JP2013004881A5 - - Google Patents

Description

以下開示の一観点によれば、厚み方向に貫通する開口部を備えた基板樹脂層と、前記基板樹脂層の一方の面の前記開口部を含む領域に形成された配線層と、前記基板樹脂層の一方の面に形成され、前記配線層を覆う層間絶縁層とを含む下側配線基板と、前記下側配線基板の上方に空間を介して配置された上側配線基板と、前記上側配線基板を貫通して前記基板樹脂層の開口部まで形成されて前記配線層に接続され、前記上側配線基板と前記下側配線基板とを連結する貫通電極とを有し、前記貫通電極の側面は、前記基板樹脂層の開口部の内壁面と直接接触し、かつ、前記下側配線基板と前記上側配線基板との間に形成された前記空間に露出していることをインターポーザが提供される。

Claims (10)

1. 厚み方向に貫通する開口部を備えた基板樹脂層と、
   前記基板樹脂層の一方の面の前記開口部を含む領域に形成された配線層と、
   前記基板樹脂層の一方の面に形成され、前記配線層を覆う層間絶縁層と
   を含む下側配線基板と、
   前記下側配線基板の上方に空間を介して配置された上側配線基板と、
   前記上側配線基板を貫通して前記基板樹脂層の開口部まで形成されて前記配線層に接続され、前記上側配線基板と前記下側配線基板とを連結する貫通電極とを有し、
   前記貫通電極の側面は、前記基板樹脂層の開口部の内壁面と直接接触し、かつ、前記下側配線基板と前記上側配線基板との間に形成された前記空間に露出していることを特徴とするインターポーザ。
2. 前記上側配線基板内の基板は、シリコン又はガラスからなることを特徴とする請求項１に記載のインターポーザ。
3. 前記上側配線基板内の基板の熱膨張係数は、半導体チップの熱膨張係数と同一に設定されることを特徴とする請求項１又は２に記載のインターポーザ。
4. 前記上側配線基板の上面側に形成されたパッドと、前記下側配線基板の下面側に形成されたパッドとは、前記貫通電極を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のインターポーザ。
5. 請求項１乃至４のいずれかのインターポーザと、
   前記上側配線基板の上面側の配線層にフリップチップ接続された半導体チップと、
   前記下側配線基板の下面側の接続端子に接続された実装基板とを有することを特徴とする半導体装置。
6. 前記実装基板は、樹脂を含む有機基板であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
7. 上側基板にスルーホールを形成する工程と、
   前記上側基板の一方の面に、前記スルーホールに対応する位置に開口部が設けられた犠牲樹脂層を形成する工程と、
   前記犠牲樹脂層の外面に前記スルーホールに対応する位置に開口部が設けられた樹脂層を形成することにより、前記スルーホールと前記犠牲樹脂層の前記開口部と前記樹脂層の前記開口部とが連通して形成される連通スルーホールを得る工程と、
   前記連通スルーホールに貫通電極を形成する工程と、
   前記樹脂層に、前記貫通電極に接続される下側配線層及び絶縁層を積層することにより、下側配線基板を形成する工程と、
   前記犠牲樹脂層を除去することにより、前記樹脂層と前記上側基板との間を離間させる工程とを有することを特徴とするインターポーザの製造方法。
8. 上側基板にスルーホールを形成する工程と、
   前記スルーホールに第１貫通電極部を形成する工程と、
   前記上側基板の一方の面に、前記スルーホールに対応する位置に開口部が設けられた犠牲樹脂層を形成する工程と、
   前記犠牲樹脂層の外面に前記スルーホールに対応する位置に開口部が設けられた樹脂層を形成することにより、前記犠牲樹脂層の前記開口部と前記樹脂層の前記開口部とが連通して形成される連通ホールを得る工程と、
   前記連通ホールに、第１貫通電極部に接続される第２貫通電極部を形成することにより、前記上側基板、前記犠牲樹脂層及び前記樹脂層を貫通する貫通電極を得る工程と、
   前記樹脂層に、前記貫通電極に接続される下側配線層及び絶縁層を積層することにより下側配線基板を形成する工程と、
   前記犠牲樹脂層を除去することにより、前記樹脂層と前記上側基板との間を離間させる工程とを有することを特徴とするインターポーザの製造方法。
9. 前記上側基板の上面に前記貫通電極の上端に接続される上側配線層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項７又は８に記載のインターポーザの製造方法。
10. 前記上側基板は、シリコン又はガラスからなることを特徴とする請求項８又は９に記載のインターポーザの製造方法。