JP2010188468A - Mems構造体 - Google Patents
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- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
- B81C1/00103—Structures having a predefined profile, e.g. sloped or rounded grooves
Abstract
【解決手段】固定部11と固定部11に対して相対的に可動する可動部12とを備え、固定部11に対して可動部12が可動することで所定の機能を有する素子が基板13に形成されたMEMS構造体において、固定部11と可動部12とが対向する対向面14の端部15を面取り加工したことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
12,44,55,64,76…可動部
13,41,51,61,71…基板
14…対向面
15,17,43,53,54,63,74,75…端部
16…上部水平面
18…下部水平面
21…保護膜
42,52a,52b,72…溝
62,73…シリコン酸化膜
Claims (8)
- 固定部と、前記固定部に対して相対的に可動する可動部とを備え、前記固定部に対して前記可動部が可動することで所定の機能を有する素子が基板に形成されたMEMS構造体において、
前記固定部と前記可動部とが対向する対向面の端部を面取り加工した
ことを特徴とするMEMS構造体。 - 前記面取り加工が施された端部表面には、保護膜が形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載のMEMS構造体。 - 前記保護膜は、金属もしくは有機物で構成されている
ことを特徴とする請求項2に記載のMEMS構造体。 - 前記端部は、前記基板表面と前記対向面とが接する角部、前記基板裏面と前記対向面とが接する角部のいずれか一方または双方である
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のMEMS構造体。 - 異方性エッチングにより前記固定部と前記可動部とが対向する対向面の端部を選択的に除去して、前記端部を面取り加工する
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のMEMS構造体。 - 誘導結合プラズマエッチングにより前記固定部と前記可動部とが対向する対向面の端部を選択的に除去して、前記端部を面取り加工する
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のMEMS構造体。 - 異方性エッチングならびに誘導結合プラズマエッチングにより前記固定部と前記可動部とが対向する対向面の端部を選択的に除去して、前記端部を面取り加工する
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のMEMS構造体。 - 前記基板に形成された絶縁膜により前記誘導結合プラズマエッチングによる前記基板の一方向のエッチングを停止し、かつ前記基板の他方向をエッチングする
ことを特徴とする請求項6または7に記載のMEMS構造体。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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2009
- 2009-02-18 JP JP2009034911A patent/JP2010188468A/ja active Pending
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