JP2014053763A - 電子装置の製造方法および電子装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子装置100の製造方法は、基板の上方に形成されたMEMS振動子と回路部とを有する電子装置の製造方法であって、MEMS振動子20を構成する第1構造体22と、回路部3を構成するキャパシター40の第1電極42とを、第1シリコン層4を用いて形成する工程と、MEMS振動子20を構成する第2構造体24と、回路部3を構成するキャパシター40の第2電極42と、回路部3を構成するトランジスター30のゲート電極34とを、第2シリコン層8を用いて形成する工程と、を含む。
【選択図】図1
Description
基板の上方に形成されたMEMS振動子と回路部とを有する電子装置の製造方法であって、
前記MEMS振動子を構成する第1構造体と、前記回路部を構成するキャパシターの第1電極とを、第1シリコン層を用いて形成する工程と、
前記第1構造体を覆う犠牲層を形成する工程と、
前記MEMS振動子を構成する第2構造体と、前記回路部を構成する前記キャパシターの第2電極と、前記回路部を構成するトランジスターのゲート電極とを、第2シリコン層を用いて形成する工程と、
前記犠牲層を除去して前記第1構造体と前記第2構造体との間に空隙を形成する工程と、
を含む。
前記第2構造体と前記第2電極と前記ゲート電極とを前記第2シリコン層を用いて形成する工程の前に、前記第1構造体および前記第1電極を覆う第1酸化膜を形成する工程と、
前記第1酸化膜で覆われた前記第1構造体を覆う第2酸化膜と、前記トランジスターを構成するゲート絶縁膜とを、熱酸化で形成する工程と、
を含み、
前記犠牲層は、前記第1酸化膜および前記第2酸化膜で形成され、
前記第2構造体と前記第2電極と前記ゲート電極とを前記第2シリコン層を用いて形成する工程において、前記第2酸化膜の上方に前記第2構造体を形成し、前記ゲート絶縁膜の上方に前記ゲート電極を形成してもよい。
前記第2構造体と前記第2電極と前記ゲート電極とを前記第2シリコン層を用いて形成する工程の前に、前記第1構造体および前記第1電極を覆う第1酸化膜を形成する工程と、
前記第1構造体を覆う前記第1酸化膜を除去する工程と、
前記第1酸化膜が除去された前記第1構造体を覆う第2酸化膜と、前記トランジスターを構成するゲート絶縁膜とを、熱酸化で形成する工程と、
を含み、
前記犠牲層は、前記第2酸化膜で形成され、
前記第2構造体と前記第2電極と前記ゲート電極とを前記第2シリコン層を用いて形成する工程において、前記第2酸化膜の上方に前記第2構造体を形成し、前記ゲート絶縁膜の上方に前記ゲート電極を形成してもよい。
基板の上方に形成されたMEMS振動子と回路部とを有する電子装置の製造方法であって、
前記MEMS振動子を構成する第1構造体と、前記回路部を構成するキャパシターの第1電極と、前記回路部を構成するトランジスターのゲート電極とを、第1シリコン層を用いて形成する工程と、
前記第1構造体を覆う犠牲層を形成する工程と、
前記回路部を構成する前記キャパシターの第2電極と、前記MEMS振動子を構成する第2構造体とを、第2シリコン層を用いて形成する工程と、
前記犠牲層を除去して前記第1構造体と前記第2構造体との間に空隙を形成する工程と、
を含む。
基板の上方に形成されたMEMS振動子と回路部とを有する電子装置であって、
前記MEMS振動子は、
第1構造体と、
前記第1構造体との間に空隙を有した状態で、前記第1構造体との間の静電力によって振動可能に形成された第2構造体と、
を有し、
前記回路部は、
第1電極および前記第1電極に対向する第2電極を備えたキャパシターと、
ゲート電極を備えたトランジスターと、
を有し、
前記MEMS振動子の前記第1構造体と、前記キャパシターの前記第1電極とは、第1シリコン層を用いて形成され、
前記MEMS振動子の前記第2構造体と、前記キャパシターの前記第2電極と、前記トランジスターの前記ゲート電極とは、第2シリコン層を用いて形成されている。
基板の上方に形成されたMEMS振動子と回路部とを有する電子装置であって、
前記MEMS振動子は、
第1構造体と、
前記第1構造体との間に空隙を有した状態で、前記第1構造体との間の静電力によって
振動可能に形成された第2構造体と、
を有し、
前記回路部は、
第1電極および前記第1電極に対向する第2電極を備えたキャパシターと、
ゲート電極を備えたトランジスターと、
を有し、
前記MEMS振動子の前記第1構造体と、前記キャパシターの前記第1電極と、前記トランジスターの前記ゲート電極とは、第1シリコン層を用いて形成され、
前記MEMS振動子の前記第2構造体と、前記キャパシターの前記第2電極とは、第2シリコン層を用いて形成されている。
1.1. 電子装置
まず、第1実施形態に係る電子装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態に係る電子装置100を模式的に示す断面図である。
したが、誘電体層の総数は特に限定されず、単層であってもよいし、3層以上の層であってもよい。キャパシター40は、誘電体層として酸化シリコン層で窒化シリコン層を挟んだONOキャパシターであってもよい。上部電極44は、第2誘電体層48上に形成されている。上部電極44は、誘電体層46,48を介して、下部電極42に対向するように形成されている。上部電極44は、第2シリコン層8を用いて形成されている。電極42,44の平面形状は、例えば、長方形である。電極42,44の材質は、例えば、所定の不純物(例えばボロン)をドーピングすることにより導電性が付与された多結晶シリコンである。
ンである。第1金属層64および第2金属層66は、例えば、アルミニウム層、チタン層、または、アルミニウム層およびチタン層の積層体である。
信号fを出力する。図1に示すキャパシター40が、第1キャパシター130または第2キャパシター132であってもよい。
次に、第1実施形態に係る電子装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図3〜図14は、本実施形態に係る電子装置100の製造工程を模式的に示す断面図である。
42、および導電層62の熱酸化処理は、例えば、800℃以上1100℃以下で行われる。本工程において、下部構造体22を覆う第1酸化膜5、下部電極42を覆う第1酸化膜5、および導電層62を覆う第1酸化膜5は、同時に形成される。第1酸化膜5は、例えば、酸化シリコン層である。下部電極42を覆う第1酸化膜5が、第1誘電体層46となる。なお、第1酸化膜5を、CVD法やスパッタ法を用いて形成してもよい。
成する。これにより、LDD(Lightly doped drain)構造を形成することができる。本工程において、トランジスター30が形成される。
程を簡素化することができる。また、下部構造体22と上部構造体24との間の空隙の大きさを、第1酸化膜5および第2酸化膜6の膜厚で制御することができる。
次に、第1実施形態に係る電子装置100の製造方法の変形例について、図面を参照しながら、説明する。図15〜図17は、第1実施形態の変形例に係る電子装置100の製造工程を模式的に示す断面図である。以下、本変形例に係る電子装置の製造方法において、上述した第1実施形態に係る電子装置の製造方法の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
2.1. 電子装置
次に、第2実施形態に係る電子装置について、図面を参照しながら説明する。図18は、第2実施形態に係る電子装置100を模式的に示す断面図である。
次に、第2実施形態に係る電子装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図19〜図26は、第2実施形態に係る電子装置100の製造工程を模式的に示す断面図である。以下、第2実施形態に係る電子装置200の製造方法において、上述した第1実施形態に係る電子装置100の製造方法の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。以下、第2実施形態に係る電子装置200の製造方法において、上述した第1実施形態に係る電子装置100の製造方法の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
係る電子装置100の製造工程と同様である。そのため、その説明を省略する。
構造体22上に形成される。本工程において、MEMS振動子20およびキャパシター40が形成される。なお、本工程の後に、保護層30aを除去してもよい。また、保護層30aを除去せずに、保護層30aを層間絶縁層50の一部として用いてもよい。
Claims (6)
- 基板の上方に形成されたMEMS振動子と回路部とを有する電子装置の製造方法であって、
前記MEMS振動子を構成する第1構造体と、前記回路部を構成するキャパシターの第1電極とを、第1シリコン層を用いて形成する工程と、
前記第1構造体を覆う犠牲層を形成する工程と、
前記MEMS振動子を構成する第2構造体と、前記回路部を構成する前記キャパシターの第2電極と、前記回路部を構成するトランジスターのゲート電極とを、第2シリコン層を用いて形成する工程と、
前記犠牲層を除去して前記第1構造体と前記第2構造体との間に空隙を形成する工程と、
を含む、電子装置の製造方法。 - 請求項1において、
前記第2構造体と前記第2電極と前記ゲート電極とを前記第2シリコン層を用いて形成する工程の前に、前記第1構造体および前記第1電極を覆う第1酸化膜を形成する工程と、
前記第1酸化膜で覆われた前記第1構造体を覆う第2酸化膜と、前記トランジスターを構成するゲート絶縁膜とを、熱酸化で形成する工程と、
を含み、
前記犠牲層は、前記第1酸化膜および前記第2酸化膜で形成され、
前記第2構造体と前記第2電極と前記ゲート電極とを前記第2シリコン層を用いて形成する工程において、前記第2酸化膜の上方に前記第2構造体を形成し、前記ゲート絶縁膜の上方に前記ゲート電極を形成する、電子装置の製造方法。 - 請求項1において、
前記第2構造体と前記第2電極と前記ゲート電極とを前記第2シリコン層を用いて形成する工程の前に、前記第1構造体および前記第1電極を覆う第1酸化膜を形成する工程と、
前記第1構造体を覆う前記第1酸化膜を除去する工程と、
前記第1酸化膜が除去された前記第1構造体を覆う第2酸化膜と、前記トランジスターを構成するゲート絶縁膜とを、熱酸化で形成する工程と、
を含み、
前記犠牲層は、前記第2酸化膜で形成され、
前記第2構造体と前記第2電極と前記ゲート電極とを前記第2シリコン層を用いて形成する工程において、前記第2酸化膜の上方に前記第2構造体を形成し、前記ゲート絶縁膜の上方に前記ゲート電極を形成する、電子装置の製造方法。 - 基板の上方に形成されたMEMS振動子と回路部とを有する電子装置の製造方法であって、
前記MEMS振動子を構成する第1構造体と、前記回路部を構成するキャパシターの第1電極と、前記回路部を構成するトランジスターのゲート電極とを、第1シリコン層を用いて形成する工程と、
前記第1構造体を覆う犠牲層を形成する工程と、
前記回路部を構成する前記キャパシターの第2電極と、前記MEMS振動子を構成する第2構造体とを、第2シリコン層を用いて形成する工程と、
前記犠牲層を除去して前記第1構造体と前記第2構造体との間に空隙を形成する工程と、
を含む、電子装置の製造方法。 - 基板の上方に形成されたMEMS振動子と回路部とを有する電子装置であって、
前記MEMS振動子は、
第1構造体と、
前記第1構造体との間に空隙を有した状態で、前記第1構造体との間の静電力によって振動可能に形成された第2構造体と、
を有し、
前記回路部は、
第1電極および前記第1電極に対向する第2電極を備えたキャパシターと、
ゲート電極を備えたトランジスターと、
を有し、
前記MEMS振動子の前記第1構造体と、前記キャパシターの前記第1電極とは、第1シリコン層を用いて形成され、
前記MEMS振動子の前記第2構造体と、前記キャパシターの前記第2電極と、前記トランジスターの前記ゲート電極とは、第2シリコン層を用いて形成されている、電子装置。 - 基板の上方に形成されたMEMS振動子と回路部とを有する電子装置であって、
前記MEMS振動子は、
第1構造体と、
前記第1構造体との間に空隙を有した状態で、前記第1構造体との間の静電力によって振動可能に形成された第2構造体と、
を有し、
前記回路部は、
第1電極および前記第1電極に対向する第2電極を備えたキャパシターと、
ゲート電極を備えたトランジスターと、
を有し、
前記MEMS振動子の前記第1構造体と、前記キャパシターの前記第1電極と、前記トランジスターの前記ゲート電極とは、第1シリコン層を用いて形成され、
前記MEMS振動子の前記第2構造体と、前記キャパシターの前記第2電極とは、第2シリコン層を用いて形成されている、電子装置。
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