JP2007516848A - デバイス収容方法および対応装置 - Google Patents
デバイス収容方法および対応装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007516848A JP2007516848A JP2006546296A JP2006546296A JP2007516848A JP 2007516848 A JP2007516848 A JP 2007516848A JP 2006546296 A JP2006546296 A JP 2006546296A JP 2006546296 A JP2006546296 A JP 2006546296A JP 2007516848 A JP2007516848 A JP 2007516848A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layers
- micromechanical element
- layer
- encapsulation
- sacrificial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
- B81C1/00301—Connecting electric signal lines from the MEMS device with external electrical signal lines, e.g. through vias
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
- B81B2207/01—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS
- B81B2207/015—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS the micromechanical device and the control or processing electronics being integrated on the same substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
- B81B2207/09—Packages
- B81B2207/091—Arrangements for connecting external electrical signals to mechanical structures inside the package
- B81B2207/094—Feed-through, via
- B81B2207/096—Feed-through, via through the substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/01—Packaging MEMS
- B81C2203/0145—Hermetically sealing an opening in the lid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
- H01L23/5256—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Description
マイクロメカニカル素子上に一つ以上の封入層を設ける工程、
素子を取り囲むように基層と一つ以上の封入層との間に伸張する封入壁を設ける工程、
及び基層とマイクロメカニカル素子上に形成された一つ以上の金属化層との間に電気的接続部を設ける工程
が含まれるマイクロメカニカル素子の収容方法が提供される。
マイクロメカニカル素子の少なくとも一部上に一つ以上の封入層を堆積する工程、
一つ以上の封入層を平坦化する工程、
一つ以上の封入層に一つ以上の開口部を形成する工程、
マイクロメカニカル素子と接触する一つ以上の犠牲層(Sacrifice Layer:捨て層)を設ける工程、及び
一つ以上の犠牲層を除去してマイクロメカニカル素子をキャビティ内で露出させる工程
が含まれる。
平坦化工程が、一つ以上の犠牲層により近接して一つ以上の封入層を後退させ、そして化学機械的研磨法(CMP)を用いて実施されるのが有用である。
一つ以上の犠牲層は同じ材料の異なった形態から構成される又は異なった材料から構成されるのが望ましい。
一つ以上の犠牲層は、シリコン窒化物、シリコン酸化物又はアモルファスシリコンのようなエッチング可能なシリコンを基材とする材料から構成されるのが最も望ましい。これらの材料はフッ素ベースの化合物を用いてエッチングできる。
一つ以上の封入層が、シリコン酸化物やシリコン窒化物のようなシリコンを基材とする材料で形成のが有用である。
一つ以上の犠牲層はプラズマエンハンスド化学的蒸着法 (PECVD)を用いて堆積されるのが望ましい。
一つ以上の犠牲層を除去する工程には、一つ以上の封入層における一つ以上の開口部を通してエッチング剤を導入する工程がを含まれるのが望ましい。
一つ以上の犠牲層は、酸素プラズマを用いてエッチングできるポリイミドのようなエッチング可能なポリマーを基材とする材料から構成されるのが望ましい。
壁は一つ以上の積層プラグで形成される。さらに、プラグは基層とマイクロメカニカル素子の下側の最上方金属化層との間に電気接続部も形成できるのが望ましい。
壁部が誘電体層と封入層を通じて進出するのが有用である。
パターン化され得る基層を設ける工程、
エッチング可能な材料の犠牲層を一つ以上設ける工程、
一つ以上の犠牲層をパターン化して素子の形状の少なくとも一部分を確定する工程、
機械的材料を確定する少なくとも一つの層を設ける工程、
マイクロメカニカル素子をパターン化して素子の少なくとも一部分を形成する工程及び
犠牲層の一部分を除去して素子を少なくとも部分的にフリーにする工程
が含まれるマイクロメカニカル素子の形成方法が提供される。
図1には、当業者に知られている、標準のCMOS出発基層に実施した本発明のデバイスを示し、その内部には、マイクロメカニカル素子が形成されている。当該デバイスは、CMOSトランジスタレベル(図示していない)に堆積される基層1、誘電体3、金属相互接続体5、7、9、11、及び基層1の下側のCMOS基板層とその上に一体に形成したマイクロメカニカル素子28と上方金属相互接続層に対する接点との間を電気的に接触させる13、15、17、19に形成したビアプラグを備えている。
2 導電性層
3 誘電体層(誘電体)
3 犠牲層
4 構造体層
5、7、9、11 金属相互接続体(金属化層)
10、28 マイクロメカニカル素子
13、15、17、19、28、29、45 ビアプラグ(電気的接続部)
21、23 TiN層
25 第1犠牲層
26、32 ビア
30 第2犠牲層
33 第1封入層
40 金属化層
44 壁
46 開口部(あるいは解放開口部)
48 バリヤー
50 キャビティ
60 第2封入層
100 デバイス
Claims (19)
- 基層と一つ以上の金属化層との間に形成したマイクロメカニカル素子の収容方法であって、
前記マイクロメカニカル素子上に一つ以上の封入層を設ける工程と、
前記素子を包囲するように前記基層と前記一つ以上の封入層との間に伸張する封入壁を設ける工程と、
前記基層と前記マイクロメカニカル素子上に形成された前記一つ以上の金属化層との間に電気的接続部を設ける工程と、
を備える
ことを特徴とするマイクロメカニカル素子収容方法。 - 請求項1に記載の方法において、さらに、
前記マイクロメカニカル素子の少なくとも一部の上に一つ以上の封入層を堆積する工程と、
前記一つ以上の封入層を平坦化する工程と、
前記一つ以上の封入層に一つ以上の開口部を形成する工程と、
前記マイクロメカニカル素子と接触する一つ以上の犠牲層を設ける工程と、
前記一つ以上の犠牲層を除去して前記マイクロメカニカル素子をキャビティ内に露出させる工程と、
を備える
ことを特徴とする方法。 - 請求項1または請求項2に記載の方法において、
前記一つ以上の封入層に形成した前記一つ以上の開口部がドライエッチング手段を用いて露出される
ことを特徴とする方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の方法において、
前記平坦化する工程が、前記一つ以上の封入層を後退させ、前記一つ以上の犠牲層により近接させる
ことを特徴とする方法。 - 請求項4に記載の方法において、
前記平坦化する工程が化学機械的研磨法(CMP)を備える
ことを特徴とする方法。 - 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の方法において、
前記一つ以上の犠牲層が同じ材料だが異なった形態で構成される
ことを特徴とする方法。 - 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の方法において、
犠牲材料(訳注:犠牲層のこと)が異なった材料から成る
ことを特徴とする方法。 - 請求項6または請求項7に記載の方法において、
前記一つ以上の犠牲層が、シリコン窒化物、シリコン酸化物またはアモルファスシリコンのようなエッチング可能なシリコンを基材とする材料から成る
ことを特徴とする方法。 - 請求項1ないし請求項8のいずれかに記載の方法において、
前記一つ以上の封入層が、シリコン酸化物やシリコン窒化物のようなシリコンを基材とする材料で形成される
ことを特徴とする方法。 - 請求項6ないし請求項8のいずれかに記載の方法において、
一つ以上の犠牲層がプラズマエンハンスド化学的蒸着法 (PECVD)を用いて堆積される
ことを特徴とする方法。 - 請求項1ないし請求項10のいずれかに記載の方法において、
前記一つ以上の犠牲層を除去する工程には、前記一つ以上の封入層における前記一つ以上の開口部を通してエッチング剤を導入する工程が含まれる
ことを特徴とする方法。 - 請求項6または請求項7に記載の方法において、
前記一つ以上の犠牲層が、ポリイミドのようなエッチング可能なポリマーを基材とする材料から成る
ことを特徴とする方法。 - 請求項12に記載の方法において、
エッチング剤が酸素プラズマである
ことを特徴とする方法。 - 請求項11に記載の方法において、
エッチング剤がフッ素を基材とした化合物である
ことを特徴とする方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の方法において、
前記壁(訳注:封入壁のこと)が一つ以上の積層プラグで形成される
ことを特徴とする方法。 - 請求項1ないし請求項14(訳注:請求項15の誤り)のいずれかに記載の方法において、
前記プラグが前記基層と前記マイクロメカニカル素子の下側の最上方にある金属化層との間に電気接続部を形成する
ことを特徴とする方法。 - 請求項14に記載の方法において、
壁部が誘電体層と封入層とを通って伸張する
ことを特徴とする方法。 - マイクロメカニカル素子の形成方法であって
パターニングされ得る基層を設ける工程と、
エッチング可能な材料から成る一つ以上の犠牲層を設ける工程と、
前記一つ以上の犠牲層をパターニングして前記素子の形状の少なくとも一部分を確定する工程と、
機械的材料を確定する少なくとも一つの層を設ける工程と、
前記マイクロメカニカル素子をパターニングして前記素子の少なくとも一部分を形成する工程と、
犠牲層の一部分を除去して前記素子を少なくとも部分的に解放する工程と、
を備える
ことを特徴とするマイクロメカニカル素子形成方法。 - 基層上に形成したマイクロメカニカル素子と、
前記マイクロメカニカル素子上に配置した一つ以上の封入層と、
前記基層から前記一つ以上の封入層内へ伸張する前記マイクロメカニカル素子を包囲する封入壁と、
を有する
ことを特徴とする半導体デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GBGB0330010.0A GB0330010D0 (en) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | Method for containing a device and a corresponding device |
PCT/GB2004/005122 WO2005061376A1 (en) | 2003-12-24 | 2004-12-06 | Method for containing a device and a corresponding device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007516848A true JP2007516848A (ja) | 2007-06-28 |
JP4658966B2 JP4658966B2 (ja) | 2011-03-23 |
Family
ID=30776515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006546296A Expired - Fee Related JP4658966B2 (ja) | 2003-12-24 | 2004-12-06 | マイクロメカニカル素子の収容方法およびマイクロメカニカル素子の形成方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7615395B2 (ja) |
EP (1) | EP1697255B1 (ja) |
JP (1) | JP4658966B2 (ja) |
CN (2) | CN102161470B (ja) |
GB (1) | GB0330010D0 (ja) |
WO (1) | WO2005061376A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006263902A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-10-05 | Hitachi Ltd | 集積化マイクロエレクトロメカニカルシステムおよびその製造方法 |
JP2011512666A (ja) * | 2008-02-14 | 2011-04-21 | キャベンディッシュ・キネティックス・リミテッド | 3端子の複数回プログラム可能なメモリのビットセル及びアレイ構成 |
JP2012096316A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Seiko Epson Corp | 電子装置および電子装置の製造方法 |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0330010D0 (en) | 2003-12-24 | 2004-01-28 | Cavendish Kinetics Ltd | Method for containing a device and a corresponding device |
US7553684B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-06-30 | Idc, Llc | Method of fabricating interferometric devices using lift-off processing techniques |
JP4544140B2 (ja) * | 2005-02-16 | 2010-09-15 | セイコーエプソン株式会社 | Mems素子 |
GB0516148D0 (en) * | 2005-08-05 | 2005-09-14 | Cavendish Kinetics Ltd | Method of integrating an element |
US7541209B2 (en) * | 2005-10-14 | 2009-06-02 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a device package having edge interconnect pad |
GB0522471D0 (en) * | 2005-11-03 | 2005-12-14 | Cavendish Kinetics Ltd | Memory element fabricated using atomic layer deposition |
GB0523713D0 (en) * | 2005-11-22 | 2005-12-28 | Cavendish Kinetics Ltd | Enclosure method |
JP2007222956A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Seiko Epson Corp | Memsデバイスおよびmemsデバイスの製造方法 |
JP2008114354A (ja) | 2006-11-08 | 2008-05-22 | Seiko Epson Corp | 電子装置及びその製造方法 |
US7706042B2 (en) * | 2006-12-20 | 2010-04-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device and interconnects for same |
DE102007060931A1 (de) * | 2006-12-21 | 2008-08-28 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Verkapselungsmodul, Verfahren zu dessen Herstellung und Verwendung |
US7659150B1 (en) | 2007-03-09 | 2010-02-09 | Silicon Clocks, Inc. | Microshells for multi-level vacuum cavities |
US7923790B1 (en) | 2007-03-09 | 2011-04-12 | Silicon Laboratories Inc. | Planar microshells for vacuum encapsulated devices and damascene method of manufacture |
US7736929B1 (en) | 2007-03-09 | 2010-06-15 | Silicon Clocks, Inc. | Thin film microshells incorporating a getter layer |
US7595209B1 (en) | 2007-03-09 | 2009-09-29 | Silicon Clocks, Inc. | Low stress thin film microshells |
US7989262B2 (en) | 2008-02-22 | 2011-08-02 | Cavendish Kinetics, Ltd. | Method of sealing a cavity |
US7993950B2 (en) * | 2008-04-30 | 2011-08-09 | Cavendish Kinetics, Ltd. | System and method of encapsulation |
US8349635B1 (en) | 2008-05-20 | 2013-01-08 | Silicon Laboratories Inc. | Encapsulated MEMS device and method to form the same |
JP5374077B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2013-12-25 | ローム株式会社 | Memsセンサ |
US8063454B2 (en) * | 2008-08-13 | 2011-11-22 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor structures including a movable switching element and systems including same |
JP2010098518A (ja) * | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Rohm Co Ltd | Memsセンサの製造方法およびmemsセンサ |
JP5677971B2 (ja) * | 2008-11-07 | 2015-02-25 | キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッドCavendish Kinetics, Inc. | 相対的に小型の複数のmemsデバイスを用いて相対的に大型のmemsデバイスを置き換える方法 |
US8957485B2 (en) * | 2009-01-21 | 2015-02-17 | Cavendish Kinetics, Ltd. | Fabrication of MEMS based cantilever switches by employing a split layer cantilever deposition scheme |
US8877648B2 (en) * | 2009-03-26 | 2014-11-04 | Semprius, Inc. | Methods of forming printable integrated circuit devices by selective etching to suspend the devices from a handling substrate and devices formed thereby |
US8247253B2 (en) | 2009-08-11 | 2012-08-21 | Pixart Imaging Inc. | MEMS package structure and method for fabricating the same |
US8158200B2 (en) * | 2009-08-18 | 2012-04-17 | University Of North Texas | Methods of forming graphene/(multilayer) boron nitride for electronic device applications |
CN102001613B (zh) * | 2009-09-02 | 2014-10-22 | 原相科技股份有限公司 | 微电子装置及制造方法、微机电封装结构及封装方法 |
US8030112B2 (en) * | 2010-01-22 | 2011-10-04 | Solid State System Co., Ltd. | Method for fabricating MEMS device |
EP2542499B1 (en) * | 2010-03-01 | 2017-03-22 | Cavendish Kinetics Inc. | Cmp process flow for mems |
US8530985B2 (en) * | 2010-03-18 | 2013-09-10 | Chia-Ming Cheng | Chip package and method for forming the same |
CN103155069B (zh) | 2010-09-21 | 2015-10-21 | 卡文迪什动力有限公司 | 上拉式电极和华夫饼型微结构 |
US8852984B1 (en) * | 2011-03-30 | 2014-10-07 | Silicon Laboratories | Technique for forming a MEMS device |
US8877536B1 (en) * | 2011-03-30 | 2014-11-04 | Silicon Laboratories Inc. | Technique for forming a MEMS device using island structures |
US9455353B2 (en) | 2012-07-31 | 2016-09-27 | Robert Bosch Gmbh | Substrate with multiple encapsulated devices |
JP2014086447A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Seiko Epson Corp | 電子装置及びその製造方法 |
US20140147955A1 (en) * | 2012-11-29 | 2014-05-29 | Agency For Science, Technology And Research | Method of encapsulating a micro-electromechanical (mems) device |
US9018715B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-04-28 | Silicon Laboratories Inc. | Gas-diffusion barriers for MEMS encapsulation |
US20150048514A1 (en) * | 2013-08-14 | 2015-02-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Stacked via structures and methods of fabrication |
US9466554B2 (en) * | 2014-02-13 | 2016-10-11 | Qualcomm Incorporated | Integrated device comprising via with side barrier layer traversing encapsulation layer |
US9637371B2 (en) | 2014-07-25 | 2017-05-02 | Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | Membrane transducer structures and methods of manufacturing same using thin-film encapsulation |
ES2732024T3 (es) | 2015-04-21 | 2019-11-20 | Univ Catalunya Politecnica | Circuito integrado que comprende estructuras micromecánicas multicapa con masa mejorada y fiabilidad y método de fabricación del mismo |
CN107445135B (zh) * | 2016-05-31 | 2020-07-31 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 | 半导体器件及其封装方法 |
DE102017218883A1 (de) * | 2017-10-23 | 2019-04-25 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mikroelektromechanisches Bauteil sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung |
US10793422B2 (en) | 2018-12-17 | 2020-10-06 | Vanguard International Semiconductor Singapore Pte. Ltd. | Microelectromechanical systems packages and methods for packaging a microelectromechanical systems device |
US11884536B2 (en) * | 2020-10-23 | 2024-01-30 | AAC Technologies Pte. Ltd. | Electrical interconnection structure, electronic apparatus and manufacturing methods for the same |
CN116199183B (zh) * | 2023-04-28 | 2023-07-14 | 润芯感知科技(南昌)有限公司 | 一种半导体器件及其制造方法 |
Citations (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63198378A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-17 | Nissan Motor Co Ltd | 振動センサの製造方法 |
JPH05297413A (ja) * | 1991-12-19 | 1993-11-12 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
JPH09148467A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Murata Mfg Co Ltd | 動作素子の真空封止の構造およびその製造方法 |
JPH09257618A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 静電容量型圧力センサおよびその製造方法 |
JPH1070287A (ja) * | 1996-08-26 | 1998-03-10 | Yokogawa Electric Corp | 振動式トランスデューサとその製造方法 |
JPH10111195A (ja) * | 1996-10-09 | 1998-04-28 | Yokogawa Electric Corp | 振動式トランスデューサとその製造方法 |
JPH10281862A (ja) * | 1997-04-08 | 1998-10-23 | Yokogawa Electric Corp | 振動式赤外線センサとその製造方法 |
JPH11177067A (ja) * | 1997-12-09 | 1999-07-02 | Sony Corp | メモリ素子およびメモリアレイ |
JP2000186931A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-07-04 | Murata Mfg Co Ltd | 小型電子部品及びその製造方法並びに該小型電子部品に用いるビアホールの成形方法 |
JP2001133703A (ja) * | 1999-11-04 | 2001-05-18 | Seiko Epson Corp | 半導体基板上に構造物を有する装置の製造方法および装置 |
JP2002009078A (ja) * | 2000-05-15 | 2002-01-11 | Asm Microchemistry Oy | 交互層蒸着前の保護層 |
WO2002052642A2 (en) * | 2000-12-26 | 2002-07-04 | Honeywell International Inc. | Method for eliminating reaction between photoresist and organosilicate glass |
JP2002280470A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-27 | Aisin Seiki Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2002078082A2 (en) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | International Business Machines Corporation | Electronic structure |
JP2003035874A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Nikon Corp | 薄膜スライド接続機構及びその製造方法並びにこれを用いたミラーデバイス及び光スイッチ |
JP2003506871A (ja) * | 1999-08-02 | 2003-02-18 | ハネウエル・インコーポレーテッド | デュアルウエハー付設法 |
JP2003509847A (ja) * | 1999-09-08 | 2003-03-11 | アライドシグナル インコーポレイテッド | デュアルダマシンプロセスにおける低誘電率エッチストップ層 |
WO2003040436A1 (en) * | 2001-11-08 | 2003-05-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of eliminating voids in w plugs |
WO2003085719A2 (en) * | 2002-04-02 | 2003-10-16 | Dow Global Technologies Inc. | Process for making air gap containing semiconducting devices and resulting semiconducting device |
JP2003531474A (ja) * | 1999-10-15 | 2003-10-21 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | ダマシン・メタライゼーションのための正角ライニング層 |
Family Cites Families (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63307758A (ja) | 1987-06-09 | 1988-12-15 | Nec Corp | 集積回路装置 |
US5504026A (en) * | 1995-04-14 | 1996-04-02 | Analog Devices, Inc. | Methods for planarization and encapsulation of micromechanical devices in semiconductor processes |
US5578976A (en) | 1995-06-22 | 1996-11-26 | Rockwell International Corporation | Micro electromechanical RF switch |
US5696662A (en) | 1995-08-21 | 1997-12-09 | Honeywell Inc. | Electrostatically operated micromechanical capacitor |
US6012336A (en) * | 1995-09-06 | 2000-01-11 | Sandia Corporation | Capacitance pressure sensor |
DE19638666C1 (de) | 1996-01-08 | 1997-11-20 | Siemens Ag | Schmelzsicherung mit einer Schutzschicht in einer integrierten Halbleiterschaltung sowie zugehöriges Herstellungsverfahren |
US5730835A (en) | 1996-01-31 | 1998-03-24 | Micron Technology, Inc. | Facet etch for improved step coverage of integrated circuit contacts |
US5919548A (en) * | 1996-10-11 | 1999-07-06 | Sandia Corporation | Chemical-mechanical polishing of recessed microelectromechanical devices |
US6268661B1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-07-31 | Nec Corporation | Semiconductor device and method of its fabrication |
US5980349A (en) * | 1997-05-14 | 1999-11-09 | Micron Technology, Inc. | Anodically-bonded elements for flat panel displays |
FR2781499B1 (fr) * | 1998-07-24 | 2000-09-08 | Atochem Elf Sa | Compositions de nettoyage ou de sechage a base de 1,1,1,2,3,4,4,5,5, 5 - decafluoropentane |
US6153839A (en) | 1998-10-22 | 2000-11-28 | Northeastern University | Micromechanical switching devices |
KR20080047629A (ko) | 1998-12-02 | 2008-05-29 | 폼팩터, 인크. | 전기 접촉 구조체의 제조 방법 |
US6174820B1 (en) * | 1999-02-16 | 2001-01-16 | Sandia Corporation | Use of silicon oxynitride as a sacrificial material for microelectromechanical devices |
US6274440B1 (en) | 1999-03-31 | 2001-08-14 | International Business Machines Corporation | Manufacturing of cavity fuses on gate conductor level |
US6633055B2 (en) * | 1999-04-30 | 2003-10-14 | International Business Machines Corporation | Electronic fuse structure and method of manufacturing |
US6500694B1 (en) * | 2000-03-22 | 2002-12-31 | Ziptronix, Inc. | Three dimensional device integration method and integrated device |
US6310339B1 (en) | 1999-10-28 | 2001-10-30 | Hrl Laboratories, Llc | Optically controlled MEM switches |
US20010040675A1 (en) | 2000-01-28 | 2001-11-15 | True Randall J. | Method for forming a micromechanical device |
US6439693B1 (en) | 2000-05-04 | 2002-08-27 | Silverbrook Research Pty Ltd. | Thermal bend actuator |
US7153717B2 (en) * | 2000-05-30 | 2006-12-26 | Ic Mechanics Inc. | Encapsulation of MEMS devices using pillar-supported caps |
US7008812B1 (en) * | 2000-05-30 | 2006-03-07 | Ic Mechanics, Inc. | Manufacture of MEMS structures in sealed cavity using dry-release MEMS device encapsulation |
WO2002016150A1 (en) | 2000-08-23 | 2002-02-28 | Reflectivity, Inc. | Transition metal dielectric alloy materials for mems |
US6535091B2 (en) | 2000-11-07 | 2003-03-18 | Sarnoff Corporation | Microelectronic mechanical systems (MEMS) switch and method of fabrication |
DE10056716B4 (de) * | 2000-11-15 | 2007-10-18 | Robert Bosch Gmbh | Mikrostrukturbauelement |
DE10104868A1 (de) * | 2001-02-03 | 2002-08-22 | Bosch Gmbh Robert | Mikromechanisches Bauelement sowie ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements |
US6958123B2 (en) * | 2001-06-15 | 2005-10-25 | Reflectivity, Inc | Method for removing a sacrificial material with a compressed fluid |
WO2003028059A1 (en) | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Hrl Laboratories, Llc | Mems switches and methods of making same |
US6635506B2 (en) * | 2001-11-07 | 2003-10-21 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating micro-electromechanical switches on CMOS compatible substrates |
ATE412611T1 (de) * | 2001-11-09 | 2008-11-15 | Wispry Inc | Dreischichtige strahl-mems-einrichtung und diesbezügliche verfahren |
US7943412B2 (en) * | 2001-12-10 | 2011-05-17 | International Business Machines Corporation | Low temperature Bi-CMOS compatible process for MEMS RF resonators and filters |
FR2835963B1 (fr) | 2002-02-11 | 2006-03-10 | Memscap | Micro-composant du type micro-interrupteur et procede de fabrication d'un tel micro-composant |
US6635509B1 (en) * | 2002-04-12 | 2003-10-21 | Dalsa Semiconductor Inc. | Wafer-level MEMS packaging |
JP4554357B2 (ja) | 2002-05-07 | 2010-09-29 | マイクロファブリカ インク | 電気化学的に成型加工され、気密的に封止された微細構造および上記微細構造を製造するための方法および装置 |
DE10230252B4 (de) * | 2002-07-04 | 2013-10-17 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung integrierter Mikrosysteme |
US7064637B2 (en) * | 2002-07-18 | 2006-06-20 | Wispry, Inc. | Recessed electrode for electrostatically actuated structures |
WO2004037711A2 (en) * | 2002-10-23 | 2004-05-06 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Processes for hermetically packaging wafer level microscopic structures |
EP1433740A1 (en) | 2002-12-24 | 2004-06-30 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Method for the closure of openings in a film |
US20040157426A1 (en) * | 2003-02-07 | 2004-08-12 | Luc Ouellet | Fabrication of advanced silicon-based MEMS devices |
EP1450406A1 (en) * | 2003-02-19 | 2004-08-25 | Cavendish Kinetics Limited | Micro fuse |
US20040166603A1 (en) * | 2003-02-25 | 2004-08-26 | Carley L. Richard | Micromachined assembly with a multi-layer cap defining a cavity |
NL1023275C2 (nl) | 2003-04-25 | 2004-10-27 | Cavendish Kinetics Ltd | Werkwijze voor het vervaardigen van een micro-mechanisch element. |
US6917459B2 (en) * | 2003-06-03 | 2005-07-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | MEMS device and method of forming MEMS device |
US7060624B2 (en) * | 2003-08-13 | 2006-06-13 | International Business Machines Corporation | Deep filled vias |
US6861277B1 (en) * | 2003-10-02 | 2005-03-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming MEMS device |
JP2005183557A (ja) | 2003-12-18 | 2005-07-07 | Canon Inc | 半導体集積回路とその動作方法、該回路を備えたicカード |
GB0330010D0 (en) | 2003-12-24 | 2004-01-28 | Cavendish Kinetics Ltd | Method for containing a device and a corresponding device |
US7482193B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-01-27 | Honeywell International Inc. | Injection-molded package for MEMS inertial sensor |
US7576426B2 (en) * | 2005-04-01 | 2009-08-18 | Skyworks Solutions, Inc. | Wafer level package including a device wafer integrated with a passive component |
GB0515980D0 (en) | 2005-08-03 | 2005-09-07 | Cavendish Kinetics Ltd | Memory cell for a circuit and method of operation therefor |
GB0516148D0 (en) | 2005-08-05 | 2005-09-14 | Cavendish Kinetics Ltd | Method of integrating an element |
GB0523715D0 (en) | 2005-11-22 | 2005-12-28 | Cavendish Kinetics Ltd | Method of minimising contact area |
GB0523713D0 (en) | 2005-11-22 | 2005-12-28 | Cavendish Kinetics Ltd | Enclosure method |
US20070235501A1 (en) | 2006-03-29 | 2007-10-11 | John Heck | Self-packaging MEMS device |
-
2003
- 2003-12-24 GB GBGB0330010.0A patent/GB0330010D0/en not_active Ceased
-
2004
- 2004-12-06 CN CN201110053427.4A patent/CN102161470B/zh active Active
- 2004-12-06 CN CN2004800390280A patent/CN1898150B/zh active Active
- 2004-12-06 JP JP2006546296A patent/JP4658966B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-06 EP EP04805944.8A patent/EP1697255B1/en active Active
- 2004-12-06 WO PCT/GB2004/005122 patent/WO2005061376A1/en not_active Application Discontinuation
-
2006
- 2006-06-26 US US11/474,490 patent/US7615395B2/en not_active Ceased
-
2011
- 2011-07-27 US US13/191,865 patent/USRE44246E1/en active Active
Patent Citations (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63198378A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-17 | Nissan Motor Co Ltd | 振動センサの製造方法 |
JPH05297413A (ja) * | 1991-12-19 | 1993-11-12 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
JPH09148467A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Murata Mfg Co Ltd | 動作素子の真空封止の構造およびその製造方法 |
JPH09257618A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 静電容量型圧力センサおよびその製造方法 |
JPH1070287A (ja) * | 1996-08-26 | 1998-03-10 | Yokogawa Electric Corp | 振動式トランスデューサとその製造方法 |
JPH10111195A (ja) * | 1996-10-09 | 1998-04-28 | Yokogawa Electric Corp | 振動式トランスデューサとその製造方法 |
JPH10281862A (ja) * | 1997-04-08 | 1998-10-23 | Yokogawa Electric Corp | 振動式赤外線センサとその製造方法 |
JPH11177067A (ja) * | 1997-12-09 | 1999-07-02 | Sony Corp | メモリ素子およびメモリアレイ |
JP2000186931A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-07-04 | Murata Mfg Co Ltd | 小型電子部品及びその製造方法並びに該小型電子部品に用いるビアホールの成形方法 |
JP2003506871A (ja) * | 1999-08-02 | 2003-02-18 | ハネウエル・インコーポレーテッド | デュアルウエハー付設法 |
JP2003509847A (ja) * | 1999-09-08 | 2003-03-11 | アライドシグナル インコーポレイテッド | デュアルダマシンプロセスにおける低誘電率エッチストップ層 |
JP2003531474A (ja) * | 1999-10-15 | 2003-10-21 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | ダマシン・メタライゼーションのための正角ライニング層 |
JP2001133703A (ja) * | 1999-11-04 | 2001-05-18 | Seiko Epson Corp | 半導体基板上に構造物を有する装置の製造方法および装置 |
JP2002009078A (ja) * | 2000-05-15 | 2002-01-11 | Asm Microchemistry Oy | 交互層蒸着前の保護層 |
WO2002052642A2 (en) * | 2000-12-26 | 2002-07-04 | Honeywell International Inc. | Method for eliminating reaction between photoresist and organosilicate glass |
JP2002280470A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-27 | Aisin Seiki Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2002078082A2 (en) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | International Business Machines Corporation | Electronic structure |
JP2003035874A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Nikon Corp | 薄膜スライド接続機構及びその製造方法並びにこれを用いたミラーデバイス及び光スイッチ |
WO2003040436A1 (en) * | 2001-11-08 | 2003-05-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of eliminating voids in w plugs |
WO2003085719A2 (en) * | 2002-04-02 | 2003-10-16 | Dow Global Technologies Inc. | Process for making air gap containing semiconducting devices and resulting semiconducting device |
JP2005522049A (ja) * | 2002-04-02 | 2005-07-21 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | エアギャップ含有半導体デバイスの製造方法及び得られる半導体デバイス |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006263902A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-10-05 | Hitachi Ltd | 集積化マイクロエレクトロメカニカルシステムおよびその製造方法 |
JP4724488B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2011-07-13 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 集積化マイクロエレクトロメカニカルシステム |
JP2011512666A (ja) * | 2008-02-14 | 2011-04-21 | キャベンディッシュ・キネティックス・リミテッド | 3端子の複数回プログラム可能なメモリのビットセル及びアレイ構成 |
US9019756B2 (en) | 2008-02-14 | 2015-04-28 | Cavendish Kinetics, Ltd | Architecture for device having cantilever electrode |
TWI496159B (zh) * | 2008-02-14 | 2015-08-11 | Cavendish Kinetics Ltd | 三端多重時間可程式化記憶體位元格及陣列架構 |
KR101558630B1 (ko) | 2008-02-14 | 2015-10-07 | 카벤디시 키네틱스, 엘티디. | 3-단자 다중-시간 프로그래밍가능한 메모리 비트셀 및 어레이 아키텍처 |
JP2012096316A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Seiko Epson Corp | 電子装置および電子装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1697255A1 (en) | 2006-09-06 |
CN1898150B (zh) | 2011-04-27 |
US20070004096A1 (en) | 2007-01-04 |
CN1898150A (zh) | 2007-01-17 |
US7615395B2 (en) | 2009-11-10 |
CN102161470B (zh) | 2017-03-01 |
JP4658966B2 (ja) | 2011-03-23 |
WO2005061376A1 (en) | 2005-07-07 |
CN102161470A (zh) | 2011-08-24 |
USRE44246E1 (en) | 2013-05-28 |
GB0330010D0 (en) | 2004-01-28 |
EP1697255B1 (en) | 2020-01-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4658966B2 (ja) | マイクロメカニカル素子の収容方法およびマイクロメカニカル素子の形成方法 | |
US7993950B2 (en) | System and method of encapsulation | |
TWI556331B (zh) | 微機電裝置及其形成方法 | |
EP1064674B1 (en) | A method of manufacturing an electronic device comprising two layers of organic-containing material | |
US8183685B2 (en) | Semiconductor device | |
US6913946B2 (en) | Method of making an ultimate low dielectric device | |
US7719079B2 (en) | Chip carrier substrate capacitor and method for fabrication thereof | |
US7807550B2 (en) | Method of making MEMS wafers | |
JP2003197738A (ja) | 半導体装置のマスク層および二重ダマシーン相互接続構造 | |
JPH10189733A (ja) | 多孔性誘電体の金属被覆法 | |
US9708177B2 (en) | MEMS device anchoring | |
KR100609544B1 (ko) | 반도체 퓨즈 | |
TW201727780A (zh) | 微機電系統封裝之製造方法 | |
KR20030027817A (ko) | 마스크 층 및 집적 회로 장치의 듀얼 대머신 상호 연결구조물 형성 방법과 집적 회로 장치 상에서 상호 연결구조물을 형성하는 방법 | |
US20020195715A1 (en) | Backend metallization method and device obtained therefrom | |
JPH11312704A (ja) | ボンドパッドを有するデュアルダマスク | |
US20100001368A1 (en) | Microelectromechanical device packaging with an anchored cap and its manufacture | |
EP2584598B1 (en) | Method of producing a semiconductor device comprising a through-substrate via and a capping layer and corresponding semiconductor device | |
CN111527043A (zh) | 微机电部件及其制造方法 | |
KR100607815B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
EP0996978A2 (en) | A method for manufacturing an electronic device comprising an organic-containing material | |
KR20000027707A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선층 형성 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090217 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090518 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090518 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090518 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100223 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100524 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101207 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101224 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4658966 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |