JP4525866B2 - 回路モジュール及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、回路モジュール及びその製造方法に関し、より特定的には、基板上に電子部品が実装されてなる回路モジュール及びその製造方法に関する。
従来の回路モジュール及びその製造方法に関連する発明としては、例えば、特許文献１に記載の回路モジュールの製造方法が知られている。以下に、図面を参照しながら、特許文献１に記載の回路モジュールの製造方法について説明する。図１４は、特許文献１に記載の回路モジュール５００の製造方法の工程断面図である。
まず、図１４（ａ）に示すように、基板５０２上に電子部品５０４を実装する。次に、図１４（ｂ）に示すように、基板５０２の主面及び電子部品５０４を覆うように絶縁層５０６を形成する。次に、図１４（ｃ）に示すように、切り溝５０８を形成する。この際、切り溝５０８の底部に、切り溝５０８よりも狭い幅の溝である先端部５０８ａを形成する。次に、図１４（ｄ）に示すように、絶縁層５０６上及び切り溝５０８内に導電性樹脂を塗布して、シールド層５１０を形成する。最後に、先端部５０８ａよりも広い幅Ｗだけ基板５０２及びシールド層５１０をダイシング装置により切削する。これにより、図１４（ｅ）に示すように、集合基板が個別の回路モジュール５００に分割される。
以上のような回路モジュール５００の製造方法によれば、シールド層５１０の形成の際に、切り溝５０８内の空気が先端部５０８ａに溜まる。そして、先端部５０８ａは、回路モジュール５００の分割時に削り取られるので、基板５０２及び絶縁層５０６とシールド層５１０との間に空気が介在することが低減される。その結果、シールド層５１０の基板５０２及び絶縁層５０６への密着性が向上する。
ところで、図１４に示すように、シールド層５１０が形成される絶縁層５０６の主面は、平坦である。このような平坦な絶縁層５０６上にペースト状の導電性樹脂を塗布すると、薄く伸びすぎてしまう。その結果、回路モジュール５００の製造方法では、シールド層５１０において、導電性樹脂が塗布されない欠陥領域が発生するおそれがある。
特開２００８−４２１５２号公報
そこで、本発明の目的は、導電性樹脂が塗布されない欠陥領域がシールド層に発生することを低減できる回路モジュール及びその製造方法を提供することである。
本発明の第１の形態に係る回路モジュールの製造方法は、マザー基板を準備する工程と、前記マザー基板の主面上に、複数の電子部品を実装する工程と、前記マザー基板の主面及び前記複数の電子部品を覆うように絶縁体層を形成する工程と、前記絶縁体層の主面に凹凸が形成され、かつ、該絶縁体層の厚みが所定の厚みとなるように、該絶縁体層を切削する工程と、前記絶縁体層の主面上に導電性樹脂を塗布して、シールド層を形成する工程と、前記絶縁体層及び前記シールド層が形成された前記マザー基板を分割して、複数の回路モジュールを得る工程と、を備えていること、を特徴とする。
本発明の第２の形態に係る回路モジュールは、基板と、前記基板の主面上に実装されている電子部品と、前記基板の主面及び前記電子部品を覆い、かつ、主面に凹凸が設けられている絶縁体層と、前記絶縁体層の主面上に設けられている導電性樹脂からなるシールド層と、を備えていること、を特徴とする。
本発明によれば、導電性樹脂が塗布されない欠陥領域がシールド層に発生することを低減できる。
本発明の一実施形態に係る回路モジュールの外観斜視図である。 図１の回路モジュールのＡ−Ａにおける断面構造図である。 回路基板の分解斜視図である。 回路モジュールの作製時の外観斜視図である。 回路モジュールの作製時の外観斜視図である。 回路モジュールの作製時の外観斜視図である。 回路モジュールの工程断面図である。 回路モジュールの作製時の外観斜視図である。 回路モジュールの工程断面図である。 回路モジュールの作製時の外観斜視図である。 回路モジュールの工程断面図である。 変形例に係る回路モジュールの断面構造図である。 変形例に係る回路モジュールの工程断面図である。 特許文献１に記載の回路モジュールの製造方法の工程断面図である。
以下に、本発明の実施形態に係る回路モジュール及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。
（回路モジュールの構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る回路モジュールの構成について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る回路モジュール１０の外観斜視図である。ただし、図1は、その内部構造を理解できるように一部透視して記載した。図２は、図１の回路モジュール１０のＡ−Ａにおける断面構造図である。以下では、略直方体状をなす回路モジュール１０において、高さ方向をｚ軸方向と定義する。また、ｚ軸方向から平面視したときの短辺方向をｘ軸方向と定義し、長辺方向をｙ軸方向と定義する。ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸は、互いに直交している。
回路モジュール１０は、図１に示すように、回路基板１２、電子部品１４ａ，１４ｂ、絶縁体層１６及びシールド層１８を備えている。回路基板１２は、回路を内蔵していると共に、外部電極を有しているプリント基板である。以下に、図３を参照しながら、回路基板１２の構成について説明する。図３は、回路基板１２の分解斜視図である。
回路基板１２は、所謂多層プリント基板であり、絶縁体層３０ａ〜３０ｄ、外部電極３２，３４，３８，４０、配線３６及びビアホール導体Ｖ１〜Ｖ１０、グランド導体Ｇを含んでおり、ｚ軸方向の正方向側において主面Ｓ１を有している。図３において、外部電極３２，３４，３８，４０、配線３６及びビアホール導体Ｖ１〜Ｖ１０については、代表的なものにのみ参照符号を付してある。
絶縁体層３０ａ〜３０ｄは、長方形状をなしており、ガラスエポキシなどにより構成されている。なお、絶縁体層３０ａ〜３０ｄは、セラミックにより構成されていてもよい。以下では、絶縁体層３０ａ〜３０ｄのｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、絶縁体層３０ａ〜３０ｄのｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。
外部電極３２は、絶縁体層３０ａの表面に１６個設けられている。外部電極３２には、電子部品１４ａが実装される。外部電極３４は、絶縁体層３０ａの表面に４個設けられている。外部電極３４には、電子部品１４ｂが実装される。
ビアホール導体Ｖ１は、絶縁体層３０ａをｚ軸方向に貫通するように設けられており、ｚ軸方向の正方向側の端部において外部電極３２と接続されている。ビアホール導体Ｖ２は、絶縁体層３０ａをｚ軸方向に貫通するように設けられており、ｚ軸方向の正方向側の端部において外部電極３４と接続されている。
グランド導体Ｇは、絶縁体層３０ｂの表面の略全面を覆う導体層である。よって、グランド導体Ｇは、図３に示すように、絶縁体層３０ｂの４辺に接している。ただし、グランド導体Ｇには、導体層が設けられていない空白部Ｂ１，Ｂ２が設けられている。ビアホール導体Ｖ４，Ｖ５はそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに、空白部Ｂ１，Ｂ２と重なる位置において、絶縁体層３０ｂをｚ軸方向に貫通するように設けられている。これにより、ビアホール導体Ｖ４，Ｖ５は、グランド導体Ｇとは絶縁されている。ビアホール導体Ｖ４，Ｖ５のｚ軸方向の正方向側の端部はそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに重なるビアホール導体Ｖ１，Ｖ２に接続されている。また、ビアホール導体Ｖ４，Ｖ５に接続されているビアホール導体Ｖ１，Ｖ２以外のビアホール導体Ｖ１，Ｖ２の負方向側の端部は、グランド導体Ｇに接続されている。
ビアホール導体Ｖ３，Ｖ６は、絶縁体層３０ｂをｚ軸方向に貫通するように設けられており、ｚ軸方向の正方向側の端部においてグランド導体Ｇに接続されている。また、ビアホール導体Ｖ３，Ｖ６はそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに、ビアホール導体Ｖ１，Ｖ２と重なる位置に設けられている。
ビアホール導体Ｖ７は、絶縁体層３０ｃをｚ軸方向に貫通するように設けられており、ｚ軸方向の正方向側の端部においてビアホール導体Ｖ３又はビアホール導体Ｖ４に接続されている。また、ビアホール導体Ｖ８は、絶縁体層３０ｃをｚ軸方向に貫通するように設けられており、ｚ軸方向の正方向側の端部においてビアホール導体Ｖ５又はビアホール導体Ｖ６に接続されている。
配線３６は、絶縁体層３０ｃの表面に設けられ、ビアホール導体Ｖ７同士又はビアホール導体Ｖ７，Ｖ８間を接続している。
ビアホール導体Ｖ９は、絶縁体層３０ｄをｚ軸方向に貫通するように設けられており、ｚ軸方向の正方向側の端部においてビアホール導体Ｖ７に接続されている。また、ビアホール導体Ｖ１０は、絶縁体層３０ｄをｚ軸方向に貫通するように設けられており、ｚ軸方向の正方向側の端部においてビアホール導体Ｖ８に接続されている。
外部電極３８は、絶縁体層３０ｄの裏面に１６個設けられている。外部電極３８には、ビアホール導体Ｖ９のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。また、外部電極４０は、絶縁体層３０ｄの裏面に４個設けられている。外部電極４０には、ビアホール導体Ｖ１０のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。外部電極３８，４０は、回路基板１２がマザーボードに実装された際に、マザーボードの外部電極に接続される。そして、グランド導体Ｇに電気的に接続されている外部電極３８，４０には、接地電位が印加される。
なお、回路基板１２の内部構造については、グランド導体Ｇが設けられている点以外は、特に重要ではないので、これ以上の説明を省略する。ただし、回路基板１２は、例えば、コンデンサやコイル、マイクロストリップライン等を内蔵していてもよい。
電子部品１４ａは、例えば、半導体集積回路であり、図１及び図２に示すように、回路基板１２の主面Ｓ１上に実装される。電子部品１４ａのｚ軸方向の負方向側の主面には、複数（例えば、１６個）の外部電極（図示せず）が設けられており、図３の外部電極３２とはんだ等により接続されている。
電子部品１４ｂは、例えば、ノイズフィルタ等のチップ型電子部品であり、図１及び図２に示すように、回路基板１２の主面Ｓ１上に実装される。電子部品１４ｂのｚ軸方向の負方向側の主面には、複数（例えば、４個）の外部電極（図示せず）が設けられており、図３の外部電極３４とはんだ等により接続されている。
絶縁体層１６は、絶縁性樹脂（例えば、エポキシ樹脂）からなり、図１及び図２に示すように、回路基板１２の主面Ｓ１及び電子部品１４ａ，１４ｂを覆っている。絶縁体層１６は、回路基板１２の主面Ｓ１及び電子部品１４ａ，１４ｂを保護すると共に、電子部品１４ａ，１４ｂと後述するシールド層１８とを絶縁する役割を果たしている。
更に、絶縁体層１６のｚ軸方向の正方向側に位置する主面Ｓ２には、凹凸が設けられている。より詳細には、凹凸は、ｙ軸方向に延在している複数の溝２０及び複数の突起２２からなる。溝２０及び突起２２は、ｘ軸方向に交互に並ぶように設けられている。更に、複数の溝２０は、図２に示すように、ｙ軸方向に垂直な断面において、同じ形状を有しており、複数の突起２２は、図２に示すように、ｙ軸方向に垂直な断面において同じ形状をなしている。そして、複数の溝２０及び複数の突起２２は、等間隔にｘ軸方向に並んでいる。すなわち、主面Ｓ２には、周期的な構造を有する凹凸が設けられている。なお、図１及び図２では、凹凸の様子を理解し易いように、溝２０及び突起２２の起伏を実際よりも誇張して記載した。
シールド層１８は、絶縁体層の主面Ｓ２上に設けられている導電性樹脂からなる。シールド層１８は、比較的薄い膜厚を有しているので、シールド層１８の主面には、絶縁体層１６の主面の凹凸に倣った凹凸が形成されている。また、シールド層１８は、絶縁体層１６のｘ軸方向の両側に位置する側面を覆っている。
更に、シールド層１８は、回路基板１２のｘ軸方向の両側に位置する側面の一部を覆っている。具体的には、回路基板１２の主面Ｓ１のｘ軸方向の両側には、図１及び図２に示すように段差が設けられている。すなわち、主面Ｓ１のｘ軸方向の両側の一部が削り取られることにより、図２に示すように、主面Ｓ１よりもｚ軸方向の負方向側に位置し、かつ、ｚ軸方向の正方向側を向く面Ｓ４，Ｓ５が形成されている。面Ｓ４は、ｘ軸方向の負方向側に位置し、面Ｓ５は、ｘ軸方向の正方向側に位置している。また、主面Ｓ１と面Ｓ４とを繋ぐように面Ｓ６が形成されていると共に、主面Ｓ１と面Ｓ５を繋ぐように面Ｓ７が形成されている。面Ｓ６，Ｓ７は、ｘ軸方向に直交する面である。なお、面Ｓ６と絶縁体層１６のｘ軸方向の負方向側の側面との間には段差が存在しない面一の状態である。同様に、面Ｓ７と絶縁体層１６のｘ軸方向の正方向側の側面との間には段差が存在しない面一の状態である。
グランド導体Ｇは、図２に示すように、これら面Ｓ６，Ｓ７から露出している。そして、シールド層１８は、面Ｓ４〜Ｓ７を覆っている。これにより、シールド層１８とグランド導体Ｇとは接続されている。すなわち、グランド導体Ｇには、接地電位が印加される。その結果、シールド層１８は、回路モジュール１０外にノイズが放射されたり、回路モジュール１０内にノイズが侵入したりすることを防止している。
（回路モジュールの製造方法）
次に、回路モジュール１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図４ないし図６、図８及び図１０は、回路モジュール１０の作製時の外観斜視図である。図７、図９及び図１１は、回路モジュール１０の工程断面図である。
まず、図４に示すマザー基板１１２を準備する。マザー基板１１２は、複数の回路基板１２がマトリクス状に配置された集合基板である。図４では、２４個の回路基板１２が配列されている。なお、マザー基板１１２は、作製することにより準備してもよいし、完成品を購入することにより準備してもよい。なお、マザー基板１１２は、一般的なものであるので、その製造方法の説明については省略する。
次に、図４に示すように、マザー基板１１２の主面Ｓ１上に、複数の電子部品１４ａ，１４ｂを実装する。具体的には、マザー基板１１２は、一点鎖線により複数の回路基板１２に区画されている。図４の一点鎖線の内、ｘ軸方向に延びる一点鎖線は、カットラインＣＬｘであり、ｙ軸方向に延びる一点鎖線は、カットラインＣＬｙである。カットラインＣＬｘ，ＣＬｙは、マザー基板１１２の分割線を示している。そして、各回路基板１２の主面Ｓ１上に、１つずつ電子部品１４ａ，１４ｂをはんだ実装する。
次に、図５に示すように、マザー基板１１２の主面Ｓ１及び複数の電子部品１４ａ，１４ｂを覆うように絶縁体層１１６を形成する。具体的には、マザー基板１１２の主面Ｓ１及び複数の電子部品１４ａ，１４ｂ上にディスペンサにより絶縁性樹脂を塗布する。そして、絶縁性樹脂を加熱して硬化させる。
次に、図６及び図７に示すように、絶縁体層１１６の主面Ｓ２に凹凸が形成され、かつ、絶縁体層１１６の厚みが所定の厚みＨとなるように、絶縁体層１１６を切削する。本実施形態では、図７に示すように、ｙ軸方向に延在する複数本の溝２０及び複数本の突起２２を絶縁体層１１６の主面Ｓ２に形成する。そして、図７に示すように、複数本の溝２０の間隔Ｌ２、及び、複数本の突起２２の間隔Ｌ２は、ｘ軸方向における回路モジュール１０の幅Ｌ１よりも小さい。
絶縁体層１１６の切削についてより具体的に説明する。絶縁体層１１６を切削する工程では、図６に示すように、絶縁体層１１６の主面Ｓ２上において、ｙ軸方向の負方向側に向かってダイサーＤ１を移動させる。その後、ダイサーＤ１をｘ軸方向の正方向側にずらす。そして、絶縁体層１１６の主面Ｓ２上において、ｙ軸方向の負方向側に向かってダイサーＤ１を移動させる。この工程を繰り返すことにより、絶縁体層１１６の主面Ｓ２の全面を切削する。
ここで、ダイサーＤ１の切削面Ｆは、図７に示すように凹凸を有し、具体的には、凸部Ｆ１及び凹部Ｆ２を有している。凸部Ｆ１は、相対的にｚ軸方向の負方向側に突出しており、凹部Ｆ２は、相対的にｚ軸方向の正方向側に窪んでいる。そして、凹部Ｆ２は、凸部Ｆ１よりもｘ軸方向の正方向側に位置している。ダイサーＤ１の切削面Ｆがこのような構造を有する理由は以下の通りである。
ダイサーＤ１の切削面Ｆは、新品の状態では、平坦である。ところが、ダイサーＤ１は、前記の通り、ｙ軸方向の負方向側に向かって移動し、ｘ軸方向の正方向側へとずらされていく。したがって、ダイサーＤ１は、絶縁体層１１６の切削時の最初に、絶縁体層１１６の主面Ｓ２のｘ軸方向の負方向側の辺に接触する。このとき、ダイサーＤ１は、絶縁体層１１６に切削面Ｆの全体で接触するのではなく、ｘ軸方向の負方向側に位置する凹部Ｆ２で絶縁体層１１６に接触する。そのため、凹部Ｆ２が凸部Ｆ１に比べて優先的に摩耗する。その結果、切削面Ｆは、図７に示すように、凸部Ｆ１及び凹部Ｆ２を有するようになる。
上記のような切削面Ｆを有するダイサーＤ１により絶縁体層１１６を切削した場合、凸部Ｆ１では絶縁体層１１６が相対的に多く削られ溝２０が形成される。また、凹部Ｆ２では絶縁体層１１６が相対的に少なく削られ突起２２が形成される。
また、図７に示すように、ダイサーＤ１のｘ軸方向における幅Ｌ４は、回路モジュール１０のｘ軸方向における幅Ｌ１よりも小さい。これにより、回路モジュール１０に複数本の溝２０及び複数本の突起２２が周期的構造を持って形成される。更に、図７に示すように、ｘ軸方向の正方向側にダイサーＤ１をずらす幅Ｌ３は、ダイサーＤ１のｘ軸方向における幅Ｌ４より小さい。これにより、ダイサーＤ１が絶縁体層１１６の主面Ｓ１を通過する領域が重複するようになる。これにより、絶縁体層１１６が切削されない領域が残留することが防止される。
なお、図７において、絶縁体層１１６の厚みＨは、マザー基板１１２の主面Ｓ１から絶縁体層１１６の主面Ｓ２までの距離の平均値である。
次に、図８に示すように、ダイサーＤ１よりも狭い幅を有するダイサーＤ２により、ｙ軸方向に延在する複数の溝４２を形成する。具体的には、図６のカットラインＣＬｙに沿って、ダイサーＤ２をｙ軸方向の負方向側に向かって進行させる。この際、図９に示すように、溝４２の底面が、マザー基板１１２のｚ軸方向の負方向側の主面に到達せず、かつ、グランド導体Ｇよりもｚ軸方向の負方向側に到達するように、溝４２を形成する。これにより、溝４２の内周面においてグランド導体Ｇが露出する。
次に、図１０及び図１１に示すように、絶縁体層１１６の主面Ｓ２上及び溝４２の内周面に導電性樹脂を塗布して、シールド層１１８を形成する。導電性樹脂の塗布をスピンコート法により行う。具体的には、マザー基板１１２を回転台上に配置し、所定角速度でマザー基板１１２を回転させる。そして、絶縁体層１１６の中心に対して、スラリー状の導電性樹脂を滴下する。これにより、導電性樹脂は、遠心力により絶縁体層１１６の主面Ｓ２全体に薄く広がる。この際、導電性樹脂は、溝２０に溜まったり、突起２２に引っ掛かったりしながら、徐々に、絶縁体層１１６の主面Ｓ２全体に広がっていく。これにより、導電性樹脂が伸びすぎて、シールド層１１８において、導電性樹脂が塗布されない欠陥領域が発生することが防止される。この後、シールド層１１８を硬化させる。なお、シールド層１１８の主面Ｓ３には、主面Ｓ２の凹凸に倣った凹凸が形成される。
次に、絶縁体層１１６及びシールド層１１８が形成されたマザー基板１１２を分割して、複数の回路モジュール１０を得る。具体的には、ダイサーＤ２の幅よりも狭い幅を有するダイサーを、カットラインＣＬｘ，ＣＬｙに沿って進行させて、マザー基板１１２をカットする。以上の工程を経て、図１及び図２に示す回路モジュール１０が完成する。
（効果）
以上のような回路モジュール１０及びその製造方法によれば、シールド層１８において導電性樹脂が塗布されない欠陥領域が発生することを低減できる。より詳細には、特許文献１に記載の回路モジュール５００の製造方法では、図１４に示すように、シールド層５１０が形成される絶縁層５０６の主面は、平坦である。このような平坦な絶縁層５０６上にペースト状の導電性樹脂を塗布すると、薄く伸びすぎてしまう。その結果、回路モジュール５００の製造方法では、シールド層５１０において、導電性樹脂が塗布されない欠陥領域が発生するおそれがある。
一方、回路モジュール１０及びその製造方法では、絶縁体層１１６の主面Ｓ２には、凹凸（溝２０及び突起２２）が形成されている。そのため、例えば、スピンコート法により導電性樹脂を絶縁体層１１６の主面Ｓ２に塗布する際に、導電性樹脂は、凹凸に引っ掛かりながら主面Ｓ２全体に広がっていくようになる。そのため、導電性樹脂が伸びすぎて、シールド層１１８において、導電性樹脂が塗布されない欠陥領域の発生を低減できる。
また、回路モジュール１０及びその製造方法では、以下の理由によっても、欠陥領域の発生を低減できる。より詳細には、溝２０及び突起２２の間隔が広すぎると、導電性樹脂が伸びすぎてしまうおそれがある。そこで、回路モジュール１０及びその製造方法では、図７に示すように、ダイサーＤ１のｘ軸方向における幅Ｌ４は、回路モジュール１０のｘ軸方向における幅Ｌ１よりも小さい。更に、ｘ軸方向にダイサーＤ１をずらす幅Ｌ３は、ダイサーＤ１のｘ軸方向における幅Ｌ４よりも小さい。これにより、一つの回路基板１２に複数本の溝２０及び突起２２が形成されるようになる。その結果、溝２０及び突起２２の間隔が広すぎて、導電性樹脂が伸びすぎてしまうことが防止され、欠陥領域の発生が低減される。
また、回路モジュール１０及びその製造方法では、以下に説明するように、電子部品１４ａ，１４ｂと回路基板１２との間に断線が発生することを低減できる。より詳細には、回路モジュール１０及びその製造方法では、ダイサーＤ１のｘ軸方向における幅Ｌ４は、回路モジュール１０のｘ軸方向における幅Ｌ１よりも小さい。このように、比較的に狭い幅のダイサーＤ１により絶縁体層１１６の切削を行うと、絶縁体層１１６の単位時間当たりの切削量が少なくて済む。そのため、絶縁体層１１６の切削時にマザー基板１１２にかかる負荷が小さくて済む。その結果、絶縁体層１１６の切削時にマザー基板１１２に負荷がかかって、マザー基板１１２と電子部品１４ａ，１４ｂと間に断線が発生することが低減される。
（変形例）
以下に、変形例に係る回路モジュール及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。図１２は、変形例に係る回路モジュール１０ａの断面構造図である。図１３は、変形例に係る回路モジュール１０ａの工程断面図である。
回路モジュール１０ａと回路モジュール１０との相違点は、絶縁体層１６の主面Ｓ２の凹凸の形状が異なっている点である。これは、回路モジュール１０ａの製造方法におけるダイサーＤ１'が、回路モジュール１０の製造方法におけるダイサーＤ１と異なっているためである。以下に、かかる相違点を中心に説明を行う。
図２及び図１２に示すように、回路モジュール１０ａの絶縁体層１６の主面Ｓ２は、回路モジュール１０の絶縁体層１６の主面Ｓ２よりも小さな凹凸を有している。これは、回路モジュール１０ａの製造方法では、ダイサーＤ１'として、金属を切削するための比較的大きなダイサーを用いているためである。より詳細には、ダイサーＤ１'は、金属を切削するためのダイサーであるので、ダイサーＤ１に比べて、比較的高い硬度を有している。故に、ダイサーＤ１'は、ダイサーＤ１に比べて、摩耗しにくいため、ダイサーＤ１のような凸部Ｆ１及び凹部Ｆ２を有していない。その代わり、ダイサーＤ１'は、摩耗していない状態であっても、比較的粗い切削面Ｆ'を有している。そして、回路モジュール１０ａの製造方法では、この切削面Ｆ'を利用して絶縁体層１１６の主面Ｓ２に凹凸（溝１２０及び突起１２２）を形成する。これにより、回路モジュール１０ａの絶縁体層１６の主面Ｓ２において、回路モジュール１０の絶縁体層１６の主面Ｓ２の凹凸よりも小さな凹凸を得ることができる。
以上のような回路モジュール１０ａ及びその製造方法によれば、絶縁体層１６の主面Ｓ２の凹凸が小さくなるので、シールド層１８により主面Ｓ２の凹凸を埋めることが容易となる。その結果、シールド層１８の主面Ｓ３が平坦化される。このように比較的大きなダイサーＤ１'であっても、表面の粗いダイサーＤ１'を用いることにより、絶縁体層１６の主面に凹凸を形成して、導電性樹脂が塗布されない欠陥領域の発生を低減させることができる。
なお、回路モジュール１０の製造方法において、平坦な切削面Ｆを有するダイサーＤ１によって、絶縁体層１１６の主面Ｓ２を切削してもよい。ただし、この場合、絶縁体層１１６の主面Ｓ２に凹凸を形成するために、ダイサーＤ１の絶縁体層１１６に対する切り込み深さを変化させる必要がある。
本発明は、回路モジュール及びその製造方法に有用であり、特に、導電性樹脂が塗布されない欠陥領域がシールド層に発生することを低減できる点において優れている。
Ｆ，Ｆ' 切削面
Ｆ１ 凸部
Ｆ２ 凹部
Ｇ グランド導体
Ｓ１〜Ｓ３ 主面
１０，１０ａ 回路モジュール
１２ 回路基板
１４ａ，１４ｂ 電子部品
１６，１１６ 絶縁体層
１８，１１８ シールド層
２０，４２，１２０ 溝
２２，１２２ 突起
Ｄ１，Ｄ１'，Ｄ２ ダイサー
１１２ マザー基板

Claims (12)

  1. マザー基板を準備する工程と、
    前記マザー基板の主面上に、複数の電子部品を実装する工程と、
    前記マザー基板の主面及び前記複数の電子部品を覆うように絶縁体層を形成する工程と、
    前記絶縁体層の主面に凹凸が形成され、かつ、該絶縁体層の厚みが所定の厚みとなるように、該絶縁体層を切削する工程と、
    前記絶縁体層の主面上に導電性樹脂を塗布して、シールド層を形成する工程と、
    前記絶縁体層及び前記シールド層が形成された前記マザー基板を分割して、複数の回路モジュールを得る工程と、
    を備えていること、
    を特徴とする回路モジュールの製造方法。
  2. 前記絶縁体層を切削する工程では、第１の方向に延在する複数本の溝又は複数本の突起を該絶縁体層の主面に形成すること、
    を特徴とする請求項１に記載の回路モジュールの製造方法。
  3. 前記複数本の溝の間隔又は前記複数本の突起の間隔は、前記第１の方向に直交する第２の方向における前記回路モジュールの幅よりも狭いこと、
    を特徴とする請求項２に記載の回路モジュールの製造方法。
  4. 前記絶縁体層を切削する工程では、該絶縁体層の主面上において、前記第１の方向にダイサーを移動させた後、該第１の方向に直交する第２の方向に該ダイサーをずらして該第１の方向に移動させることを繰り返すこと、
    を特徴とする請求項２又は請求項３のいずれかに記載の回路モジュールの製造方法。
  5. 前記ダイサーの前記第２の方向における幅は、前記回路モジュールの該第２の方向における幅よりも小さいこと、
    を特徴とする請求項４に記載の回路モジュールの製造方法。
  6. 前記絶縁体層を切削する工程において、前記第２の方向に前記ダイサーをずらす幅は、該ダイサーの前記第２の方向における幅よりも小さいこと、
    を特徴とする請求項４又は請求項５のいずれかに記載の回路モジュールの製造方法。
  7. 前記ダイサーの切削面は、凹凸を有していること、
    を特徴とする請求項４ないし請求項６のいずれかに記載の回路モジュールの製造方法。
  8. 前記シールド層を形成する工程では、スピンコート法により、前記絶縁体層の主面上に導電性樹脂を塗布すること、
    を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の回路モジュールの製造方法。
  9. 基板と、
    前記基板の主面上に実装されている電子部品と、
    前記基板の主面及び前記電子部品を覆い、かつ、主面に凹凸が設けられている絶縁体層と、
    前記絶縁体層の主面上に設けられている導電性樹脂からなるシールド層と、
    を備えていること、
    を特徴とする回路モジュール。
  10. 前記凹凸は、第１の方向に延在する溝又は突起であること、
    を特徴とする請求項９に記載の回路モジュール。
  11. 前記溝又は前記突起は、所定間隔で複数設けられていること、
    を特徴とする請求項１０に記載の回路モジュール。
  12. 前記絶縁体層の主面の凹凸に倣った凹凸が、前記シールド層の主面に形成されていること、
    を特徴とする請求項９ないし請求項１１に記載の回路モジュール。
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