルト、R…電子部品搭載領域。
Claims (2)
- 駆動ローラとコンタクトローラとの間に巻き掛けられるとともに、その表面に研磨材が固着された無端状の研磨ベルトと、
封止用樹脂が印刷された基板を固定するためのテーブルと、
前記研磨ベルトと前記テーブルとを相対的に移動させるための駆動手段と、
前記テーブルの上面において開口する吸引孔を介して真空引きを行う真空引き手段と、
前記基板と前記テーブルとの間に配置されるとともに、少なくとも電子部品搭載領域の下部と前記吸引孔との間を連通させる連通孔を有する板状治具と
を備えた封止用樹脂を研削するための平面研削装置。 - 少なくとも前記テーブルの上面を鉄製とし、前記板状治具を可撓性を有するマグネットシートとした請求項1に記載の封止用樹脂を研削するための平面研削装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15500194A JP3696900B2 (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 電子部品の封止用樹脂を研削するための平面研削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15500194A JP3696900B2 (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 電子部品の封止用樹脂を研削するための平面研削装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004373429A Division JP3751631B2 (ja) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | 電子部品の封止方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0823156A JPH0823156A (ja) | 1996-01-23 |
JP3696900B2 true JP3696900B2 (ja) | 2005-09-21 |
Family
ID=15596537
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15500194A Expired - Fee Related JP3696900B2 (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 電子部品の封止用樹脂を研削するための平面研削装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3696900B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4803855B2 (ja) | 1999-02-09 | 2011-10-26 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3420748B2 (ja) | 2000-12-14 | 2003-06-30 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4525866B2 (ja) | 2008-08-19 | 2010-08-18 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュール及びその製造方法 |
JP5121807B2 (ja) * | 2009-11-18 | 2013-01-16 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2016080346A1 (ja) * | 2014-11-18 | 2016-05-26 | 日立化成株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、並びに可撓性樹脂層形成用樹脂組成物 |
-
1994
- 1994-07-06 JP JP15500194A patent/JP3696900B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0823156A (ja) | 1996-01-23 |
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