JP2012096316A - 電子装置および電子装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る電子装置100は、基板10と、基板10の上方に形成されたMEMS構造体20と、MEMS構造体20が配置された空洞部1を画成する被覆構造体30と、を含み、被覆構造体30は、空洞部1を上方から覆い、空洞部1に連通する貫通孔37を有する第1被覆層36と、第1被覆層36の上方に形成され、貫通孔37を閉鎖する第2被覆層38と、を有し、第1被覆層36は、少なくともMEMS構造体20の上方に位置する第1領域136と、第1領域136の周囲に位置する第2領域236と、を有し、第1領域136の第1被覆層36は、第2領域236の第1被覆層36より薄く、第1領域136の第1被覆層36と基板10との間の距離L1は、第2領域236の第1被覆層36と基板10との間の距離L2より長い。
【選択図】図1
Description
基板と、
前記基板の上方に形成されたMEMS構造体と、
前記MEMS構造体が配置された空洞部を画成する被覆構造体と、
を含み、
前記被覆構造体は、
前記空洞部を上方から覆い、前記空洞部に連通する貫通孔を有する第1被覆層と、
前記第1被覆層の上方に形成され、前記貫通孔を閉鎖する第2被覆層と、
を有し、
前記第1被覆層は、
少なくとも前記MEMS構造体の上方に位置する第1領域と、
前記第1領域の周囲に位置する第2領域と、
を有し、
前記第1領域の前記第1被覆層は、前記第2領域の前記第1被覆層より薄く、
前記第1領域の前記第1被覆層と前記基板との間の距離は、前記第2領域の前記第1被覆層と前記基板との間の距離より長い。
前記第1被覆層は、
前記第1領域を避けて前記第2領域に形成された第1層と、
前記第1領域および前記第2領域に形成された第2層と、
を有し、
前記貫通孔は、前記第1領域の前記第1被覆層に形成されていることができる。
前記第1被覆層は、前記第1領域および前記第2領域に形成された第3層を、さらに有し、
前記第1層は、前記第2層の下方に形成され、
前記第3層は、前記第2層の上方に形成され、
前記第2層の材質は、Al−Cu合金であり、
前記第1層および前記第3層の材質は、TiN、Ti、W、Au、Ptの少なくともいずれか1つ、もしくはこれらの合金であることができる。
前記第1領域の平面形状は、円形であることができる。
前記MEMS構造体は、
前記基板の上方に形成された第1電極と、
前記基板の上方に形成された支持部、および前記支持部から延出し前記第1電極と対向配置された梁部を有する第2電極と、
を含むことができる。
前記MEMS構造体を発振させるための発振回路を、さらに含むことができる。
基板の上方にMEMS構造体を形成する工程と、
前記基板および前記MEMS構造体の上方に、層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層の上方に、貫通孔を有する第1被覆層を形成する工程と、
前記貫通孔を通して、前記MEMS構造体の上方の前記層間絶縁層を除去する工程と、
前記第1被覆層の上方に、前記貫通孔を閉鎖する第2被覆層を形成する工程と、
を含み、
前記第1被覆層を形成する工程において、
少なくとも前記MEMS構造体の上方に位置する第1領域の前記第1被覆層を、前記第1領域の周囲に位置する第2領域の前記第2被覆層より、薄くなるように形成し、
前記第2被覆層を形成する工程において、
前記第1領域の前記第1被覆層は、前記第2領域の前記第1被覆層より、上方に変位する。
前記第1被覆層を形成する工程は、
前記層間絶縁層の上方に、第1層を形成する工程と、
前記第1領域の前記第1層を除去して、前記層間絶縁層を露出する工程と、
前記第1領域の前記層間絶縁層の上方、および前記第2領域の前記第1層の上方に第2層を形成する工程と、
前記第1領域の前記第2層に、前記貫通孔を形成する工程と、
を含むことができる。
まず、本実施形態に係る電子装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る電子装置100を模式的に示す断面図である。図2は、本実施形態に係る電子装置100を模式的に示す平面図である。図3は、本実施形態に係る電子装置100を模式的に示す図である。なお、図1は、図2のI−I線断面図である。また、図2では、便宜上、第2被覆層38およびパッシベーション層50の図示を省略している。また、図3では、便宜上、MEMS構造体20および発振回路60のみを図示している。
次に、本実施形態に係る電子装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図4〜図11は、本実施形態に係る電子装置100の製造工程を模式的に示す断面図である。
20 MEMS構造体、22 第1電極、24 第2電極、24a 支持部、
24b 梁部、30 被覆構造体、31 包囲壁、32 包囲壁、34 包囲壁、
35 配線層、35a 第1層、35b 第2層、35c 第3層、35d 第4層、
36 第1被覆層、37 貫通孔、38 第2被覆層、40 層間絶縁層、
42 層間絶縁層、50 パッシベーション層、60 発振回路、70 犠牲層、
100 電子装置、136 第1領域、236 第2領域
Claims (8)
- 基板と、
前記基板の上方に形成されたMEMS構造体と、
前記MEMS構造体が配置された空洞部を画成する被覆構造体と、
を含み、
前記被覆構造体は、
前記空洞部を上方から覆い、前記空洞部に連通する貫通孔を有する第1被覆層と、
前記第1被覆層の上方に形成され、前記貫通孔を閉鎖する第2被覆層と、
を有し、
前記第1被覆層は、
少なくとも前記MEMS構造体の上方に位置する第1領域と、
前記第1領域の周囲に位置する第2領域と、
を有し、
前記第1領域の前記第1被覆層は、前記第2領域の前記第1被覆層より薄く、
前記第1領域の前記第1被覆層と前記基板との間の距離は、前記第2領域の前記第1被覆層と前記基板との間の距離より長い、電子装置。 - 請求項1において、
前記第1被覆層は、
前記第1領域を避けて前記第2領域に形成された第1層と、
前記第1領域および前記第2領域に形成された第2層と、
を有し、
前記貫通孔は、前記第1領域の前記第1被覆層に形成されている、電子装置。 - 請求項2において、
前記第1被覆層は、前記第1領域および前記第2領域に形成された第3層を、さらに有し、
前記第1層は、前記第2層の下方に形成され、
前記第3層は、前記第2層の上方に形成され、
前記第2層の材質は、Al−Cu合金であり、
前記第1層および前記第3層の材質は、TiN、Ti、W、Au、Ptの少なくともいずれか1つ、もしくはこれらの合金である、電子装置。 - 請求項1ないし3のいずれか1項において、
前記第1領域の平面形状は、円形である、電子装置。 - 請求項1ないし4のいずれか1項において、
前記MEMS構造体は、
前記基板の上方に形成された第1電極と、
前記基板の上方に形成された支持部、および前記支持部から延出し前記第1電極と対向配置された梁部を有する第2電極と、
を含む、電子装置。 - 請求項5において、
前記MEMS構造体を発振させるための発振回路を、さらに含む、電子装置。 - 基板の上方にMEMS構造体を形成する工程と、
前記基板および前記MEMS構造体の上方に、層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層の上方に、貫通孔を有する第1被覆層を形成する工程と、
前記貫通孔を通して、前記MEMS構造体の上方の前記層間絶縁層を除去する工程と、
前記第1被覆層の上方に、前記貫通孔を閉鎖する第2被覆層を形成する工程と、
を含み、
前記第1被覆層を形成する工程において、
少なくとも前記MEMS構造体の上方に位置する第1領域の前記第1被覆層を、前記第1領域の周囲に位置する第2領域の前記第2被覆層より、薄くなるように形成し、
前記第2被覆層を形成する工程において、
前記第1領域の前記第1被覆層は、前記第2領域の前記第1被覆層より、上方に変位する、電子装置の製造方法。 - 請求項7において、
前記第1被覆層を形成する工程は、
前記層間絶縁層の上方に、第1層を形成する工程と、
前記第1領域の前記第1層を除去して、前記層間絶縁層を露出する工程と、
前記第1領域の前記層間絶縁層の上方、および前記第2領域の前記第1層の上方に第2層を形成する工程と、
前記第1領域の前記第2層に、前記貫通孔を形成する工程と、
を含む、電子装置の製造方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014053763A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Seiko Epson Corp | 電子装置の製造方法および電子装置 |
JP2014057125A (ja) * | 2012-09-11 | 2014-03-27 | Seiko Epson Corp | 電子装置およびその製造方法、並びに発振器 |
JP2014086447A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Seiko Epson Corp | 電子装置及びその製造方法 |
JP2015178136A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-08 | セイコーエプソン株式会社 | Memsデバイス及びその製造方法 |
JP2015182188A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | Memsデバイス及びその製造方法 |
JP2016099114A (ja) * | 2014-11-18 | 2016-05-30 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014155980A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Toshiba Corp | 電気部品およびその製造方法 |
US10081535B2 (en) * | 2013-06-25 | 2018-09-25 | Analog Devices, Inc. | Apparatus and method for shielding and biasing in MEMS devices encapsulated by active circuitry |
US9365411B2 (en) * | 2014-02-03 | 2016-06-14 | Seiko Epson Corporation | MEMS device and method for manufacturing the same |
JP2015182158A (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | Memsデバイス |
JP2015228624A (ja) * | 2014-06-02 | 2015-12-17 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品、電子機器および移動体 |
FR3042642B1 (fr) * | 2015-10-15 | 2022-11-25 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'un dispositif comprenant une micro-batterie |
US11807520B2 (en) * | 2021-06-23 | 2023-11-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor structure and method for manufacturing thereof |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5919364A (en) * | 1996-06-24 | 1999-07-06 | Regents Of The University Of California | Microfabricated filter and shell constructed with a permeable membrane |
JP2006099069A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-13 | Idc Llc | 構造的に強化された背板を使用して微小電子機械システムアレイを保護するためのシステムおよび方法 |
JP2006119603A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-05-11 | Idc Llc | 非平坦部を持つバックプレートを用いた微小電気機械システムを防護する為のシステム及び方法 |
JP2007516848A (ja) * | 2003-12-24 | 2007-06-28 | キャベンディッシュ・キネティックス・リミテッド | デバイス収容方法および対応装置 |
JP2009188785A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 電子装置、共振子、発振器、及び電子装置の製造方法 |
JP2009184102A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 機能デバイス及びその製造方法 |
JP2009537344A (ja) * | 2006-05-22 | 2009-10-29 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 高められた機械的抵抗を有するキャップによって区切られた空洞を備えた超小型構成体 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10353767B4 (de) * | 2003-11-17 | 2005-09-29 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung zur Häusung einer mikromechanischen Struktur und Verfahren zur Herstellung derselben |
KR101177885B1 (ko) * | 2006-01-16 | 2012-08-28 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 레벨 패키징 캡 및 그 제조방법 |
JP2008114354A (ja) | 2006-11-08 | 2008-05-22 | Seiko Epson Corp | 電子装置及びその製造方法 |
US7994594B2 (en) | 2007-03-15 | 2011-08-09 | Seiko Epson Corporation | Electronic device, resonator, oscillator and method for manufacturing electronic device |
JP4386086B2 (ja) | 2007-03-15 | 2009-12-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電子装置及びその製造方法 |
US7876167B1 (en) * | 2007-12-31 | 2011-01-25 | Silicon Laboratories Inc. | Hybrid system having a non-MEMS device and a MEMS device |
US8592925B2 (en) * | 2008-01-11 | 2013-11-26 | Seiko Epson Corporation | Functional device with functional structure of a microelectromechanical system disposed in a cavity of a substrate, and manufacturing method thereof |
FR2933390B1 (fr) * | 2008-07-01 | 2010-09-03 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'encapsulation d'un dispositif microelectronique par un materiau getter |
JP2010030020A (ja) | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Seiko Epson Corp | 電子装置 |
JP5401916B2 (ja) | 2008-10-27 | 2014-01-29 | セイコーエプソン株式会社 | 電子装置及びその製造方法 |
JP5417851B2 (ja) | 2009-01-07 | 2014-02-19 | セイコーエプソン株式会社 | Memsデバイス及びその製造方法 |
CN102001616A (zh) * | 2009-08-31 | 2011-04-06 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 | 装配和封装微型机电系统装置的方法 |
-
2010
- 2010-11-02 JP JP2010245974A patent/JP2012096316A/ja active Pending
-
2011
- 2011-11-01 US US13/286,494 patent/US8796845B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5919364A (en) * | 1996-06-24 | 1999-07-06 | Regents Of The University Of California | Microfabricated filter and shell constructed with a permeable membrane |
JP2007516848A (ja) * | 2003-12-24 | 2007-06-28 | キャベンディッシュ・キネティックス・リミテッド | デバイス収容方法および対応装置 |
JP2006099069A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-13 | Idc Llc | 構造的に強化された背板を使用して微小電子機械システムアレイを保護するためのシステムおよび方法 |
JP2006119603A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-05-11 | Idc Llc | 非平坦部を持つバックプレートを用いた微小電気機械システムを防護する為のシステム及び方法 |
JP2009537344A (ja) * | 2006-05-22 | 2009-10-29 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 高められた機械的抵抗を有するキャップによって区切られた空洞を備えた超小型構成体 |
JP2009184102A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 機能デバイス及びその製造方法 |
JP2009188785A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 電子装置、共振子、発振器、及び電子装置の製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014053763A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Seiko Epson Corp | 電子装置の製造方法および電子装置 |
JP2014057125A (ja) * | 2012-09-11 | 2014-03-27 | Seiko Epson Corp | 電子装置およびその製造方法、並びに発振器 |
JP2014086447A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Seiko Epson Corp | 電子装置及びその製造方法 |
JP2015178136A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-08 | セイコーエプソン株式会社 | Memsデバイス及びその製造方法 |
JP2015182188A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | Memsデバイス及びその製造方法 |
JP2016099114A (ja) * | 2014-11-18 | 2016-05-30 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 |
US9682858B2 (en) | 2014-11-18 | 2017-06-20 | Seiko Epson Corporation | Electronic device, physical quantity sensor, pressure sensor, altimeter, electronic apparatus, and moving object |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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