JP2009266979A5 - - Google Patents
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- シリコン基板の一面側に形成されたアンテナと、前記シリコン基板の他面側に搭載された能動素子である半導体素子とが、前記シリコン基板を貫通する貫通ヴィアを介して電気的に接続され、
且つ前記シリコン基板と別体に形成され、一面側に受動素子が搭載された配線基板と前記シリコン基板とが、前記配線基板の一面側と前記シリコン基板の他面側との間に配設された接続部材を介して電気的に接続され、
前記半導体素子が搭載された前記シリコン基板の他面側と、前記受動素子が搭載された前記配線基板の一面側とが対向して配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記配線基板の一面側と前記シリコン基板の他面側との間が封止樹脂によって封止されている請求項１記載の半導体装置。
- 前記シリコン基板に搭載される前記半導体素子は、前記配線基板に搭載される前記受動素子に較べて発熱量が大きい請求項１または２記載の半導体装置。
- 前記シリコン基板の貫通孔の内周面を含む外周面に、SiO2又はSiNから成る絶縁層が形成されている請求項１、２または３記載の半導体装置。
- 前記配線基板が、樹脂製の配線基板である請求項１〜４のいずれか一項記載の半導体装置。
- 前記配線基板の他面側に外部接続端子が装着されている請求項１〜５のいずれか一項記載の半導体装置。
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