JP2007222956A - Memsデバイスおよびmemsデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】固定部4a,4bと可動部7を備え半導体基板1に形成されたMEMS構造体20と、MEMS構造体20に接続される配線16が絶縁膜を介して積層されMEMS構造体20を取り囲むように形成された配線層8と、配線層8の上方からMEMS構造体20上方に連なり複数の開口部13が形成されたシリコン窒化膜10と、を有し、半導体基板1とシリコン窒化膜10の間に空洞部14が画定され、シリコン窒化膜10の開口部13が塞がれて空洞部14の内部を気密に封止する。
【選択図】図1
Description
可動部の振動を利用するMEMSデバイスの場合には、可動部の振動時における空気抵抗を減ずるために、MEMS構造体部分を減圧雰囲気にて気密封止する必要がある。また、可動部の振動を利用しない場合であっても、耐湿性などの信頼性を確保するためにMEMS構造体部分を減圧雰囲気あるいは不活性ガス雰囲気で気密封止する必要がある。
例えば、特許文献1に示すような、MEMS構造体(微小機械)が形成された下部基板と、空洞部が形成された上部基板とを、Oリングを介して減圧雰囲気で気密封止する構造のMEMSデバイスが提案されている。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、簡易な工程で容易にMEMS構造体を気密封止することを可能とするMEMSデバイスおよびMEMSデバイスの製造方法を提供することにある。
(第1の実施形態)
シリコンからなる半導体基板1上には、シリコン酸化膜2が形成され、その上にシリコン窒化膜3が形成されている。そして、シリコン窒化膜3上にMEMS構造体20が設けられている。MEMS構造体20はポリシリコンにて形成され、固定部4a,4bおよび可動部7から構成されている。また、この固定部4a,4bおよび可動部7は電極として作用している。
一方、固定部4bは可動部7の下方に隙間を保って位置し、配線層8に延出され、配線16に接続されている。この配線16はSiO2などの絶縁膜を介して積層され、その上部に設けられた接続パッド18に接続されている。
なお、配線層8の下にはSiO2などの酸化膜5が形成されており、MEMS構造体20をエッチングにてリリースする際の犠牲層である。
そして、パッシベーション膜9およびシリコン窒化膜10における、MEMS構造体20の上方に位置する部分には複数の開口部13が設けられている。この開口部13は、MEMS構造体20の可動部7の上方を除く部分に形成されている。
また、シリコン窒化膜10に形成された複数の開口部13がMEMS構造体20の可動部7上方を除く位置に形成されていることから、MEMS振動子60の製造工程において、シリコン窒化膜10に形成された複数の開口部13から異物が落下してMEMS構造体20の可動部7に付着することを防止することができ、特性の良好なMEMS振動子60を提供できる。
(第2の実施形態)
図2、図3はMEMS振動子の製造工程を示す模式断面図である。図2、図3において、図1に示した部材と同一の部材には同符号を付している。
次に、シリコン窒化膜3の上にポリシリコン膜を形成し、フォトレジストを塗布する。このフォトレジスト膜をパターニングし、図2(b)に示すように、エッチングによりMEMS構造体の固定部4a,4bを形成する。
その後、図2(c)に示すように、固定部4a,4bの上からSiO2などの酸化膜5を形成し、固定部4a上の酸化膜5に開口穴6を形成する。
次に、図示しないが、固定部4a,4bの上方の酸化膜5の一部に開口穴を形成して、固定部4a,4bと接続する配線を形成する。その後、図2(e)に示すように、SiO2などの絶縁膜を介して配線を積層した配線層8を形成する。
そして、図2(f)に示すように、配線層8の上にパッシベーション膜9を形成する。
続いて、シリコン窒化膜10上にフォトレジスト膜11を形成し、図3(b)に示すように、このフォトレジスト膜11をパターニングする。このパターニングは図1(a)に示した複数の開口部13を形成する部分のフォトレジスト膜を除去した形状となっている。
そして、図3(c)に示すように、パターニングしたフォトレジスト膜11をマスクとして、ドライエッチングによりシリコン窒化膜10、パッシベーション膜9、配線層8までエッチングして複数のエッチングホール12を形成する。
このようにして、MEMS構造体20の上方に複数の開口部13を有するシリコン窒化膜10が形成でき、また、半導体基板1とシリコン窒化膜10の間に空洞部14を形成できる。
ここで、耐酸性の膜であるシリコン窒化膜10は、このMEMS構造体20をリリースする工程において、エッチング時間が長い場合に侵食されるおそれがあるが、時間管理をすることで大きく侵食されることを防止している。
そして、図3(e)に示すように、減圧雰囲気にてシリコン窒化膜10の開口部13を塞ぐように金属あるいは樹脂で形成された板状部材15を、その外周において接着することで、MEMS構造体20が配置された空洞部14を減圧雰囲気にて気密封止する。
また、本実施形態では、空洞部14を減圧雰囲気にて気密封止を行ったが、窒素などの不活性ガス雰囲気で上記の気密封止処理を行えば、空洞部14を不活性ガス雰囲気にて気密封止することが可能である。
さらにシリコン窒化膜10から配線層8におよぶエッチングホール12を形成したことで、エッチングホール12の内周からエッチング液が接触するため、早く、また、確実にMEMS構造体20をリリースエッチングすることができる。
(変形例)
図4、図5は気密封止処理の変形例を示す模式断面図である。この変形例では気密封止処理を行う部分のみ異なり、他の部分については第1の実施形態および第2の実施形態と同符号を付し、説明を省略する。
図4において、シリコン窒化膜10に形成された複数の開口部13を覆い、上面の全面に板状部材21が接着され、空洞部14が気密封止されている。
図5において、シリコン窒化膜10に形成された複数の開口部13ごとに樹脂22が塗布され樹脂22を硬化させることで、空洞部14が気密封止されている。また、図示しないが、樹脂を上面の全面に塗布・硬化させ、空洞部14を気密封止しても良い。
(第3の実施形態)
図6は、MEMS振動子の構成を示す概略図であり、図6(a)は模式平面図、図6(b)は、同図(a)のE−E断線に沿う模式断面図である。
シリコンからなる半導体基板31上には、シリコン酸化膜32が形成され、その上にシリコン窒化膜33が形成されている。そして、シリコン窒化膜33上にMEMS構造体50が設けられている。MEMS構造体50はポリシリコンにて形成され、固定部34a,34bおよび可動部37から構成されている。また、この固定部34a,34bおよび可動部37は電極として作用している。
一方、固定部34bは可動部37の下方に隙間を保って位置し、配線層38に延出され、配線46に接続されている。この配線46はSiO2などの絶縁膜を介して積層され、その上部に設けられた接続パッド48に接続されている。
なお、配線層38の下にはSiO2などの酸化膜35が形成されており、MEMS構造体50をエッチングにてリリースする際の犠牲層である。
そして、パッシベーション膜39およびポリイミド樹脂膜40における、MEMS構造体50の上方に位置する部分には複数の開口部42が設けられている。
ポリイミド樹脂膜40の上には、ポリイミドなどの樹脂が塗布されて硬化した樹脂膜45にて開口部42が塞がれ、空洞部44を減圧雰囲気にて気密封止されている。
(第4の実施形態)
図7、図8はMEMS振動子の製造工程を示す模式断面図である。図7、図8において、図6に示した部材と同一の部材には同符号を付している。
次に、シリコン窒化膜33の上にポリシリコン膜を形成し、フォトレジストを塗布する。このフォトレジスト膜をパターニングし、図7(b)に示すように、エッチングによりMEMS構造体の固定部34a,34bを形成する。
その後、図7(c)に示すように、固定部34a,34bの上からSiO2などの酸化膜35を形成し、固定部34a上の酸化膜35に開口穴36を形成する。
次に、固定部34a,34bの上方の酸化膜35の一部に開口穴を形成して、固定部34a,34bと接続する配線を形成する。その後、図7(e)に示すように、SiO2などの絶縁膜を介して配線46を積層した配線層38を形成する。
そして、図7(f)に示すように、配線層38の上にパッシベーション膜39を形成する。
続いて、図8(b)に示すように、パッシベーション膜39の上にポリイミド樹脂膜40を形成する。ポリイミド樹脂膜40は、ポリイミド樹脂がスピンコート法などにより塗布され、加熱硬化処理することで形成されている。
次に、図8(c)に示すように、パッシベーション膜39に形成した開口部41に対応する部分のポリイミド樹脂膜40をエッチングにて開口し開口部42を形成する。この開口部42は、ポリイミド樹脂膜40からパッシベーション膜39にまで及ぶ深さで形成されている。また、このとき同時に接続パッド48の開口を行う。
なお、ポリイミド樹脂膜40の形成において、感光性ポリイミド樹脂を用いて、露光・現像処理を行うことでポリイミド樹脂膜40に開口部42を形成しても良い。
このとき、接続パッド48を侵さないように、エッチング液としてアルミ非溶解液を使用している。なお、エッチング液がアルミを侵す性質のものを使用する場合には、MEMS構造体50をリリースした後、接続パッド48を開口すれば良い。
このようにして、MEMS構造体50の上方に複数の開口部42を有するポリイミド樹脂膜40が形成でき、また、半導体基板31とポリイミド樹脂膜40の間に空洞部44を形成できる。
また、本実施形態では、空洞部44を減圧雰囲気にて気密封止を行ったが、窒素などの不活性ガス雰囲気で上記の気密封止処理を行えば、空洞部44を不活性ガス雰囲気にて気密封止することが可能である。
(変形例)
図9、図10は気密封止処理の変形例を示す模式断面図である。この変形例では気密封止処理を行う部分のみ異なり、他の部分については第3の実施形態および第4の実施形態と同符号を付し、説明を省略する。
図9において、ポリイミド樹脂膜40に形成された複数の開口部42ごとに樹脂51が塗布され樹脂51を硬化させることで、空洞部44が気密封止されている。
図10において、ポリイミド樹脂膜40に形成された複数の開口部42を覆うように金属あるいは樹脂などの板状部材52が、その外周にて接着され空洞部44が気密封止されている。
このように、ポリイミド樹脂膜40に形成された複数の開口部42を塞ぐことで、MEMS構造体50が配置された空洞部44を容易に気密封止でき、その気密封止方法は様々な方法をとることが可能である。
上記のような変形例においても、第3の実施形態および第4の実施形態と同様な効果を享受することができる。
(第5の実施形態)
図11は半導体ウエハレベルでMEMS振動子を製造する場合の半導体ウエハを示す平面図である。
半導体ウエハ100には、MEMS振動子110を多数個取りするように、多数の領域が設定され、それぞれの領域は、第2の実施形態または第4の実施形態で説明した半導体基板100上に構造体層を形成する工程から気密封止処理する工程まで製造が行われる。その後、領域ごとに切断などで個片化し、MEMS振動子110を得ている。
また、半導体基板に回路素子を形成してMEMS構造体を発振させる発振回路を構成し、MEMS振動子に発振回路を備えたMEMSデバイスとしても良い。
さらに、本実施形態ではMEMSデバイスとして、MEMS振動子を例にとり説明したが、他の実施として、電気スイッチなどの電子部品、加速度センサ、圧力センサ、ジャイロセンサなどの各種センサなどとして利用することが可能である。
Claims (14)
- 固定部と可動部を備え半導体基板に形成されたMEMS構造体と、
前記MEMS構造体に接続される配線が絶縁膜を介して積層され前記MEMS構造体を取り囲むように形成された配線層と、
前記配線層の上方から前記MEMS構造体上方に連なり複数の開口部が形成された耐酸性膜と、を有し、
前記半導体基板と前記耐酸性膜の間に空洞部が画定され、前記耐酸性膜の開口部が塞がれて前記空洞部の内部が気密に封止されていることを特徴とするMEMSデバイス。 - 請求項1に記載のMEMSデバイスにおいて、
前記耐酸性膜がシリコン窒化膜であることを特徴とするMEMSデバイス。 - 請求項1に記載のMEMSデバイスにおいて、
前記耐酸性膜がポリイミド樹脂膜であることを特徴とするMEMSデバイス。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載のMEMSデバイスにおいて、
前記耐酸性膜に形成された複数の開口部が前記MEMS構造体の可動部上方を除く位置に形成されていることを特徴とするMEMSデバイス。 - 請求項1乃至4のいずれか一項に記載のMEMSデバイスにおいて、
前記耐酸性膜の開口部に樹脂が塗布され、前記開口部が塞がれていることを特徴とするMEMSデバイス。 - 請求項1乃至4のいずれか一項に記載のMEMSデバイスにおいて、
前記耐酸性膜の開口部が板状部材にて塞がれていることを特徴とするMEMSデバイス。 - 固定部と可動部を備えたMEMS構造体が半導体基板に形成されたMEMSデバイスの製造方法であって、
前記半導体基板の上方に酸化膜と前記MEMS構造体とを備えた構造体層を形成する工程と、
前記MEMS構造体層の上方に絶縁膜を介して配線を積層する配線層を形成する工程と、
前記配線層の上方にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜の上に耐酸性膜を形成する工程と、
前記MEMS構造体の上方に位置する前記耐酸性膜およびパッシベーション膜に複数の開口部を形成する工程と、
前記開口部からエッチング液を接触させて前記配線層の絶縁膜および前記構造体層の酸化膜をエッチングして前記MEMS構造体をリリースし、かつ前記パッシベーション膜と前記半導体基板の間に空洞部を形成する工程と、
前記開口部を塞ぎ前記空洞部の気密封止処理する工程と、
を有することを特徴とするMEMSデバイスの製造方法。 - 請求項7に記載のMEMSデバイスの製造方法において、
前記耐酸性膜がシリコン窒化膜であることを特徴とするMEMSデバイスの製造方法。 - 請求項7に記載のMEMSデバイスの製造方法において、
前記耐酸性膜がポリイミド樹脂膜であることを特徴とするMEMSデバイスの製造方法。 - 請求項7乃至9のいずれか一項に記載のMEMSデバイスの製造方法において、
前記耐酸性膜およびパッシベーション膜に複数の開口部を形成する工程に続き、前記開口部から前記配線層にまでおよぶエッチングホールを形成する工程を備えることを特徴とするMEMSデバイスの製造方法。 - 請求項7乃至10のいずれか一項に記載のMEMSデバイスの製造方法において、
前記耐酸性膜に形成する複数の開口部を前記MEMS構造体の可動部上方を除く位置に形成することを特徴とするMEMSデバイスの製造方法。 - 請求項7乃至11のいずれか一項に記載のMEMSデバイスの製造方法において、
前記気密封止処理する工程が、樹脂を塗布して前記開口部を塞ぎ、前記樹脂を硬化する工程であることを特徴とするMEMSデバイスの製造方法。 - 請求項7乃至11のいずれか一項に記載のMEMSデバイスの製造方法において、
前記気密封止処理する工程が、前記開口部を覆う板状部材を前記耐酸性膜に固着する工程であることを特徴とするMEMSデバイスの製造方法。 - 請求項7乃至13のいずれか一項に記載のMEMSデバイスの製造方法において、
前記MEMSデバイスを多数個取りする半導体ウエハレベルで、前記構造体層を形成する工程から前記気密封止処理する工程まで行ない、その後、前記MEMSデバイスごとに個片化することを特徴とするMEMSデバイスの製造方法。
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