JP2007194591A - ウェハレベルパッケージングキャップ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】上面に素子が備えられた素子ウェハを覆うウェハレベルパッケージングキャップの製造方法において、ウェハ20上に絶縁層22を形成し、絶縁層の所定部分を取除いてウェハ上面を露出させ、絶縁層の上部とウェハの露出面にわたってキャップパッド24を形成し、キャップパッドに対応されるウェハの下部に空洞部を形成し、空洞部の底面をエッチングしてウェハに連結されたキャップパッドを、空洞部を介して露出させるステップと、空洞部を介して露出したキャップパッドと電気的に接続されるようにウェハの下面と空洞部にわたってメタルライン26を形成することを特徴とするウェハレベルパッケージングキャップの製造方法及びそれを用いて製造されたウェハレベルパッケージングキャップ。
【選択図】図2A
Description
次に、図1Bに図示されたように、ウェハ10の上部面、すなわちウェハ10にシード層11が形成された面の向かい面にマスクパターンを形成した後、ICP−RIE(誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング)装置を用いてウェハ10が完全に貫通されるまで乾式エッチングを行い、連結穴10aを加工する。
なお、前記第1通過ホールが10μmないし20μmの範囲内の深さを有することが好ましい。
なお、前記マスクパターンを取除くステップにおいて、リフトオフ(lift−off)工程により前記マスクパターンを取除くことが好ましい。
また、前記(d)ステップが、前記ウェハの下部を湿式エッチング工程により加工されることが好ましい。
4 素子ウェハ、
20 キャップ基板、
22,44 絶縁層、
24 キャップパッド、
26 メタルライン、
27,42 シーリングライン、
28 絶縁膜、
40 ウェハ胴体、
46 素子パッド、
50 素子。
Claims (25)
- 上面に素子が備えられた素子ウェハを覆うウェハレベルパッケージングキャップであって、
前記素子が収容される空間を提供する所定の空洞部が下部に形成され、前記空洞部が備えられた地点に上下貫通された第1通過ホールを有し、前記素子ウェハと一体に結合されるキャップ基板と、
前記キャップ基板の上面に備えられ、前記第1通過ホールに対応する第2通過ホールを有する絶縁層と、
前記絶縁層の上部に備えられるキャップパッドと、
前記素子に電気的に接続される複数の素子パッドに対応するように前記キャップ基板の底面に形成されるメタルラインと、を含み、
前記メタルラインおよび前記キャップパッドは前記第1通過ホール及び前記第2通過ホールにて相互電気的に接続されたことを特徴とするウェハレベルパッケージングキャップ。 - 前記メタルラインが、前記キャップ基板の下面、前記空洞部の底面、前記キャップ基板の下面と前記空洞部の底面とを連結する傾斜面にかけて形成されたことを特徴とする請求項1に記載のウェハレベルパッケージングキャップ。
- 前記キャップパッド及び前記メタルラインが金属物質をスプレーコーティング工程によって形成されたことを特徴とする請求項1に記載のウェハレベルパッケージングキャップ。
- 前記第1通過ホールが10μmないし20μmの範囲内の深さを有することを特徴とする請求項1に記載のウェハレベルパッケージングキャップ
- 前記キャップパッドおよび前記メタルラインが、前記第1通過ホール及び前記第2通過ホールの境界で形成されたことを特徴とする請求項1に記載のウェハレベルパッケージングキャップ。
- 前記キャップ基板が、前記素子ウェハのシーリングラインに対応するキャップシーリングラインを更に含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のウェハレベルパッケージングキャップ。
- 上面に素子が備えられた素子ウェハを覆うウェハレベルパッケージングキャップの製造方法であって、
(a)ウェハ上に絶縁層を形成するステップと、
(b)前記絶縁層の所定部分を取除いて前記ウェハ上面を露出させるステップと、
(c)前記絶縁層の上部および前記ウェハの露出面にわたってキャップパッドを形成するステップと、
(d)前記キャップパッドに対応する前記ウェハの下部に空洞部を形成するステップと、
(e)前記空洞部の底面をエッチングして前記ウェハに連結されたキャップパッドを前記空洞部を介して露出させるステップと、
(f)前記空洞部を介して露出したキャップパッドと電気的に接続されるように前記ウェハの下面と前記空洞部にわたってメタルラインを形成するステップと、
を含むことを特徴とするウェハレベルパッケージングキャップの製造方法。 - 前記(b)ステップが、
前記絶縁層上にマスクをパターニングするステップと、
前記マスクパターンにより露出した前記絶縁層を上面から所定の深さにエッチングして前記ウェハを露出させる通過ホールを加工するステップと、
前記マスクパターンを取除くステップと、
を含むことを特徴とする請求項7に記載のウェハレベルパッケージングキャップの製造方法。 - 前記(c)ステップが、
前記絶縁層上にマスクをパターニングするステップと、
前記マスクパターンにより露出した絶縁層と前記ウェハの露出面に金属物質を塗布するステップと、
前記マスクパターンを取除くステップと、
を含むことを特徴とする請求項7に記載のウェハレベルパッケージングキャップの製造方法。 - 前記マスクパターンを取除くステップにおいて、リフトオフ工程により前記マスクパターンを取除くことを特徴とする請求項9に記載のウェハレベルパッケージングキャップの製造方法。
- 前記(d)ステップが、前記ウェハの下部を湿式エッチング工程により加工されることを特徴とする請求項7に記載のウェハレベルパッケージングキャップの製造方法。
- 前記空洞部の加工時、前記空洞部の底面と前記ウェハの上面との間の厚さが10μmないし20μmの範囲内にあるよう前記ウェハの下面を加工することを特徴とする請求項8に記載のウェハレベルケキジングキャップ製造方法。
- 前記(e)ステップが、乾式エッチング工程により行なわれることを特徴とする請求項7に記載のウェハレベルパッケージングキャップの製造方法。
- 前記(f)ステップにおいて、
(f1)前記空洞部を介して前記キャップパッドが露出され、前記ウェハの下部の所定部分が露出するように前記ウェハの下面に所定の厚さの絶縁膜をパターニングするステップと、
(f2)前記空洞部を介して露出されたキャップパッドと電気的に接続され、前記絶縁膜を覆うようにメタルラインをパターニングするステップと、
を含むことを特徴とする請求項7に記載のウェハレベルパッケージングキャップの製造方法。 - 前記絶縁膜が、スプレーコーティング工程によりパターン形成されることを特徴とする請求項14に記載のウェハレベルパッケージングキャップの製造方法。
- 前記絶縁膜が、ポリマー材質からなることを特徴とする請求項14に記載のウェハレベルパッケージングキャップの製造方法。
- 前記(f2)ステップが、
前記絶縁膜を通過して露出したウェハの下部面を覆うようレジストを形成するステップと、
前記絶縁膜と前記レジスト及び前記空洞部を介して露出したキャップパッドを覆うようメタルを塗布するステップと、
前記レジストを取除くステップと、
を含むことを特徴とする請求項14に記載のウェハレベルパッケージングキャップの製造方法。 - 前記レジストを取除いて前記メタルラインに電気的に隔離され、前記素子ウェハにボンディング結合されるシーリングラインを形成することを特徴とする請求項17に記載のウェハレベルパッケージングキャップの製造方法。
- 前記レジストの除去ステップが、リフトオフ工程により行なわれることを特徴とする請求項17に記載のウェハレベルパッケージングキャップの製造方法。
- 前記(f2)ステップにおいて、
前記ウェハ下部の所定部分と前記空洞部を介して露出されたキャップパッドを覆うようウェハの下部に第1レジストをパターニングするステップと、
前記第1レジストと前記ウェハの下部を覆うよう絶縁膜を形成するステップと、
前記第1レジストを取除いて前記キャップパッドとウェハの下部を一部露出させるステップと、
前記露出されたウェハの下部を覆うよう第2レジストをパターニングするステップと、
前記第2レジストと前記絶縁膜、及び前記空洞部を介して露出されたキャップパッドを覆うよう金属物質を塗布するステップと、
前記第2レジストを取除いてメタルラインを形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項14に記載のウェハレベルパッケージングキャップの製造方法。 - 前記第2レジストを取除く際にして、前記メタルラインと隔離され、前記素子ウェハとボンディング結合されるシーリングラインが同時に形成されることを特徴とする請求項20に記載のウェハレベルパッケージングキャップの製造方法。
- 前記絶縁膜が、絶縁物質を蒸着し形成されることを特徴とする請求項20に記載のウェハレベルパッケージングキャップの製造方法。
- 前記絶縁物質が、SiO2、SiN、TiO2のいずれか1つの物質を含むことを特徴とする請求項21に記載のウェハレベルパッケージングキャップの製造方法。
- 前記第1レジストがリフトオフ工程により行なわれることを特徴とする請求項20に記載のウェハレベルパッケージングキャップの製造方法。
- 前記第2レジストがリフトオフ工程により行なわれることを特徴とする請求項20に記載のウェハレベルパッケージングキャップの製造方法。
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