JP2007150507A - マイクロホンパッケージ - Google Patents
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Abstract
【課題】マイクロホンパッケージにおいて、寸法精度の安定したリーク孔とキャビティを備えて音響特性を良好に保持して小型化を可能とする。
【解決手段】立体回路と第1キャビティ21と第1キャビティ21の略上部にあって当該第1キャビティ21に連通する第2キャビティ22とを有するセラミック積層板2と、第2キャビティ22内部に第1キャビティ21の開口部を塞ぐように配置され外周部を封止して実装された外部からの音響信号を受信して電気容量の変化を生じるシリコンマイクロホンチップと3、第1キャビティ21内に実装されシリコンマイクロホンチップ3の電気容量の変化を電気信号に変換し出力する電子部品4とを備え、セラミック積層板2は、第1キャビティ21から外部に通じる通気用のリーク孔6を備える。
【選択図】図1
【解決手段】立体回路と第1キャビティ21と第1キャビティ21の略上部にあって当該第1キャビティ21に連通する第2キャビティ22とを有するセラミック積層板2と、第2キャビティ22内部に第1キャビティ21の開口部を塞ぐように配置され外周部を封止して実装された外部からの音響信号を受信して電気容量の変化を生じるシリコンマイクロホンチップと3、第1キャビティ21内に実装されシリコンマイクロホンチップ3の電気容量の変化を電気信号に変換し出力する電子部品4とを備え、セラミック積層板2は、第1キャビティ21から外部に通じる通気用のリーク孔6を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、携帯電話、補聴器、車載用の音響センサ、超音波センサの受波装置などに用いられるシリコンマイクロホンチップを用いたマイクロホンパッケージに関する。
近年、従来のエレクトレットコンデンサマイクロホンに比べて小型薄型軽量化が可能で耐環境性に優れたシリコンマイクロホンチップを用いたマイクロホンパッケージが注目されている。このようなマイクロホンパッケージとして、印刷回路基板に凹部を形成し、その凹部を圧力リファレンスを提供するキャビティとしたものが知られている(例えば、特許文献1参照)。
特表2004−537182号公報
しかしながら、上述した特許文献1に示されるようなマイクロホンパッケージにおいては、印刷回路基板にキャビティや、キャビティと外界との通気を行って音響特性を維持するためのリーク孔等の音響特性に影響を及ぼす形状を精度良く設けることは難しく、小型化等が困難である。またシリコンマイクロホンチップと信号処理用の電子部品が同一平面上に存在するので、昨今求められる小型化への対応に関して形状的に限界がある。
本発明は、上記課題を解消するものであって、寸法精度の安定したリーク孔とキャビティを備えて音響特性を良好に保持して小型化を実現できるシリコンマイクロホンチップを用いたマイクロホンパッケージを提供することを目的とする。
上記課題を達成するために、請求項1の発明は、立体回路と第1キャビティと前記第1キャビティの略上部にあって当該第1キャビティに連通する第2キャビティとを有するセラミック積層板と、前記第2キャビティ内部に前記第1キャビティの開口部を塞ぐように配置され外周部を封止して実装された外部からの音響信号を受信して電気容量の変化を生じるシリコンマイクロホンチップと、前記第1キャビティ内に実装され前記シリコンマイクロホンチップの電気容量の変化を電気信号に変換し出力する電子部品と、を備えたマイクロホンパッケージであって、前記セラミック積層板は、前記第1キャビティから外部に通じる通気用のリーク孔を備えるものである。
請求項2の発明は、請求項1記載のマイクロホンパッケージにおいて、前記セラミック積層板は、前記電子部品を実装するパターンを有する平板状の第1層基板と、前記マイクロホンチップを実装するパターンを有し前記第1キャビティを形成する枠状の第2層基板と、前記リーク孔となる貫通孔を有し前記第2キャビティを形成する枠状の第3層基板と、を積層して形成され、前記マイクロホンチップが前記第2層基板上面に実装されるものである。
請求項3の発明は、立体回路と第1キャビティと前記第1キャビティの略上部にあって当該第1キャビティに連通する第2キャビティとを有するセラミック積層板と、前記第2キャビティ上部に当該第2キャビティの開口部を塞ぐように配置され外周部を封止して実装された外部からの音響信号を受信して電気容量の変化を生じるシリコンマイクロホンチップと、前記第1キャビティ内に実装され前記シリコンマイクロホンチップの電気容量の変化を電気信号に変換し出力する電子部品と、を備えたマイクロホンパッケージであって、前記セラミック積層板は、前記第1キャビティから外部に通じる通気用のリーク孔を備えるものである。
請求項4の発明は、請求項3記載のマイクロホンパッケージにおいて、前記セラミック積層板は、前記電子部品を実装するパターンを有する平板状の第1層基板と、前記第1キャビティを形成する第2層基板と、前記リーク孔となる貫通孔と前記マイクロホンチップを実装するパターンとを有し前記第2キャビティを形成する枠状の第3層基板と、を積層して形成され、前記マイクロホンチップが前記第3層基板上面に実装されるものである。
請求項5の発明は、請求項2又は請求項4記載のマイクロホンパッケージにおいて、前記セラミック積層板を形成する前記第1層基板、第2層基板、及び第3層基板のいずれかが各々さらに基板を積層して形成されているものである。
請求項1の発明によれば、寸法安定性と対環境性に優れたセラミック積層基板にキャビティと通気用のリーク孔を形成してシリコンマイクロホンチップを実装しているので、寸法精度の安定したリーク孔とキャビティ構造が得られ、音響特性に優れたマイクロホンパッケージとなり、また、小型化を実現できる。シリコンマイクロホンチップをキャビティ内部に実装するので、外形が大きくなるが背高を低くできる。
請求項2の発明によれば、通常のセラミック積層基板の製造工程を用いて容易に小型高精度のマイクロホンパッケージが実現される。
請求項3発明によれば、寸法安定性と対環境性に優れたセラミック積層基板にキャビティと通気用のリーク孔を形成してシリコンマイクロホンチップを実装しているので、寸法精度の安定したリーク孔とキャビティ構造が得られ、音響特性に優れたマイクロホンパッケージとなり、また、小型化を実現できる。シリコンマイクロホンチップをキャビティ上部に実装するので、背高が高くなるが外形を小さくできる。
請求項4の発明によれば、通常のセラミック積層基板の製造工程を用いて容易に小型高精度のマイクロホンパッケージが実現される。
請求項5の発明によれば、セラミック積層基板の各層の厚み調整が容易であり、小型高精度の音響特性に優れたマイクロホンパッケージが実現される。
以下、本発明の実施形態に係るシリコンマイクロホンチップを用いたマイクロホンパッケージをについて、図面を参照して説明する。
(第1の実施形態)
図1は本発明の第1の実施形態に係るマイクロホンパッケージ1を示し、図2(a)(b)(c)はパッケージ1のセラミック積層板2を示し、図3(a)(b)(c)はセラミック積層板2を各層毎に示し、図4(a)(b)はケースを示す。マイクロホンパッケージ1は、例えば、携帯電話、補聴器、車載用の音響センサ、超音波センサの受波装置などに用いられ、音響信号(空気中を伝播する音)を電気信号に変換出力する装置である。
図1は本発明の第1の実施形態に係るマイクロホンパッケージ1を示し、図2(a)(b)(c)はパッケージ1のセラミック積層板2を示し、図3(a)(b)(c)はセラミック積層板2を各層毎に示し、図4(a)(b)はケースを示す。マイクロホンパッケージ1は、例えば、携帯電話、補聴器、車載用の音響センサ、超音波センサの受波装置などに用いられ、音響信号(空気中を伝播する音)を電気信号に変換出力する装置である。
マイクロホンパッケージ1は、立体回路と第1キャビティ21と第1キャビティ21の略上部にあって第1キャビティ21に連通する第2キャビティ22とを有するセラミック積層板2と、第2キャビティ22内部に第1キャビティ21の開口部を塞ぐように配置され外周部を封止して実装された外部からの音響信号を受信して電気容量の変化を生じるシリコンマイクロホンチップ3と、第1キャビティ21内に実装されシリコンマイクロホンチップ3の電気容量の変化を電気信号に変換し出力する電子部品4と、シリコンマイクロホンチップ3を機械的に保護すると共に内部回路の電磁シールドを行うためのケース5とを備えている。セラミック積層板2は、第1キャビティ21から外部に通じる通気用のリーク孔6を備えている。
また、このマイクロホンパッケージ1において、セラミック積層板2は、電子部品4を実装するパターン11を有する平板状の第1層基板L1と、マイクロホンチップ3を実装するパターン12を有し第1キャビティ21を形成する枠状の第2層基板L2と、リーク孔6となる貫通孔を有し第2キャビティ22を形成する枠状の第3層基板L3と、を積層して形成され、マイクロホンチップ3が第2層基板上面に実装されている。以下、パッケージ1の各構成要素を説明する。
シリコンマイクロホンチップ3は、半導体製造技術を用いてシリコンウエハを加工することにより作製されたものであり、基台部31と、振動膜32と、スペーサ33と、固定膜34とを有している。基台部31には、受音開口30が形成されており、振動膜32は、受音開口30に臨む位置に設けられている。固定膜34は、スペーサ33を介して振動膜32と重なるように設けられている。振動膜32と固定膜34との間には、間隙が設けられている。基台部31及びスペーサ33は絶縁性を有し、振動膜32及び固定膜34は導電性を有している。シリコンマイクロホンチップ3は、振動膜32と固定膜34との間の静電容量の変化により、音響信号を検出する。
また、シリコンマイクロホンチップ3は、受音開口30をセラミック積層板2の第1層基板L1の反対側に向けて(図1の上方に向けて)第2キャビティ22内に配置され、周辺は、封止樹脂35によって封止されている。シリコンマイクロホンチップ3は、フリップチップ実装されている。すなわち、シリコンマイクロホンチップ3から音響信号を出力する電極及び固定用のダミーの電極は、セラミック積層板2の第2層基板L2の上面に設けられた回路パターン12に、例えば、ボールやスタックを用いて接合されている。
電子部品4は、例えば、電界効果トランジスタや2端子素子などであり、シリコンマイクロホンチップ3の振動膜32と固定膜34間の静電容量の変化、すなわち音響信号を、電気信号に変換して出力する。これらの電子部品4は、導電性接着剤又は半田(不図示)を用いて、セラミック積層板2の第1層基板L1の上面に設けられた回路パターン11に実装されている。
セラミック積層板2は、例えば、各層に対応するアルミナセラミックのグリーンシートにキャビティ用の開口やスルーホール(VIA)用の開口やリーク孔6用の貫通孔を形成し、タングステンペーストによる回路パターン形成やスルーホールの穴埋めを行った後に、これらのグリーンシートを積層し、所定の外形寸法に切り出した後、焼成して所定の形状に形成し、さらに、表面の電極に金めっきなどのめっきを行って完成される。また、小型のパッケージの場合は、多数のセラミック積層板が碁盤目状に並んだ状態で焼成し、めっき処理して、最後に割ったりダイシンシグしたりして、個々のセラミック積層板が得られる。
このセラミック積層板2において、タングステン導体による回路が立体回路を形成している。これはアルミナセラミックの積層板の場合であり、他のセラミックを用いることもできる。例えば、低温焼成セラミックにおいて、銀ペーストを用いた銀導体による立体回路を形成することもできる。セラミック積層板は、一般に、過酷な条件のもとでも寸法精度や対環境性に優れていることから、電子部品のパッケージとして用いられている。
セラミック積層板2の各層、すなわち、第1層基板L1、第2層基板L2、第3層基板L3には、それぞれ、回路パターン11,12,13及びスルーホール10が形成されている。これらの回路パターン11,12,13は、セラミック積層板2の表面や内部(内層回路)に形成され、スルーホールと共に立体回路を形成する。
第1層基板L1における回路パターン11とスルーホール10は、電子部品4の実装用(上面パターン)と、他の基板にマイクロホンパッケージ1を実装するための外部電極用(下面パターン)である。第2層基板L2における回路パターン12とスルーホール10は、シリコンマイクロホンチップ3を実装するためのもの、及び、上下層の回路を接続するためのものである。また、第3層基板L3における回路パターン13とスルーホール10は、ケース5を接地するための電極である。
また、第1層基板L1は、平板構造であり、第1キャビティ21の底板を構成している。第2層基板L2は、第1キャビティ21の側壁を形成すると共に、第1キャビティ21となる開口の一部に切欠部61を有している。この切欠部61は、第1キャビティ21を第3層基板L3におけるリーク孔6に連通させるためのものである。第3層基板L3は、第2キャビティ22の側壁を形成すると共に、リーク孔6を有している。
ケース5は、導電性材料、例えば金属板により形成されており、セラミック積層板2とシリコンマイクロホンチップ3の全体を上方から覆うように箱形の構造を有している。その上面略中央には、開口51が設けられている。開口51は、シリコンマイクロホンチップ3が音響信号を受音するための受音孔であり、また、同時に、第1キャビティ21の圧力調整を行うための開口でもある。すなわち、第1キャビティ21は、リーク孔6と開口51とを介して外部と連通している。
この連通を確実にしてリーク経路を確保するため、ケース5の内面には、ケース5がマイクロホンパッケージ1に組み込まれた状態でリーク孔6に対面する位置を含むように、開口51までの間に溝52が形成されている。ケース5は、セラミック積層板2に取り付けられると共に、封止樹脂54を用いて、セラミック積層板2に固定され一体化される。このケース5の取付に際して、ケース5とセラミック積層板2の上層のパターン13(グランド端子)とは、導電性接着剤、又は半田で接続される。
上述のように、マイクロホンパッケージ1は、セラミック積層板2の第1キャビティ21がシリコンマイクロホンチップ3によって封止され、寸法精度の安定したリーク孔6によって、第1キャビティ21が外部に通気される構造となっている。これら第1キャビティ21及びリーク孔6は、音響信号の受音特性を向上するためのものであり、優れた受音特性を得るには、シリコンマイクロホンチップ3の背後のキャビティ(第1キャビティ21)を大きくし、また、リーク経路(リーク孔6)をキャビティの大きさに対して十分に細くするのが望ましい。
そこで、本発明のような構造により、マイクロホンパッケージ1は、音響特性を良好に保持して小型化を実現するものとなっている。また、電子部品として優れた特性と製造方法のよく知られたセラミック積層板2を用いるので、通常のセラミック積層基板の製造工程を用いて容易に小型高精度の優れた受音特性を発揮できるマイクロホンパッケージ1を安価に作製することができる。
(第2の実施形態)
図5は本発明の第2の実施形態に係るマイクロホンパッケージ1を示し、図6(a)(b)(c)はパッケージ1のセラミック積層板2を示し、図7(a)(b)(c)はセラミック積層板2を各層毎に示し、図8(a)(b)はケースを示す。このマイクロホンパッケージ1は、上述の第1の実施形態におけるマイクロホンパッケージ1と異なって、シリコンマイクロホンチップ3がセラミック積層板2の最上部(第3層基板L3の上)に配置されている。このシリコンマイクロホンチップ3の配置位置が、第1の実施形態では第2層基板L2の上であり、この第2の実施形態では第3層基板L3の上にある点が主な相違点であるので、この点に注目して以下の説明を行う。
図5は本発明の第2の実施形態に係るマイクロホンパッケージ1を示し、図6(a)(b)(c)はパッケージ1のセラミック積層板2を示し、図7(a)(b)(c)はセラミック積層板2を各層毎に示し、図8(a)(b)はケースを示す。このマイクロホンパッケージ1は、上述の第1の実施形態におけるマイクロホンパッケージ1と異なって、シリコンマイクロホンチップ3がセラミック積層板2の最上部(第3層基板L3の上)に配置されている。このシリコンマイクロホンチップ3の配置位置が、第1の実施形態では第2層基板L2の上であり、この第2の実施形態では第3層基板L3の上にある点が主な相違点であるので、この点に注目して以下の説明を行う。
このマイクロホンパッケージ1は、立体回路と第1キャビティ21と第1キャビティ21の略上部にあって第1キャビティ21に連通する第2キャビティ22とを有するセラミック積層板2と、第2キャビティ22上部に第2キャビティ22の開口部を塞ぐように配置され外周部を封止して実装された外部からの音響信号を受信して電気容量の変化を生じるシリコンマイクロホンチップ3と、第1キャビティ21内に実装されシリコンマイクロホンチップ3の電気容量の変化を電気信号に変換し出力する電子部品4と、を備えている。セラミック積層板2は、第1キャビティ21から外部に通じる通気用のリーク孔6を備えている。
また、このマイクロホンパッケージ1において、セラミック積層板2は、電子部品4を実装するパターン11を有する平板状の第1層基板L1と、第1キャビティ21を形成する第2層基板L2と、リーク孔6となる貫通孔とマイクロホンチップ3を実装するパターン13とを有し第2キャビティ22を形成する枠状の第3層基板L3と、を積層して形成され、マイクロホンチップ3が第3層基板L3の上面に実装されている。電子部品4とシリコンマイクロホンチップ3の構成は、第1の実施形態で説明したものと同様であり、説明を省略する。
セラミック積層板2は、上述同様に形成され、内部及び表面に立体回路が形成されている。第2層基板L2には、スルーホール10とスルーホール10を上下の層と確実に接続するためのパッドが形成されているだけであり、外表面となる部分にはパターンは形成されていない。第3層基板L3には、シリコンマイクロホンチップ3を実装するためのパターン13が形成されている。また、第2層基板L2と第3層基板L3には、キャビティ形成用に開口が設けられており、これらは略同形状である。また、切欠部61、リーク孔6がそれぞれに設けられている。
ケース5は、リーク経路形成用の溝52と開口51が、第1実施形態と同様に設けられている。この実施形態のケース5には、開口51を複数設けた例が示されている。受音用の開口51のサイズと個数、及び配置は、マイクロホンパッケージの用途や構成によって適宜決定される。
このような、第2の実施形態のマイクロホンパッケージ1は、上述の第1の実施形態のものと同様に、寸法精度の安定したリーク孔とキャビティ構造が得られ、音響特性に優れた小型高精度のものとなる。シリコンマイクロホンチップ3を第2キャビティ22の上部に実装するので、背高が高くなるが外形を小さくできる。
(第3の実施形態)
図9は本発明の第3の実施形態に係るマイクロホンパッケージ1を示し、図10(a)(b)はパッケージ1のセラミック積層板2を示し、図11(a)〜(d)はセラミック積層板2を各層毎に示す。このマイクロホンパッケージ1は、上述の第1の実施形態のマイクロホンパッケージ1において、第1キャビティ21、第2キャビティ22の横に、第3のキャビティ20を設けた構造になっている。すなわち、この第3の実施形態のマイクロホンパッケージ1では、セラミック積層板2の第1層基板L1の同一平面上に、2つのキャビティが設けられている。
図9は本発明の第3の実施形態に係るマイクロホンパッケージ1を示し、図10(a)(b)はパッケージ1のセラミック積層板2を示し、図11(a)〜(d)はセラミック積層板2を各層毎に示す。このマイクロホンパッケージ1は、上述の第1の実施形態のマイクロホンパッケージ1において、第1キャビティ21、第2キャビティ22の横に、第3のキャビティ20を設けた構造になっている。すなわち、この第3の実施形態のマイクロホンパッケージ1では、セラミック積層板2の第1層基板L1の同一平面上に、2つのキャビティが設けられている。
このような構造のマイクロホンパッケージ1においては、シリコンマイクロホンチップ3の下部に電子部品の全てを配置する必要がなく、例えば、電界効果トランジスタを第3のキャビティ20に配置することができる。そこで、シリコンマイクロホンチップ3の配置面積が、全ての電子部品4を配置する面積よりも小さい場合、シリコンマイクロホンチップ3のサイズに合わせたキャビティを形成して、所望の音響特性が得られるようにできる。すなわち、音響特性用のキャビティは、シリコンマイクロホンチップ3によって、その開口部を塞ぐことができ、これを塞ぐための余分な部品をや構造を設ける必要がなく、また、リーク孔6以外の開口による通気も回避することができる。
また、ここに示したマイクロホンパッケージ1のセラミック積層板2は、4層のセラミック層基板、すなわち、第1層基板L1、第2層基板L21、第3層基板L22、第4層基板L3を用いて形成した例が示されている。すなわち、第1の実施形態において第2層基板L2とされていた層が、本例では2層に分割されている。また、第2層基板L21〜第4層基板L3に形成された開口によって、キャビティ21,22,23、及びキャビティ20が形成されている。なお、各セラミック層の厚みの分割は、本発明の他のいずれの実施形態においても適用できる。
このような層構成のセラミック積層板2は、シリコンマイクロホンチップ3を実装する段差(開口径の異なる第3層基板L22の表面位置)を所望の高さに設定でき、シリコンマイクロホンチップ3の下部のキャビティ21,22の空間サイズを所望の大きさに設定できる。また、リーク孔6の長さ(すなわちリーク孔6を形成するセラミック層の厚さ)を、所望の長さに設定することができる。つまり、複数のセラミック層を用いることにより、セラミック積層基板の各層の厚み調整が容易となり、小型高精度の音響特性に優れたマイクロホンパッケージ1を実現できる。
(第4の実施形態)
図12(a)(b)は本発明の第4の実施形態に係るマイクロホンパッケージの一部断面を示す。この実施形態のマイクロホンパッケージ1は、セラミック積層板2における、シリコンマイクロホンチップ3を実装する複数のパターン(パッド)が、段差の上下に形成されたものである。この段差は、シリコンマイクロホンチップ3の絶縁性のスペーサ33を挟んだ2層の導電体(振動膜32と固定膜34)の各々との電気接続をより容易にするために形成されている。シリコンマイクロホンチップ3は、例えば、図に示すように、ボール電極7を用いて、容易かつ確実にフリップチップ実装することができる。段差は、例えば、実装用の電極パターン14を表面に有する薄いセラミック層L4を用いて形成することができる。
図12(a)(b)は本発明の第4の実施形態に係るマイクロホンパッケージの一部断面を示す。この実施形態のマイクロホンパッケージ1は、セラミック積層板2における、シリコンマイクロホンチップ3を実装する複数のパターン(パッド)が、段差の上下に形成されたものである。この段差は、シリコンマイクロホンチップ3の絶縁性のスペーサ33を挟んだ2層の導電体(振動膜32と固定膜34)の各々との電気接続をより容易にするために形成されている。シリコンマイクロホンチップ3は、例えば、図に示すように、ボール電極7を用いて、容易かつ確実にフリップチップ実装することができる。段差は、例えば、実装用の電極パターン14を表面に有する薄いセラミック層L4を用いて形成することができる。
(第5の実施形態)
図13(a)(b)は本発明の第5の実施形態に係るマイクロホンパッケージ1の一部断面を示す。本実施形態のセラミック積層板2は、第1層基板L1の外形が、他の第2層基板L2や第3層基板L3よりも広く形成されている。このようなセラミック積層板2を備えるマイクロホンパッケージ1においては、第1層基板L1の拡幅部にケース5を突き当てて位置決めできるので、セラミック積層板2にケース5を容易かつ確実に設置し固定できる。
図13(a)(b)は本発明の第5の実施形態に係るマイクロホンパッケージ1の一部断面を示す。本実施形態のセラミック積層板2は、第1層基板L1の外形が、他の第2層基板L2や第3層基板L3よりも広く形成されている。このようなセラミック積層板2を備えるマイクロホンパッケージ1においては、第1層基板L1の拡幅部にケース5を突き当てて位置決めできるので、セラミック積層板2にケース5を容易かつ確実に設置し固定できる。
(第6の実施形態)
図14(a)(b)は本発明の第6の実施形態に係るマイクロホンパッケージ1の一部断面を示す。本実施形態のセラミック積層板2は、第1層基板L1の外形が、他の第2層基板L2や第3層基板L3よりも狭く形成されている。このようなセラミック積層板2を備えるマイクロホンパッケージ1においては、セラミック積層板2にケース5を固定する際に、第1層基板L1の退行により形成された凹部に向けてケース5の端部55を曲げてかしめる、かしめ工法によって、容易かつ確実に固定できる。
図14(a)(b)は本発明の第6の実施形態に係るマイクロホンパッケージ1の一部断面を示す。本実施形態のセラミック積層板2は、第1層基板L1の外形が、他の第2層基板L2や第3層基板L3よりも狭く形成されている。このようなセラミック積層板2を備えるマイクロホンパッケージ1においては、セラミック積層板2にケース5を固定する際に、第1層基板L1の退行により形成された凹部に向けてケース5の端部55を曲げてかしめる、かしめ工法によって、容易かつ確実に固定できる。
なお、本発明は、上記構成に限られることなく種々の変形が可能である。例えば、セラミック積層板2は、セラミックの積層により形成したものに代えて、3次元立体形状の回路を表面や内部に形成した回路樹脂による射出成形品であってもよい。
1 マイクロホンパッケージ
2 セラミック積層板
3 シリコンマイクロホンチップ
4 電子部品
5 ケース
6 リーク孔
21 第1キャビティ
22 第2キャビティ
L1 第1層基板
L2 第2層基板
L3 第3層基板
2 セラミック積層板
3 シリコンマイクロホンチップ
4 電子部品
5 ケース
6 リーク孔
21 第1キャビティ
22 第2キャビティ
L1 第1層基板
L2 第2層基板
L3 第3層基板
Claims (5)
- 立体回路と第1キャビティと前記第1キャビティの略上部にあって当該第1キャビティに連通する第2キャビティとを有するセラミック積層板と、
前記第2キャビティ内部に前記第1キャビティの開口部を塞ぐように配置され外周部を封止して実装された外部からの音響信号を受信して電気容量の変化を生じるシリコンマイクロホンチップと、
前記第1キャビティ内に実装され前記シリコンマイクロホンチップの電気容量の変化を電気信号に変換し出力する電子部品と、を備えたマイクロホンパッケージであって、
前記セラミック積層板は、前記第1キャビティから外部に通じる通気用のリーク孔を備えることを特徴とするマイクロホンパッケージ。 - 前記セラミック積層板は、
前記電子部品を実装するパターンを有する平板状の第1層基板と、
前記マイクロホンチップを実装するパターンを有し前記第1キャビティを形成する枠状の第2層基板と、
前記リーク孔となる貫通孔を有し前記第2キャビティを形成する枠状の第3層基板と、を積層して形成され、
前記マイクロホンチップが前記第2層基板上面に実装されることを特徴とする請求項1記載のマイクロホンパッケージ。 - 立体回路と第1キャビティと前記第1キャビティの略上部にあって当該第1キャビティに連通する第2キャビティとを有するセラミック積層板と、
前記第2キャビティ上部に当該第2キャビティの開口部を塞ぐように配置され外周部を封止して実装された外部からの音響信号を受信して電気容量の変化を生じるシリコンマイクロホンチップと、
前記第1キャビティ内に実装され前記シリコンマイクロホンチップの電気容量の変化を電気信号に変換し出力する電子部品と、を備えたマイクロホンパッケージであって、
前記セラミック積層板は、前記第1キャビティから外部に通じる通気用のリーク孔を備えることを特徴とするマイクロホンパッケージ。 - 前記セラミック積層板は、
前記電子部品を実装するパターンを有する平板状の第1層基板と、
前記第1キャビティを形成する第2層基板と、
前記リーク孔となる貫通孔と前記マイクロホンチップを実装するパターンとを有し前記第2キャビティを形成する枠状の第3層基板と、を積層して形成され、
前記マイクロホンチップが前記第3層基板上面に実装されることを特徴とする請求項3記載のマイクロホンパッケージ。 - 前記セラミック積層板を形成する前記第1層基板、第2層基板、及び第3層基板のいずれかが各々さらに基板を積層して形成されていることを特徴とする請求項2又は請求項4記載のマイクロホンパッケージ。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2051539A1 (en) * | 2007-10-18 | 2009-04-22 | BSE Co., Ltd. | MEMS microphone package |
EP2056620A1 (en) * | 2007-11-02 | 2009-05-06 | BSE Co., Ltd. | MEMS microphone package having sound hole in PCB |
WO2009099168A1 (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Funai Electric Co., Ltd. | マイクロホンユニット |
WO2009099091A1 (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Funai Electric Co., Ltd. | マイクロホンユニット |
WO2010090070A1 (ja) | 2009-02-05 | 2010-08-12 | 船井電機株式会社 | マイクロホンユニット |
KR101046203B1 (ko) | 2010-01-05 | 2011-07-04 | 주식회사 필코씨에스티 | 음/전 변환 패키지 |
EP2357844A1 (en) * | 2008-12-12 | 2011-08-17 | Funai Electric Co., Ltd. | Microphone unit and voice input device using same |
CN102275861A (zh) * | 2010-06-01 | 2011-12-14 | 欧姆龙株式会社 | 半导体装置及传声器 |
WO2012017795A1 (ja) | 2010-08-02 | 2012-02-09 | 船井電機株式会社 | マイクロホンユニット |
US20120248553A1 (en) * | 2009-11-19 | 2012-10-04 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Sensor device and manufacturing method thereof |
KR101202054B1 (ko) * | 2010-06-01 | 2012-11-15 | 오므론 가부시키가이샤 | 마이크로폰 |
KR101661923B1 (ko) * | 2015-05-27 | 2016-10-04 | (주)파트론 | 마이크로폰 패키지 |
-
2005
- 2005-11-25 JP JP2005339941A patent/JP2007150507A/ja not_active Withdrawn
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2051539A1 (en) * | 2007-10-18 | 2009-04-22 | BSE Co., Ltd. | MEMS microphone package |
EP2056620A1 (en) * | 2007-11-02 | 2009-05-06 | BSE Co., Ltd. | MEMS microphone package having sound hole in PCB |
WO2009099168A1 (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Funai Electric Co., Ltd. | マイクロホンユニット |
WO2009099091A1 (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Funai Electric Co., Ltd. | マイクロホンユニット |
JP2009188943A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Funai Electric Co Ltd | マイクロホンユニット |
US8649545B2 (en) | 2008-02-08 | 2014-02-11 | Funai Electric Co. Ltd. | Microphone unit |
EP2357844A4 (en) * | 2008-12-12 | 2013-10-30 | Funai Electric Co | MICROPHONE UNIT AND LANGUAGE INPUT DEVICE WITH IT |
US8823115B2 (en) | 2008-12-12 | 2014-09-02 | Funai Electric Co., Ltd. | Microphone unit and voice input device using same |
EP2357844A1 (en) * | 2008-12-12 | 2011-08-17 | Funai Electric Co., Ltd. | Microphone unit and voice input device using same |
WO2010090070A1 (ja) | 2009-02-05 | 2010-08-12 | 船井電機株式会社 | マイクロホンユニット |
CN102308593A (zh) * | 2009-02-05 | 2012-01-04 | 船井电机株式会社 | 麦克风单元 |
JP2010183312A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Funai Electric Co Ltd | マイクロホンユニット |
US9476898B2 (en) * | 2009-11-19 | 2016-10-25 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Sensor device and manufacturing method thereof |
US20120248553A1 (en) * | 2009-11-19 | 2012-10-04 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Sensor device and manufacturing method thereof |
KR101046203B1 (ko) | 2010-01-05 | 2011-07-04 | 주식회사 필코씨에스티 | 음/전 변환 패키지 |
US8620014B2 (en) | 2010-06-01 | 2013-12-31 | Omron Corporation | Microphone |
CN102275861A (zh) * | 2010-06-01 | 2011-12-14 | 欧姆龙株式会社 | 半导体装置及传声器 |
KR101206590B1 (ko) * | 2010-06-01 | 2012-11-29 | 오므론 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 마이크로폰 |
KR101202054B1 (ko) * | 2010-06-01 | 2012-11-15 | 오므론 가부시키가이샤 | 마이크로폰 |
US9351062B2 (en) | 2010-08-02 | 2016-05-24 | Funai Electric Co., Ltd. | Microphone unit |
WO2012017795A1 (ja) | 2010-08-02 | 2012-02-09 | 船井電機株式会社 | マイクロホンユニット |
KR101661923B1 (ko) * | 2015-05-27 | 2016-10-04 | (주)파트론 | 마이크로폰 패키지 |
WO2016190534A1 (ko) * | 2015-05-27 | 2016-12-01 | (주)파트론 | 마이크로폰 패키지 및 그 제조 방법 |
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