JP2012096316A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 基板と、
   前記基板とともに空洞部を構成する被覆構造体と、
   前記基板の上方で前記空洞部に配置されているＭＥＭＳ構造体と、
   を含み、
   前記被覆構造体は、
   前記空洞部の上方に配置されている第１被覆層を有し、
   前記第１被覆層は、
   少なくとも前記ＭＥＭＳ構造体の上方に配置されている第１領域と、
   前記第１領域の周囲に配置されている第２領域と、
   を有し、
   前記第１領域の前記第１被覆層は、前記第２領域の前記第１被覆層よりも厚さが小さい部分を有し、
   前記第１領域の前記第１被覆層と前記基板との間の距離は、前記第２領域の前記第１被覆層と前記基板との間の距離より長い、電子装置。
2. 前記第１被覆層は、
   前記空洞部に連通する貫通孔と、
   前記第１領域を避けて前記第２領域に配置されている第１層と、
   前記第１領域および前記第２領域に配置されている第２層と、
   を有し、
   前記貫通孔は、前記第１領域の前記第１被覆層に配置されている、請求項１に記載の電子装置。
3. 前記被覆構造体は、前記第１被覆層の上方に配置されていて、前記貫通孔を閉鎖する第２被覆層を有し、
   前記第１被覆層は、前記第１領域および前記第２領域に配置されている第３層を、さらに有し、
   前記第１層は、前記第２層の下方に配置され、
   前記第３層は、前記第２層の上方に配置され、
   前記第２層は、Ａｌ−Ｃｕ合金を含み、
   前記第１層および前記第３層は、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔの少なくともいずれか１つ、もしくはこれらの合金を含む、請求項２に記載の電子装置。
4. 前記第１領域の平面視形状は、曲線部を有する、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電子装置。
5. 前記ＭＥＭＳ構造体は、
   前記基板の上方に配置されている第１電極と、
   前記基板の上方に配置されている支持部、および前記支持部から延出し前記第１電極と対向配置されている梁部を有する第２電極と、
   を含む、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電子装置。
6. 前記ＭＥＭＳ構造体を発振させるための発振回路を、さらに含む、請求項５に記載の電子装置。
7. 基板の上方にＭＥＭＳ構造体を配置する工程と、
   前記基板および前記ＭＥＭＳ構造体の上方に、層間絶縁層を配置する工程と、
   前記層間絶縁層の上方に、貫通孔を有する第１被覆層を配置する工程と、
   前記貫通孔を通して、前記ＭＥＭＳ構造体の上方の前記層間絶縁層を除去する工程と、
   前記第１被覆層の上方に、前記貫通孔を閉鎖する第２被覆層を配置する工程と、
   を含み、
   前記第１被覆層を配置する工程において、
   前記ＭＥＭＳ構造体の上方に位置する第１領域の前記第１被覆層に、前記第１領域の周囲に位置する第２領域の前記第２被覆層よりも厚さが小さくなる部分を形成し、
   前記第２被覆層を配置する工程において、
   前記第１領域の前記第１被覆層は、前記第２領域の前記第１被覆層より、上方に配置する、電子装置の製造方法。
8. 前記第１被覆層を配置する工程は、
   前記層間絶縁層の上方に、第１層を配置するステップと、
   前記第１領域の前記第１層を除去して、前記層間絶縁層を露出するステップと、
   前記第１領域の前記層間絶縁層の上方、および前記第２領域の前記第１層の上方に第２層を配置するステップと、
   前記第１領域の前記第２層に、前記貫通孔を形成するステップと、
   を含む、請求項７に記載の電子装置の製造方法。