JP2008271425A - 音響センサおよびその製造方法 - Google Patents

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利彦 高畑
Naoki Ushiyama
直樹 牛山
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Abstract

【課題】耐環境性が高くて安定した音響特性を有する音響センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板を用いて形成されフレーム部11の内側のダイヤフラム状の可動板部12が可動電極を兼ねるとともにフレーム部11の一表面側において可動板部12に対向する固定板部14が固定電極を兼ね、固定板部14に可動板部12と固定板部14との間の空間16と連通する連通孔15が貫設された静電容量型の音響センサ本体10aと、音響センサ本体10aの固定板部14における可動板部12側とは反対の表面側に連通孔15を閉塞する形で設けられたフィルタ層17とを備える。フィルタ層17は、防水性、防塵性および通気性を有する多孔質層17aと、多孔質層17aの一面側に設けられた接着層17bとを有し、接着層17bによりセンサ本体10aに貼着されている。
【選択図】図1

Description

本発明は、音響センサおよびその製造方法に関するものである。
従来から、エレクトレットコンデンサマイクロホンに比べて耐環境性に優れた音響センサチップを備えた音響センサモジュールとして、図8に示すように、半導体基板を用いて形成された静電容量型の音響センサである音響センサチップ10’と、音響センサチップ10’と協働するICチップ20’と、音響センサチップ10’とICチップ20’とを収納するパッケージ30’とを備えた音響センサモジュールが提案されている(例えば、特許文献1)。
上述の音響センサモジュールは、音響センサチップ10’とICチップ20’とが一表面側に実装されたプリント配線板からなる実装基板31’と、実装基板31’の上記一表面側に実装基板31’との間に音響センサチップ10’およびICチップ20’を収納するキャビティ34’が形成される形で封着されたカバー32’とでパッケージ30’が構成されており、カバー32’に音波導入用の音孔33’が貫設され、当該音孔33’が多孔質シート50’により閉塞されている。
ここにおいて、音響センサチップ10’は、フレーム部11’の内側のダイヤフラム状の可動板部12’が可動電極を兼ねるとともにフレーム部11’の一表面側において可動板部12’に対向する固定板部14’が固定電極を兼ねており、固定板部14’に、可動板部12’と固定板部14’との間の空間16’と連通する複数の連通孔15’が貫設されている。
また、多孔質シート50’は、多孔質層51’と当該多孔質層51’の厚み方向の一面側に設けられた接着層52’とで構成されており、接着層52’によりカバー32’に貼着されている。
特表2004−537182号公報
ところで、図8に示した構成の音響センサモジュールにおける音響センサチップ10’では、音響センサチップ10’の外部からの水分や塵などが固定板部14’の連通孔15’を通して可動板部12’と固定板部14’との間の空間16’へ侵入するのを防止することで耐環境性を高めて安定した音響特性が得られるように、製造時に、カバー32’の音孔33’を閉塞する多孔質シート50’をカバー32’に貼着する工程が必要となり、コストが高くなってしまう。
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、耐環境性が高くて安定した音響特性を有する音響センサおよびその製造方法を提供することにある。
請求項1の発明は、半導体基板を用いて形成されフレーム部の内側のダイヤフラム状の可動板部に可動電極が設けられるとともにフレーム部の一表面側において可動板部に対向する固定板部に固定電極が設けられ、固定板部に可動板部と固定板部との間の空間と連通する連通孔が貫設された静電容量型の音響センサ本体と、音響センサ本体の固定板部における可動板部側とは反対の表面側に連通孔を閉塞する形で設けられ多孔質材料からなるフィルタ層とを備えてなることを特徴とする。
この発明によれば、静電容量型の音響センサ本体の固定板部における可動板部側とは反対の表面側に連通孔を閉塞する形で設けられ多孔質材料からなるフィルタ層を備えているので、外部からの水分や塵などが固定板部の連通孔を通して可動板部と固定板部との間の空間へ侵入するのを防止しながらも当該空間へ音波を通すことができるから、耐環境性が高く安定した音響特性を得ることができる。
請求項2の発明は、請求項1記載の音響センサの製造方法であって、複数の音響センサ本体を形成した半導体基板に複数のフィルタ層の基礎となる多孔質シートを貼着する多孔質シート貼着工程と、多孔質シート貼着工程の後に半導体基板と多孔質シートとの積層構造体から個々の音響センサに分割する分割工程とを備えることを特徴とする。
この発明によれば、複数の音響センサ本体を形成した半導体基板に複数のフィルタ層の基礎となる多孔質シートを貼着し、その後、半導体基板と多孔質シートとの積層構造体から個々の音響センサに分割するので、耐環境性が高くて安定した音響特性を有する音響センサを提供することができ、しかも、複数の音響センサ本体を形成した半導体基板から個々の音響センサ本体に分割してから音響センサ本体ごとにフィルタ層を固着する場合に比べて、低コスト化を図れる。
請求項3の発明は、請求項2の発明において、前記多孔質シート貼着工程では、前記多孔質シートとして、多孔質層と当該多孔質層の厚み方向の一面側に前記各音響センサ本体それぞれの固定板部に対応する領域が開口された接着層を有するものを用い、接着層により前記半導体基板に貼着する。
この発明によれば、前記多孔質シートを前記半導体基板に容易に貼着することができる。
請求項1の発明では、耐環境性が高くて安定した音響特性を得ることが可能になるという効果がある。
請求項2の発明では、耐環境性が高くて安定した音響特性を有する音響センサを提供することができるという効果がある。
(実施形態1)
以下、本実施形態における音響センサモジュールについて図1〜図4を参照しながら説明する。
本実施形態における音響センサモジュールは、バルクマイクロマシニング技術などを利用して形成された静電容量型の音響センサ(マイクロホン)である音響センサチップ10と、音響センサチップ10と協働するICチップ20と、音響センサチップ10とICチップ20とを収納するパッケージ30とを備えている。なお、ICチップ20には、音響センサチップ10の出力信号からノイズを除去するノイズ除去回路や音響センサチップ10の出力信号を増幅する増幅回路などが集積化されている。
音響センサチップ10は、後述の半導体基板を用いて形成された音響センサ本体10aと、音響センサ本体10aの一表面側に設けられ多孔質材料からなるフィルタ層17とで構成されている。ここにおいて、音響センサ本体10aは、フレーム部11の内側に連続一体に形成されたダイヤフラム状の可動板部(振動板部)12を有するとともに、フレーム部11の一表面側において可動板部12に対向する固定板部(背板部)14と、フレーム部11と固定板部14の周部との間に介在する絶縁層(例えば、シリコン酸化膜)からなる枠状のスペーサ部13とを有しており、可動板部12と固定板部14との間に空間16が形成されている。また、固定板部14には、可動板部12と固定板部14との間に空間16に連通する連通孔15が厚み方向に貫設されており、可動板部12の振動時に連通孔15を空気が通過できるようにしてある。したがって、可動板部12が音波の圧力を受けて振動する際に可動板部12と固定板部14との間の空間16の媒質である空気により過度に制動を受けないようにすることができ、広い周波数帯域にわたる平坦な周波数特性と広いダイナミックレンジとを得ることが可能となる。
上述の音響センサ本体10aは、厚み方向の中間部に埋込酸化膜(シリコン酸化膜)からなる絶縁膜を有するSOIウェハとシリコンウェハとを互いの対向面の少なくとも一方に形成したシリコン酸化膜が介在する形で貼り合わせた後でシリコンウェハを所定厚さ(ここでは、固定板部14の設計厚さ)まで研磨した多層構造ウェハからなる半導体基板を用いて形成されており、上記SOIウェハの主表面側のシリコン層の一部により形成される可動板部12に予め不純物をドーピングすることで可動板部12に導電性を付与してあって、可動板部12が可動電極を構成し、また、上記シリコンウェハの一部により形成される固定板部14に予め不純物をドーピングすることで固定板部14に導電性を付与してあって、固定板部14が固定電極を構成している。また、フレーム部11および可動板部12は、上記SOIウェハの他表面に、例えば誘導結合プラズマ型のエッチング装置を用いたドライエッチングにより凹所11aを設けることにより形成さている。
音響センサ本体10aの構造は上述の構造に限定するものではなく、例えば、可動板部12に導電性を付与せずに導電性材料(例えば、アルミニウムなど)からなる可動電極を積層するとともに、固定板部14に導電性を付与せずに導電性材料(例えば、アルミニウムなど)からなる固定電極を積層するようにしてもよい。また、多数の音響センサ本体10aの基礎となる半導体基板も上述の多層構造ウェハに限らず、1枚のSOIウェハや1枚のシリコンウェハでもよい。
上述の音響センサ本体10aでは、ダイヤフラム状の可動板部12に固定板部14が対向配置され可動板部12に設けられた可動電極と固定板部14に設けられた固定電極とでコンデンサが形成されるから、可動板部12が音波の圧力を受けることにより可動板部12と固定板部14との間の距離が変化し、コンデンサの静電容量が変化する。したがって、可動電極に電気的に接続されたパッド18aと固定電極に電気的に接続されたパッド18bとの間に直流バイアス電圧を印加しておけば、両パッド18a,18b間には音波の圧力に応じて微小な電圧変化が生じるから、音波を電気信号に変換することができる。なお、可動板部12および固定板部14は矩形板状に形成されており、上述の可動電極に電気的に接続されたパッド18aはフレーム部11上に形成され、上述の固定電極に電気的に接続されたパッド18bは固定板部14の一側縁から張り出した張出片14aの上に形成されている。
また、上述のパッケージ30は、音響センサチップ10およびICチップ20が一表面側に実装されたプリント配線板からなる実装基板31と、実装基板31の上記一表面側に実装基板31との間に音響センサチップ10およびICチップ20を収納するキャビティ34が形成される形で封着されたカバー32とで構成されており、ICチップ20は、封止樹脂からなる封止部35により覆われている。ここにおいて、カバー32には、パッケージ30の内外を連通させる音波導入用の音孔33が貫設されている。なお、ICチップ20は、必ずしもパッケージ30内に収納しなくてもよく、ICチップ20の代わりに、音響センサチップ10と協働する電子回路の電子部品を収納するようにしてもよい。また、音孔33の開口形状は円形状であるが、円形状に限らず、例えば矩形状でもよい。
実装基板31の外周形状は矩形状であり、カバー32は、金属製であって、一面開口した矩形箱状の形状に形成されており、実装基板31の上記一表面側に、封止樹脂(例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂など)、導電性接着剤、半田などからなる封止部36により封着されている。なお、本実施形態における音響センサモジュールでは、パッケージ30が上述の実装基板31とカバー32とで構成され、金属製のカバー32がシールドケースを兼ねているので、耐ノイズ性を高めることができる。
また、音響センサチップ10は、音響センサ本体10aにおけるフレーム部11がダイボンド材により実装基板31の上記一表面側に固着され、ICチップ20は、音響センサチップ10の側方において実装基板31の上記一表面側に固着されている。ここにおいて、音響センサチップ10は、上述の各パッド18a,18bがボンディングワイヤ19a,19bなどを介してICチップ20と電気的に接続されている。なお、実装基板31は、ICチップ20および音響センサチップ10と電気的に接続される貫通孔配線(図示せず)が適宜位置に設けられている。また、ICチップ20は、導電性接着剤やダイボンド材を用いて実装基板31の上記一表面側に接着すればよいが、実装基板31の上記一表面側にフリップチップ実装してもよい。
ところで、上述の音響センサチップ10における上述のフィルタ層17は、音響センサ本体10aの固定板部14における可動板部12側とは反対の表面側に連通孔15を閉塞する形で設けられている。ここにおいて、フィルタ層17は、防水性、防塵性および通気性を有する上記多孔質材料からなる多孔質層17aと、当該多孔質層17aの厚み方向の一面側に設けられ固定板部14に対応する領域が開口された接着層17bとを有し、接着層17bによりセンサ本体10aに貼着されている。ここにおいて、フィルタ層17の多孔質層17aは、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)の多孔質体からなり、接着層17bは、エポキシ系樹脂により形成されている。なお、多孔質層17aは、図4(a)に示すように平面形状が矩形状であって一側縁を切り欠いた平面形状に形成され、接着層17bは、図4(b)に示すように平面形状がコ字状に形成されている。
上述の音響センサモジュールの製造にあたっては、実装基板31の上記一表面側に音響センサチップ10およびICチップ20を実装し、その後、カバー32を実装基板31に封着することで音響センサモジュールが完成する。
以上説明した本実施形態の音響センサチップ10では、静電容量型の音響センサ本体10aの固定板部14における可動板部12側とは反対の表面側に連通孔15を閉塞する形で設けられ防水性、防塵性および通気性を有するフィルタ層17を備えているので、当該音響センサチップ10の外部からの水分や塵などが固定板部14の連通孔15を通して可動板部12と固定板部14との間の空間16へ侵入するのを防止しながらも当該空間16へ音波を通すことができるから、耐環境性が高く安定した音響特性を得ることができる。
ところで、音響センサチップ10の製造にあたっては、例えば、複数の音響センサ本体10aを形成した半導体基板100a(図5(a)の下段参照)から個々の音響センサ本体10aに分割してから音響センサ本体10aごとにフィルタ層17を貼着してもよいが、例えば図5(a)の上段および下段に示すように複数の音響センサ本体10aを形成した半導体基板100aにフィルタ層17と同じ層構造を有し複数のフィルタ層17の基礎となる多孔質シート170を貼着する多孔質シート貼着工程を行い、その後、多孔質シート170をパターニングすることにより図5(b)の上段および下段に示すように音響センサ本体10aの各パッド18a,18bを露出させるとともに、それぞれ多孔質シート170の一部からなるフィルタ層17を形成する多孔質シートパターニング工程を行い、続いて、ダシシング装置などを利用して図5(c)の上段および下段に示すように半導体基板100aと多孔質シート170との積層構造体から個々の音響センサチップ10に分割する分割工程を行うようにしてもよい。ここにおいて、図5(a),(b),(c)は、上段が概略平面図、下段が概略断面図であり、(a),(b)それぞれの上段における一点鎖線がダイシングレーンの位置を示している。なお、多孔質シートパターニング工程において、多孔質シート170をパターニングする方法としては、例えば、ダイシングソーを利用して多孔質シート170のみをパターニングする方法があるが、この場合には、音響センサ本体10aにおいて可動電極に電気的に接続されるパッド18aと固定電極に電気的に接続されるパッド18bとが略同一高さに位置するように音響センサ本体10aの形状を設計すればよい。
上述の図5に基づいて説明した製造方法によれば、複数の音響センサ本体10aを形成した半導体基板100aに複数のフィルタ層17の基礎となる多孔質シート170を貼着し、その後、半導体基板100aと多孔質シート170との積層構造体から個々の音響センサチップ10に分割するので、耐環境性が高くて安定した音響特性を有する音響センサチップ10を低コストで提供することができる。
(実施形態2)
本実施形態の音響センサたる音響センサチップ10の基本構成は実施形態1と略同じであって、図6に示すように、フィルタ層17の平面形状が相違するだけである。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
ここで、フィルタ層17における多孔質層17aは、平面形状が矩形状であって互いに平行な2つの側縁に切欠部17a1,17a2が形成されており、一方の切欠部17a1により音響センサ本体10aの各パッド18a,18bを露出させることができるようになっている。また、接着層17bは、多孔質層17aと同じ形状から音響センサ本体10aの固定板部14および上記張出片14aに対応する領域を切り欠いた平面形状に形成されている。
ここにおいて、本実施形態の音響センサチップ10の製造にあたっては、図7(a),(b)に示すように複数の音響センサ本体10aを形成した半導体基板100aに複数のフィルタ層17となる多孔質シート170を貼着する多孔質シート貼着工程を行い、その後、ダシシング装置などを利用して半導体基板100aと多孔質シート170との積層構造体から個々の音響センサチップ10に分割する分割工程を行うようにすればよい。なお、図7(a)における一点鎖線はダイシングレーンを示している。また、図7(a),(b)に示した多孔質シート170には、半導体基板100aへの貼着前に、あらかじめ、隣り合うフィルタ層17それぞれの互いに異なる切欠部17a1,17a2の基礎となる開口部171が形成してある。
しかして、本実施形態の音響センサチップ10の製造方法によれば、多孔質シート貼着工程の後に実施形態1で説明した多孔質シートパターニング工程を行う必要がないので、多孔質シートパターニング工程によって音響センサ本体10aに損傷が発生するのを防止することができる。
実施形態1における音響センサモジュールを示す概略断面図である。 同上における音響センサチップを示す概略断面図である。 同上における音響センサチップの概略分解斜視図である。 同上におけるフィルタ層を示し、(a)は概略平面図、(b)は概略下面図である。 同上における音響センサチップの製造方法の説明図である。 実施形態2を示し、(a)はフィルタ層の概略平面図、(b)はフィルタ層の概略下面図、(c)は音響センサチップの概略斜視図である。 同上における音響センサチップの製造方法の説明図である。 従来例を示し、(a)は概略断面図、(b)は要部拡大図である。
符号の説明
10 音響センサチップ(音響センサ)
10a 音響センサ本体
11 フレーム部
12 可動板部
14 固定板部
15 連通孔
16 空間
17 フィルタ層
17a 多孔質層
17b 接着層
20 ICチップ
30 パッケージ
31 実装基板
32 カバー
33 音孔
34 キャビティ
170 多孔質シート

Claims (3)

  1. 半導体基板を用いて形成されフレーム部の内側のダイヤフラム状の可動板部に可動電極が設けられるとともにフレーム部の一表面側において可動板部に対向する固定板部に固定電極が設けられ、固定板部に可動板部と固定板部との間の空間と連通する連通孔が貫設された静電容量型の音響センサ本体と、音響センサ本体の固定板部における可動板部側とは反対の表面側に連通孔を閉塞する形で設けられ多孔質材料からなるフィルタ層とを備えてなることを特徴とする音響センサ。
  2. 請求項1記載の音響センサの製造方法であって、複数の音響センサ本体を形成した半導体基板に複数のフィルタ層の基礎となる多孔質シートを貼着する多孔質シート貼着工程と、多孔質シート貼着工程の後に半導体基板と多孔質シートとの積層構造体から個々の音響センサに分割する分割工程とを備えることを特徴とする音響センサの製造方法。
  3. 前記多孔質シート貼着工程では、前記多孔質シートとして、多孔質層と当該多孔質層の厚み方向の一面側に前記各音響センサ本体それぞれの固定板部に対応する領域が開口された接着層を有するものを用い、接着層により前記半導体基板に貼着することを特徴とする請求項2記載の音響センサの製造方法。
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008271426A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Matsushita Electric Works Ltd 音響センサ
JP2010188468A (ja) * 2009-02-18 2010-09-02 Panasonic Electric Works Co Ltd Mems構造体
WO2010106733A1 (ja) * 2009-03-16 2010-09-23 パナソニック株式会社 半導体装置
KR101046203B1 (ko) 2010-01-05 2011-07-04 주식회사 필코씨에스티 음/전 변환 패키지
JP2012035337A (ja) * 2010-08-03 2012-02-23 Dainippon Printing Co Ltd Memsデバイス及びその製造方法
ITMI20111579A1 (it) * 2011-09-02 2013-03-03 Saati Spa Microfono mems con schermo tessile integrato di protezione.
KR101333573B1 (ko) * 2012-07-30 2013-11-27 주식회사 비에스이 광대역 및 방수 특성을 갖는 마이크로폰 조립체
KR101469606B1 (ko) * 2013-11-13 2014-12-05 (주)파트론 마이크로폰 패키지의 제조 방법
JP2015518646A (ja) * 2012-03-13 2015-07-02 ダブリュ.エル.ゴア アンド アソシエイツ,インコーポレイティドW.L. Gore & Associates, Incorporated 通気アレイとその製造方法
TWI504279B (zh) * 2011-12-01 2015-10-11 Ind Tech Res Inst Mems音波感測器及其製造方法
JP2016058880A (ja) * 2014-09-09 2016-04-21 晶▲めい▼電子股▲ふん▼有限公司 ノイズカップリングの影響を低減させるマイクロフォン装置
US9491531B2 (en) 2014-08-11 2016-11-08 3R Semiconductor Technology Inc. Microphone device for reducing noise coupling effect
KR20180116862A (ko) * 2017-04-18 2018-10-26 엘지전자 주식회사 센서 패키지
JP2019145934A (ja) * 2018-02-19 2019-08-29 新日本無線株式会社 Memsトランスデューサ装置及びその製造方法
JP2019155566A (ja) * 2018-03-15 2019-09-19 新日本無線株式会社 Mems素子およびその実装構造
WO2023075556A1 (ko) * 2021-11-01 2023-05-04 삼성전자 주식회사 벤트 홀을 가지는 스피커 프레임을 포함하는 웨어러블 장치

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008271426A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Matsushita Electric Works Ltd 音響センサ
JP2010188468A (ja) * 2009-02-18 2010-09-02 Panasonic Electric Works Co Ltd Mems構造体
WO2010106733A1 (ja) * 2009-03-16 2010-09-23 パナソニック株式会社 半導体装置
KR101046203B1 (ko) 2010-01-05 2011-07-04 주식회사 필코씨에스티 음/전 변환 패키지
JP2012035337A (ja) * 2010-08-03 2012-02-23 Dainippon Printing Co Ltd Memsデバイス及びその製造方法
ITMI20111579A1 (it) * 2011-09-02 2013-03-03 Saati Spa Microfono mems con schermo tessile integrato di protezione.
EP2566183A1 (en) * 2011-09-02 2013-03-06 Saati S.p.A. MEMS microphone with a built-in textile material protecting screen
JP2013055649A (ja) * 2011-09-02 2013-03-21 Theirtieth Pa 内蔵式の織布材料の保護スクリーンを備えたmemsマイクロフォン
TWI504279B (zh) * 2011-12-01 2015-10-11 Ind Tech Res Inst Mems音波感測器及其製造方法
JP2015518646A (ja) * 2012-03-13 2015-07-02 ダブリュ.エル.ゴア アンド アソシエイツ,インコーポレイティドW.L. Gore & Associates, Incorporated 通気アレイとその製造方法
KR101333573B1 (ko) * 2012-07-30 2013-11-27 주식회사 비에스이 광대역 및 방수 특성을 갖는 마이크로폰 조립체
KR101469606B1 (ko) * 2013-11-13 2014-12-05 (주)파트론 마이크로폰 패키지의 제조 방법
US9491531B2 (en) 2014-08-11 2016-11-08 3R Semiconductor Technology Inc. Microphone device for reducing noise coupling effect
JP2016058880A (ja) * 2014-09-09 2016-04-21 晶▲めい▼電子股▲ふん▼有限公司 ノイズカップリングの影響を低減させるマイクロフォン装置
KR20180116862A (ko) * 2017-04-18 2018-10-26 엘지전자 주식회사 센서 패키지
KR102410213B1 (ko) * 2017-04-18 2022-06-17 엘지전자 주식회사 센서 패키지
JP2019145934A (ja) * 2018-02-19 2019-08-29 新日本無線株式会社 Memsトランスデューサ装置及びその製造方法
JP2019155566A (ja) * 2018-03-15 2019-09-19 新日本無線株式会社 Mems素子およびその実装構造
JP7056853B2 (ja) 2018-03-15 2022-04-19 日清紡マイクロデバイス株式会社 Mems素子の実装構造
WO2023075556A1 (ko) * 2021-11-01 2023-05-04 삼성전자 주식회사 벤트 홀을 가지는 스피커 프레임을 포함하는 웨어러블 장치

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