JP3185689U - 電子回路モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板の厚さを薄くしても、加工が容易な電子回路モジュールを提供する。
【解決手段】電子回路モジュール１は、下面と上面とを有する配線基板１０と、配線基板１０の下面に形成された接地電極１１と、配線基板１０の上面に形成され、接地電極１１に接続されたチップ実装用電極１４と、配線基板１０の上面に実装された電子部品２０と、配線基板１０の上面に実装された導電性チップ３０と、配線基板１０の上面に、電子部品２０を覆うように塗布された封止樹脂４０と、封止樹脂４０を覆うように形成された導電膜５０と、を備える。導電性チップ３０は、チップ実装用電極１４に接続される第１電極３５が形成された下端部３０ｃと、導電膜５０に接続される第２電極３６が形成された側端部３０ｂとを有し、第１電極３５と第２電極３６とは互いに導通する。
【選択図】図１

Description

本考案は電子回路モジュールに関し、特に、配線基板の厚さを薄くしても、加工が容易な電子回路モジュールに関する。

近年、配線基板上に実装された電子部品と、電子部品を覆うように塗布された封止樹脂と、封止樹脂を覆うように形成された導電膜と、を有し、シールド用の金属カバーを使用しないで、外部からの電磁界や静電気による電子部品への影響を阻止（又は低減）することができる電子回路モジュールが実用化されている。このような電子回路モジュールとしては、特許文献１に係る回路モジュール（電子回路モジュール）等が提案されている。図９は、特許文献１に係る回路モジュール２１０の構造を示す説明図である。

図９に示すように、回路モジュール２１０は、配線が形成された回路基板２１１（配線基板）と、回路基板２１１の上面に実装された複数の要素部品２１２（電子部品）と、絶縁性の封止樹脂でできた封止樹脂層２１４（封止樹脂）と、導電性の樹脂でできたシールド層２１９（導電膜）と、を備えている。回路基板２１１の内部には、内層パターン２１６ａ（内部電極）とホール２１６ｂ（スルーホール）とが設けられている。回路基板２１１の下面には、接地用電極２１７ａ（接地電極）と、Ｉ／Ｏ電極２１７ｂ（端子電極）とが設けられている。

封止樹脂層２１４は、要素部品２１２を覆うように回路基板２１１の上面に形成されている。シールド層２１９は、封止樹脂層２１４を覆うように形成されている。また、シールド層２１９は、回路基板２１１の側部で内層パターン２１６ａに導電接続（以下、接続と略称）されている。内層パターン２１６ａは、ホール２１６ｂを介して接地用電極２１７ａに接続されている。回路モジュール２１０では、このような構造とすることによって、外部からの電磁界や静電気による要素部品２１２への影響を阻止（又は低減）している。

このような回路モジュール２１０は、複数の回路基板２１１が連設された集合基板の上面に要素部品２１２を実装し、集合基板の上面側に封止樹脂を塗布して封止樹脂層２１４を形成し、分離ラインに沿って上側から集合基板の内層パターン２１６ａに至る溝を形成し、溝を埋めるように導電性樹脂を流し込んでシールド層２１９を形成し、分離ラインに沿って溝幅よりも狭いカット幅で集合基板を切断・分離することによって、得られる。

特開２０１０−０１０４４１

近年、電子回路モジュールを薄型化するために、厚さの薄い配線基板が使用されるようになってきている。しかしながら、特許文献１に示すような回路モジュール２１０では、回路基板２１１の内層に形成された接地用電極２１７ａと、シールド層２１９と、を接続するために、集合基板（配線基板）に溝を形成していた。そのため、配線基板の厚さを薄くすると、溝を形成する際に集合基板を誤って切断し易くなり、それを防止するために、溝の深さを高い精度で管理する必要があった。その結果、配線基板の厚さを薄くすると、回路モジュール２１０の加工が困難になっていた。

本考案は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、配線基板の厚さを薄くしても、加工が容易な電子回路モジュールを提供することにある。

この課題を解決するために、請求項１に記載の電子回路モジュールは、下面と上面とを有する配線基板と、前記配線基板の下面に形成された接地電極と、前記配線基板の上面に形成され、前記接地電極に接続されたチップ実装用電極と、前記配線基板の上面に実装された電子部品と、前記配線基板の上面に実装された導電性チップと、前記配線基板の上面に、前記電子部品を覆うように塗布された封止樹脂と、前記封止樹脂を覆うように形成された導電膜と、を備え、前記導電性チップは、前記チップ実装用電極に接続される第１電極が形成された下端部と、前記導電膜に接続される第２電極が形成された側端部と、を有し、前記第１電極と前記第２電極とは、互いに導通していることを特徴とする。

このような構成の電子回路モジュールでは、配線基板の接地電極と導電膜とを、導電性チップを介して、配線基板の上面よりも高い位置で接続することができる。そして、封止樹脂と導電性チップとを切削して溝を形成する際に、配線基板に溝を形成しなくても良くなる。また、配線基板に溝を形成する場合でも、溝の深さを浅くすることができる。その結果、配線基板の厚さを薄くしたときに、溝の深さを高い精度で管理しなくても、溝が配線基板の下面に到達するのを防ぐことができる。しかも、導電性チップは、電子部品と同時に配線基板に実装することができる。そのため、電子回路モジュールの加工において、新たな工程を追加しないで、配線基板の接地電極と導電膜とを接続することができる。その結果、配線基板の厚さを薄くしても、電子回路モジュールの加工が容易となる。

請求項２に記載の電子回路モジュールでは、前記導電性チップは、下面と上面と側端部とを有する絶縁基板と、前記絶縁基板の下面に形成された下面電極と、前記絶縁基板の上面に形成され、前記絶縁基板の側端部まで延びる上面電極と、前記下面電極と前記上面電極とを接続する接続電極と、を有し、前記下面電極が、前記第１電極となり、前記上面電極の側端部が、前記第２電極となっていることを特徴とする。

このような構成の電子回路モジュールでは、導電性チップは、絶縁基板に下面電極と上面電極と接続電極とが形成された構成であり、構造が簡単である。そのため、導電性チップを作成する際の加工が容易である。また、このような導電性チップの上面は実装する際の吸着に適している。そのため、電子回路モジュールの加工において、導電性チップの配線基板への実装が容易である。その結果、電子回路モジュールの加工が更に容易となる。

請求項３に記載の電子回路モジュールでは、前記導電性チップは、下面と上面と側面とを有する略直方体の金属部材であり、前記金属部材の下面が、前記第１電極となり、前記金属部材の側面が、前記第２電極となっていることを特徴とする。

このような構成の電子回路モジュールでは、導電性チップは、略直方体の金属部材であり、構造が簡単である。そのため、導電性チップを作成する際の加工が容易である。また、金属部材の表面は平面で構成されており、実装する際の吸着に適している。そのため、電子回路モジュールの加工において、導電性チップの配線基板への実装が容易である。その結果、電子回路モジュールの加工が更に容易となる。

また、このような構成の電子回路モジュールでは、導電性チップの第２電極は、略直方体の金属部材の側面である。そのため、金属部材の側面の面積を広くすることによって、導電性チップと導電膜との接触面積を広くすることができる。その結果、導電性チップと導電膜との接続を安定させ、電子回路モジュールのシールド性を安定させることができる。

請求項４に記載の電子回路モジュールでは、前記金属部材は、銅又は黄銅でできていることを特徴とする。

このような構成の電子回路モジュールでは、導電性チップの金属部材は、銅又は黄銅でできている。銅や黄銅は切削加工が容易な金属である。そのため、導電性チップを作成する際の加工が容易である。また、電子回路モジュールの加工において、封止樹脂と導電性チップとを切削して溝を形成する際に、導電性チップの切削加工が容易である。その結果、電子回路モジュールの加工が更に容易となる。

本考案によれば、配線基板の厚さを薄くしても、加工が容易な電子回路モジュールを提供することができる。

本考案の第１実施形態に係る電子回路モジュール１の構成を示す模式図である。 図１に示す配線基板１０の構成を示す模式図である。 図１に示す導電性チップ３０の構成を示す模式図である。 図１に示す導電性チップ３０の加工方法を示す説明図である。 図１に示す電子回路モジュール１の加工方法を示す説明図である。 本考案の第２実施形態に係る電子回路モジュール１０１の構成を示す模式図である。 図６に示す導電性チップ１３０の構成を示す模式図である。 図６に示す導電性チップ１３０の加工方法を示す模式図である。 特許文献１に係る回路モジュール２１０の構造を示す説明図である。

［第１実施形態］
以下、本考案の第１実施形態について図面を参照しながら説明する。尚、各図において、Ｘ１方向を左方向、Ｘ２方向を右方向、Ｙ１方向を前方、Ｙ２方向を後方、Ｚ１方向を上方、Ｚ２方向を下方として、説明を進める。

まず、本考案の第１実施形態に係る電子回路モジュール１の構成について図１及び図３を用いて説明する。図１は、本考案の第１実施形態に係る電子回路モジュール１の構成を示す模式図である。図１（ａ）は、上面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ１断面を示す模式図である。図２は、図１に示す配線基板１０の構成を示す模式図である。図２（ａ）は、配線基板１０のみの模式図であり、図２（ｂ）は、電子部品２０と導電性チップ３０とを実装した状態の模式図である。図３は、図１に示す導電性チップ３０の構成を示す模式図である。図３（ａ）は、上面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ２−Ａ２断面を示す模式図である。

電子回路モジュール１は、図１に示すように、配線基板１０と、配線基板１０に実装された電子部品２０と導電性チップ３０と、配線基板１０の上に塗布された封止樹脂４０と、封止樹脂４０の上に形成された導電膜５０とを備えている。

配線基板１０は、図２に示すように、下面１０ａと上面１０ｂとを有している。配線基板１０の下面１０ａには、接地電極１１と端子電極１２とが形成されている。配線基板１０の上面１０ｂには、部品実装用電極１３とチップ実装用電極１４とが形成されている。配線基板１０の内部には、内部電極１５とスルーホール１６とが形成されている。チップ実装用電極１４は、内部電極１５とスルーホール１６とを介して接地電極１１に導電接続（以下、接続と略称）されている。部品実装用電極１３は、図示しない配線用の電極に接続されている。接地電極１１は、図示しない配線等を介して接地される。端子電極１２は、図示しない外部回路に接続される。このような配線基板１０は、電極パターン等が形成された複数の樹脂基板を積層することによって得られる。

電子部品２０としては、ＩＣやチップ抵抗やチップコンデンサやチップインダクタ等の部品が使用される。電子部品２０は、図２に示すように、配線基板１０の上面１０ｂに実装されている。そして、電子部品２０は、配線基板１０の部品実装用電極１３に半田付け等の方法で接続されて、電子回路を構成している。

導電性チップ３０は、図３に示すように、絶縁基板３１と、絶縁基板３１に形成された電極と、で構成されている。絶縁基板３１は、アルミナ等の絶縁性のセラミックでできた略直方体の基板である。絶縁基板３１は、左右方向に２つの側面（側端部）を有している。２つの側面のうち、左側の側面を第１側面３１ａとし、右側の側面を第２側面３１ｂとする。また、絶縁基板３１は、下面３１ｃ（下端部）と上面３１ｄ（上端部）とを有している。

絶縁基板３１の下面３１ｃの、左側の部分には、下面電極３２が形成されている。下面電極３２は、配線基板１０のチップ実装用電極１４に接続される第１電極３５となっている。絶縁基板３１の上面３１ｄには、上面電極３３が形成されている。上面電極３３は、絶縁基板３１の上面３１ｄの、左端部（第１側面３１ａ側）から右端部（第２側面３１ｂ側）まで延びている。上面電極３３の右端部は、導電膜５０に接続される第２電極３６となっている。上面電極３３の上面は、導電性チップ３０を実装する際の吸着面３７となっている。吸着面３７は、平面となっており、吸着に適している。絶縁基板３１の第１側面３１ａには、接続電極３４が形成されている。接続電極３４は、下面電極３２と上面電極３３とを接続している。

以下、接続電極３４を含む絶縁基板３１の第１側面３１ａを、導電性チップ３０の第１側端部３０ａとして説明を進める。また、第２電極３６を含む絶縁基板３１の第２側面３１ｂを、導電性チップ３０の第２側端部３０ｂとして説明を進める。また、下面電極３２を含む絶縁基板３１の下面３１ｃを、導電性チップ３０の下端部３０ｃとして説明を進める。

導電性チップ３０は、図２に示すように、配線基板１０の上面１０ｂの２箇所に実装されている。導電性チップ３０は、第１側端部３０ａが内側を向き、且つ、第２側端部３０ｂが外側を向くような配置で実装されている。そして、導電性チップ３０の下端部３０ｃに形成された第１電極３５は、半田付け等の方法によって配線基板１０のチップ実装用電極１４に接続されている。チップ実装用電極１４は、前述したように、内部電極１５とスルーホール１６とを介して、配線基板１０の接地電極１１に接続されている。

封止樹脂４０としては、絶縁性の樹脂が使用される。封止樹脂４０は、図１に示すように、配線基板１０の上面１０ｂに、電子部品２０を覆うように塗布されている。封止樹脂４０は、導電性チップ３０の第２側端部３０ｂを除く部分も覆っている。

導電膜５０としては、銀ペースト等の導電ペーストが使用される。導電膜５０は、図１に示すように、封止樹脂４０の上から、封止樹脂４０と導電性チップ３０の第２側端部３０ｂとを覆うように形成されている。導電性チップ３０の第２側端部３０ｂは、導電膜５０と接触している。そして、導電性チップ３０の第２電極３６は、第２側端部３０ｂと導電膜５０との接触によって、導電膜５０に接続されている。

電子回路モジュール１では、このようにして、導電膜５０が、電子部品２０を上から覆うと共に、導電性チップ３０を介して接地配線基板１０の接地電極１１に接続されている。そして、導電膜５０は、外部からの電磁界や静電気による電子部品２０への影響を阻止（又は低減）している。

次に、導電性チップ３０の加工方法について図４を用いて説明する。図４は、図２に示す導電性チップ３０の加工方法を示す説明図である。

導電性チップ３０の加工では、図４に示すように、まず、２つの導電性チップ３０が連設された集合チップ３８を作成する。集合チップ３８では、２つの導電性チップ３０は、第１側端部３０ａがそれぞれ外側となり、第２側端部３０ｂがそれぞれ内側となるような配置で連設される。

このような集合チップ３８は、アルミナ等の絶縁体のセラミックでできた基板の所定の位置に銀ペースト等の導電ペーストを塗布することによって得られる。そして、このようにして作成した集合チップ３８の中央部を、分割線Ｂ１に沿って切断し、分割することによって、２つの導電性チップ３０が得られる。

次に、電子回路モジュール１の加工方法について、図５を用いて説明する。図５は、図１に示す電子回路モジュール１の加工方法を示す説明図である。

電子回路モジュール１の加工では、図５に示すように、まず、複数の配線基板１０が連設された集合基板１７の所定の位置に、電子部品２０と導電性チップ３０とを実装する。導電性チップ３０は、集合チップ３８として実装される。集合チップ３８は、分割線Ｂ２を跨るように実装される。尚、分割線Ｂ２は、集合チップ３８の中央部を切断し、且つ、集合基板１７を個別の配線基板１０に分割する位置に設定されている。また、図示しないが、導電性チップ３０の実装に伴い、導電性チップ３０の第１電極３５が配線基板１０のチップ実装用電極１４に接続される。

次に、配線基板１０の上面１０ｂに、封止樹脂４０を塗布する。封止樹脂４０は、電子部品２０と集合チップ３８とを覆うように塗布される。次に、封止樹脂４０の上から配線基板１０の上面１０ｂに向けて切削加工を行い、溝６０を形成する。尚、溝６０は、分割線Ｂ２に沿って形成され、配線基板１０の上面１０ｂの高さで切削加工が終了するように設定されている。そして、溝６０の形成に伴って、集合チップ３８が切断され、個別の導電性チップ３０となる。

次に、封止樹脂４０の上から銀ペースト等の導電性ペーストを塗布すると共に、溝６０に導電性ペーストを流し込んで、導電膜５０を形成する。尚、図示しないが、導電膜５０の形成に伴い、導電膜５０と導電性チップ３０の第２側端部３０ｂとが接触する。次に、溝６０の溝幅よりも狭いカット幅で、分割線Ｂ２に沿って集合基板１７を切断し、分割する。電子回路モジュール１は、このような加工方法によって作成される。

次に、本実施形態の効果について説明する。本実施形態の電子回路モジュール１は、下面１０ａと上面１０ｂとを有する配線基板１０と、配線基板１０の下面１０ａに形成された接地電極１１と、配線基板１０の上面１０ｂに形成され、接地電極１１に接続されたチップ実装用電極１４と、配線基板１０の上面１０ｂに実装された電子部品２０と導電性チップ３０と、配線基板１０の上面１０ｂに、電子部品２０を覆うように塗布された封止樹脂４０と、封止樹脂４０を覆うように形成された導電膜５０と、を備えている。導電性チップ３０は、チップ実装用電極１４に接続される第１電極３５が形成された下端部３０ｃと、導電膜５０に接続される第２電極３６が形成された第２側端部３０ｂと、を有している。そして、第１電極３５と第２電極３６とは、接続電極３４を介して互いに接続され、導通している。

このような構成の電子回路モジュール１では、配線基板１０の接地電極１１と導電膜５０とを、導電性チップ３０を介して、配線基板１０の上面１０ｂよりも高い位置で接続することができる。そして、封止樹脂４０と導電性チップ３０とを切削して溝６０を形成する際に、配線基板１０に溝６０を形成しなくても良くなる。また、配線基板１０に溝６０を形成する場合でも、溝６０の深さを浅くすることができる。そのため、配線基板１０の厚さを薄くしたときに、溝６０の深さを高い精度で管理しなくても、溝６０が配線基板１０の下面１０ａに到達するのを防ぐことができる。しかも、導電性チップ３０は、電子部品２０と同時に配線基板１０に実装することができる。そのため、電子回路モジュール１の加工において、新たな工程を追加しないで、配線基板１０の接地電極１１と導電膜５０とを接続することができる。その結果、配線基板１０の厚さを薄くしても、電子回路モジュール１の加工が容易となる。

尚、本実施形態の電子回路モジュール１において、例えば、金属のワイヤを配線基板１０の上面にボンディングし、ボンディングしたワイヤを介して、導電膜５０と接地電極１１とを接続しても、配線基板１０の上面よりも高い位置で、接地電極１１と導電膜５０とを接続することができる。しかしながら、このような方法では、電子回路モジュール１の加工において、ワイヤを配線基板１０にボンディングするための工程が新たに必要となり、工程が複雑になってしまう。また、ワイヤを配線基板１０にボンディングするための設備も新たに必要となる。したがって、電子回路モジュール１の加工を容易にするためには、本実施形態のように、配線基板１０の上面に導電性チップ３０を実装する方が適している。

また、本実施形態の電子回路モジュール１では、導電性チップ３０は、絶縁基板３１に下面電極３２と上面電極３３と接続電極３４とが形成された構成であり、構造が簡単である。そのため、導電性チップ３０を作成する際の加工が容易である。また、上面電極３３の上面は、導電性チップ３０を実装する際の吸着面３７となっている。吸着面３７は、平面となっており、吸着に適している。そのため、導電性チップ３０を配線基板１０に実装する際の加工が容易である。その結果、電子回路モジュール１の加工が更に容易となる。

［第２実施形態］
以下、本考案の第２実施形態について図面を参照しながら説明する。尚、本実施形態において、前述した第１実施形態と同一の構成である場合、同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、各図において、Ｘ１方向を左方向、Ｘ２方向を右方向、Ｙ１方向を前方、Ｙ２方向を後方、Ｚ１方向を上方、Ｚ２方向を下方として、説明を進める。

まず、本考案の第２実施形態に係る電子回路モジュール１０１の構成について図６及び図７を用いて説明する。図６は、本考案の第２実施形態に係る電子回路モジュール１０１の構成を示す模式図である。図６（ａ）は、上面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ３−Ａ３断面を示す模式図である。図７は、図６に示す導電性チップ１３０の構成を示す模式図である。図７（ａ）は、上面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ４−Ａ４断面を示す模式図である。

電子回路モジュール１０１は、図６に示すように、配線基板１０と、配線基板１０に実装された電子部品２０と導電性チップ１３０と、配線基板１０の上に塗布された封止樹脂４０と、封止樹脂４０の上に形成された導電膜５０とを備えている。電子回路モジュール１０１は、第１実施形態に係る電子回路モジュール１の導電性チップ３０が、導電性チップ１３０に置き換わったものである。

導電性チップ１３０は、図７に示すように、略直方体の金属部材１３１である。金属部材１３１は、銅又は黄銅でできている。金属部材１３１は、左右方向に２つの側面（側端部）を有している。２つの側面のうち、左側の側面を第１側面１３１ａとし、右側の側面を第２側面１３１ｂとする。また、金属部材１３１は、下面１３１ｃ（下端部）と上面１３１ｄ（上端部）とを有している。

そして、金属部材１３１の第１側面１３１ａが、導電性チップ１３０の第１側端部１３０ａとなり、金属部材１３１の第２側面１３１ｂが、導電性チップ１３０の第２側端部１３０ｂとなり、金属部材１３１の下面１３１ｃが、導電性チップ１３０の下端部１３０ｃとなっている。また、金属部材１３１の下面１３１ｃが、配線基板１０のチップ実装用電極１４に接続される第１電極１３５となり、金属部材１３１の第２側面１３１ｂが、導電膜５０に接続される第２電極１３６となっている。第１電極１３５と第２電極１３６とは、互いに導通している。また、金属部材１３１の上面１３１ｄが、導電性チップ１３０を実装する際の吸着面１３７となっている。吸着面１３７は、平面となっており、吸着に適している。

導電性チップ１３０は、図６に示すように、配線基板１０の上面１０ｂの２箇所に実装されている。そして、導電性チップ１３０の第１電極１３５は、配線基板１０のチップ実装用電極１４に接続されている。チップ実装用電極１４は、内部電極１５とスルーホール１６とを介して、配線基板１０の接地電極１１に接続されている。導電性チップ１３０の第２電極１３６は、導電膜５０に接続されている。

電子回路モジュール１０１では、このようにして、導電膜５０が、電子部品２０を上から覆うと共に、導電性チップ１３０を介して接地配線基板１０の接地電極１１に接続されている。そして、導電膜５０は、外部からの電磁界や静電気による電子部品２０への影響を阻止（又は低減）している。

次に、導電性チップ１３０の加工方法について図８を用いて説明する。図８は、図６に示す導電性チップ１３０の加工方法を示す模式図である。

導電性チップ１３０の加工では、図９に示すように、まず、２つの導電性チップ１３０が連設された集合チップ１３８を作成する。集合チップ１３８では、２つの導電性チップ１３０は、第１側端部１３０ａがそれぞれ外側となり、第２側端部１３０ｂがそれぞれ内側となるような配置で連設される。

このような集合チップ１３８は、銅又は黄銅でできた棒状の金属部材を所定の長さに切断することによって得られる。そして、このようにして作成した集合チップ１３８の中央部を、分割線Ｂ３に沿って切断し、分割することによって、２つの導電性チップ３０が得られる。

電子回路モジュール１０１の加工方法は、第１実施形態に係る電子回路モジュール１の加工方法と同様である。但し、配線基板１０には、導電性チップ３０の代わりに導電性チップ１３０が実装される。そして、溝６０の形成の際には、導電性チップ３０の代わりに導電性チップ１３０が切断される。

次に、本実施形態の効果について説明する。本実施形態の電子回路モジュール１０１では、導電性チップ１３０は、略直方体の金属部材１３１であり、構造が簡単である。そのため、導電性チップ１３０を作成する際の加工が容易である。また、金属部材１３１の表面は平面で構成されており、実装する際の吸着に適している。そのため、電子回路モジュール１０１の加工において、導電性チップ１３０の配線基板１０への実装が容易である。その結果、電子回路モジュール１０１の加工が更に容易となる。

また、本実施形態の電子回路モジュール１０１では、導電性チップ１３０の第２電極１３６は、略直方体の金属部材１３１の第２側面１３１ｂである。そのため、金属部材１３１の第２側面１３１ｂの面積を広くすることによって、導電性チップ１３０と導電膜５０との接触面積を広くすることができる。そして、導電性チップ１３０と導電膜５０との接触面積を広くなる程、導電性チップ１３０と導電膜５０との接続が安定する。その結果、導電性チップ１３０と導電膜５０との接続を安定させ、電子回路モジュール１０１のシールド性を安定させることができる。

また、本実施形態の電子回路モジュール１０１では、導電性チップ１３０の金属部材１３１は、銅又は黄銅でできている。銅や黄銅は切削加工が容易な金属である。そのため、導電性チップ１３０を作成する際の加工が容易である。また、電子回路モジュール１０１の加工において、封止樹脂４０と導電性チップ１３０とを切削して溝６０を形成する際に、導電性チップ１３０の切削加工が容易である。その結果、電子回路モジュール１０１の加工が更に容易となる。

以上、本考案の実施形態について説明してきたが、本考案は上記の実施形態に限定されず、本考案の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することができる。

例えば、本考案の実施形態において、電子回路モジュール１の仕様に対応して、導電性チップ３０の個数や配置を適宜変更しても構わない。また、電子回路モジュール１０１の仕様に対応して、導電性チップ１３０の個数や配置を適宜変更しても構わない。シールド性をより重視する場合、導電性チップ３０又は導電性チップ１３０の個数を更に多くしても構わない。また、十分なシールド性が得られるのであれば、導電性チップ３０又は導電性チップ１３０の個数を少なくしても構わない。

また、本考案の第１実施形態において、電子回路モジュール１の仕様に対応して、導電性チップ３０の形状を適宜変更しても構わない。例えば、導電性チップ３０の接続電極３４は、絶縁基板３１のスルーホールの内壁に形成された電極であっても構わない。また、電子回路モジュール１の仕様に対応して、導電性チップ３０の材質を適宜変更しても構わない。例えば、絶縁基板３１は、合成樹脂製の基板であっても構わない。また、下面電極３２と上面電極３３とは、合成樹脂製の基板に貼り付けられた銅板でも構わない。

また、本考案の第２実施形態において、電子回路モジュール１０１の仕様に対応して、導電性チップ１３０の長さや幅や厚さ等の寸法を適宜変更しても構わない。また、導電性チップ１３０の直方体の角の部分に丸みを持たせても構わない。また、電子回路モジュール１の仕様に対応して、導電性チップ１３０の金属部材の材質を適宜変更しても構わない。例えば、切削加工がより容易になるように、黄銅に鉛等の金属を微量に含有させた金属を使用しても構わない。また、切削加工が可能ならば、ニッケルやアルミニウム等の安価な金属を使用しても構わない。また、導電性チップ１３０を保管し易くするために、金属部材の表面に金メッキや防錆処理等の処理を施しても構わない。

また、本考案の実施形態において、電子回路モジュール１の仕様に対応して、配線基板１０や封止樹脂４０や導電膜５０の材質を適宜変更しても構わない。例えば、配線基板１０は、セラミック基板であっても構わない。また、配線基板１０は、両面基板であり、内部電極１５は無くても構わない。また、導電膜５０として、銀ペーストではなく、導電性を有した樹脂ペースト等を使用しても構わない。
も構わない。

また、本考案の実施形態において、切削加工によって溝６０を形成する際に、溝６０の深さを適宜変更しても構わない。例えば、導電性チップ３０の第２電極３６又は導電性チップ１３０の第２電極１３６の一部が導電膜５０と接触し、且つ、誤って配線基板１０を切断する可能性が低いのであれば、配線基板１０の上面１０ｂから多少ずれた高さで、溝６０の切削加工を終了しても構わない。つまり、溝６０を形成する為の切削加工は、配線基板１０の上面１０ｂよりも高い位置で終了して、導電性チップ３０又は導電性チップ１３０の一部のみを切断しても構わない。また、溝６０を形成する為の切削加工は、配線基板１０の上面１０ｂよりも低い位置で終了して、配線基板１０の一部に溝６０を形成しても構わない。

１ 電子回路モジュール
１０ 配線基板
１０ａ 下面
１０ｂ 上面
１１ 接地電極
１２ 端子電極
１３ 部品実装用電極
１４ チップ実装用電極
１５ 内部電極
１６ スルーホール
１７ 集合基板
２０ 電子部品
３０ 導電性チップ
３０ａ 第１側端部
３０ｂ 第２側端部
３０ｃ 下端部
３０ｄ 上面
３１ 絶縁基板
３１ａ 第１側面
３１ｂ 第２側面
３１ｃ 下面
３１ｄ 上面
３２ 下面電極
３３ 上面電極
３４ 接続電極
３５ 第１電極
３６ 第２電極
３７ 吸着面
３８ 集合チップ
４０ 封止樹脂
５０ 導電膜
６０ 溝
１０１ 電子回路モジュール
１３０ 導電性チップ
１３０ａ 第１側端部
１３０ｂ 第２側端部
１３０ｃ 下端部
１３０ｄ 上面
１３１ 金属部材
１３１ａ 第１側面
１３１ｂ 第２側面
１３１ｃ 下面
１３１ｄ 上面
１３５ 第１電極
１３６ 第２電極
１３７ 吸着面
１３８ 集合チップ

Claims (4)

1. 下面と上面とを有する配線基板と、
   前記配線基板の下面に形成された接地電極と、
   前記配線基板の上面に形成され、前記接地電極に接続されたチップ実装用電極と、
   前記配線基板の上面に実装された電子部品と、
   前記配線基板の上面に実装された導電性チップと、
   前記配線基板の上面に、前記電子部品を覆うように塗布された封止樹脂と、
   前記封止樹脂を覆うように形成された導電膜と、を備え、
   前記導電性チップは、
   前記チップ実装用電極に接続される第１電極が形成された下端部と、
   前記導電膜に接続される第２電極が形成された側端部と、を有し、
   前記第１電極と前記第２電極とは、互いに導通していることを特徴とする電子回路モジュール。
2. 前記導電性チップは、
   下面と上面と側端部とを有する絶縁基板と、
   前記絶縁基板の下面に形成された下面電極と、
   前記絶縁基板の上面に形成され、前記絶縁基板の側端部まで延びる上面電極と、
   前記下面電極と前記上面電極とを接続する接続電極と、を有し、
   前記下面電極が、前記第１電極となり、
   前記上面電極の側端部が、前記第２電極となっていることを特徴とする、
   請求項１に記載の電子回路モジュール。
3. 前記導電性チップは、
   下面と上面と側面とを有する略直方体の金属部材であり、
   前記金属部材の下面が、前記第１電極となり、
   前記金属部材の側面が、前記第２電極となっていることを特徴とする、
   請求項１に記載の電子回路モジュール。
4. 前記金属部材は、銅又は黄銅でできていることを特徴とする、
   請求項３に記載の電子回路モジュール。