JP2010035070A - マイクロフォンモジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】全体を薄型化しても、コンデンサマイクロフォンとその出力を効果的に電磁遮蔽することができるマイクロフォンモジュールを提供する。
【解決手段】コンデンサマイクロフォンチップとその出力線となる金属細線とを、リードフレーム基板の接地するダイパッド部の上方に配置し、リードフレーム基板の周囲を接地する金属製シールドケースにより覆い、金属板の厚みに等しいダイパッド部と金属製シールドケースにより高周波電磁誘導ノイズの侵入を遮断する。
【選択図】図2
【解決手段】コンデンサマイクロフォンチップとその出力線となる金属細線とを、リードフレーム基板の接地するダイパッド部の上方に配置し、リードフレーム基板の周囲を接地する金属製シールドケースにより覆い、金属板の厚みに等しいダイパッド部と金属製シールドケースにより高周波電磁誘導ノイズの侵入を遮断する。
【選択図】図2
Description
本発明は、コンデンサマイクロフォンを内蔵するマイクロフォンモジュールに関し、更に詳しくは、電磁誘導ノイズの影響を受けずにコンデンサマイクロフォンの出力信号を出力するマイクロフォンモジュールに関する。
コンデンサマイクロフォンは、音声の音圧を受けてコンデンサの電極間の静電容量が変化する原理を利用し、高抵抗を介して電極間に電圧を加え、静電容量の変化に比例した電圧の変化を取り出することによって、音声信号を電圧信号に変換して出力する音声信号変換素子である。従って、コンデンサマイクロフォンの出力インピーダンスは、小型のものでも1ギガオーム程度に達する高インピーダンスであり、信号レベルが極めて低いことから、入力インピーダンスの高い増幅器をその出力に接続し、音声信号を表す出力信号を増幅している。
従って、コンデンサマイクロフォンから増幅器までの回路は、電磁誘導ノイズや静電誘導によるノイズに脆弱であり、厳重に電磁遮蔽を行う必要があった。そこで、従来、プリント基板上に取り付けられるコンデンサマイクロフォンと増幅器を導電性ケースで覆ったマイクロフォンモジュールが提案されている(特許文献1)。
この従来のマイクロフォンモジュール100は、図8に示すように、プリント基板105上にコンデンサマイクロフォンチップ101とその出力信号を増幅する増幅器102が実装され、コンデンサマイクロフォンチップ101の出力信号は、金属細線で増幅器102と接続され、更に金属細線及び回路パターンによりプリント基板105に接続され外部に出力される。
また、コンデンサマイクロフォンチップ101と増幅器102を含むプリント基板105の平面は、音孔103を有する金属ケース104で覆われている。音孔103は、音声による音圧を金属ケース104に囲われたコンデンサマイクロフォンチップ101の電極へ伝達させる為のものである。
プリント基板105の平面には、上述の回路パターンを形成する銅箔からなる12乃至38μmの厚さの導電材料層が形成されるが、プリント基板105自体はFR−4などのガラスエポキシ材料により形成されるので、その底面全体に2乃至7μmの厚さのニッケルメッキを施したり、中間層に導電層を介在させ、金属ケース104が開口するプリント基板105側を遮蔽している。
この従来のマイクロフォンモジュール100によれば、コンデンサマイクロフォンチップ101とその出力回路パターンが金属ケース104とプリント基板105に形成されるニッケルメッキや導電層で覆われるので、静電遮蔽については一定の効果が得られるが、厚さを1.5mm以下に小型化するマイクロフォンモジュール100では、プリント基板105も薄型化する必要があり、厚さが数μmのニッケルメッキや導電層では、電磁遮蔽が不完全で、コンデンサマイクロフォンの出力信号から高周波電磁誘導ノイズを除くことができないという問題があった。
本発明は、このような従来の問題点を考慮してなされたものであり、全体を薄型化しても、コンデンサマイクロフォンとその出力を効果的に電磁遮蔽することができるマイクロフォンモジュールを提供することを目的とする。
上述の目的を達成するため、請求項1のマイクロフォンモジュールは、一枚の金属板から打ち抜かれた第1リード片と第2リード片と第3リード片とを、打ち抜かれた際の相対位置で、金属板にほぼ等しい厚みの絶縁モールド体により一体成形してなるリードフレーム基板と、リードフレーム基板の平面上に搭載されるコンデンサマイクロフォンチップと、リードフレーム基板の平面上に搭載され、コンデンサマイクロフォンチップに接続する金属細線から入力されるコンデンサマイクロフォンチップの出力信号を増幅するマイクロフォン駆動チップと、音孔が形成され、リードフレーム基板の平面上に固定されることにより、リードフレーム基板との間に収容室が形成される金属製シールドケースとを備え、マイクロフォン駆動チップは、外部電源に接続する第1リード片から電源を入力し、マイクロフォン駆動チップで増幅された出力信号を、第2リード片と接地された第3リード片間に出力するマイクロフォンモジュールであって、
第3リード片は、リードフレーム基板の平面上で収容室に臨むダイパッド部を有し、コンデンサマイクロフォンチップとマイクロフォン駆動チップと金属細線とは、ダイパッド部の上方に配置され、第3リード片に接続する金属製シールドケースにより周囲が覆われることを特徴とする。
第3リード片は、リードフレーム基板の平面上で収容室に臨むダイパッド部を有し、コンデンサマイクロフォンチップとマイクロフォン駆動チップと金属細線とは、ダイパッド部の上方に配置され、第3リード片に接続する金属製シールドケースにより周囲が覆われることを特徴とする。
コンデンサマイクロフォンチップとマイクロフォン駆動チップと金属細線とは、周囲が接地された第3リード片に接続する金属製シールドケースで覆われ、金属製シールドケースが開口する底面側は、金属板の厚みに等しい第3リード片のダイパッド部で覆われるので、高周波電磁誘導ノイズの侵入が遮断される。
請求項2のマイクロフォンモジュールは、第1リード片と第2リード片と第3リード片のリードフレーム基板の平面に露出する各部を、それぞれ電源回路パターンと信号出力パターンと接地パターンとして、リードフレーム基板の平面上に、第1リード片を介してマイクロフォン駆動チップが電源を入力し、第2リード片と第3リード片との間に、マイクロフォン駆動チップで増幅された出力信号を出力するコンデンサマイクロフォン出力回路が形成されることを特徴とする。
金属板を打ち抜く形状によって、プリント配線基板上に形成される印刷パターンに相当する電源回路パターンと接地パターンと出力信号パターンが形成される。
請求項3のマイクロフォンモジュールは、第1リード片と第2リード片と第3リード片を一組とする複数組のリード片が、共通するタイバーに所定ピッチで一体に連結する状態で金属板から打ち抜かれ、第1リード片と第2リード片と第3リード片は、それぞれタイバーから切り離す連結部を、リードフレーム基板の側面から突出させた外部端子部とすることを特徴とする。
複数組のリード片は、共通するタイバーに一体に連結する状態で金属板から打ち抜いて同時に形成される。また、各組の第1リード片と第2リード片と第3リード片は、タイバーに連結して相対的に位置決めされるので、その打ち抜かれた相対位置で絶縁モールドにより一体成形することができる。
タイバーに連結する連結部は、一体成形してなるリードフレーム基板の側面から突出するので、外部回路に接続する外部端子部とすることができる。
請求項1の発明によれば、接地されたリードフレームの一部であるダイパッド部により、金属製シールドケースが開口する底面側が覆われるので、薄型化したマイクロフォンモジュールであっても、高周波電磁誘導ノイズが通過しない厚さの金属板でマイクロフォンモジュールとその出力部である金属細線を、外部から確実に電磁遮蔽することができ、高周波電磁誘導ノイズを含まないコンデンサマイクロフォンの出力信号を出力することができる。
請求項2の発明によれば、金属板を打ち抜き第1リード片と第2リード片と第3リード片を形成する工程で、電源回路パターンと出力信号パターンと接地パターンが同時に形成されるので、これらのパターンを別に形成することなく、必要な素子を搭載するだけで、コンデンサマイクロフォン出力回路を形成することができる。
請求項3の発明によれば、複数のマイクロフォンモジュールに備えられるリードフレーム基板を一連の工程でまとめて製造することができる。
また、第1リード片と第2リード片と第3リード片を、タイバーに連結させてリードフレーム基板とする工程で側面から突出する外部端子部によって、外部回路へ電気接続することができる。
以下、本発明の一実施の形態に係るマイクロフォンモジュール1を、図1乃至図6を用いて説明する。図1は、金属製シールドケース20を除いたマイクロフォンモジュール1の斜視図であり、長方形の板状に形成されたリードフレーム基板2と、その平面上に搭載されるコンデンサマイクロフォンチップ3、マイクロフォン駆動チップ4及び2つのコンデンサ5、6とから、図3に示すコンデンサマイクロフォン出力回路が構成される。
リードフレーム基板2は、後述する工程で一枚の導電性金属板から打ち抜き形成される第1リード片7、第2リード片8及び第3リード片9と、これらのリード片7、8、9とともに一体成形される絶縁モールド体10とからなっている。図6、図7に示すように、絶縁モールド体10の厚さは、各リード片7、8、9を打ち抜き形成する金属板の厚さにほぼ等しい厚さとなっている。
第1リード片7は、この絶縁モールド体10に囲まれてリードフレーム基板2の平面に露出する内部電源端子部7aと、底面に露出する部位を電源リード端子部7bと、絶縁モールド体10の一側面から突出する外部電源端子部7cとを有し、図示しない外部電源が電源リード端子部7b又は外部電源端子部7cのいずれかに接続されることにより、コンデンサマイクロフォン出力回路の各回路素子に電源を供給する電源回路パターンとして作用する。
また、第2リード片8は、リードフレーム基板2の平面の2カ所の一部で露出する内部信号端子部8aと、底面に露出する信号リード端子部8bと、絶縁モールド体10の一側面から突出する外部信号端子部8cとを有し、図示しない外部信号処理回路が信号リード端子部8b又は外部信号端子部8cのいずれかに接続されることにより、コンデンサマイクロフォン出力回路の信号出力パターンとして作用する。
第3リード片9は、第1リード片7と第2リード片8間の隙間の金属板から打ち抜かれ、リードフレーム基板2の平面に、コンデンサマイクロフォンチップ3、マイクロフォン駆動チップ4を搭載する大きさで長方形状に露出するダイパッド部11と、内部電源端子部7aと内部信号端子部8aの間でリードフレーム基板2の残る平面に露出する内部接地端子部9aと、リードフレーム基板2の底面に露出する接地リード端子部9bと、前後(図2において左右)の側面の3カ所から突出する外部接地端子部9c、9c、9cとを一体に有している。第3リード片9は、接地リード端子部9bと外部接地端子部9c、9c、9cの少なくとも一つが接地されることにより、コンデンサマイクロフォン出力回路の接地パターンとして作用する。
コンデンサマイクロフォンチップ3は、音声の音圧を受け、音圧による静電容量の変化に比例して電圧信号を出力する音声検出素子であり、その一対の出力端子とマイクロフォン駆動チップ4の一対の入力端子を、ワイヤボンディングによる一対の金属細線12、12で接続することにより、電圧信号からなる出力信号をマイクロフォン駆動チップ4へ出力している。
マイクロフォン駆動チップ4は、コンデンサマイクロフォンチップ3の出力インピーダンスが高インピーダンスであることから、ここでは、高い入力インピーダンスの増幅回路として設計されたASIC(Application Specific Integrated Circuit)チップにより構成される。マイクロフォン駆動チップ4は、ワイヤボンディングによる金属細線14で接続する内部電源端子部7aから電源を入力し、一対の出力端子の一方を、第3リード片9のダイパッド部11に、他方を、内部信号端子部8aに、それぞれワイヤボンディングによる金属細線13、15により接続し、増幅したコンデンサマイクロフォンチップ3の出力信号を第2リード片8と第3リード片9間に出力している。また、マイクロフォン駆動チップ4は、バイアス電圧供給回路も備え、必要に応じて金属細線12からコンデンサマイクロフォンチップ3に供給するともできる。
コンデンサマイクロフォンチップ3とマイクロフォン駆動チップ4は、ダイパッド11上に接着剤により固定され、これらのチップ3、4とチップ3、4間を接続する金属細線12、12を含む全体の鉛直方向(図2において上下方向)に投影した輪郭が、ダイパッド11の平面内に投影されるように、ダイパッド11上に配置される。
図6に示すように、コンデンサ5とコンデンサ6とは、それぞれリードフレーム基板2の平面に露出する第2リード片8の内部信号端子部8aと第3リード片9のダイパッド11との間、及び内部信号端子部8aと第3リード片9の内部接地端子部9aとの間に跨って搭載され、第2リード片8と第3リード片9に接続されることにより、図3に示す信号出力パターン8と接地パターン9間の高周波ノイズを遮断する高周波フィルタが形成される。
金属製シールドケース20は、コンデンサマイクロフォンチップ3、マイクロフォン駆動チップ4及び2つのコンデンサ5、6が搭載されたリードフレーム基板2の平面全体を覆うもので、ニッケル合金板若しくは銅合金板などの金属板により底面側が開口する直方体状に形成される。金属製シールドケース20の平面には、外部の音声の音圧をコンデンサマイクロフォンチップ3へ伝える為の小孔からなる音孔21が穿設されている。
以下、このように構成されるマイクロフォンモジュール1を製造する製造工程を説明する。リードフレーム基板2は、縦3.5mm、横4.85mm、厚さが1.25mm以下の微小な基板であり、他の多数のリードフレーム基板2とともに同時にプレス加工と絶縁モールド体10による一体成形工程を経て製造される。
リードフレーム基板2を形成する一組の第1リード片7、第2リード片8及び第3リード片9は、縦方向と横方向に同一形状で連続する他のリードフレーム基板2を形成するリード片7、8、9とともに、共通するタイバー23に一体に連結した状態で、ニッケル合金板若しくは銅合金板などからなる一枚の導電性金属板から打ち抜いて形成される。
続いて、各第1リード片7、第2リード片8及び第3リード片9の平面側に露出する内部端子部7a、8a、9aと底面側に露出するリード端子部7b、8b、9bを残して、リード片7、8、9の一部を、プレス加工及びエッチング加工で図4、図5に示す形状に加工し、各リード片7、8、9の平面側と底面側の一部に絶縁モールド体10を流入させる空間を形成する。また、タイバー23に連結される各リード片7、8、9の連結部7C、8C、9Cの底面側も除かれ、薄肉となってタイバー23に連結している。
図4、図5に示す各リード片7、8、9は、共通して連結するタイバー23を残し、絶縁モールド体10を一体成形する金型内に配置される。金型内のキャビティの高さは、各リード片7、8、9を形成する金属板の厚さに略等しく、キャビティ内に絶縁モールド体10を流入させることにより、金属板にほぼ等しい厚さのリードフレーム基板2が成型される。各リード片7、8、9は、タイバー23に一体に連結されると共に、平面に露出する内部端子部7a、8a、9aと底面に露出するリード端子部7b、8b、9bとが上下の金型で挟持されるので、絶縁モールド体10を流入圧により位置ずれすることなく、互いに所定の間隔を保って成型される。また、内部端子部7a、8a、9aとリード端子部7b、8b、9bに絶縁モールド体10が付着することがなく、樹脂ばりの発生が抑制される。
続いて、リードフレーム基板2のダイパッド11上に、コンデンサマイクロフォンチップ3とマイクロフォン駆動チップ4を接着によって固定し、ワイヤボンディングで金属細線12、13を接続する。また、コンデンサ5、6を、内部信号端子部8aと内部接地端子部9a間に跨らせて接続し、信号回路パターンと接地回路パターン間に接続する。このように、リードフレーム基板2の平面に露出する各リード片7、8、9の内部電源端子部7a、内部信号端子部8a、内部接地端子部9aは、それぞれ図3の電源回路パターン、信号回路パターン、接地回路パターンに相当する部位に露出するので、リードフレーム基板2上に新たな回路パターンを形成することなく、必要最小限のワイヤボンディングによってコンデンサマイクロフォン出力回路に必要な回路部品を接続できる。
リードフレーム基板2の平面上には、上述の一体成形の際に、その周辺に沿ってわずかに盛り上げられた絶縁枠部10aが絶縁モールド体10により形成され、図2に示すように、この絶縁枠部10a上に、音孔21がダイパッド11の上方から外れた位置となる姿勢で金属製シールドケース20を取り付け、金属製シールドケース20の長方形状枠の底面を接着してリードフレーム基板2上に固定する。この固定の際に、ダイパッド11の隅に導電性接着剤22(図1参照)が塗布され、ダイパッド11と金属製シールドケース20の間が導電性接着剤22により電気接続される。
金属製シールドケース20を固定することにより、リードフレーム基板2上に搭載した回路部品3、4、5、6及び金属細線12、13の周囲が、金属製シールドケース20によって覆われる。
一体成形した各リードフレーム基板2は、薄肉の連結部7C、8C、9Cにおいてタイバー23から切断することにより、図6、図7に示すリードフレーム基板2が形成される。タイバー23から切断され、リードフレーム基板2の前後の側面から突出して残された連結部7C、8C、9Cは、それぞれ上述の外部電源端子部7c、外部信号端子部8c、外部接地端子部9cとされ、マイクロフォンモジュール1の製造工程が完了する。
このように製造されたマイクロフォンモジュール1は、例えば、マイクロフォンモジュール1を用いて音声を入力する必要のある携帯電話機などのプリント配線基板上に配線された電源ランドパターン、信号ランドパターン及び接地ランドパターンへ、それぞれリードフレーム基板2の底面に露出する電源リード端子部7b、信号リード端子部8b、接地リード端子部9bを対向配置させ、リフロー接続により相互を電気接続して、プリント配線基板に表面実装する。
また、リードフレー基板2の底面に露出するリード端子部7b、8b、9bの他に、側面から突出する外部電源端子部7c、外部信号端子部8cを外部電源、外部信号処理回路に接続したり、外部接地端子部9c、9c、9cを接地させることもできる。接地リード端子部9bと外部接地端子部9cの少なくともいずれかを接地させることにより、コンデンサマイクロフォンチップ3とマイクロフォン駆動チップ4及びこれらを接続する金属細線12の周囲は接地された金属製シールドケース20により覆われ、金属製シールドケース20が開口する底面側にも接地されたダイパッド11が配置されるので、接地された金属板の厚さで電磁遮蔽することができ、高周波電磁誘導ノイズを含まないコンデンサマイクロフォンの出力信号を出力することができる。
上述の実施の形態では、ダイパッド11がリードフレーム基板2の平面に露出しているが、コンデンサマイクロフォンチップ3とマイクロフォン駆動チップ4及びこれらを接続する金属細線12の下方に配置されるものであれば、絶縁モールド体10により埋め込まれているものであってもよく、底面側に露出していてもよい。
また、マイクロフォン駆動チップ4は、ASICチップで構成したが、入力インピーダンスが高く、増幅回路を内蔵する素子であれば、他の回路素子で構成することもできる。
また、上述の実施の形態では、絶縁モールド体10に3種類の第1リード片7、第2リード片8及び第3リード片9を一体成形してリードフレーム基板2としたが、4種類以上のリード片を一体成形してリードフレーム基板とし、そのうちの3種類を一組のリード片7、8、9としてもよい。
また、外部の音声の音圧をコンデンサマイクロフォンチップ3へ伝える為の小孔からなる音孔21を、金属製シールドケース20に形成したが、リード片7、8、9と干渉しない位置であれば、リードフレーム基板側など他の位置に形成してもよい。
本発明は、コンデンサマイクロフォンチップの出力機能を有する微小なマイクロフォンモジュールに適している。
1 マイクロフォンモジュール
2 リードフレーム基板
3 コンデンサマイクロフォンチップ
4 マイクロフォン駆動チップ
7 第1リード片
8 第2リード片
9 第3リード片
10 絶縁モールド体
11 ダイパッド部
12 金属細線
20 金属製シールドケース
21 音孔
23 タイバー
2 リードフレーム基板
3 コンデンサマイクロフォンチップ
4 マイクロフォン駆動チップ
7 第1リード片
8 第2リード片
9 第3リード片
10 絶縁モールド体
11 ダイパッド部
12 金属細線
20 金属製シールドケース
21 音孔
23 タイバー
Claims (4)
- 一枚の金属板から打ち抜かれた第1リード片と第2リード片と第3リード片とを、打ち抜かれた際の相対位置で、前記金属板にほぼ等しい厚みの絶縁モールド体により一体成形してなるリードフレーム基板と、
前記リードフレーム基板の平面上に搭載されるコンデンサマイクロフォンチップと、
前記リードフレーム基板の平面上に搭載され、前記コンデンサマイクロフォンチップに接続する金属細線から入力されるコンデンサマイクロフォンチップの出力信号を増幅するマイクロフォン駆動チップと、
音孔が形成され、前記リードフレーム基板の平面上に固定されることにより、リードフレーム基板との間に収容室が形成される金属製シールドケースとを備え、
前記マイクロフォン駆動チップは、外部電源に接続する前記第1リード片から電源を入力し、マイクロフォン駆動チップで増幅された出力信号を、前記第2リード片と接地された前記第3リード片間に出力するマイクロフォンモジュールであって、
前記第3リード片は、前記リードフレーム基板の平面上で収容室に臨むダイパッド部を有し、
前記コンデンサマイクロフォンチップと前記マイクロフォン駆動チップと前記金属細線とは、ダイパッド部の上方に配置され、前記第3リード片に接続する金属製シールドケースにより周囲が覆われることを特徴とするマイクロフォンモジュール。 - 第1リード片と第2リード片と第3リード片のリードフレーム基板の平面に露出する各部を、それぞれ電源回路パターンと信号出力パターンと接地パターンとして、前記リードフレーム基板の平面上に、第1リード片を介してマイクロフォン駆動チップが電源を入力し、第2リード片と第3リード片との間に、マイクロフォン駆動チップで増幅された出力信号を出力するコンデンサマイクロフォン出力回路が形成されることを特徴とする請求項1に記載のマイクロフォンモジュール。
- 第1リード片と第2リード片と第3リード片を一組とする複数組のリード片が、共通するタイバーに所定ピッチで一体に連結する状態で金属板から打ち抜かれ、第1リード片と第2リード片と第3リード片は、それぞれタイバーから切り離す連結部を、リードフレーム基板の側面から突出させた外部端子部とすることを特徴とする請求項1又は2のいずれか1項に記載のマイクロフォンモジュール。
- リード片を4カ所以上備えたことを特徴とする請求項1に記載のマイクロフォンモジュール。
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JP2010035070A true JP2010035070A (ja) | 2010-02-12 |
Family
ID=41739000
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008197187A Pending JP2010035070A (ja) | 2008-07-31 | 2008-07-31 | マイクロフォンモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010035070A (ja) |
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