JP2013038530A - Mems振動子および発振器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係るMEMS振動子100は、基板10と、基板10の上方に配置され、開口部22が形成された第1絶縁層20と、開口部22を覆って、第1絶縁層20の上方に配置された第2絶縁層30と、第2絶縁層30の上方に配置された第1電極40と、第1電極40との間に空隙を有した状態で配置され、基板10の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部52、梁部52の一端を支持し第2絶縁層30の上方に配置された第1支持部54、および梁部52の他端を支持し第2絶縁層30の上方に配置された第2支持部56を有する第2電極50と、を含み、基板10の厚み方向からの平面視において、開口部22の少なくとも一部は、第1支持部54と第2支持部56との間に配置されている。
【選択図】図1
Description
基板と、
前記基板の上方に配置され、開口部が形成された第1絶縁層と、
前記開口部を覆って、前記第1絶縁層の上方に配置された第2絶縁層と、
前記第2絶縁層の上方に配置された第1電極と、
前記第1電極との間に空隙を有した状態で配置され、前記基板の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部、前記梁部の一端を支持し前記第2絶縁層の上方に配置された第1支持部、および前記梁部の他端を支持し前記第2絶縁層の上方に配置された第2支持部を有する第2電極と、
を含み、
前記基板の厚み方向からの平面視において、前記開口部の少なくとも一部は、前記第1支持部と前記第2支持部との間に配置されている。
前記第1絶縁層の材質は、酸化シリコンであり、
前記第2絶縁層の材質は、窒化シリコンであってもよい。
前記基板の厚み方向からの平面視において、前記開口部は、前記第1支持部および前記第2支持部を避けて、前記梁部と交差していてもよい。
前記基板の厚み方向からの平面視において、前記開口部の少なくとも一部は、前記第1電極と重なっていてもよい。
本発明に係るMEMS振動子と、
前記MEMS振動子の前記第1電極および前記第2電極と電気的に接続された回路部と、
を含む。
まず、本実施形態に係るMEMS振動子について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係るMEMS振動子100を模式的に示す断面図である。図2は、本実施形態に係るMEMS振動子100を模式的に示す平面図である。なお、図1は、図2のI−I線断面図である。また、図2では、便宜上、層間絶縁層60、コンタクト部72,76、および配線層80,82,84,86の図示を省略している。
次に、本実施形態に係るMEMS振動子の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図3〜図9は、本実施形態に係るMEMS振動子100の製造工程を模式的に示す断面図である。
次に、本実施形態の変形例に係るMEMS振動子について、図面を参照しながら説明する。図10は、本実施形態の変形例に係るMEMS振動子200を模式的に示す平面図であって、図2に対応するものである。以下、本実施形態の変形例に係るMEMS振動子200において、本実施形態に係るMEMS振動子100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
次に、本実施形態に係る発振器について、図面を参照しながら説明する。図11は、本実施形態に係る発振器600を示す回路図である。
40 第1電極、42 窪み部、45 犠牲層、50 第2電極、52 梁部、
54 第1支持部、56 第2支持部、60 層間絶縁層、
70,72,74,76 コンタクト部、80,82,84,86 配線層、
100 MEMS振動子、100a 第1端子、100b 第2端子、
200 MEMS振動子、600 発振器、610 反転増幅回路、
610a 入力端子、610b 出力端子、620 抵抗、630 第1キャパシター、
632 第2キャパシター、640 分周回路
Claims (5)
- 基板と、
前記基板の上方に配置され、開口部が形成された第1絶縁層と、
前記開口部を覆って、前記第1絶縁層の上方に配置された第2絶縁層と、
前記第2絶縁層の上方に配置された第1電極と、
前記第1電極との間に空隙を有した状態で配置され、前記基板の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部、前記梁部の一端を支持し前記第2絶縁層の上方に配置された第1支持部、および前記梁部の他端を支持し前記第2絶縁層の上方に配置された第2支持部を有する第2電極と、
を含み、
前記基板の厚み方向からの平面視において、前記開口部の少なくとも一部は、前記第1支持部と前記第2支持部との間に配置されている、MEMS振動子。 - 請求項1において、
前記第1絶縁層の材質は、酸化シリコンであり、
前記第2絶縁層の材質は、窒化シリコンである、MEMS振動子。 - 請求項1または2において、
前記基板の厚み方向からの平面視において、前記開口部は、前記第1支持部および前記第2支持部を避けて、前記梁部と交差している、MEMS振動子。 - 請求項1ないし3のいずれか1項において、
前記基板の厚み方向からの平面視において、前記開口部の少なくとも一部は、前記第1電極と重なっている、MEMS振動子。 - 請求項1ないし4のいずれか1項に記載のMEMS振動子と、
前記MEMS振動子の前記第1電極および前記第2電極と電気的に接続された回路部と、
を含む、発振器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011171617A JP2013038530A (ja) | 2011-08-05 | 2011-08-05 | Mems振動子および発振器 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011171617A JP2013038530A (ja) | 2011-08-05 | 2011-08-05 | Mems振動子および発振器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2013038530A5 JP2013038530A5 (ja) | 2014-08-28 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2011171617A Withdrawn JP2013038530A (ja) | 2011-08-05 | 2011-08-05 | Mems振動子および発振器 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014196674A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 本田技研工業株式会社 | 内燃機関用点火装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004337991A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Sony Corp | マイクロマシンおよびその製造方法 |
JP2010028792A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-02-04 | Seiko Epson Corp | 共振回路、発振回路、フィルタ回路及び電子装置 |
-
2011
- 2011-08-05 JP JP2011171617A patent/JP2013038530A/ja not_active Withdrawn
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JP2014196674A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 本田技研工業株式会社 | 内燃機関用点火装置 |
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