JP2009164481A5 - - Google Patents
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- 半導体基体上に絶縁層が形成され、
前記半導体基体及び絶縁層を貫通するビアホールが形成され、
前記ビアホールの内側面に、絶縁層を介して導電層が形成された貫通電極が構成され、
前記ビアホールの内側面に形成される絶縁層の表面が、前記半導体基体と前記半導体基体上に形成される絶縁層との界面の凹部を埋め込んでほぼ平坦化する形状である
ことを特徴とする半導体装置。 - 貫通電極内の、前記ビアホールの内側面に、複数の絶縁層が形成されてなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体基体の一方の面に絶縁層を形成する工程と、
前記半導体基体の他方の面から、ビアホール用の開口をエッチングにより形成する工程と、
前記ビアホールの内側面に、絶縁層を形成する工程と、
前記ビアホールの内側面に形成した絶縁層の底部と、前記半導体基体の一方の面に形成された絶縁層とをエッチングする工程と、
前記ビアホール内に導電層を形成する工程と、を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ビアホールを形成した後、前記ビアホールの内側面に絶縁層を形成する工程を有することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008002553A JP5259197B2 (ja) | 2008-01-09 | 2008-01-09 | 半導体装置及びその製造方法 |
US12/348,988 US8564101B2 (en) | 2008-01-09 | 2009-01-06 | Semiconductor apparatus having a through-hole interconnection |
KR1020090001448A KR101573302B1 (ko) | 2008-01-09 | 2009-01-08 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
CN2009100007762A CN101483162B (zh) | 2008-01-09 | 2009-01-09 | 半导体装置及其制造方法 |
TW098100752A TWI492354B (zh) | 2008-01-09 | 2009-01-09 | 半導體裝置及其製造方法 |
US13/027,614 US8273657B2 (en) | 2008-01-09 | 2011-02-15 | Method for manufacturing a semiconductor apparatus having a through-hole interconnection |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008002553A JP5259197B2 (ja) | 2008-01-09 | 2008-01-09 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009164481A JP2009164481A (ja) | 2009-07-23 |
JP2009164481A5 true JP2009164481A5 (ja) | 2011-02-10 |
JP5259197B2 JP5259197B2 (ja) | 2013-08-07 |
Family
ID=40880200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008002553A Active JP5259197B2 (ja) | 2008-01-09 | 2008-01-09 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8564101B2 (ja) |
JP (1) | JP5259197B2 (ja) |
KR (1) | KR101573302B1 (ja) |
CN (1) | CN101483162B (ja) |
TW (1) | TWI492354B (ja) |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010040862A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Fujikura Ltd | 半導体装置 |
JP5455538B2 (ja) * | 2008-10-21 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010205921A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Olympus Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US8021926B2 (en) * | 2009-09-22 | 2011-09-20 | Freescale Semiconductor, Inc. | Methods for forming semiconductor devices with low resistance back-side coupling |
JP5532394B2 (ja) | 2009-10-15 | 2014-06-25 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及び回路基板並びに電子機器 |
CN102148202B (zh) * | 2010-02-09 | 2016-06-08 | 精材科技股份有限公司 | 晶片封装体及其形成方法 |
US8294275B2 (en) * | 2010-02-12 | 2012-10-23 | Chao-Yen Lin | Chip package and method for forming the same |
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JP6412169B2 (ja) | 2015-01-23 | 2018-10-24 | オリンパス株式会社 | 撮像装置および内視鏡 |
JP6693068B2 (ja) * | 2015-03-12 | 2020-05-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および製造方法、並びに電子機器 |
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JP4845368B2 (ja) | 2004-10-28 | 2011-12-28 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 半導体装置及びその製造方法 |
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-
2008
- 2008-01-09 JP JP2008002553A patent/JP5259197B2/ja active Active
-
2009
- 2009-01-06 US US12/348,988 patent/US8564101B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-01-08 KR KR1020090001448A patent/KR101573302B1/ko active IP Right Grant
- 2009-01-09 CN CN2009100007762A patent/CN101483162B/zh active Active
- 2009-01-09 TW TW098100752A patent/TWI492354B/zh active
-
2011
- 2011-02-15 US US13/027,614 patent/US8273657B2/en active Active