JP2011114192A5 - - Google Patents
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Description
上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、半導体素子が配線基板上に搭載され、前記半導体素子に電気的に接続された導体部分と前記半導体素子とを、前記配線基板との間に接着材料を介在させて凹状のキャップで封止する構造を有した半導体装置において、前記半導体素子は前記配線基板に形成されたキャビティ内に搭載され、前記凹状のキャップの側壁部が接着剤を介して前記配線基板の周縁側の絶縁層の上に接着されており、前記配線基板上で前記キャップが接着される部分と、前記導体部分のうち前記配線基板上の、前記キャビティの周囲に形成された配線部分との間に、前記配線基板の最外層の絶縁層の一部から形成されたダム状部材が設けられ、前記凹状のキャップの側壁部の、前記配線基板上に接着される側の底面に繋がる外側の部分に、当該部分での側壁部の厚さが他の部分よりも薄く形成された凹部が設けられていることを特徴とする半導体装置が提供される。
Claims (7)
- 半導体素子が配線基板上に搭載され、前記半導体素子に電気的に接続された導体部分と前記半導体素子とを、前記配線基板との間に接着材料を介在させて凹状のキャップで封止する構造を有した半導体装置において、
前記半導体素子は前記配線基板に形成されたキャビティ内に搭載され、
前記凹状のキャップの側壁部が接着剤を介して前記配線基板の周縁の絶縁層の上に接着されており、
前記配線基板上で前記キャップが接着される部分と、前記導体部分のうち前記配線基板上の、前記キャビティの周囲に形成された配線部分との間に、前記配線基板の最外層の絶縁層の一部から形成されたダム状部材が設けられ、
前記凹状のキャップの側壁部の、前記配線基板上に接着される側の底面に繋がる外側の部分に、当該部分での側壁部の厚さが他の部分よりも薄く形成された凹部が設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 前記ダム状部材の外側側面に前記キャップの対応する内側側面が接触するように押し当てられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
- 前記ダム状部材は、前記キャップの側壁部の内側周縁部の形状に従ってリング状に配設されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
- 前記ダム状部材は、前記配線基板上に形成された配線部分のうち他の配線に比べて高周波用の配線が形成されている領域の近傍にのみ部分的に配設されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記凹状のキャップの側壁部の外側の部分に設けられる前記凹部は、段差状もしくはテーパ状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記キャビティの直下の領域には、前記配線基板の厚み方向に貫通するサーマルビアが形成されており、
前記サーマルビアは前記キャビティの底面に露出しており、接着剤層を介して前記半導体素子と熱的に結合していることを特徴する請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記配線基板の上に、該配線基板から露出した状態で高周波用の配線が形成されており、前記配線の露出部分を保護するように前記キャップで封止されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置。
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